JP2015135965A5

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Publication number: JP2015135965A5
Application number: JP2015003196A
Authority: JP
Filing date: 2015-01-09
Publication date: 2018-02-15
Anticipated expiration: 2035-01-09

Claims

第１窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）サブ層および第１ＡｌＧａＮスペーササブ層を備える第１ＡｌＧａＮバリア層と、
前記第１ＡｌＧａＮサブ層および前記第１ＡｌＧａＮスペーササブ層の間の第１ドープ要素と、
前記第１バリア層と結合して第１ヘテロ接合を形成する窒化ガリウム（ＧａＮ）チャネル層と、
前記チャネル層と結合して第２ヘテロ接合を形成し、第２ＡｌＧａＮサブ層および第２ＡｌＧａＮスペーササブ層を備える第２ＡｌＧａＮバリア層と、
前記第２ＡｌＧａＮサブ層および前記第２ＡｌＧａＮスペーササブ層の間の第２ドープ要素と、を備える装置。
前記第１および第２ドープ要素は、第１および第２ドープ層をそれぞれ含む、請求項１に記載の装置。
前記第１ドープ層は、約１５％の濃度のアルミニウムと、約５×１０ ^１９ｃｍ ^−３以上のドープ濃度のゲルマニウムとを含み、約１０Åの厚さを有する、請求項２に記載の装置。
前記第２ドープ層は、約４％の濃度のアルミニウムと、約５×１０ ^１９ｃｍ ^−３以上のドープ濃度のゲルマニウムとを含み、約１０Åの厚さを有する、請求項２に記載の装置。
前記第１および第２ドープ要素は、第１および第２ドープパルスを含む、請求項１に記載の装置。
前記第１ＡｌＧａＮバリア層は、約１５％の濃度のアルミニウムを含み、前記第２ＡｌＧａＮバリア層は、約４％の濃度のアルミニウムを含む、請求項１に記載の装置。
基板上に、第１窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）サブ層および第１ＡｌＧａＮスペーササブ層を備える第１ＡｌＧａＮバリア層を形成するステップと、
前記第１ＡｌＧａＮサブ層および前記第１ＡｌＧａＮスペーササブ層の間に第１ドープ要素を形成するステップと、
前記第１ＡｌＧａＮバリア層上に窒化ガリウム（ＧａＮ）チャネルを形成するステップと、
前記ＧａＮチャネル上に、第２ＡｌＧａＮサブ層および第２ＡｌＧａＮスペーササブ層を備える第２ＡｌＧａＮバリア層を形成するステップと、
前記第２ＡｌＧａＮサブ層および前記第２ＡｌＧａＮスペーササブ層の間に第２ドープ要素を形成するステップと、を備える方法。
前記第１ドープ要素を形成するステップは、約５×１０ ^１９ｃｍ ^−３以上のドープ濃度を持つドープ層を形成するステップを含む、請求項７に記載の方法。
前記第１ドープ要素を形成するステップは、ドープパルスを形成するステップを含む、請求項７に記載の方法。
ＲＦ信号を生成するトランシーバと、
前記トランシーバに結合され、前記トランシーバからのＲＦ信号を増幅し、増幅されたＲＦ信号をアンテナスイッチモジュールに供給するパワー増幅器モジュールと、を備え、前記パワー増幅器モジュールは、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を含み、前記ＨＥＭＴは、
基板と、
前記基板上に設けられ、第１窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）サブ層および第１ＡｌＧａＮスペーササブ層を備える第１ＡｌＧａＮバリア層と、
前記第１ＡｌＧａＮサブ層および前記第１ＡｌＧａＮスペーササブ層の間の第１ドープ要素と、
前記第１ＡｌＧａＮバリア層上に設けられるチャネル層と、
前記チャネル層上に設けられ、第２ＡｌＧａＮサブ層および第２ＡｌＧａＮスペーササブ層を備える第２ＡｌＧａＮバリア層と、
前記第２ＡｌＧａＮサブ層および前記第２ＡｌＧａＮスペーササブ層の間の第２ドープ要素と、を備えるシステム。
前記第１ドープ要素および前記第２ドープ要素は、いずれもゲルマニウムである、請求項１０に記載のシステム。
前記第１ＡｌＧａＮバリア層および前記第２ＡｌＧａＮバリア層の少なくとも一方は、約１５％のアルミニウム濃度を含む、請求項１０に記載のシステム。