CN115954378B - 氮化镓功率器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制备方法，所述氮化镓功率器件包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、应力补偿层、高阻层、沟道层、势垒层、GaN帽层；所述应力补偿层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一复合层和AlN/AlxGa1‑xN超晶格层，所述第一复合层包括掺杂Ge的AlN层和掺杂Mo的X层，所述X层包括BN层、MgN层、AlN层和ZnN层中的一种或多种。本发明提供的氮化镓功率器件能够减少晶格失配及热失配，降低缺陷密度。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种氮化镓功率器件及其制备方法。
背景技术
GaN基HEMT器件因其具有高电子迁移率、高临界击穿电场强度、高电子饱和速度等优良特性而成为了高频率和大功率开关应用的优良解决方案。随着技术的不断发展，功率开关应用对高频大功率GaN基HEMT器件的需求日益增加。尽管GaN基功率HEMT器件本身就具有较低的功耗，但其开关损耗仍然需要被降低以满足更高效率的应用的需求。特别是在高频工作环境中，器件的开关损耗在总体功耗中仍然占有较大的比重。因此，设计具有低开关损耗的高性能GaN基功率HEMT器件以满足高频率和高效率应用的需求是非常有价值的。
关于GaN材料的制备通常是在异质衬底上进行外延生长获得，较为常见的异质衬底包括Si(111)衬底、SiC衬底、蓝宝石衬底等，然而，异质衬底与GaN之间均存在不可忽视的晶格失配和热失配的问题，其将造成异质外延的GaN的缺陷及位错密度极高，通常穿透位错密度(ThreadingDislocationDensity，TDD)达到108/cm2。高缺陷、高位错密度会降低AlGaN/GaN异质结的二维电子气密度、增加反向漏电流、降低GaN器件的寿命、影响GaN器件的可靠性，并且热失配易使外延GaN材料产生裂纹和翘曲，从而现有的采用异质外延方法制备GaN材料严重影响了GaN器件的性能。在自支撑GaN单晶衬底上可同质外延得到高质量、低位错缺陷密度的GaN材料，从而获得的AlGaN/GaNHEMT的性能也会大大提升。自支撑GaN单晶衬底的位错密度可低至105/cm2，基于自支撑GaN单晶衬底同质外延的AlGaN/GaNHEMT器件可靠性强、寿命长、二维电子气密度高、性能优异。然而，自支撑GaN单晶衬底仍未大规模商业化，其最大的阻碍原因之一是自支撑GaN单晶衬底成本高、价格昂贵，一片优质的2英寸自支撑GaN单晶衬底的价格高昂，大大阻碍了大规模的应用，从而限制了制备高性能的GaN基HEMT器件的应用。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种氮化镓功率器件，其能够降低衬底与GaN外延材料的晶格失配和热失配。
本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种氮化镓功率器件的制备方法，其工艺简单，能够稳定制得发光效率良好的氮化镓功率器件。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种氮化镓功率器件，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、应力补偿层、高阻层、沟道层、势垒层、GaN帽层；
所述应力补偿层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一复合层和AlN/AlxGa1-xN超晶格层，其中，0＜x＜0.3；所述第一复合层包括掺杂Ge的AlN层和掺杂Mo的X层，所述X层包括BN层、MgN层、AlN层和ZnN层中的一种或多种。
在一种实施方式中，所述缓冲层为Al金属层、Mo金属层、Ge金属层、Cr金属层和Ni金属层中的一种或多种。
在一种实施方式中，所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层包括交替层叠的AlN层和AlxGa1-xN层，周期数为5-10；
所述AlN层的厚度为2nm-5nm；
所述AlxGa1-xN层的厚度为2nm-5nm。
在一种实施方式中，所述掺杂Ge的AlN层中，Ge组分含量为0.02-0.08；
所述掺杂Mo的X层中，Mo组分含量为0.02-0.08。
在一种实施方式中，所述掺杂Ge的AlN层的厚度为10nm-20nm；
所述掺杂Mo的X层的厚度为10nm-20nm。
在一种实施方式中，在生长过程中，所述掺杂Ge的AlN层的V/III比＜所述掺杂Mo的X层的V/III比＜所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的V/III比；
所述掺杂Ge的AlN层的生长压力＞所述掺杂Mo的X层的生长压力或所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的生长压力。
优选地，所述掺杂Ge的AlN层的V/III比为100-1000；
所述掺杂Mo的X层的V/III比为500-1000；
所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的V/III比为1000-5000。
优选地，所述掺杂Ge的AlN层的生长过程中，生长压力为300torr-500torr；
所述掺杂Mo的X层的生长过程中，生长压力为50torr-200torr；
所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的生长过程中，生长压力为50torr-200torr。
在一种实施方式中，所述掺杂Ge的AlN层的生长过程中，生长温度为550℃-900℃；
所述掺杂Mo的X层的生长过程中，生长温度为550℃-900℃；
所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的生长过程中，生长温度为550℃-900℃。
相应地，本发明还提供了一种氮化镓功率器件的制备方法，包括以下步骤：
S1、准备衬底；
S2、在所述衬底上依次沉积缓冲层、应力补偿层、高阻层、沟道层、势垒层、GaN帽层；
所述应力补偿层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一复合层和AlN/AlxGa1-xN超晶格层，所述第一复合层包括掺杂Ge的AlN层和掺杂Mo的X层，所述X层包括BN层、MgN层、AlN层和ZnN层中的一种或多种。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明提供的氮化镓功率器件，其应力补偿层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一复合层和AlN/AlxGa1-xN超晶格层，所述第一复合层包括掺杂Ge的AlN层和掺杂Mo的X层。其中，所述第一复合层能够提供高密度的成核中心，降低了衬底与AlN之间的自由能，掺杂Ge或Mo可以降低热失配，减少位错线的产生，减少漏电通道；所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层能够快速形成一个平整光滑的二维平面，同时特定结构的AlN/AlxGa1-xN超晶格层能够使压应力通过堆垛层错释放，线缺陷减少，晶体质量提高。反向漏电降低保证氮化镓功率器件的安全耐用，提高抗纵向击穿的能力，有助于抑制材料表面陷阱，降低电流崩塌效应发生的风险，同时为内部材料提供隔离保护，避免材料损伤。
附图说明
图1为本发明提供的氮化镓功率器件的结构示意图；
图2为本发明提供的氮化镓功率器件的应力补偿层的结构示意图；
其中：衬底1、缓冲层2、应力补偿层3、高阻层4、沟道层5、势垒层6、GaN帽层7、第一复合层31、AlN/AlxGa1-xN超晶格层32、掺杂Ge的AlN层311和掺杂Mo的X层312。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明作进一步地详细描述。
除非另外说明或存在矛盾之处，本文中使用的术语或短语具有以下含义：
本发明中，“优选”仅为描述效果更好的实施方式或实施例，应当理解，并不构成对本发明保护范围的限制。
本发明中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
本发明中，涉及到数值区间，如无特别说明，则包括数值区间的两个端点。
为解决上述问题，本发明提供了一种氮化镓功率器件，如图1和图2所示，包括衬底1及依次层叠于所述衬底1上的缓冲层2、应力补偿层3、高阻层4、沟道层5、势垒层6、GaN帽层7；
所述应力补偿层3包括依次层叠于所述缓冲层2上的第一复合层31和AlN/AlxGa1- xN超晶格层32，其中，0＜x＜0.3；
所述第一复合层31包括掺杂Ge的AlN层311和掺杂Mo的X层312，所述X层包括BN层、MgN层、AlN层和ZnN层中的一种或多种。
本发明提供的氮化镓功率器件，其应力补偿层3包括依次层叠于所述缓冲层2上的第一复合层31和AlN/AlxGa1-xN超晶格层32，所述第一复合层31包括掺杂Ge的AlN层311和掺杂Mo的X层312。其中，所述第一复合层31能够提供高密度的成核中心，降低了衬底1与AlN之间的自由能，掺杂Ge或Mo可以降低热失配，减少位错线的产生，减少漏电通道；所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层32能够快速形成一个平整光滑的二维平面，同时特定结构的AlN/AlxGa1- xN超晶格层能够使压应力通过堆垛层错释放，线缺陷减少，晶体质量提高。反向漏电降低保证氮化镓功率器件的安全耐用，提高抗纵向击穿的能力，有助于抑制材料表面陷阱，降低电流崩塌效应发生的风险，同时为内部材料提供隔离保护，避免材料损伤。
在一种实施方式中，所述缓冲层为Al金属层、Mo金属层、Ge金属层、Cr金属层和Ni金属层中的一种或多种。所述缓冲层中的金属晶格失配小于Si衬底，可以减少晶格失配，防止SixNy无定型层以及GaSi合金形成的作用，并降低与Si衬底的热失配，减少裂纹，提高成品率和漏电通道。
具体地，本发明的所述第一复合层31包括掺杂Ge的AlN层311和掺杂Mo的X层312。掺杂Ge或Mo可以引入附加点缺陷，从而有效地缓解热失配。而且Ge和Mo元素在周期表中具有相似的原子半径和化学性质，它们的掺杂可以形成稳定的晶格缺陷，这有助于提高所述第一复合层31的热稳定性和机械强度。并且，Ge和Mo元素具有高熔点和热稳定性，掺杂Ge或Mo可以形成较高密度的异质核，从而提高外延生长速率和降低杂质浓度，从而有效地降低了热失配。但是Ge或Mo的掺杂浓度过高会导致结晶缺陷，并且载流子在材料内部的散射增加，从而使电学性能下降。在一种实施方式中，所述掺杂Ge的AlN层311中，Ge组分含量为0.02-0.08；所述掺杂Mo的X层312中，Mo组分含量为0.02-0.08。另外，在一种实施方式中，所述掺杂Ge的AlN层311的厚度为10nm-20nm；所述掺杂Mo的X层312的厚度为10nm-20nm。
在一种实施方式中，所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层32包括交替层叠的AlN层和AlxGa1-xN层，周期数为5-10；所述AlN层的厚度为2nm-5nm；所述AlxGa1-xN层的厚度为2nm-5nm。上述特定结构的AlN/AlxGa1-xN超晶格层32能够使压应力通过堆垛层错释放，线缺陷减少，晶体质量提高。
除此之外，所述应力补偿层3的生长方式也会影响最终性能。在一种实施方式中，在生长过程中，所述掺杂Ge的AlN层311的V/III比＜所述掺杂Mo的X层312的V/III比＜所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的V/III比；所述掺杂Ge的AlN层311的生长压力＞所述掺杂Mo的X层312的生长压力或所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的生长压力。优选地，所述掺杂Ge的AlN层311的V/III比为100-1000；所述掺杂Mo的X层312的V/III比为500-1000。AlN/AlxGa1-xN超晶格层的V/III比为1000-5000。优选地，所述掺杂Ge的AlN层311的生长过程中，生长压力为300torr-500torr；所述掺杂Mo的X层312的生长过程中，生长压力为50torr-200torr；所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的生长过程中，生长压力为50torr-200torr。需要说明的是，所述掺杂Ge的AlN层311以较低的V/III比生长能够提供高密度的成核中心，降低了衬底1与AlN之间的自由能；三层结构之间的高低压生长，能够有效减少位错线的产生，减少漏电通道。
在一种实施方式中，所述掺杂Ge的AlN层311的生长过程中，生长温度为550℃-900℃；所述掺杂Mo的X层312的生长过程中，生长温度为550℃-900℃；所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的生长过程中，生长温度为550℃-900℃。本发明的应力补偿层3在上述温度范围内生长，能够减少晶体生长时的热应力，从而减小晶体中的缺陷密度，提高晶体质量。
相应地，本发明还提供了一种氮化镓功率器件的制备方法，包括以下步骤：
S1、准备衬底1；
在一种实施方式中，选用Si衬底，再将Si衬底放置于金属有机化合物化学气相沉淀反应室里，在温度为1000℃-1150℃条件下，采用H2、NH3高温处理Si衬底4-15分钟，以免Si衬底表面发生氧化或表面沾污。
S2、在所述衬底1上依次沉积缓冲层2、应力补偿层3、高阻层4、沟道层5、势垒层6、GaN帽层7。
在一种实施方式中，所述步骤S2包括以下步骤：
S21、在衬底1上生长缓冲层。
优选地，在Si衬底放置在PVD中溅射缓冲层2，溅射功率为2KW-4KW，溅射温度300℃-850℃，溅射压力为1torr-50torr，厚度在5nm-10nm；再在H2气氛下经压力50torr-510torr、高温1000℃-1200℃处理。本发明的缓冲层起到防止SixNy无定型层以及GaSi合金形成的作用，并降低与Si衬底的热失配。
更佳地，生长Al层，生长温度为400℃，压力在10torr，功率3KW，厚度5nm。在H2气氛经压力200torr，高温1100℃-1200℃处理。
S22、在缓冲层2上生长应力补偿层3。
所述应力补偿层3包括依次层叠于所述缓冲层2上的第一复合层31和AlN/AlxGa1- xN超晶格层32，所述第一复合层31包括掺杂Ge的AlN层311和掺杂Mo的X层312，所述X层包括BN层、MgN层、AlN层和ZnN层中的一种或多种。
优选地，控制生长压力为300torr-500torr，通入材料源并控制V/III比为100-1000，完成所述掺杂Ge的AlN层311的沉淀；控制生长压力为50torr-200torr，通入材料源并控制V/III比为500-1000，完成所述掺杂Mo的X层312的沉淀；控制生长压力为50torr-200torr，通入材料源并控制V/III比为1000-5000，交替沉积AlN层和AlxGa1-xN层完成所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层32的沉淀。需要说明的是，所述掺杂Ge的AlN层311以较低的V/III比生长能够提供高密度的成核中心，降低了衬底1与AlN之间的自由能；三层结构之间的高低压生长，能够有效减少位错线的产生，减少漏电通道。
更佳地，控制生长压力为350torr，通入材料源并控制V/III比为800，完成所述掺杂Ge的AlN层311的沉淀，其Ge组分含量为0.03，厚度为15nm；控制生长压力为200torr，通入材料源并控制V/III比为900，完成所述掺杂Mo的X层312的沉淀，其Ge组分含量为0.04，厚度为15nm；控制生长压力为150torr，通入材料源并控制V/III比为1200-1300，交替沉积AlN层和AlxGa1-xN层完成所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层32的沉淀，其中AlN层的厚度为3nm，AlxGa1-xN层的厚度为3nm，周期数为6。
S23、在应力补偿层3上生长高阻层4。
优选地，控制反应腔内温度在1000℃-1025℃，压力为50torr-200torr，通入NH3、TMGa，生长厚度为2μm-3μm的自掺碳高阻GaN外延层，碳掺杂浓度为5×1018atoms/cm3-1×1019atoms/cm3。
优选地，控制反应腔内温度在1000℃，反应腔压力维持150torr，通入NH3、TMGa，生长厚度为2.8μm的自掺碳高阻GaN外延层，碳掺杂浓度为6×1018atoms/cm3。
S24、在高阻层4上生长沟道层5。
优选地，控制反应腔内温度为1030℃-1100℃，压力为100torr-300torr，通入NH3、TMGa，生长厚度为200nm-500nm的GaN沟道层。
更佳地，控制反应腔内温度为1080℃，压力为200torr，通入NH3、TMGa，生长厚度为300nm的GaN沟道层。
S25、在沟道层5上生长势垒层6。
优选地，控制反应腔内温度为1030℃-1100℃，压力为50torr-250torr，通入NH3、TMGa、TMAl，生长厚度为20nm-35nm的AlyGa1-yN势垒层6，y为0.15-0.35。
更佳地，控制反应腔内温度为1080℃，压力为100torr，通入NH3、TMGa、TMAl，生长厚度为30nm的AlyGa1-yN势垒层6，y为0.25。
S26、在势垒层6上生长GaN帽层7。
优选地，控制反应腔内温度为1020℃-1100℃，压力为50torr-200torr，通入NH3、TMGa，生长厚度为2nm-6nm的GaN帽层7。
更佳地，控制反应腔内温度为1060℃，压力为100torr，通入NH3、TMGa、生长厚度为4nm的GaN帽层7。
下面以具体实施例进一步说明本发明：
实施例1
本实施例提供一种氮化镓功率器件，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的Al金属层、应力补偿层、高阻层、沟道层、势垒层、GaN帽层；
所述应力补偿层包括依次层叠于所述Al金属层上的第一复合层和AlN/AlxGa1-xN超晶格层，x为0.15，所述第一复合层包括掺杂Ge的AlN层和掺杂Mo的AlN层。
其中，所述掺杂Ge的AlN层中，Ge组分含量为0.05，厚度为15nm，生长过程中：V/III比700，压力400torr；
所述掺杂Mo的AlN层中，Mo组分含量为0.05，厚度为15nm，生长过程中：V/III比900，压力150torr；
所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层包括交替层叠的AlN层和AlxGa1-xN层，周期数为8，所述AlN层的厚度为3nm，所述AlxGa1-xN层的厚度为3nm，生长过程中：V/III比1200，压力150torr。
实施例2
本实施例提供一种氮化镓功率器件，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的Mo金属层、应力补偿层、高阻层、沟道层、势垒层、GaN帽层；
所述应力补偿层包括依次层叠于所述Mo金属层上的第一复合层和AlN/AlxGa1-xN超晶格层，x为0.15，所述第一复合层包括掺杂Ge的AlN层和掺杂Mo的BN层。
其中，所述掺杂Ge的AlN层中，Ge组分含量为0.05，厚度为15nm，生长过程中：V/III比700，压力400torr；
所述掺杂Mo的BN层中，Mo组分含量为0.05，厚度为15nm，生长过程中：V/III比900，压力150torr；
所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层包括交替层叠的AlN层和AlxGa1-xN层，周期数为8，所述AlN层的厚度为3nm，所述AlxGa1-xN层的厚度为3nm，生长过程中：V/III比1200，压力150torr。
实施例3
本实施例提供一种氮化镓功率器件，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的Ni金属层、应力补偿层、高阻层、沟道层、势垒层、GaN帽层；
所述应力补偿层包括依次层叠于所述Ni金属层上的第一复合层和AlN/AlxGa1-xN超晶格层，x为0.15，所述第一复合层包括掺杂Ge的AlN层和掺杂Mo的ZnN层。
其中，所述掺杂Ge的AlN层中，Ge组分含量为0.05，厚度为15nm，生长过程中：V/III比700，压力400torr；
所述掺杂Mo的ZnN层中，Mo组分含量为0.05，厚度为15nm，生长过程中：V/III比900，压力150torr；
所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层包括交替层叠的AlN层和AlxGa1-xN层，周期数为8，所述AlN层的厚度为3nm，所述AlxGa1-xN层的厚度为3nm，生长过程中：V/III比1200，压力150torr。
对比例1
本对比例与实施例1不同之处在于，第一复合层不包括掺杂Ge的AlN层，其余皆与实施例1相同。
对比例2
本对比例与实施例1不同之处在于，第一复合层不包括和掺杂Mo的AlN层，其余皆与实施例1相同。
对比例3
本对比例与实施例1不同之处在于，应力补偿层不包括AlN/AlxGa1-xN超晶格层，其余皆与实施例1相同。
以实施例1-实施例3和对比例1-对比例3制得氮化镓功率器件进行测试，具体测试结果如表1所示。
表1 实施例1-实施例3和对比例1-对比例3制得氮化镓功率器件的性能测试结果
由上述结果可知，本发明提供的氮化镓功率器件，其应力补偿层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一复合层和AlN/AlxGa1-xN超晶格层，所述第一复合层包括掺杂Ge的AlN层和掺杂Mo的X层。其中，所述第一复合层能够提供高密度的成核中心，降低了衬底与AlN之间的自由能，掺杂Ge或Mo可以降低热失配，减少位错线的产生，减少漏电通道；所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层能够快速形成一个平整光滑的二维平面，同时特定结构的AlN/AlxGa1-xN超晶格层能够使压应力通过堆垛层错释放，线缺陷减少，晶体质量提高。反向漏电的降低能够保证氮化镓功率器件的安全耐用，提高抗纵向击穿的能力，有助于抑制材料表面陷阱，降低电流崩塌效应发生的风险，同时为内部材料提供隔离保护，避免材料损伤。
以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种氮化镓功率器件，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、应力补偿层、高阻层、沟道层、势垒层、GaN帽层；
所述应力补偿层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一复合层和AlN/AlxGa1-xN超晶格层，其中，0＜x＜0.3；
所述第一复合层包括依次层叠于所述缓冲层上的掺杂Ge的AlN层和掺杂Mo的X层，所述X层包括BN层、MgN层、AlN层和ZnN层中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述缓冲层为Al金属层、Mo金属层、Ge金属层、Cr金属层和Ni金属层中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层包括交替层叠的AlN层和AlxGa1-xN层，周期数为5-10；
所述AlN层的厚度为2nm-5nm；
所述AlxGa1-xN层的厚度为2nm-5nm。
4.如权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述掺杂Ge的AlN层中，Ge组分含量为0.02-0.08；
所述掺杂Mo的X层中，Mo组分含量为0.02-0.08。
5.如权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述掺杂Ge的AlN层的厚度为10nm-20nm；
所述掺杂Mo的X层的厚度为10nm-20nm。
6.如权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，在生长过程中，所述掺杂Ge的AlN层的V/III比＜所述掺杂Mo的X层的V/III比＜所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的V/III比；
所述掺杂Ge的AlN层的生长压力＞所述掺杂Mo的X层的生长压力或所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的生长压力。
7.如权利要求6所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述掺杂Ge的AlN层的V/III比为100-1000；
所述掺杂Mo的X层的V/III比为500-1000；
所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的V/III比为1000-5000。
8.如权利要求6所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述掺杂Ge的AlN层的生长过程中，生长压力为300torr-500torr；
所述掺杂Mo的X层的生长过程中，生长压力为50torr-200torr；
所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的生长过程中，生长压力为50torr-200torr。
9.如权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述掺杂Ge的AlN层的生长过程中，生长温度为550℃-900℃；
所述掺杂Mo的X层的生长过程中，生长温度为550℃-900℃；
所述AlN/AlxGa1-xN超晶格层的生长过程中，生长温度为550℃-900℃。
10.一种如权利要求1-9任一项所述的氮化镓功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、准备衬底；
S2、在所述衬底上依次沉积缓冲层、应力补偿层、高阻层、沟道层、势垒层、GaN帽层；
所述应力补偿层包括依次层叠于所述缓冲层上的第一复合层和AlN/AlxGa1-xN超晶格层，其中，0＜x＜0.3；
所述第一复合层包括依次层叠于所述缓冲层上的掺杂Ge的AlN层和掺杂Mo的X层，所述X层包括BN层、MgN层、AlN层和ZnN层中的一种或多种。
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