JP2015135903A - 常温接合装置 - Google Patents
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 205
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 194
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 230000006870 function Effects 0.000 description 19
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 15
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
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- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- B32B2313/00—Elements other than metals
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2315/00—Other materials containing non-metallic inorganic compounds not provided for in groups B32B2311/00 - B32B2313/04
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
【解決手段】下側ステージ機構(24)は、下側ウェハ(34)を保持する下側ウェハ保持部(52)を有するキャリッジ(43)と、弾性案内(44)と、下側ウェハ保持部(52)を粗動させる位置決めステージ(41)と、下側ウェハ保持部(52)を微動させる微動機構と、キャリッジ支持台(42)とを含む。弾性案内(44)は、上側ステージ機構(23)からキャリッジ(43)に荷重が印加されていないときにキャリッジ(43)がキャリッジ支持台(42)に接触しないようにキャリッジ(43)を支持し、上側ステージ機構(23)によってキャリッジ(43)に上下方向に荷重が印加されるとキャリッジ(43)がキャリッジ支持台(42)に接触するように弾性変形する。
【選択図】図4A
Description
図1は、第1の実施形態の常温接合装置1の構成を示す模式的に示す断面図である。なお、以下の説明においては、必要に応じて、XYZ直交座標系が用いられる。Z軸は、上下方向(鉛直方向)に規定され、X軸は、水平面に平行な面内の特定方向に規定され、Y軸は、X軸、Z軸に垂直な方向に規定される。
図6は、本実施形態における常温接合方法を示すフローチャートである。この常温接合方法は、上述された常温接合装置1を用いて実行される。
図7は、本発明の第2の実施形態における常温接合装置1の構成、特に、下側ステージ機構24Aの構成を模式的に示す断面図である。第2の実施形態の常温接合装置1の構成は、第1の実施形態の常温接合装置1とほぼ同様である。ただし、下側ステージ機構24Aの構成が、第1の実施形態の下側ステージ機構24の構成と異なっている。なお、第1の実施形態と同様に、下側ステージ24Aにはアライメント機構27が組み込まれてもよいが、図7には図示されていない。
図9は、本発明の第3の実施形態における常温接合装置1の構成、特に、下側ステージ機構24Bの構成を模式的に示す断面図である。第3の実施形態の常温接合装置1の構成は、第1及び第2の実施形態の常温接合装置1と類似している。ただし、下側ステージ機構24Bの構成が、第1の実施形態の下側ステージ機構24及び第2の実施形態の下側ステージ機構24Aの構成と異なっている。なお、第1の実施形態と同様に、下側ステージ24Bにはアライメント機構27が組み込まれてもよいが、図9には図示されていない。
上記の各実施形態においては、上側ステージ機構23が静電チャック25を上下方向に昇降させる機能しか有していないが、上側ウェハ33を保持する静電チャック(上側ウェハ保持部)の向きを調節する角度調節機構が上側ステージ機構に組み込まれてもよい。図11は、このような構成の上側ステージ機構23Aの構造を模式的に示す側面図である。
2 :プロセスモジュール
3 :制御装置
4 :ロードロックチャンバ
5 :接合チャンバ
5a :底板
6 :搬送通路
7 :ゲートバルブ
11 :真空排気装置
12 :カートリッジ台
13 :カートリッジ台
14 :搬送ロボット
21 :真空排気装置
22 :イオンガン
22a :イオンビーム
23、23A:上側ステージ機構
24、24A、24B:下側ステージ機構
25 :静電チャック
26 :圧接機構
27 :アライメント機構
27a :光学系
27b :撮像装置
27c :画像処理装置
31、32:カートリッジ
33 :上側ウェハ
34 :下側ウェハ
36a :コンピュータプログラム
41 :位置決めステージ
42 :キャリッジ支持台
42a :支持面
43、43A:キャリッジ
43a :下面
44 :弾性案内
46 :キャリッジプレート
46a :上面
47 :微動ステージ
51 :フレーム
52 :テーブル
52a :下面
53 :ヒンジ部
541、542、543:駆動機構
551、552、553:圧電素子
561、562、563:連結部
57 :狭隘部
61、62:小片部材
63、64、65:狭隘部
71 :微動ステージ
72 :キャリッジ
72a :下面
73 :弾性案内
81 :昇降ロッド
82 :角度調節機構
83 :静電チャック
84 :球座
85 :固定フランジ
86 :球フランジ
86a :点
87a、87b:分割リング
91 :CPU
92 :メモリ
93 :入力装置
94 :出力装置
95 :インターフェース
96 :外部記憶装置
96a :コンピュータプログラム
97 :ドライブ
98 :記録媒体
101 :赤外照明
102 :レンズ
103 :カメラ
104、105、106:透明部位
107、108:アライメントマーク
Claims (7)
- 接合チャンバと、
前記接合チャンバの内部で上側ウェハを上下方向に移動可能に支持する上側ステージ機構と、
前記接合チャンバの内部で下側ウェハを水平面内で移動可能に支持する下側ステージ機構
とを具備し、
前記下側ステージ機構は、
前記下側ウェハを保持する下側ウェハ保持部を有するキャリッジと、
前記キャリッジに連結されて前記キャリッジを支持する弾性案内と、
前記下側ウェハ保持部を粗動させる位置決めステージと、
前記下側ウェハ保持部を微動させる微動機構と、
キャリッジ支持台
とを含み、
前記弾性案内は、前記上側ステージ機構から前記キャリッジに荷重が印加されていないときに前記キャリッジが前記キャリッジ支持台に接触しないように前記キャリッジを支持し、前記上側ステージ機構によって前記上側ウェハが前記下側ウェハに接触されて前記キャリッジに前記上下方向に荷重が印加されると前記キャリッジが前記キャリッジ支持台に接触するように弾性変形する
常温接合装置。 - 請求項1に記載の常温接合装置であって、
前記位置決めステージは、前記弾性案内を駆動することによって前記下側ウェハ保持部を粗動させ、
前記微動機構が、前記キャリッジに組み込まれた
常温接合装置。 - 請求項2に記載の常温接合装置であって、
前記キャリッジは、前記弾性案内が接合されたキャリッジプレートを含み、
前記下側ウェハ保持部は、前記キャリッジプレートの上方に位置し、
前記微動機構は、
前記キャリッジプレートの上に設けられたフレームと、
前記フレームに連結され前記下側ウェハ保持部を駆動する駆動機構
とを含み、
前記上側ステージ機構によって前記上側ウェハが前記下側ウェハに接触されて前記キャリッジに前記上下方向に荷重が印加されると、前記弾性案内は、前記キャリッジプレートが前記キャリッジ支持台に接触するように弾性変形する
常温接合装置。 - 請求項3に記載の常温接合装置であって、
前記フレームには、前記下側ウェハ保持部を前記上下方向に移動可能に支持する支持機構が設けられ、
前記支持機構は、前記上側ステージ機構から前記下側ウェハ保持部に荷重が印加されていないときに前記下側ウェハ保持部が前記キャリッジプレートに接触しないように前記下側ウェハ保持部を支持し、前記上側ステージ機構によって前記上側ウェハが前記下側ウェハに接触されて前記下側ウェハ保持部に前記上下方向に荷重が印加されると前記下側ウェハ保持部が前記キャリッジプレートに接触するように弾性変形する
常温接合装置。 - 請求項1に記載の常温接合装置であって、
前記微動機構は、
テーブルと、
前記テーブルを駆動する駆動機構
とを含み、
前記弾性案内は、前記下側ウェハ保持部を前記テーブルに連結し、
前記位置決めステージは、前記微動機構の全体を駆動することによって前記下側ウェハ保持部を粗動させ、
前記微動機構は、前記駆動機構によって前記テーブルを駆動することによって前記下側ウェハ保持部を微動させる
常温接合装置。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の常温接合装置であって、
前記上側ステージ機構は、
前記上側ウェハを保持する上側ウェハ保持部と、
前記上側ウェハ保持部の向きを調節する角度調節機構
とを具備する
常温接合装置。 - 請求項6に記載の常温接合装置であって、
前記上側ステージ機構は、更に、前記上下方向に昇降される昇降ロッドを備え、
前記角度調節機構は、
前記上側ウェハ保持部に固定される球フランジと、
前記昇降ロッドに固定される球座と、
前記球座に固定され、前記球フランジを挟持して前記球フランジを前記球座に連結する固定フランジ
とを含む
常温接合装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014006869A JP6125443B2 (ja) | 2014-01-17 | 2014-01-17 | 常温接合装置 |
US15/039,545 US20170162428A1 (en) | 2014-01-17 | 2014-12-26 | Room-temperature bonding apparatus |
EP14878983.7A EP3062333B1 (en) | 2014-01-17 | 2014-12-26 | Normal temperature bonding device |
PCT/JP2014/084495 WO2015107855A1 (ja) | 2014-01-17 | 2014-12-26 | 常温接合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014006869A JP6125443B2 (ja) | 2014-01-17 | 2014-01-17 | 常温接合装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015135903A true JP2015135903A (ja) | 2015-07-27 |
JP2015135903A5 JP2015135903A5 (ja) | 2016-10-27 |
JP6125443B2 JP6125443B2 (ja) | 2017-05-10 |
Family
ID=53542755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014006869A Active JP6125443B2 (ja) | 2014-01-17 | 2014-01-17 | 常温接合装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170162428A1 (ja) |
EP (1) | EP3062333B1 (ja) |
JP (1) | JP6125443B2 (ja) |
WO (1) | WO2015107855A1 (ja) |
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- 2014-01-17 JP JP2014006869A patent/JP6125443B2/ja active Active
- 2014-12-26 EP EP14878983.7A patent/EP3062333B1/en active Active
- 2014-12-26 US US15/039,545 patent/US20170162428A1/en not_active Abandoned
- 2014-12-26 WO PCT/JP2014/084495 patent/WO2015107855A1/ja active Application Filing
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EP3062333A1 (en) | 2016-08-31 |
EP3062333A4 (en) | 2016-12-28 |
JP6125443B2 (ja) | 2017-05-10 |
US20170162428A1 (en) | 2017-06-08 |
EP3062333B1 (en) | 2019-06-12 |
WO2015107855A1 (ja) | 2015-07-23 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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