JP2015125598A - メモリ制御装置、メモリ制御方法、およびプログラム - Google Patents
メモリ制御装置、メモリ制御方法、およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015125598A JP2015125598A JP2013269660A JP2013269660A JP2015125598A JP 2015125598 A JP2015125598 A JP 2015125598A JP 2013269660 A JP2013269660 A JP 2013269660A JP 2013269660 A JP2013269660 A JP 2013269660A JP 2015125598 A JP2015125598 A JP 2015125598A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- data
- writing
- information
- written
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 179
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 53
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000013506 data mapping Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
- G11C16/3495—Circuits or methods to detect or delay wearout of nonvolatile EPROM or EEPROM memory devices, e.g. by counting numbers of erase or reprogram cycles, by using multiple memory areas serially or cyclically
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/107—Programming all cells in an array, sector or block to the same state prior to flash erasing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C2211/56—Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
- G11C2211/564—Miscellaneous aspects
- G11C2211/5646—Multilevel memory with flag bits, e.g. for showing that a "first page" of a word line is programmed but not a "second page"
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Memory System (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
まず本実施形態において不揮発性メモリの制御を行うシステムの構成について説明する。図1は、本実施形態におけるメモリ制御装置の一例である、インクジェットプリンタ3を示す図である。なお、メモリ制御装置はインクジェットプリンタに限らず、例えば印刷のための記録剤としてトナーを用いる電子写真方式の印刷装置でもよいし、プリンタに加え、原稿を読み取るためのスキャナを備えた複合機であってもよい。またプリンタに限らず、PC(パーソナルコンピュータ)や、スマートフォンやタブレット、携帯電話、デジタルカメラなどの各種の装置であってもよい。
次に、RAM102からフラッシュメモリ103に書き込まれる、またフラッシュメモリ103からRAM102に読み出されるデータについて説明する。図3は、RAM102とフラッシュメモリ103の内部のデータマッピングの概略図である。
以下、本実施形態におけるフラッシュメモリ103に対するRAM102からの書き込みについて詳細に説明する。そのために、まずRAM102に展開されるデータについて説明する。
次に、制御情報データを、フラッシュメモリ103からRAM102へ展開する方法について説明する。インクジェットプリンタ3は、電力遮断状態から電力が供給されると、フラッシュメモリ103に保存されている制御変数や履歴情報を、RAM102上に展開する。上記のように、RAM102にはフラッシュメモリ103に格納されている複数のデータセットの一部が読み出される。そのためCPU101は、電力遮断状態から電力が供給された直後に、フラッシュメモリ103の制御情報格納領域402にある各データセットの割り当てブロックの中で、どのブロックに最新のデータセットの情報が保存されているか決定する。そしてCPU01は、そのように決定したブロックからデータセットを読み出す。
上記のようにフラッシュメモリには、書き換え耐久回数が設定されている場合がある。(本実施形態におけるフラッシュメモリ103は10万回であるとする。)しかし、フラッシュメモリ103を構成する素子の個体差によって書き換え耐久回数を超えても正常に書き込み、読み出し動作が可能な場合もある。
102 RAM
103 フラッシュメモリ
Claims (15)
- 不揮発性メモリへデータを書き込むメモリ制御装置であって、
前記不揮発性メモリへの書き込み対象の所定のデータを、当該不揮発性メモリの記憶領域が分割されたブロックに書き込む書き込み手段と、
前記書き込み手段によりデータが書き込まれるブロックに対応する情報であって、前記不揮発性メモリからのデータの読み出しが行われるときに読み出し対象のブロックを特定するための情報を取得する取得手段と、を有し、
前記書き込み手段は、前記不揮発性メモリにおける1つのブロックへの書き込み対象の所定のデータと、前記取得手段により取得された当該1つのブロックに対応する情報の両方を、当該1つのブロックに書き込むことを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記不揮発性メモリにおける前記ブロックに書き込まれている前記情報を参照することによりデータの読み出し対象のブロックを特定し、当該特定されたブロックに書き込まれているデータを読み出す読み出し手段を有することを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。
- 前記取得手段は、前記書き込み手段による前記不揮発性メモリへの書き込み回数を特定するための情報を取得し、
前記読み出し手段は、前記取得手段により取得され前記書き込み手段により書き込まれた前記情報に基づくブロックからデータを読み出すことを特徴とする請求項2に記載のメモリ制御装置。 - 前記読み出し手段は、第1の書き込み回数に対応する情報が書き込まれた第1のブロックが、当該第1の書き込み回数よりも少ない第2の書き込み回数に対応する情報が書き込まれた第2のブロックよりも読み出し対象として優先されるように、前記読み出しを実行することを特徴とする請求項3に記載のメモリ制御装置。
- 前記書き込み手段は、前記不揮発性メモリへの書き込み回数が所定の回数を越える場合、前記取得手段により取得された、初期化された回数に対応する情報を書き込み、
前記読み出し手段は、データの読み出し候補の複数のブロックに、前記初期化の前に対応する情報が書き込まれているブロックと、当該初期化の後に対応する情報が書き込まれているブロックがある場合、当該初期化の後に対応する情報が書き込まれているブロックを読み出し対象のブロックとして決定することを特徴とする請求項3に記載のメモリ制御装置。 - 前記読み出し手段は、前記ブロックから前記所定のデータと、前記ブロックに書き込まれている前記情報を読み出し、
前記取得手段は、当該読み出された前記情報に基づいて新たな情報を取得し、前記書き込み手段は、新たな書き込み対象のデータと当該新たな情報の両方を、1つのブロックに書き込むことを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載のメモリ制御装置。 - 前記書き込み手段は、前記1つのブロックに対する前記所定のデータの書き込みの前と後に、前記情報を当該1つのブロックに書き込み、
前記読み出し手段は、読み出し候補のブロックにおいて前記所定のデータの書き込みの前と後に書き込まれた前記情報が整合した場合、当該候補のブロックからデータを読み出すことを特徴とする請求項2乃至6のいずれか1項に記載のメモリ制御装置。 - 前記読み出し手段は、読み出し候補のブロックにおいて前記所定のデータの書き込みの前と後に書き込まれた前記情報が整合しなかった場合、前記不揮発性メモリにおける他のブロックに書き込まれている前記情報に基づき、前記書き込み手段により所定のデータの前と後に書き込まれた前記情報が整合するブロックからデータを読み出すことを特徴とする請求項7に記載のメモリ制御装置。
- 前記読み出し手段は、前記メモリ制御装置が起動したときに、前記読み出しを行うことを特徴とする請求項2乃至8のいずれか1項に記載のメモリ制御装置。
- 前記書き込み手段は、前記1つのブロックに前記所定のデータと前記情報を書き込む前に、当該1つのブロックの全ての領域に所定の値を書き込み、当該所定の値が書き込まれた当該1つのブロックに、当該所定のデータと当該情報を書き込むことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のメモリ制御装置。
- 前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリであることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載のメモリ制御装置。
- 前記書き込み手段は、前記メモリ制御装置が備える前記不揮発性メモリに前記所定のデータと前記情報を書き込むことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載のメモリ制御装置。
- 印刷媒体に画像を印刷する印刷手段を有し、
前記書き込み手段は、前記所定のデータとして、前記印刷手段による印刷を制御するための制御情報を前記不揮発性メモリに書き込むことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載のメモリ制御装置。 - 不揮発性メモリへデータを書き込むメモリ制御方法であって、
前記不揮発性メモリの記憶領域が分割されたブロックに対応する情報であって、前記不揮発性メモリからのデータの読み出しが行われるときに読み出し対象のブロックを特定するための情報を取得し、
前記不揮発性メモリにおける1つのブロックへの書き込み対象の所定のデータと、前記取得された当該1つのブロックに対応する情報の両方を、当該1つのブロックに書き込むことを特徴とするメモリ制御方法。 - 請求項1乃至13のいずれか1項に記載のメモリ制御装置の各手段としてコンピュータを機能させるための、または請求項14に記載のメモリ制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013269660A JP6274857B2 (ja) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | メモリ制御装置、メモリ制御方法、およびプログラム |
US14/580,148 US9384849B2 (en) | 2013-12-26 | 2014-12-22 | Memory control apparatus, memory control method, and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013269660A JP6274857B2 (ja) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | メモリ制御装置、メモリ制御方法、およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015125598A true JP2015125598A (ja) | 2015-07-06 |
JP6274857B2 JP6274857B2 (ja) | 2018-02-07 |
Family
ID=53482558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013269660A Active JP6274857B2 (ja) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | メモリ制御装置、メモリ制御方法、およびプログラム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9384849B2 (ja) |
JP (1) | JP6274857B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016062349A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 自動車用電子制御装置及びデータ記憶方法 |
JP2017049902A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子制御装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11829349B2 (en) | 2015-05-11 | 2023-11-28 | Oracle International Corporation | Direct-connect functionality in a distributed database grid |
KR102456490B1 (ko) * | 2016-01-12 | 2022-10-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그 동작 방법 |
US10719446B2 (en) | 2017-08-31 | 2020-07-21 | Oracle International Corporation | Directly mapped buffer cache on non-volatile memory |
US10956335B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-03-23 | Oracle International Corporation | Non-volatile cache access using RDMA |
US10732836B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-08-04 | Oracle International Corporation | Remote one-sided persistent writes |
US10802766B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-10-13 | Oracle International Corporation | Database with NVDIMM as persistent storage |
US11086876B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-08-10 | Oracle International Corporation | Storing derived summaries on persistent memory of a storage device |
CN114035749B (zh) * | 2018-01-12 | 2023-02-28 | 珠海极海半导体有限公司 | 电子设备和Flash存储器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000330850A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Casio Comput Co Ltd | フラッシュメモリ制御方法 |
JP2001084002A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Aisin Seiki Co Ltd | 制御装置 |
JP2006039876A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Denso Corp | データ記憶装置 |
JP2010066914A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Toshiba Corp | 統合メモリ管理装置及びメモリ管理方法 |
JP2013218371A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Seiko Epson Corp | 情報処理装置及び情報処理装置におけるデータ記憶処理方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4037605B2 (ja) | 2000-12-04 | 2008-01-23 | 株式会社東芝 | 不揮発性メモリユニットのコントローラ、同コントローラを有するメモリシステム及び不揮発性メモリユニットの制御方法 |
KR101038167B1 (ko) * | 2008-09-09 | 2011-05-31 | 가부시끼가이샤 도시바 | 프로세서로부터 메모리로의 액세스를 관리하는 메모리 관리 장치를 포함하는 정보 처리 장치 및 메모리 관리 방법 |
-
2013
- 2013-12-26 JP JP2013269660A patent/JP6274857B2/ja active Active
-
2014
- 2014-12-22 US US14/580,148 patent/US9384849B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000330850A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Casio Comput Co Ltd | フラッシュメモリ制御方法 |
JP2001084002A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Aisin Seiki Co Ltd | 制御装置 |
JP2006039876A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Denso Corp | データ記憶装置 |
JP2010066914A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Toshiba Corp | 統合メモリ管理装置及びメモリ管理方法 |
JP2013218371A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Seiko Epson Corp | 情報処理装置及び情報処理装置におけるデータ記憶処理方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016062349A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 自動車用電子制御装置及びデータ記憶方法 |
JP2017049902A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子制御装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9384849B2 (en) | 2016-07-05 |
JP6274857B2 (ja) | 2018-02-07 |
US20150187430A1 (en) | 2015-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6274857B2 (ja) | メモリ制御装置、メモリ制御方法、およびプログラム | |
JP6431279B2 (ja) | 印刷装置、印刷装置の制御方法 | |
JP2006202117A (ja) | 処理装置およびそのファームウェアダウンロード方法。 | |
US20150213338A1 (en) | Image forming apparatus that performs writing into a non-volatile memory, and a method | |
JP2007053735A (ja) | 画像形成装置及び画像データ記憶領域入替方法 | |
JP2013004042A (ja) | 情報処理装置、画像形成装置およびプログラム | |
JP6214390B2 (ja) | メモリ制御装置、メモリ制御方法、およびプログラム | |
JP6787490B2 (ja) | メモリーシステム及び電子機器 | |
CN114420183A (zh) | 数据存储控制方法、电子设备及存储介质 | |
JP6579324B2 (ja) | 画像形成装置およびデータ処理プログラム | |
JP2005047278A (ja) | マシンの動作オプション及び構成の管理方法、並びにプリントマシン | |
JP2009239616A (ja) | 画像処理装置 | |
JP2007015223A (ja) | 画像形成装置 | |
JP6398697B2 (ja) | データ受信装置、データ受信方法及びプログラム | |
JP2007015326A (ja) | カラー画像形成装置 | |
JP2012098794A (ja) | 記憶装置及び画像形成装置 | |
JP7313840B2 (ja) | 情報処理装置および情報処理装置の制御方法、ならびにプログラム | |
JP2008172491A (ja) | ファクシミリ | |
JP5976729B2 (ja) | 電子機器 | |
JP2007055042A (ja) | 画像記録装置 | |
JP2008105214A (ja) | 画像処理システム、画像処理装置及びプリントサーバ | |
JP2014006836A (ja) | プログラム書き換え方法 | |
JP2008225882A (ja) | 電子機器 | |
JP2013191086A (ja) | 画像形成装置、情報処理装置および制御装置 | |
JP2013101451A (ja) | ファームウェア更新システム及びファームウェア更新方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180109 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6274857 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |