JP2017049902A - 電子制御装置 - Google Patents

電子制御装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2017049902A
JP2017049902A JP2015174302A JP2015174302A JP2017049902A JP 2017049902 A JP2017049902 A JP 2017049902A JP 2015174302 A JP2015174302 A JP 2015174302A JP 2015174302 A JP2015174302 A JP 2015174302A JP 2017049902 A JP2017049902 A JP 2017049902A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
block
blocks
data
write
electronic control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015174302A
Other languages
English (en)
Inventor
亮 中澤
Ryo Nakazawa
亮 中澤
雄介 阿部
Yusuke Abe
雄介 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Astemo Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Automotive Systems Ltd filed Critical Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority to JP2015174302A priority Critical patent/JP2017049902A/ja
Publication of JP2017049902A publication Critical patent/JP2017049902A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】不揮発性メモリ全体の複数ブロックの高寿命化を図り、保存するデータの信頼性の向上を図ることができる電子制御装置を提供する。【解決手段】不揮発性メモリ200を有し、不揮発性メモリ200は複数の消去ブロック201より構成され、消去ブロック201は複数の書込みブロック202で構成され、不揮発性メモリ200のECCエラーを検出するECCエラー検出回路106を有し、1乃至連続する複数の消去ブロックをデータ単位ブロック301として、使用頻度が均一になるようにデータ単位ブロック301を切り換えながら、不揮発性メモリ200の故障予兆検知を行うように電子制御装置100を構成する。【選択図】図1

Description

本発明は、不揮発性メモリの故障予兆検知を行う電子制御装置に関する。
近年の自動車制御では、ECU(Electronic Control Unit)による電子システム制御の高性能化が進んでおり、自動車制御の主要機能の大部分を担っている。電子システムの異常発生による安全を侵害するリスクが高まっており、電子システムに機能安全技術の適用が必要不可欠であり、ECUも例外でなく、ECU内部に搭載される部品の早期の故障検出が要求されている。
また、乗用車の使用平均年数は増加傾向にあり、ECUの高寿命化も求められている。
ECUに搭載されている部品の一つである不揮発性メモリは、内部のブロック単位で消去回数・書込み回数の保証回数が決められている。そのため、不揮発性メモリの高寿命化の施策を行う必要がある。
特開2014−130530号広報
従来の技術では、不揮発性メモリは、特開2014−130530号広報(特許文献1)に記載されているように、メモリを分割し、各領域の消去回数を同一不揮発性メモリに保存し、不揮発性メモリの消去保証回数に応じて決めたしきい値を超えるか否かで故障の判定を行っている。
しかし、消去回数も同一不揮発性メモリに保存するため、その回数情報を正しく書込むことができたのかの保証が行えない、消去回数のしきい値として設定した値以下では故障していても検知することができない、消去回数のしきい値として設定した値を超えた回数の消去が行われても故障していない可能性もあり継続使用が可能であっても使用することができないという課題があった。
また、書込み頻度で書く領域分けを行っているが、同じ領域に書込むので書込む頻度の高いデータを多く書込む領域は他の領域に比べ劣化が早いという課題があった。
そこで本発明は、不揮発性メモリ全体の複数ブロックの高寿命化を図り、保存するデータの信頼性の向上を図ることができる電子制御装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。
本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、不揮発性メモリを有し、前記不揮発性メモリは複数の消去ブロックより構成され、前記消去ブロックは複数の書込みブロックで構成され、前記不揮発性メモリのECCエラーを検出するECCエラー検出回路を有する電子制御装置であって、1乃至連続する複数の消去ブロックをデータ単位ブロックとして、使用頻度が均一になるようにデータ単位ブロックを切り換えながら、前記不揮発性メモリの故障予兆検知を行うことを特徴とする。
本発明によれば、不揮発性メモリ全体の複数ブロックの高寿命化を図り、保存するデータの信頼性の向上を図ることができる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
マイコンを備えたECUの構成図である。 不揮発性メモリの内部の構成図である。 消去ブロックの内部の構成図である。 保存するエラー検出情報の構成図である。 消去ブロックへの書込みのフローチャートである。 ECCエラーチェックのフローチャート図である。 1ビットECCエラー数による故障予兆検知のフローチャートである。 書込み時間による故障予兆検知のフローチャートである。
以下、図面を用いて本発明の実施形態を説明する。
図1は、本発明の実施形態に係るECUの構成例を示している。
ECU100に搭載されるマイクロコンピュータ101は、CPU(Central Processing Unit)102、ADC(Analog Digital Converter)103、I/O(Input / Output)104、ECC(Error Check and Correction)エラー検出回路105、ECCエラー通知回路106、揮発性メモリ107、不揮発性メモリ200等から構成されている。
図2は、不揮発性メモリ200の構成の概要を示している。
不揮発性メモリ200は、複数の消去ブロック201から構成され、消去ブロック201は複数の書込みブロック202から構成される。使用するマイコンによっては、消去ブロック201のサイズ、および、書込みブロック202のサイズは固定されていることがある。例えば、1つの不揮発性メモリ200は、64バイトの消去ブロックが1024個により構成され、各消去ブロック201は、4バイトの書込みブロックが16個により構成されている。
不揮発性メモリ200には、各ブロックの消去回数乃至書込み回数の上限が決められている。上限以上の消去乃至書込みを行うと、書込んだデータが正しく書込めない、正しく書込めても読出しが上手くできないといった正常ではない動作を行う。
そのため、書込み頻度の多いデータを同じ消去ブロック201に書込み続けるとその消去ブロック201の劣化が他の消去ブロック201より早く起こる。
そこで、1乃至連続する複数の消去ブロック201をデータ単位ブロック301としデータを書込む頻度で使用するデータ単位ブロック301の数を分ける。例えば、書込み回数の多いデータは単位ブロック301を3個、少ないデータは単位ブロック301を1個使用する。
書込む度に使用するデータ単位ブロック301を切り換えることで書込み回数を均一化する。例えば、図3に示すように、1つの消去ブロック201をデータ単位ブロック301とした場合、書込む度に消去ブロック1、消去ブロック2、消去ブロック3、消去ブロック0と書込む消去ブロック201を順番に変えていく。
図4は、エラー検出のために保存する情報の構成の概要を示している。
故障予兆検知を行うために、各消去ブロック201において書込むデータ以外に使用した書込みブロック数401、1ビットのECCエラー数402、書込み時間403を保存する。
故障予兆検知を行うために1乃至複数の消去ブロック201を使用し、ある回数データを書込んだ時の1ビットのECCエラー数402と書込み時間403を保持する消去ブロック201を基準データブロック404とする。基準データブロック404は上書き禁止とし、使用する消去ブロックは任意にしてもよい。例えば、消去回数の上限が1万回とした場合、その条件の半分である5千回データを書込んだ時のビットのECCエラー数402と書込み時間403を保持させたり、2つの基準データブロック404を使用し、1つの基準データブロック404には5千回データを書込んだ時のビットのECCエラー数402と書込み時間403、もう1つの基準データブロック404には、1回データを書込んだ時のビットのECCエラー数402と書込み時間403を保持させる。
図5と図6は、不揮発性メモリ200への書込みフローの概要について示している。
ステップ101(図では「S101」と略記する。以下同様)では、前回に書き込んだ消去ブロック201の次の消去ブロック201に書込むために前回に書いた消去ブロック201を検索する。
ステップ102では、ステップ101で検索した消去ブロック201の書込みブロック202にデータを書込む。
ステップ103では、書込みブロック202にデータを書込むのにかかった時間を測定する。
ステップ104では、書込むデータが全て書込めていれば、ステップ105に遷移する。書込むデータが全て書込めていなければ、ステップ102に遷移する。
ステップ105では、書込んだデータが使用した書込みブロック数401と書込みブロック201ごとに計測していた書込み時間を合算して、消去ブロック201に保存する。
ステップ106では、ECCエラーを検出するために、ステップ102で書込んだデータを読出す。
ステップ107では、2ビットのECCエラーを検出した場合は、ステップ108に遷移する。2ビットのECCエラーを検出しなかった場合はステップ110に遷移する。
ステップ108では、2ビットのECCエラーを検出した消去ブロック201は故障していると判断し、この消去ブロック201を使用禁止とする。
ステップ109では、2ビットのECCエラーを検出した消去ブロック201のデータは壊れていると判断し、2ビットのECCエラーを検出した消去ブロック201のデータは使用せず、前の消去ブロック201のデータを使用する。
ステップ110では、1ビットのECCエラーを検出した場合は、ステップ111に線にする。1ビットのECCエラーを検出しなかった場合は、ステップ112に遷移する。
ステップ111では、検出回数をカウントする。
ステップ112では、消去ブロック201に書き込まれたデータを全て読出したかの判定を行い、全て読出すことができていない場合は、ステップ106に遷移する。全て読出すことができた場合は、ステップ113に遷移する。
ステップ113では、ステップ111でカウントしていた1ビットのECCエラー数402を消去ブロック201に保存する。
ステップ114では、前の消去ブロック201のデータを削除する。消去ブロック201のデータの削除を最後にすることにより、書込み途中で電源OFFした時などデータが正しく書けなかった場合に、前の消去ブロック201に書いたデータを使用することできるようにするためである。不揮発性メモリ200は、書込む際は必ず消去ブロック201内の全てのデータを削除してからでないとデータ書込めないため、予め消去ブロック201内の全てのデータを削除しておくことでデータの書込みがすぐに行えるようにする。
図7は、不揮発性メモリ200への故障予兆検知フローの概要ついて示す。
ステップ201では、故障予兆検知を行いたい消去ブロック201において、保存していた1ビットのECCエラー数402を使用した書込みブロック数401で割って、書込みブロック1個当たりの1ビットのECCエラー数を算出する。
ステップ202では、基準データブロック404の1ビットのECCエラー数402を使用した消去ブロック数401で割って、書込みブロック1個当たりの1ビットのECCエラー数を算出する。
ステップ203では、ステップ201とステップ202で算出した書込みブロック1個当たりの1ビットのECCエラー数を比較し故障予兆検知を行う。故障予兆を検知した場合は、ステップ204に遷移する。故障予兆を検知しなかった場合は、ステップ205に遷移する。
例えば、故障予兆検知対象の書込みブロック1個当たりの1ビットのECCエラー数が基準データブロック404の書込みブロック1個当たりの1ビットのECCエラー数を超えていればステップ204に遷移する。故障予兆検知対象の書込みブロック1個当たりの1ビットのECCエラー数が基準データブロック404の書込みブロック1個当たりの1ビットのECCエラー数を超えていなければステップ205に遷移する。
ステップ204では、故障予兆検知を行った消去ブロック201は、そのまま継続使用しても問題ないため、継続して使用する。
ステップ205では、故障予兆を検知した消去ブロック201に対して対策を行う。例えば、故障予兆を検知した消去ブロック201をそのまま使用続けるのはリスクが高いと判断し使用不可にする。故障予兆を検知した消去ブロック201をそのまま使用続けても問題ないと判断するならば、この予兆検知を無視し、2ビットのECCエラーを検出するまで使用し続ける。なお、故障予兆に対する対策は、例に示した以外の処理を行っても良い。
図8は、不揮発性メモリ200の書込み時間による故障予兆検知フローの概要ついて示す。
ステップ301では、故障予兆検知を行いたい消去ブロック201において、保存していた書込み時間403を使用した書込みブロック数401で割って、書込みブロック1個当たりの書込み時間を算出する。
ステップ302では、基準データブロック404の書込み時間を使用した消去ブロック数401で割って、書込みブロック1個当たりの書込み時間を算出する。
ステップ303では、ステップ201とステップ202で算出した書込みブロック1個当たりの書込み時間を比較し、故障予兆検知を行う。故障予兆を検知した場合は、ステップ304に遷移する。故障予兆を検知しなかった場合は、ステップ305に遷移する。
例えば、故障予兆検知対象の書込みブロック1個当たりの書込み時間が基準データブロック404の書込みブロック1個当たりの書込み時間を超えていればステップ304に遷移する。故障予兆検知対象の書込みブロック1個当たりの書込み時間が基準データブロック404の書込みブロック1個当たりの書込み時間を超えていなければステップ305に遷移する。
なお、ステップ201〜ステップ205とステップ301〜ステップ305の故障予兆検知は、電源ON時、OFF時、あるいは、常時行うなど任意のタイミングで行うこととする。
以上説明したごとく、本発明では、故障予兆検知を行う情報として消去回数での判断でなく、不揮発性メモリへの書込み時間、1ビットのECCエラー回数、2ビットECCエラーにより判断を行うことで、リアルタイムでの故障予兆検知を図る。
また、書込み頻度の多いデータについては、複数のブロックを使用し、書込む領域を切換えることで不揮発性メモリのブロックの消去回数・書込み回数の分散を行うことで各ブロックの劣化を均等化することで高寿命化を図る。
これにより、不揮発性メモリ全体の複数ブロックの高寿命化を図り、保存するデータの信頼性の向上を図ることができる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
100…ECU
101…マイクロコンピュータ
102…CPU
103…ADC
104…I/O
105…ECCエラー検出回路
106…ECCエラー通知回路
107…揮発性メモリ
200…不揮発性メモリ
201…消去ブロック
202…書込みブロック
301…データ単位ブロック
401…使用した書込みブロック数
402…1ビットのECCエラー数
403…書込み時間
404…基準データブロック

Claims (3)

  1. 不揮発性メモリを有し、
    前記不揮発性メモリは複数の消去ブロックより構成され、
    前記消去ブロックは複数の書込みブロックで構成され、
    前記不揮発性メモリのECCエラーを検出するECCエラー検出回路を有する電子制御装置であって、
    1乃至連続する複数の消去ブロックをデータ単位ブロックとして、使用頻度が均一になるようにデータ単位ブロックを切り換えながら、前記不揮発性メモリの故障予兆検知を行うことを特徴とする電子制御装置。
  2. 請求項1に記載の電子制御装置であって、
    前記故障予兆検知は、書込みブロックの書込み時間により行うことを特徴とする電子制御装置。
  3. 請求項1に記載の電子制御装置であって、
    前記故障予兆検知は、1ビットのECCエラー数により行うことを特徴とする電子制御装置。
JP2015174302A 2015-09-04 2015-09-04 電子制御装置 Pending JP2017049902A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015174302A JP2017049902A (ja) 2015-09-04 2015-09-04 電子制御装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015174302A JP2017049902A (ja) 2015-09-04 2015-09-04 電子制御装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017049902A true JP2017049902A (ja) 2017-03-09

Family

ID=58279819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015174302A Pending JP2017049902A (ja) 2015-09-04 2015-09-04 電子制御装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2017049902A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020170577A (ja) * 2019-04-01 2020-10-15 富士通株式会社 半導体装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001501000A (ja) * 1996-08-16 2001-01-23 東京エレクトロン株式会社 エラー検出および訂正を有する半導体メモリ装置
JP2007172447A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Jatco Ltd フラッシュメモリ
JP2007249508A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム及びメモリ制御方法
JP2013246533A (ja) * 2012-05-24 2013-12-09 Sony Corp 電子機器、メモリ管理システムおよびメモリ管理方法
JP2015125598A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 キヤノン株式会社 メモリ制御装置、メモリ制御方法、およびプログラム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001501000A (ja) * 1996-08-16 2001-01-23 東京エレクトロン株式会社 エラー検出および訂正を有する半導体メモリ装置
JP2007172447A (ja) * 2005-12-26 2007-07-05 Jatco Ltd フラッシュメモリ
JP2007249508A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム及びメモリ制御方法
JP2013246533A (ja) * 2012-05-24 2013-12-09 Sony Corp 電子機器、メモリ管理システムおよびメモリ管理方法
JP2015125598A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 キヤノン株式会社 メモリ制御装置、メモリ制御方法、およびプログラム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020170577A (ja) * 2019-04-01 2020-10-15 富士通株式会社 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11722158B2 (en) Cloud-based solid state device (SSD) with dynamically variable error correcting code (ECC) system
US10019312B2 (en) Error monitoring of a memory device containing embedded error correction
US9251019B2 (en) Apparatus, system and method for managing solid-state retirement
US8495281B2 (en) Intra-block memory wear leveling
US20160239663A1 (en) Detecting a cryogenic attack on a memory device with embedded error correction
US8234539B2 (en) Correction of errors in a memory array
US20120166906A1 (en) Memory system and control method thereof
JPWO2007010829A1 (ja) 不揮発性記憶装置、メモリコントローラ及び不良領域検出方法
US9594615B2 (en) Estimating flash quality using selective error emphasis
US9917601B2 (en) Adaptive error correction in a memory system
US9600189B2 (en) Bank-level fault management in a memory system
JP2013171343A (ja) ストレージデバイス
US20140229796A1 (en) Electronic Control Apparatus
KR20100031402A (ko) 프리 페이지 검출 방법 및 장치와 이를 이용한 에러 정정 코드 디코딩 방법 및 장치
US20150363309A1 (en) System and method of increasing reliability of non-volatile memory storage
US9286176B1 (en) Selective skipping of blocks in an SSD
US9786381B2 (en) Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof
JP2017049902A (ja) 電子制御装置
US10025652B2 (en) Error location pointers for non volatile memory
JP2014137833A (ja) 半導体メモリ及び誤り訂正ビット数の出力方法
US9417954B2 (en) Data storage device and method for operating the same
US10475522B2 (en) Memory system including a delegate page and method of identifying a status of a memory system
US10832728B2 (en) Location selection based on adjacent location errors
US9778867B2 (en) Data maintenance method for error correction and data storage device using the same
CN114356645A (zh) 用于数据纠错的方法、装置、电子设备及存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20170119

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20170125

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170825

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170825

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180703

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180911

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20181109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181112

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190423