JP2015115393A - 立体配線基板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】立体形状を有する基板に配線が敷設された立体配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】立体形状を有する基板11に配線(14、15)が敷設された立体配線基板101の製造方法は、平坦な基材11Aの表面に、基材11Aとめっきのための触媒52との密着性を向上させる分子膜12を形成する分子膜形成工程P12と、分子膜12上に触媒52を担持する触媒担持工程P12と、基材11Aを加熱して立体形状に成形する成型工程P14と、触媒52が担持された分子膜12上に無電解めっき膜の配線層L44を形成する無電解めっき工程P15と、を有することを特徴としている。
【選択図】図3

Description

本発明は、各種電子機器に用いられる配線基板の製造方法に関し、特に、立体形状を有する基板に配線が敷設された立体配線基板の製造方法に関する。
従来、各種電子機器には、受動部品や能動部品を実装するためのプリント配線板(PWB)やフレキシブルプリント基板(FPC)等の配線板が数多く使用されてきた。近年では、各種電子機器の多様な使用方法に伴って、平面に配線が敷設されたような従来の配線板とは違い、立体形状を有する基板に配線が敷設された立体配線基板への要望が高まってきた。しかしながら、全ての工程が平面上に加工を施す従来の配線板とは違い、この立体配線基板を製造するにあたっては、立体形状を有するが故に、その製造は難しいものがあった。
このような立体配線基板の従来例の製造方法として、特許文献1では、導電性回路の形成方法が提示されている。図7は、従来例の導電性回路の形成方法を用いて作製した不導体基材910の外形形状を模式的に示した図である。従来例の導電性回路の形成方法は、先ず、不導体基材910の表面に硬化型バインダー樹脂を用いた接着剤層を設け、その表面に、平均粒子径1〜200nmの金属微粒子が緻密に高い面密度で露呈する状態とする。次に、回路パターン形状に対応する領域にエネルギー線照射を施し、その後、不導体基材に成形加工を施す。次に、無電解メッキを施し、エネルギー線照射領域にのみ、無電解メッキ金属層を選択的に形成させる。最後に、接着剤層を硬化させ、不導体基材の表面の接着剤層を介して高い接着性で無電解メッキ金属層が成形加工を施された不導体基材に固着される。これにより、従来例の導電性回路の形成方法は、種々の形状に成形加工された不導体基材の表面に、接着剤層の表面と作製されるメッキ金属層とが直接的に接触する形態で、メッキ・マスク層を用いることなく、目的とする回路パターン形状に選択的な無電解メッキ金属層を形成することを可能としている。
国際公開第2007/000833号
ところで、図7に示すような折り曲げ程度の加工であれば、従来例のように常温で成形加工を行うことができるが、更に変形量を大きくしたり、曲面などのより複雑な三次元形状に加工するためには、基材を加熱しながら成形加工する必要があった。しかしながら、加熱しながら成形加工すると、従来例の構成では、接着剤層が加熱時に硬化してしまい、接着剤層が三次元の変形に追随できなって剥離したり、クラック等の発生によって無電解メッキ金属層が不連続となって導電性回路のパターンが断線してしまうという課題があった。
本発明は、上述した課題を解決するもので、立体形状を有する基板に配線が敷設された立体配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
この課題を解決するために、本発明の立体配線基板の製造方法は、立体形状を有する基板に配線が敷設された立体配線基板の製造方法であって、平坦な基材の表面に、該基材とめっきのための触媒との密着性を向上させる分子膜を形成する分子膜形成工程と、前記分子膜上に前記触媒を担持する触媒担持工程と、前記基材を加熱して立体形状に成形する成型工程と、前記触媒が担持された前記分子膜上に無電解めっき膜の配線層を形成する無電解めっき工程と、を有することを特徴としている。
これによれば、本発明の立体配線基板の製造方法は、基材を立体形状に変形させた後に無電解めっきを行うため、配線層の断線などが原理的に発生しない。しかも、分子膜と触媒との密着性が良いので、成型工程で型と直接接触しても触媒の脱落は極めて少なく、成型工程により触媒の間隔が広がっても無電解めっき工程において均一な配線層が形成可能である。このため、無電解めっき工程において無電解めっき膜が確実に形成されるとともに、無電解めっき工程後においても無電解めっき膜が立体形状を有する基板に密着性良く保持されるようになる。このことにより、立体形状を有する基板に配線が敷設された立体配線基板を容易に作製することができる。
また、本発明の立体配線基板の製造方法は、前記成型工程において、前記立体形状に成形する部分のみ加熱を行うことを特徴としている。
これによれば、全体を加熱する場合と比較して、基材の歪みを抑えることができる。特に、基材の周辺部における歪みを無くすことができる。
また、本発明の立体配線基板の製造方法は、前記分子膜形成工程と前記成型工程との間に、前記触媒の一部を覆うマスク層を形成する、または、前記触媒の一部を除去することによりパターンを形成するパターニング工程を有することを特徴としている。
これによれば、基材の平面上において、スクリーン印刷法等を用いてパターニング工程を行うことができ、容易にパターニングを形成することができるとともに、より細かいパターンを作製することができる。しかも、成型工程の後に無電解めっき工程を行うので、立体形状の部分の配線層における無電解めっき膜が成型工程によるダメージを受けることがない。これらのことにより、立体形状を有する基板に配線が敷設された立体配線基板をより容易にしかも確実に作製することができる。
また、本発明の立体配線基板の製造方法は、前記パターニング工程により形成されるパターンが、加熱されて前記立体形状に成形される部分から加熱されずに平坦が維持される部分にかけて連続する配線パターンを有することを特徴としている。
これによれば、立体形状部分と平坦部分との接続が確実に行われた配線パターンを得ることができる。このことにより、立体形状を有する基板に配線が敷設された立体配線基板をより確実に作製することができる。
また、本発明の立体配線基板の製造方法は、前記無電解めっき膜上に、更に電気めっきを行う電気めっき工程を有することを特徴としている。
これによれば、薄い膜厚の無電解めっき膜上に厚い膜厚の電気めっき膜を形成することができる。このことにより、より抵抗値を下げることができるため、配線幅を狭くすることができ、また同じ配線幅であれば電流値を多く流す製品にも好適に適用することができる。
本発明の立体配線基板の製造方法は、基材を立体形状に変形させた後に無電解めっきを行うため、配線層の断線などが原理的に発生しない。しかも、分子膜と触媒との密着性が良いので、成型工程で型と直接接触しても触媒の脱落は極めて少なく、成型工程により触媒の間隔が広がっても無電解めっき工程において均一な配線層が形成可能である。このため、無電解めっき工程において無電解めっき膜が確実に形成されるとともに、無電解めっき工程後においても無電解めっき膜が立体形状を有する基板に密着性良く保持されるようになる。このことにより、立体形状を有する基板に配線が敷設された立体配線基板を容易に作製することができる。
本発明の第1実施形態に係わる立体形状を有する立体配線基板を説明する斜視図である。 本発明の第1実施形態に係わる立体形状を有する立体配線基板を説明する図であって、図1に示すX2側から見た側面図である。 本発明の第1実施形態に係わる立体配線基板の製造方法を説明する工程図である。 本発明の第2実施形態に係わる立体形状を有する立体配線基板を説明する斜視図である。 本発明の第2実施形態に係わる立体形状を有する立体配線基板を説明する図であって、図1に示すX2側から見た側面図である。 本発明の第2実施形態に係わる立体配線基板の製造方法を説明する工程図である。 従来例の導電性回路の形成方法を用いて作製した不導体基材の外形形状を模式的に示した図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態に係わる立体形状を有する立体配線基板101を説明する斜視図である。図2は、本発明の第1実施形態に係わる立体形状を有する立体配線基板101を説明する図であって、図1に示すX2側から見た側面図である。なお、図1及び図2では、配線(14、15)の一部を省略している。
本発明の第1実施形態の製造方法を用いて作製した立体配線基板101は、図1及び図2に示すように、ドーム状の立体形状を有する基板11と、基板11の表裏にそれぞれ敷設された配線14及び配線15と、を有して構成される。他に、立体配線基板101には、外部の電気機器との電気的接続のために、基板11の凸形状の取出部11tと、この取出部11tに敷設された端子部14t及び端子部15t(図1では裏側の端子部15tは図示していない)と、を備えている。なお、端子部14t及び端子部15tは、図示はしていないが、配線14及び配線15にそれぞれ接続されている。
立体配線基板101の基板11は、合成樹脂のポリエチレンテレフタレート(PET、Polyethylene terephthalate)等のシート基材を用いており、図1に示すように、矩形の外形を有し、中央部分に上方(図1に示すZ1方向)に膨出した円形のドーム形状を有している。また、矩形の外形の一辺側には、前述した取出部11tが設けられている。
立体配線基板101の配線14及び配線15は、銅または銅合金の材質から構成されている。そして、基板11の上面11a(表面11p)に敷設された配線14は、一方向(図1に示すY方向)に延びた配線が平行に並んだ配線パターン14Pとなっており、基板11の下面11u(表面11p)に敷設された配線15は、一方向と直交する他方向(図1に示すX方向)に延びた配線が平行に並んだ配線パターン15Pとなっている。また、配線パターン14P及び配線パターン15Pは、図1に示すように、平坦と立体形状の部分にかけて連続する配線パターン(14P、15P)となっている。
以上のように構成された立体配線基板101は、端子部14t及び端子部15tを介して静電容量型入力装置に接続されて、容量検出用電極として、配線14及び配線15が好適に用いられる。
次に、本発明の第1実施形態に係わる立体配線基板101の製造方法について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の第1実施形態に係わる立体配線基板101の製造方法を説明する工程図であって、図3(a)は、分子膜形成工程P11後を示す図であり、図3(b)は、触媒担持工程P12後を示す図であり、図3(c)は、パターニング工程P13後を示す図であり、図3(d)は、成型工程P14後を示す図であり、図3(e)は、無電解めっき工程P15後を示す図であり、図3(f)は、電気めっき工程P16後を示す図であり、図3(g)は、外形加工工程PF9後を示す図である。なお、図3では、説明を分かり易くするため、分子膜12の厚みや触媒52等を実際とは大きく違って表示している。また、下記に示す化学構造式(化1)は、本発明の第1実施形態に係わる立体配線基板101の製造方法に用いた分子膜12の化学構造式である。
立体配線基板101の製造方法は、図3に示すように、分子膜12を形成する分子膜形成工程P11と、分子膜12上に触媒52を担持する触媒担持工程P12と、マスク層13を形成するパターニング工程P13と、基材11Aを立体形状に成形する成型工程P14と、無電解めっき膜の配線層L44を形成する無電解めっき工程P15と、無電解めっき膜上に電気めっきを行う電気めっき工程P16と、基板11の外形を切り落とす外形加工工程PF9と、を有している。
先ず、平坦な基材11Aを準備し、基材11Aの表面11pに、分子膜12を形成する分子膜形成工程P11を行う。この分子膜形成工程P11は、(化1)の例に示すような化学構造を有したトリアジン環化合物を用いており、先ず、エチルアルコール等の有機溶剤に一定量のトリアジン環化合物を溶解し、この溶解液を基材11Aの表裏に塗布する。その後、乾燥を行い溶媒の有機溶剤を蒸発させて、図3(a)に示すように、トリアジン環化合物の単分子層或いは数分子層の分子膜12を形成している。この分子膜12は、基材11Aとめっきのための触媒52との密着性を向上させているとともに、後述する無電解めっき膜との密着性も向上させている。
次に、分子膜12上に触媒52を担持する触媒担持工程P12を行う。この触媒担持工程P12は、触媒52としてパラジウム(Pd)を用いており、分子膜12が形成された基材11Aの表裏にセンシタイザ−アクチベータ法やキャラタイザ−アクセレラータ法などの無電解メッキに用いられる一般的な触媒付与方法を適用して、図3(b)に示すように、触媒52のパラジウムを分子膜12上に担持させている。また、いわゆるナノ粒子などのパラジウム微粒子をエチルアルコール等の有機溶剤に分散した液を分子膜12が形成された基材11Aの表裏に塗布、乾燥することによって触媒52のパラジウムを分子膜12上に担持させることもできる。
次に、触媒52の一部を覆うマスク層13を形成するパターニング工程P13を行う。このパターニング工程P13は、めっきレジストインクを用い、先ず、スクリーン印刷法により、めっきレジストインクを基材11Aの表裏に順次パターニング印刷する。その後、乾燥を行い、めっきレジストインクを硬化させ、パターニングされたマスク層13を基材11Aの触媒52上に形成させる。これにより、図3(c)に示すように、マスク層13が触媒52の一部を覆うようになり、マスク層13に覆われていない分子膜12の部分が後述する配線層L44が形成される部分となる。
このようにして、パターニング工程P13は、分子膜形成工程P11と次の成型工程P14との間に行われている。これにより、基材11Aの平面上において、スクリーン印刷法等を用いてパターニング工程P13を行うことができ、容易にパターンを形成することができるとともに、より細かいパターンを作製することができる。
次に、基材11Aを立体形状に成形する成型工程P14を行う。この成型工程P14は、先ず、触媒52及びマスク層13が設けられた基材11Aを型にセットする。次に、立体形状に成形する部分のみの加熱を行いながら型を押し付け、基材11Aを立体形状に変形させる。その際に、型内が真空になるように吸引を行っている。このようにして、図3(d)に示すようなドーム状の立体形状を有する基板11が得られる。
本発明の第1実施形態では、立体形状に成形する部分のみ、加熱を行うので、基材11Aの全体を加熱する場合と比較して、基材11Aの歪みを抑えることができる。特に、基材11Aの周辺部における歪みを無くすことができ、以下のような課題が解決できる。その課題とは、基材11Aの周辺部における歪みにより、基材11A周辺部の配線層L44のパターンが位置ズレを起こし、設計通りの特性を出すことが難しくなる。例えば、アンテナの特性が出ない、コイルのインダクタンスが変化してしまう、静電容量を検出する入力装置では本来検出されるべき位置がずれてしまう、立体配線基板101と外部機器とを接続をする際には端子部(14t、15t)と外部機器とのそれぞれのパターンピッチがずれる、等が挙げられる。
また、本発明の第1実施形態では、図1に示すように、パターニング工程P13により形成されるパターンが、加熱されて立体形状に成形される部分から加熱されずに平坦が維持される部分にかけて連続する配線パターン(14P、15P)となっている。これにより、立体形状部分と平坦部分との接続が確実に行われた配線パターン(14P、15P)を得ることができる。このことにより、立体形状を有する基板11に配線(14、15)が敷設された立体配線基板101をより確実に作製することができる。
また、本発明の第1実施形態で用いた分子膜12は、触媒52との密着性が良いので、この成型工程P14で型と直接接触しても触媒52の脱落は極めて少なくなっている。このため、次の無電解めっき工程P15において、成型工程P14により触媒52の間隔が広がっても、無電解めっき膜の均一な形成を確実に行うことができる。
次に、無電解めっき膜の配線層L44を形成する無電解めっき工程P15を行う。この無電解めっき工程P15は、先ず、立体形状を有する基板11をロッシェル塩が含有された硫酸銅の無電解銅めっき液に浸漬する。これにより、図3(d)に示すマスク層13に覆われていない部分に存在する触媒52の働きにより、触媒52が担持された(図3(e)ではその部分の触媒52は省略している)分子膜12上に、無電解銅めっき液中の銅が析出、堆積し、無電解めっき膜が形成される。そして、無電解めっき膜が所望の膜厚になるまで浸漬した後、無電解銅めっき液から基板11を引き上げて、洗浄、乾燥し、図3(e)に示すような、無電解めっき膜の配線層L44が基板11上に形成される。
このようにして、成型工程P14の後に無電解めっき工程P15を行うので、立体形状の部分の配線層L44における無電解めっき膜が、成型工程P14の基材11Aの熱変形加工によるダメージを受けることがない。つまり、配線層L44の断線などが原理的に発生しない製造方法となっている。
また、本発明の第1実施形態で用いた分子膜12は、非常に薄い膜で基材11A(基板11)に対して密着性が良いので、基材11Aを加熱して立体形状に成形する成型工程P14においても、分子膜12にクラック等が発生していない。このため、分子膜12上に形成される無電解めっき膜の配線層L44は、基板11に対して非常に密着性が良いものとなっている。
次に、電気めっきを行う電気めっき工程P16を行う。この電気めっき工程P16は、先ず、無電解めっき膜の配線層L44が形成された基板11を硫酸銅の電解銅めっき液に浸漬する。次に、図3(f)に示す基板11の給電部45sから電力を供給し、無電解めっき膜の配線層L44上に電気めっき膜を析出、堆積させる。そして、電気めっき膜が所望の膜厚になるまで通電した後、電解銅めっき液から基板11を引き上げて、洗浄、乾燥し、図3(f)に示すような、電気めっき膜の付加配線層L55が無電解めっき膜の配線層L44上に形成される。これにより、薄い膜厚の無電解めっき膜上に厚い膜厚の電気めっき膜を形成することができる。このことにより、より抵抗値を下げることができるため、配線幅を狭くすることができ、また同じ配線幅であれば電流値を多く流す製品にも好適に適用することができる。
最後に、剥離液を用いてマスク層13を剥離した後、基板11の外形を切り落とす外形加工工程PF9を行う。外形加工工程PF9は、図1に示す外形形状を形成するための工程であって、型を用いた切断加工を行っている。この際に、各配線を短絡させて繋いだ給電部45s(図示していない)の切断をしている。なお、マスク層13を剥離する際に、剥離液により残存した触媒52も剥離しているが、触媒52を残す剥離液を用いても良い。また、マスク層13を剥離せずそのまま残存させ、図3(f)のような形態で使用しても良い。このようにして、図3(g)に示すような立体配線基板101が作製される。
以上のように構成された本発明の第1実施形態に係わる立体配線基板101の製造方法における、効果について、以下に纏めて説明する。
本発明の第1実施形態の立体配線基板101の製造方法は、基材11Aを立体形状に変形させた後に無電解めっきを行うため、配線層L44の断線などが原理的に発生しない。しかも、分子膜12と触媒52との密着性が良いので、成型工程P14で型と直接接触しても触媒52の脱落は極めて少なく、成型工程P14により触媒52の間隔が広がっても無電解めっき工程P15において均一な配線層L44が形成可能である。このため、無電解めっき工程P15において無電解めっき膜が確実に形成されるとともに、無電解めっき工程P15後においても無電解めっき膜が立体形状を有する基板11に密着性良く保持されるようになる。このことにより、立体形状を有する基板11に配線(14、15)が敷設された立体配線基板101を容易に作製することができる。
また、立体形状に成形する部分のみ、加熱を行うので、基材11Aの全体を加熱する場合と比較して、基材11Aの歪みを抑えることができる。特に、基材11Aの周辺部における歪みを無くすことができる。
また、成型工程P14の前に触媒52の一部を覆うパターン化されたマスク層13を形成するパターニング工程P13を有するので、基材11Aの平面上において、パターニング工程P13を行うことができる。このため、容易にパターンを形成することができ、しかもより細かいパターンを作製することができる。しかも、成型工程P14の後に無電解めっき工程P15を行うので、立体形状の部分の配線層L44における無電解めっき膜が成型工程P14によるダメージを受けることがない。これらのことにより、立体形状を有する基板11に配線(14、15)が敷設された立体配線基板101をより容易にしかも確実に作製することができる。
また、加熱されて立体形状に成形される部分から加熱されずに平坦が維持される部分にかけて連続する配線パターン(14P、15P)を有するので、立体形状部分と平坦部分との接続が確実に行われた配線パターン(14P、15P)を得ることができる。このことにより、立体形状を有する基板11に配線(14、15)が敷設された立体配線基板101をより確実に作製することができる。
また、無電解めっき膜上に電気めっきを行う電気めっき工程P16を有するので、薄い膜厚の無電解めっき膜上に厚い膜厚の電気めっき膜を形成することができる。このことにより、配線の抵抗値をより下げることができるため、配線幅を狭くすることができ、また同じ配線幅であれば電流値を多く流す製品にも好適に適用することができる。
[第2実施形態]
図4は、本発明の第2実施形態に係わる立体形状を有する立体配線基板102を説明する斜視図である。図5は、本発明の第2実施形態に係わる立体形状を有する立体配線基板102を説明する図であって、図4に示すX2側から見た側面図である。なお、図4及び図5では、配線(24、25)の一部を省略している。また、第2実施形態の立体配線基板102は、第1実施形態に対し、形状が主に異なり、立体配線基板102の製造方法は、第1実施形態に対し、工程が異なる。なお、第1実施形態と同一構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
本発明の第2実施形態の立体配線基板102の製造方法は、図4及び図5に示すように、ドーム状の立体形状を有する基板21と、基板21の表裏にそれぞれ敷設された配線24及び配線25と、を有して構成される。他に、立体配線基板102には、外部の電気機器との電気的接続のために、基板21の凸形状の取出部21tと、この取出部21tに敷設された端子部24t及び端子部25t(図4では裏側の端子部25tは図示していない)と、を備えている。なお、端子部24t及び端子部25tは、図示はしていないが、配線24及び配線25にそれぞれ接続されている。
立体配線基板102の基板21は、合成樹脂のポリブチレンテレフタレート(PBT、Polybutyleneterephtalate)等のシート基材を用いており、図4に示すように、矩形の外形を有し、中央部分に上方(図4に示すZ1方向)に膨出した矩形のドーム形状を有している。また、矩形の外形の一辺側には、前述した取出部21tが設けられている。
立体配線基板102の配線24及び配線25は、ニッケルまたはニッケル合金の材質から構成されている。そして、基板21の上面21a(表面21p)に敷設された配線24は、一方向(図4に示すY方向)に延びた配線が平行に並んだ配線パターン24Pとなっており、基板21の下面21u(表面21p)に敷設された配線25は、一方向と直交する他方向(図4に示すX方向)に延びた配線が平行に並んだ配線パターン25Pとなっている。また、配線パターン24P及び配線パターン25Pは、図4に示すように、平坦と立体形状の部分にかけて連続する配線パターン(24P、25P)となっている。
以上のように構成された立体配線基板102は、端子部24t及び端子部25tを介して静電容量型入力装置に接続されて、容量検出用電極として、配線24及び配線25が好適に用いられる。
次に、本発明の第2実施形態に係わる立体配線基板102の製造方法について、図6を用いて説明する。図6は、本発明の第2実施形態に係わる立体配線基板102の製造方法を説明する工程図であって、図6(a)は、分子膜形成工程P11後を示す図であり、図6(b)は、印刷工程PP3後を示す図であり、図6(c)は、触媒担持工程P12後を示す図であり、図6(d)は、剥離工程PR3後を示す図であり、図6(e)は、成型工程P14後を示す図であり、図6(f)は、無電解めっき工程P15後を示す図であり、図6(g)は、外形加工工程PF9後を示す図である。なお、図6では、説明を分かり易くするため、分子膜12の厚みや触媒52等を実際とは大きく違って表示している。
立体配線基板102の製造方法は、図6に示すように、分子膜12を形成する分子膜形成工程P11と、分子膜12上に触媒52を担持する触媒担持工程P12と、パターンを形成するパターニング工程P23と、基材21Aを立体形状に成形する成型工程P14と、無電解めっき膜の配線層M44を形成する無電解めっき工程P15と、基板21の外形を切り落とす外形加工工程PF9と、を有している。他に、立体配線基板102の製造方法は、分子膜形成工程P11と触媒担持工程P12との間に、パターニング工程P23の一部であるレジスト層23を印刷する印刷工程PP3を備えている。
先ず、平坦な基材21Aを準備し、基材21Aの表面21pに、分子膜12を形成する分子膜形成工程P11を行う。この分子膜形成工程P11は、(化1)の例に示すような化学構造を有したトリアジン環化合物を用いており、先ず、エチルアルコール等の有機溶剤に一定量のトリアジン環化合物を溶解し、この溶解液に基材21Aを浸積する。その後、乾燥を行い溶媒の有機溶剤を蒸発させて、図6(a)に示すように、トリアジン環化合物の単分子層或いは数分子層の分子膜12を形成している。この分子膜12は、基材21Aとめっきのための触媒52との密着性を向上させているとともに、後述する無電解めっき膜との密着性も向上させている。
次に、パターニング工程P23の一部である印刷工程PP3を行う。この印刷工程PP3は、絶縁レジストインクを用い、先ず、スクリーン印刷法により、絶縁レジストインクを基材21Aの表裏に順次パターニング印刷する。その後、乾燥を行い、絶縁レジストインクを硬化させ、パターニングされたレジスト層23を基材21Aの、分子膜12上に形成させる。これにより、図6(b)に示すように、レジスト層23が分子膜12の一部を覆うようになり、レジスト層23に覆われていない分子膜12の部分が後述する配線層M44が形成される部分となる。
次に、分子膜12上に触媒52を担持する触媒担持工程P12を行う。この触媒担持工程P12は、触媒52としてパラジウム(Pd)を用いており、先ず、エチルアルコール等の有機溶剤にナノ粒子であるパラジウム微粒子を混合し、この混合液に分子膜12が形成された基材21Aを浸積する。その後、乾燥を行い溶媒の有機溶剤を蒸発させ、図6(c)に示すように、触媒52のパラジウムを分子膜12上に担持させている。その際に、レジスト層23にも触媒52のパラジウムが担持されている。なお、本発明の第2実施形態では、基材21Aを溶解液或いは混合液に浸漬しているが、溶解液及び混合液を基材21Aの表裏に塗布しても良い。
次に、パターニング工程P23の一部である剥離工程PR3を行う。この剥離工程PR3は、先ず、レジスト層23を溶解する剥離液を準備し、この剥離液に触媒52のパラジウムが担持された基材21Aを浸積する。そして、レジスト層23が溶解されることにより、レジスト層23に担持されていた触媒52のパラジウムが脱落し、触媒52のパラジウムが担持されていない分子膜12が露出される。これにより、図6(e)に示すように、分子膜12に触媒52が付与された部分と付与されない部分が生じ、パターニングが行われる。この触媒52が付与された部分は、後述する配線層M44が形成される部分となる。
このようにして、パターニング工程P23は、分子膜形成工程P11と次の成型工程P14との間に行われている。これにより、基材21Aの平面上において、スクリーン印刷法等を用いてパターニング工程P23を行うことができ、容易にパターンを形成することができるとともに、より細かいパターンを作製することができる。
次に、基材21Aを立体形状に成形する成型工程P14を行う。この成型工程P14は、先ず、触媒52が付与された基材21Aを型にセットする。次に、立体形状に成形する部分のみの加熱を行いながら型を押し付け、基材21Aを立体形状に変形させる。その際に、型内が真空になるように吸引を行っている。このようにして、図3(f)に示すようなドーム状の立体形状を有する基板21が得られる。
本発明の第2実施形態では、本発明の第1実施形態と同様に、立体形状に成形する部分のみ、加熱を行うので、基材21Aの全体を加熱する場合と比較して、基材21Aの歪みを抑えることができる。特に、基材21Aの周辺部における歪みを無くすことができる。
また、本発明の第2実施形態では、図4に示すように、パターニング工程P23により形成されるパターンが、加熱されて立体形状に成形される部分から加熱されずに平坦が維持される部分にかけて連続する配線パターン(24P、25P)となっている。これにより、立体形状部分と平坦部分との接続が確実に行われた配線パターン(24P、25P)を得ることができる。このことにより、立体形状を有する基板21に配線(24、25)が敷設された立体配線基板102をより確実に作製することができる。
また、本発明の第1実施形態で用いた分子膜12は、触媒52との密着性が良いので、この成型工程P14で型と直接接触しても触媒52の脱落は極めて少なくなっている。このため、次の無電解めっき工程P15において、成型工程P14により触媒52の間隔が広がっても、無電解めっき膜の均一な形成を確実に行うことができる。
次に、無電解めっき膜の配線層M44を形成する無電解めっき工程P15を行う。この無電解めっき工程P15は、先ず、立体形状を有する基板21を硫酸ニッケルや次亜リン酸ナトリウムを主成分とする無電解ニッケルめっき液に浸漬する。これにより、触媒52の働きにより、触媒52が担持された分子膜12上に、無電解ニッケルめっき液中のニッケルが析出、堆積し、無電解めっき膜が形成される。そして、無電解めっき膜が所望の膜厚になるまで浸漬した後、無電解ニッケルめっき液から基板21を引き上げて、洗浄、乾燥し、図3(f)に示すような、無電解めっき膜の配線層M44が基板21上に形成される。
このようにして、成型工程P14の後に無電解めっき工程P15を行うので、立体形状の部分の配線層M44における無電解めっき膜が、成型工程P14の基材21Aの熱変形加工によるダメージを受けることがない。つまり、配線層M44の断線などが原理的に発生しない製造方法となっている。
また、本発明の第2実施形態で用いた分子膜12は、非常に薄い膜で基材21A(基板21)に対して密着性が良いので、基材21Aを加熱して立体形状に成形する成型工程P14においても、分子膜12にクラック等が発生していない。このため、分子膜12上に形成される無電解めっき膜の配線層M44は、基板21に対して非常に密着性が良いものとなっている。
最後に、基板21の外形を切り落とす外形加工工程PF9を行う。外形加工工程PF9は、図4に示す外形形状を形成するための工程であって、型を用いた切断加工を行っている。このようにして、図6(g)に示すような立体配線基板102が作製される。
以上のように構成された本発明の第2実施形態に係わる立体配線基板102の製造方法における、効果について、以下に纏めて説明する。
本発明の第2実施形態の立体配線基板102の製造方法は、基材21Aを立体形状に変形させた後に無電解めっきを行うため、配線層M44の断線などが原理的に発生しない。しかも、分子膜12と触媒52との密着性が良いので、成型工程P14で型と直接接触しても触媒52の脱落は極めて少なく、成型工程P14により触媒52の間隔が広がっても無電解めっき工程P15において均一な配線層M44が形成可能である。このため、無電解めっき工程P15において無電解めっき膜が確実に形成されるとともに、無電解めっき工程P15後においても無電解めっき膜が立体形状を有する基板21に密着性良く保持されるようになる。このことにより、立体形状を有する基板21に配線(24、25)が敷設された立体配線基板102を容易に作製することができる。
また、立体形状に成形する部分のみ、加熱を行うので、基材21Aの全体を加熱する場合と比較して、基材21Aの歪みを抑えることができる。特に、基材21Aの周辺部における歪みを無くすことができる。
また、成型工程P14の前に触媒52の一部を除去することによりパターンを形成するパターニング工程P23を有するので、基材21Aの平面上において、パターニング工程P23を行うことができる。このため、容易にパターンを形成することができ、しかもより細かいパターンを作製することができる。しかも、成型工程P14の後に無電解めっき工程P15を行うので、立体形状の部分の配線層M44における無電解めっき膜が成型工程P14によるダメージを受けることがない。これらのことにより、立体形状を有する基板21に配線(24、25)が敷設された立体配線基板102をより容易にしかも確実に作製することができる。
また、加熱されて立体形状に成形される部分から加熱されずに平坦が維持される部分にかけて連続する配線パターン(24P、25P)を有するので、立体形状部分と平坦部分との接続が確実に行われた配線パターン(24P、25P)を得ることができる。このことにより、立体形状を有する基板21に配線(24、25)が敷設された立体配線基板102をより確実に作製することができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、例えば次のように変形して実施することができ、これらの実施形態も本発明の技術的範囲に属する。
<変形例1>
上記実施形態では、凸状の単純なドーム形状を有して構成されていたが、この形状に限るものではない。
<変形例2>
上記実施形態では、静電容量型入力装置に接続されて、容量検出用電極として、配線(14及び15、24及び25)が好適に用いられたが、静電容量型入力装置への適用に限らず、アンテナ装置や各種センサ装置等、様々な電子機器に適用が可能である。
本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
11、21 基板
11A、21A 基材
11p、21p 表面
12 分子膜
52 触媒
13 マスク層
14、15、24、25 配線
14P、15P、24P、25P 配線パターン
L44、M44 配線層
P11 分子膜形成工程
P12 触媒担持工程
P13、P23 パターニング工程
P14 成型工程
P15 無電解めっき工程
101、102 立体配線基板

Claims (5)

  1. 立体形状を有する基板に配線が敷設された立体配線基板の製造方法であって、
    平坦な基材の表面に、該基材とめっきのための触媒との密着性を向上させる分子膜を形成する分子膜形成工程と、
    前記分子膜上に前記触媒を担持する触媒担持工程と、
    前記基材を加熱して立体形状に成形する成型工程と、
    前記触媒が担持された前記分子膜上に無電解めっき膜の配線層を形成する無電解めっき工程と、を有することを特徴とする立体配線基板の製造方法。
  2. 前記成型工程において、前記立体形状に成形する部分のみ加熱を行うことを特徴とする請求項1に記載の立体配線基板の製造方法。
  3. 前記分子膜形成工程と前記成型工程との間に、前記触媒の一部を覆うマスク層を形成する、または、前記触媒の一部を除去することによりパターンを形成するパターニング工程を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の立体配線基板の製造方法。
  4. 前記パターニング工程により形成されるパターンが、加熱されて前記立体形状に成形される部分から加熱されずに平坦が維持される部分にかけて連続する配線パターンを有することを特徴とする請求項3に記載の立体配線基板の製造方法。
  5. 前記無電解めっき膜上に、さらに電気めっきを行う電気めっき工程を有することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の立体配線基板の製造方法。
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