JP2015110499A - 炭化珪素の結晶成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Si−C溶液4の収容部としてSiCを主成分とする坩堝1を用い、前記SiC坩堝1を加熱して、坩堝1内のSi−C溶液4の温度が上側から下側に向かって高くなる温度分布を形成するとともに、Si−C溶液4と接触する坩堝表面の高温領域から前記坩堝1の主成分であるSiCを源とするSiおよびCを前記Si−C溶液4内に溶出せしめ、Si−C溶液4と接触する坩堝表面でのSiC多結晶の析出を抑制する。このような状態のSi−C溶液4に、坩堝1の上部からSiC種結晶3を接触させて、前記SiC種結晶3上にSiC単結晶を成長させる。SiCを主成分とする坩堝1を用いることにより、Si−C溶液4の組成変動が少なく、坩堝1の内壁に析出する多結晶や添加金属元素Mと炭素Cが結合して形成される金属炭化物の発生も抑制される。
【選択図】図1
Description
2 耐熱性炭素材料から成る第2の坩堝
3 種結晶
4 Si−C溶液
5 坩堝回転軸
6 種結晶回転軸
7 サセプタ
8 断熱材
9 上蓋
10 高周波コイル
Claims (5)
- 溶液法による炭化珪素の結晶成長方法であって、
Si−C溶液の収容部としてSiCを主成分とする坩堝を用い、
該坩堝を加熱して、前記Si−C溶液と接触する坩堝表面の高温領域から前記坩堝の主成分であるSiCを源とするSiおよびCを前記Si−C溶液内に溶出せしめて、前記Si−C溶液と接触する坩堝表面でのSiC多結晶の析出を抑制し、
前記坩堝の上部から、前記Si−C溶液にSiC種結晶を接触させて、該SiC種結晶上にSiC単結晶を成長させる、ことを特徴とする炭化珪素の結晶成長方法。 - 前記加熱は、前記SiCを主成分とする坩堝内のSi−C溶液の温度が上側から下側に向かって高くなる温度分布を形成するように実行される、請求項1に記載の炭化珪素の結晶成長方法。
- 前記Si−C溶液には、該Si−C溶液中へのC溶解度を高める効果を有する金属Mが予め添加される、請求項1または2に記載の炭化珪素の結晶成長方法。
- 前記加熱により、前記Si−C溶液を1300℃〜2300℃の温度範囲に制御する、請求項1〜3の何れか1項に記載の炭化珪素の結晶成長方法。
- 前記加熱が、前記SiCを主成分とする坩堝を耐熱性炭素材料から成る第2の坩堝内に収容した状態で行われる、請求項1〜4の何れか1項に記載の炭化珪素の結晶成長方法。
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