JP2015106100A - 光導波路、光電気混載基板および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高い設計自由度を有する光導波路、光電気混載基板および電子機器を提供する。
【解決手段】光導波路１は、コア部１４およびクラッド部を備える層状の光導波路であって、光導波路１の一方の面側に設けられ、少なくとも１つの発光部７２Ａ〜７２Ｃを備える発光素子７Ａ〜７Ｃおよび少なくとも１つの受光部８２Ａ〜８２Ｃを備える受光素子８Ａ〜８Ｃを群配置する複数の配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を有し、コア部１４は、配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の各々に発光素子７Ａ〜７Ｃおよび受光素子８Ａ〜８Ｃを搭載した状態にて、各発光部からの光を、該発光部を備える発光素子が搭載されている配置領域以外の配置領域に搭載された受光部へ導くように複数形成され、複数のコア部１４のうちの少なくとも２つは、互いに交差している。
【選択図】図２

Description

本発明は、光導波路、光電気混載基板および電子機器に関するものである。

近年の伝送データの大容量化に伴い、電気配線に代わる光配線が開発されている。例えば、特許文献１には、基板と、基板に搭載された発光素子および受光素子と、基板に形成され、発光素子と受光素子とを光学的に結合するコア部（光伝送路）とを有し、発光素子からの光がコア部を介して受光素子に受光されるよう構成された光電気混載基板（光電気複合配線部品）が開示されている。

ここで、例えば、更なる伝送データの大容量化を図るために、発光素子、受光素子およびコア部からなる光伝送系を複数持たせることが考えられる。しかしながら、光伝送系を複数持たせた場合には、複数のコア部が互いに交差しないように配置する必要があり、設計の自由度が著しく低下するという問題が生じる。

特開２００８−１１３３２１号公報

本発明の目的は、高い設計自由度を有する光導波路、光電気混載基板および電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１０）の本発明により達成される。
（１） コア部およびクラッド部を備える層状の光導波路であって、
前記光導波路の一方の面側に設けられ、少なくとも１つの発光部を備える発光素子および少なくとも１つの受光部を備える受光素子を群配置する複数の配置領域を有し、
前記コア部は、前記複数の配置領域の各々に前記発光素子および前記受光素子を搭載した状態にて、各前記発光部からの光を、該発光部を備える前記発光素子が搭載されている配置領域以外の配置領域に搭載された前記受光部へ導くように複数形成され、
複数の前記コア部のうちの少なくとも２つは、互いに交差していることを特徴とする光導波路。

（２） 前記複数の配置領域は、二次元的に配置されている上記（１）に記載の光導波路。

（３） 複数の前記コア部は、それぞれ、前記複数の配置領域により囲まれた内側領域に形成されている上記（１）または（２）に記載の光導波路。

（４） 前記複数の配置領域により囲まれた内側領域の周方向に沿って、前記発光素子と前記受光素子とが交互に配置される上記（１）ないし（３）のいずれか一項に記載の光導波路。

（５） 複数の前記コア部のうちの最も長いコア部の長さをＬ１とし、最も短いコア部の長さをＬ２としたとき、０．８Ｌ１≦Ｌ２≦Ｌ１なる関係を満足する上記（１）ないし（４）のいずれか一項に記載の光導波路。

（６） 各前記配置領域には、該配置領域に配置される前記発光素子および前記受光素子の駆動を制御する電気素子が配置されている上記（１）ないし（５）のいずれか一項に記載の光導波路。

（７） 各前記配置領域内に、前記発光部からの光を前記コア部へ導く少なくとも１つのミラーと、前記コア部からの光を前記受光部へ導く少なくとも１つのミラーとが位置している上記（１）ないし（６）のいずれか一項に記載の光導波路。

（８） 各前記配置領域内には、前記光導波路を貫通し、前記発光部と電気的に接続される少なくとも１つの発光部用貫通配線と、前記光導波路を貫通し、前記受光部と電気的に接続される少なくとも１つの受光部用貫通配線と、が設けられている上記（１）ないし（７）のいずれか一項に記載の光導波路。

（９） 上記（１）ないし（８）のいずれか一項に記載の光導波路と、
前記光導波路に積層され、表面に電気配線を備える電気配線基板と、を有することを特徴とする光電気混載基板。

（１０） 上記（９）に記載の光電気混載基板を備えることを特徴とする電子機器。

本発明によれば、複数のコア部を交差させているため、高い設計自由度を有する光導波路が得られる。また、コア部の形成に必要な領域が小さく済むため、光導波路の小型化を図ることができる。

また、本発明によれば、上記光導波路を備えているため信頼性の高い光電気混載基板が得られる。

また、本発明によれば、上記光導波路を備えているため信頼性の高い電子機器が得られる。

光導波路の一部を拡大して示す（一部切り欠いて、および透過して示す）斜視図である。 光電気混載基板の上面図である。 本発明の光電気混載基板の第２実施形態を示す平面図（上面図）である。 本発明の光電気混載基板の第３実施形態を示す平面図（上面図）である。 本発明の光電気混載基板の第４実施形態を示す平面図（上面図）である。

以下、本発明の光導波路、光電気混載基板および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の光導波路を適用した光電気混載基板（本発明の光電気混載基板）の第１実施形態について説明する。

図１は、光導波路の一部を拡大して示す（一部切り欠いて、および透過して示す）斜視図、図２は、光電気混載基板の上面図である。

光電気混載基板は、光導波路１と、その下面に積層された電気配線基板と、これらの間に介挿され両者を接着する接着層４と、を有している。以下、光電気混載基板の各部の構成について順次説明する。

１．光導波路
光導波路１は、層状をなし、光信号を伝送し得る部材である。光導波路１は、クラッド層１１、コア層１３およびクラッド層１２が下方からこの順で積層されてなる積層体と、この積層体の下面に積層された支持フィルム２と、この積層体の上面に積層されたカバーフィルム３と、支持フィルム２の下面側からクラッド層１２の上面にかけて形成されたミラー（光路変換部）と、を有している。

また、コア層１３は、図１に示すように、複数の長尺状のコア部１４と、各コア部１４にそれぞれ隣接して併設され（すなわち、コア層１３においてコア部１４の間を埋めるように設けられ）、コア部１４より屈折率の低い側面クラッド部１５と、を有している。このため、各コア部１４は、クラッド部（側面クラッド部１５および各クラッド層１１、１２）で囲まれ、光を伝搬することができる。複数のコア部１４の配置については、後に詳細に説明する。

コア部１４の屈折率は、クラッド部（側面クラッド部１５および各クラッド層１１、１２）の屈折率より大きければよいが、その差は０．３％以上であるのが好ましく、０．５％以上であるのがより好ましい。一方、上限値は特に設定されないが、好ましくは５．５％程度とされる。屈折率差が前記下限値未満の場合、光を伝搬する効果が低下するおそれがあり、一方、屈折率差が前記上限値を上回る場合、光の伝送効率のそれ以上の向上は期待できない。

なお、前記屈折率差とは、コア部１４の屈折率をＡ、クラッド部の屈折率をＢとしたとき、次式で表される。
屈折率差（％）＝｜Ａ／Ｂ−１｜×１００

また、コア部１４の横断面における屈折率分布は、いかなる形状の分布であってもよい。例えば、屈折率が不連続的に変化したいわゆるステップインデックス（ＳＩ）型の分布であってもよく、屈折率が連続的に変化したいわゆるグレーデッドインデックス（ＧＩ）型の分布であってもよい。ＳＩ型の分布であれば屈折率分布の形成が容易であり、ＧＩ型の分布であれば屈折率の高い領域に信号光が集まる確率が高くなるため伝送効率が向上する。

なお、ＧＩ型の屈折率分布は、屈折率が連続的に変化している分布であるが、例えばコア層１３中の屈折率について、コア部１４の幅方向の位置を横軸、屈折率を縦軸にとったとき、コア部１４の中心付近に極大を有する連続曲線からなる分布であるのが好ましい。このような屈折率分布を有するコア部１４では、光信号がコア部１４の中心付近を伝搬することとなる。このため、上述したように伝送効率が向上する。また、後述するようにコア部１４同士が交差している場合、交差部において光信号の混信を抑制することができる。このため、コア部１４が複数の交差部を通過するよう構成されている場合でも、光通信の品質が低下し難いため、光回路の設計自由度を特に高めることができるという利点がある。

さらに、上記連続曲線は、コア部１４と側面クラッド部１５との境界付近に極小を有する曲線であるのが好ましい。このような屈折率分布によれば、コア部１４の中心付近と側面クラッド部１５との境界付近との屈折率差が特に大きくなるため、コア部１４の中心付近に光信号を閉じ込める作用が特に増強される。その結果、伝送効率が特に高くなるとともに、交差部において光信号の混信を特に抑制することができる。

なお、コア部１４の横断面形状は特に限定されず、例えば、真円、楕円形、長円形等の円形、三角形、四角形、五角形、六角形等の多角形であってもよいが、四角形（矩形状）であることにより、安定した品質のコア部１４を効率よく製造することができる。また、コア部１４の平面視形状は、特に限定されず直線であっても曲線であってもよい。

また、コア部１４の幅および高さ（コア層１３の厚さ）は、特に限定されないが、それぞれ、１〜２００μｍ程度であるのが好ましく、５〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜７０μｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、光導波路１の伝送効率の低下を抑えつつコア部１４の高密度化を図ることができる。

一方、複数のコア部１４が並列しているとき、コア部１４同士の間に位置する側面クラッド部１５の幅（言い換えると、コア部１４の分岐部および交差部を除く部分での幅）は、５〜２５０μｍ程度であるのが好ましく、１０〜２００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１２０μｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、コア部１４同士の間で光信号が混在（クロストーク）するのを防止しつつコア部１４の高密度化を図ることができる。

また、複数のコア部１４が並列している部分では、コア部１４の幅ＷＣＯと側面クラッド部の幅ＷＣＬとの比（ＷＣＯ／ＷＣＬ）が０．１〜１０の範囲内であるのが好ましく、０．１〜５の範囲内にあるのがより好ましく、０．２〜４の範囲内にあるのがさらに好ましい。このようにＷＣＯとＷＣＬの比を最適化することにより、伝送効率の低下抑制とコア部１４の高密度化とを特に高度化することができる。

上述したようなコア層１３の構成材料（主材料）は、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ系樹脂やオキセタン系樹脂のような環状エーテル系樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリシラン、ポリシラザン、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリウレタン、ポリオレフィン系樹脂、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリクロロプレン、ＰＥＴやＰＢＴのようなポリエステル、ポリエチレンサクシネート、ポリサルフォン、ポリエーテル、また、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂のような各種樹脂材料の他、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス材料等を用いることができる。なお、樹脂材料は、異なる組成のものを組み合わせた複合材料であってもよい。

また、これらの中でも特に（メタ）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、およびポリオレフィン系樹脂からなる群から選択される少なくとも１種が好ましく、（メタ）アクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂がより好ましい。これらの樹脂材料は、光の透過性が高いことから、特に伝送損失の小さい光導波路１が得られる。

一方、クラッド層１１、１２は、コア層１３の下部および上部に位置する。
クラッド層１１、１２の平均厚さは、コア層１３の平均厚さの０．０５〜１．５倍程度であるのが好ましく、０．１〜１．２５倍程度であるのがより好ましい。具体的には、クラッド層１１、１２の平均厚さは、それぞれ１〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、５〜６０μｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、クラッド部としての機能を確保しつつ、光導波路１の必要以上の厚膜化を防止することができる。

また、クラッド層１１、１２の構成材料としては、例えば、前述したコア層１３の構成材料と同様の材料を用いることができるが、特に（メタ）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、およびポリオレフィン系樹脂からなる群から選択される少なくとも１種であるのが好ましく、（メタ）アクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂がより好ましい。

また、光導波路１の横断面の厚さ方向の屈折率分布についても、ＳＩ型、ＧＩ型の分布であってもよい。このうち、ＧＩ型の分布は、光導波路１の厚さ方向の位置を縦軸、屈折率を横軸にとったとき、コア部１４の中心付近に極大を有する連続曲線からなる分布であるのが好ましい。さらに、上記連続曲線は、コア部１４とクラッド層１１、１２との境界付近に極小を有する曲線であるのが好ましい。このような曲線からなる屈折率分布によれば、光導波路１の伝送効率が特に高くなるとともに、交差部において光信号の混信を特に抑制することができる。

また、光導波路１の下面には支持フィルム２が、上面にはカバーフィルム３が、それぞれ設けられている。なお、これらは必要に応じて設けられればよく、省略することもできる。

支持フィルム２およびカバーフィルム３の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンのようなポリオレフィン、ポリイミド、ポリアミド等の各種樹脂材料が挙げられる。

また、支持フィルム２およびカバーフィルム３の平均厚さは、特に限定されないが、５〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜４００μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、外力や外部環境からコア層１３やクラッド層１１、１２を確実に保護することができる。

また、光導波路１には、支持フィルム２の下面側からクラッド層１２の上面にかけて空洞部６０が形成されている。そして、この空洞部６０の内面のうち、コア部１４を横断する領域は、コア部１４の光路を変換するミラー（光路変換部）となる。

空洞部は、支持フィルム２の下面から掘り込み加工等により形成されたものであり、縦断面形状が三角形、台形等をなしていることが。また、ミラーは、コア部１４の途中を斜めに横断する平面であり、コア部１４の光軸に対して４５°傾斜している。コア部１４を伝搬してきた光は、ミラーにより反射され、その光路が上方に９０°変換される。また、伝搬してきた光は、ミラーで反射されコア部１４に入射される。

なお、ミラーとコア部１４の光軸とがなす角度は、上記の４５°に限定されず、コア部１４の光路を変換して光導波路１の外部と光接続し得る角度であればよい。例えば、３０〜６０°程度であるのが好ましく、４２〜４７°程度であるのがより好ましい。

また、必要に応じて、空洞部の内面に反射膜が成膜されていてもよい。この反射膜としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属膜や、コア部１４より低屈折率の材料の膜等が挙げられる。金属膜の形成方法としては、例えば、真空蒸着のような物理蒸着法、ＣＶＤのような化学蒸着法、めっき法等が挙げられる。

また、ミラーはコア部１４の途中ではなく、側面クラッド部１５内であってコア部１４の延長線上に設けられてもよい。

なお、空洞部には、必要に応じて、何らかの材料が充填されていてもよい。この場合、充填される材料の屈折率は、コア部１４の屈折率より小さいのが好ましい。

また、ミラーは、例えば湾曲させた導波路等、その他の構造の光路変換部で代替することもできる。

２．電気配線基板
電気配線基板は、接着層を介して光導波路１に積層されている。接着層としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いてもよいし、両面に接着性を有する接着シートを用いてもよい。

電気配線基板は、コア基板とその両面に積層されたビルドアップ層とを備えた多層基板と、この多層基板の下面に設けられたバンプと、を有している。このような電気配線基板は、このバンプを介して他の回路に実装可能なインターポーザーとして用いられる。

コア基板は、電気配線基板５を支持する基板であり、その構成材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、各種ビニル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂等の各種樹脂材料が挙げられる。この他、紙、ガラス布、樹脂フィルム等を基材とし、この基材に、フェノール系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂等の樹脂材料を含浸させたもの、具体的には、ガラス布・エポキシ銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板に使用される絶縁性基板の他、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性の有機系リジッド基板や、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス系リジッド基板等であってもよい。

また、コア基板には貫通孔が設けられており、貫通孔内にはコア基板の両面に積層されたビルドアップ層同士を電気的に接続する貫通配線が形成されている。

一方、ビルドアップ層は、絶縁層と導体層とを交互に積層することにより形成される。導体層にはパターニングが施され、電気配線が形成されている。また、絶縁層には貫通孔が設けられており、貫通孔内には絶縁層の両面に設けられた電気配線同士を接続する貫通配線が形成されている。

これらの導体層および貫通配線は、それぞれ、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、亜鉛、錫、金、銀のような金属単体、またはこれらの金属元素を含む合金等の導電性材料で構成される。

また、絶縁層は、酸化ケイ素、窒化ケイ素のようなケイ素化合物、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような樹脂材料等により構成される。

このようにして、ビルドアップ層内には、面方向のみでなく厚さ方向にも広がる電気回路を構築することができ、電気回路の高密度化を図ることができる。

なお、このような多層基板は、いかなる工法で形成されたものであってもよいが、一例としてアディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法等の各種ビルドアップ工法により形成される。

また、本発明の光電気混載基板が備える電気配線基板は、上述した電気配線基板５のような多層基板を含むものに限定されず、例えば多層基板を単層の電気配線基板（リジッド基板）で代替したものであってもよく、ポリイミド基板、ポリエステル基板、アラミドフィルム基板のような各種フレキシブル基板で代替したものであってもよい。また、多層基板は、コア基板を含まないコアレスの多層基板で代替することもできる。

また、電気配線基板は、多層基板の上面に設けられたソルダーレジスト層を有している。ソルダーレジスト層を設けることにより、電気配線基板の導体層を酸化や腐食等から保護するとともに、多層基板の上面の平滑化を図り、接着層と多層基板との密着性を高めることができる。なお、ソルダーレジスト層のうち、導体層との接続部には図示しない開口が形成されている。

ソルダーレジスト層は、各種樹脂材料で構成され、必要に応じて無機フィラーを含む。ソルダーレジスト層の平均厚さは、特に限定されないが５〜１００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜５０μｍ程度であるのがより好ましく、２０〜４０μｍ程度であるのがさらに好ましい。ソルダーレジスト層の厚さを前記範囲内に設定することにより、導体層の保護や多層基板の上面の平滑化を図りつつ、ソルダーレジスト層の十分な光透過性を確保することができる。すなわち、ソルダーレジスト層の平均厚さが前記下限値を下回る場合、導体層の保護が不十分になったり、多層基板の上面を十分に平滑化させることができず接着層の密着性が低下するおそれがあったりする。一方、ソルダーレジスト層の平均厚さが前記上限値を上回る場合、ソルダーレジスト層の光透過性が低下し、多層基板の上面の視認性が低下して、電気配線基板を視認しつつ光導波路１に対して正確な加工を施すのが困難になるおそれがある。

なお、この電気配線基板には、図示しない電気素子が搭載されていてもよい。電気素子としては、例えば、ＩＣ、ＬＳＩ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、コンデンサー、コイル、抵抗、ダイオード等が挙げられる。

図２は、光導波路１の平面図（上面図）である。図２に示すように、光導波路１の上面には、互いに離間する３つの配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３が設けられている。配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３には、それぞれ、発光素子７、受光素子８および電気素子９が一組となって互いに近接して群配置されている。

なお、以下では、説明の便宜上、配置領域Ｓ１に配置されている発光素子７、受光素子８および電気素子９を「発光素子７Ａ」、「受光素子８Ａ」および「電気素子９Ａ」とも言い、配置領域Ｓ２に配置されている発光素子７、受光素子８および電気素子９を「発光素子７Ｂ」、「受光素子８Ｂ」および「電気素子９Ｂ」とも言い、配置領域Ｓ３に配置されている発光素子７、受光素子８および電気素子９を「発光素子７Ｃ」、「受光素子８Ｃ」および「電気素子９Ｃ」とも言う。

発光素子７は、素子本体と、素子本体の下面に設けられた発光部７２および発光部７２に対応して形成された一対の端子と、各端子から下方に突出するよう設けられたバンプと、を有している。また、バンプは、貫通配線の上面に接続されている。これにより、発光素子７が光導波路１に固定されるとともに、発光素子７の端子と貫通配線とが電気的に接続される。発光部の数は、特に限定されず、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。一般的に用いられる発光素子７では、発光部を４〜４８つ有しているため、以下では、発光部が１２つである場合について代表して説明する。

発光素子７としては、例えば、面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）、レーザーダイオード（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子等を用いることができる。

受光素子８は、発光素子７と同様の構成となっている。すなわち、受光素子８は、素子本体の下面に設けられた受光部および受光部に対応して形成された一対の端子と、端子から下方に突出するよう設けられたバンプと、を有している。また、バンプは、貫通配線の上面に接続されている。これにより、受光素子８が光導波路１に固定されるとともに、受光素子８の端子と貫通配線とが電気的に接続される。受光部の数は、特に限定されず、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。以下では、受光部が発光部の数に対応した１２つである場合について代表して説明する。

受光素子８としては、例えば、フォトダイオード（ＰＤ、ＡＰＤ）を用いることができる。

このように、各配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に、発光素子７および受光素子８とともに電気素子９を配置することによって、電気素子９と、各素子７、８との間の配線距離を短くすることができる。これにより、電気素子９と各素子７、８との間の信号伝送容量の増大、伝送速度の高速化、発熱量の低減等が図られるとともに、ノイズ等の発生を抑えることができる。また、光電気混載基板の小型化を図ることができる。

図２に示すように、３つの配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、光導波路１の上面に２次元的に配置されている。言い換えれば、配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は、一列に沿って並ぶことなく、１つの配置領域（例えば、配置領域Ｓ１）が、他の２つの配置領域（例えば、配置領域Ｓ２、Ｓ３）を通る直線上からずれるように配置されている。このような配置とすることにより、３つの配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の内側に、これら３つの配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３で囲まれた領域であって、コア部１４を形成するための内側領域Ｓ９を形成することができる。

本実施形態では、内側領域Ｓ９に全てのコア部１４が形成されている。このように、内側領域Ｓ９に全てのコア部１４を形成することにより、配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の外側へのコア部１４のはみ出しが防止され、コア部１４の引き回しスペースが小さくなる。そのため、光導波路１の小型化を図ることができる。また、各コア部１４の全長を短くすることができるとともに、各コア部１４の全長の差をより小さくすることができるため、光伝搬特性が向上する。

特に、本実施形態では、配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３が互いの離間距離がほぼ等しくなるように設けられている。言い換えれば、配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３が内側領域Ｓ９の周方向に沿ってほぼ等間隔となるように設けられている。これにより、コア部１４同士の交差角θを比較的大きく保ち易くなり、コア部１４の交差部１４’での混信を抑えることができる。なお、交差角θは、交差するコア部１４の双方の屈折率分布がＳＩ型の分布である場合、交差角θは、３０〜９０°であるのが好ましく、４０〜９０°であるのがより好ましく、４５〜９０°であるのがさらに好ましい。一方、少なくとも一方のコア部１４の屈折率分布がＧＩ型の分布である場合、ＧＩ型の分布がもつ特性上、交差損失の交差角依存性が小さいため、交差角θは、１０〜９０°であるのが好ましく、２０〜９０°であるのがより好ましく、３０〜９０°であるのがさらに好ましい。このような角度とすることにより、交差部１４’での混信をより確実に防止することができる。

また、１つの交差部１４’では３つ以上のコア部１４が交差していてもよいが、交差角θが前記範囲内に収まるよう交差数が適宜調整される。また、交差部１４’において３つ以上のコア部１４が交差している場合、各交差角θは、互いに等しくても異なっていてもよい。

また、本実施形態では、内側領域Ｓ９の周方向に沿って発光素子７と受光素子８とが交互に配置されている。このように、発光素子７と受光素子８とを交互に配置することにより、交差部１４’の数を少なくすることができる。交差部１４’毎に交差角θを考慮しなければならいため、交差部１４’の数をなるべく少なくすることによって、コア部１４の引き回し自由度が増し、内側領域Ｓ９のさらなる小型化を図ることができる。また、引き回しの自由度が向上することによって、コア部１４を直線的に引き回すことが可能となり、コア部１４の長さを抑えることができる。

配置領域Ｓ１では、発光素子７Ａと受光素子８Ａとが内側領域Ｓ９の周方向に並んで配置されており、これら素子７Ａ、８Ａの外側（内側領域Ｓ９と反対側）に電気素子９Ａが配置されている。また、発光素子７Ａが有する１２個の発光部７２Ａは、発光素子７Ａと受光素子８Ａの並び方向に沿って一列に並んでいる。同様に、受光素子８Ａが有する１２個の受光部８２Ａも、発光素子７Ａと受光素子８Ｂの並び方向に沿って一列に並んでいる。発光素子７Ａ、受光素子８Ａおよび電気素子９Ａをこのように配置することにより、互いの隙間が小さくなり、配置領域Ｓ１の省スペース化を図ることができる。

配置領域Ｓ２では、発光素子７Ｂと受光素子８Ｂとが内側領域Ｓ９の周方向に並んで配置されており、これら素子７Ｂ、８Ｂの外側（内側領域Ｓ９と反対側）に電気素子９Ｂが配置されている。また、発光素子７Ｂが有する１２個の発光部７２Ｂは、発光素子７Ｂと受光素子８Ｂの並び方向に沿って一列に並んでいる。同様に、受光素子８Ｂが有する１２個の受光部８２Ｂも、発光素子７Ｂと受光素子８Ｂの並び方向に沿って一列に並んでいる。発光素子７Ｂ、受光素子８Ｂおよび電気素子９Ｂをこのように配置することにより、互いの隙間が小さくなり、配置領域Ｓ２の省スペース化を図ることができる。

配置領域Ｓ３では、発光素子７Ｃと受光素子８Ｃとが内側領域Ｓ９の周方向に並んで配置されており、これら素子７Ｃ、８Ｃの外側（内側領域Ｓ９と反対側）に電気素子９Ｃが配置されている。また、発光素子７Ｃが有する１２個の発光部７２Ｃは、発光素子７Ｃと受光素子８Ｃの並び方向に沿って一列に並んでいる。同様に、受光素子８Ｃが有する１２個の受光部８２Ｃも、発光素子７Ｃと受光素子８Ｃの並び方向に沿って一列に並んでいる。発光素子７Ｃ、受光素子８Ｃおよび電気素子９Ｃをこのように配置することにより、互いの隙間が小さくなり、配置領域Ｓ３の省スペース化を図ることができる。

各配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３にて、電気素子９を発光素子７および受光素子８の外側に配置することにより、例えば、電気素子９と接続される貫通配線によって、コア部１４の引き回しが制限されることがないため、コア部１４の引き回しの自由度が高まる。また、コア部１４の引き回しの自由度が高まることにより、コア部１４の長さを短くでき、また、コア部１４を直線的に引き回すことができる。そのため、光導波路１の光伝搬特性が向上する。

次に、複数のコア部１４の引き回しについて説明する。
複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ａのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する６つの発光部７２Ａｂと、１２個の受光部８２Ｂのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する６つの受光部８２Ｂａとを接続する直線状の６つのコア部１４ａが含まれている。

６つのコア部１４ａは、互いにほぼ平行となっている。これにより、コア部１４ａ同士の交差を防止でき、交差部１４’の数を抑えることができる。ただし、少なくとも１つのコア部１４ａが他のコア部１４ａの少なくとも１つと交差していてもよい。交差させることによって、各コア部１４ａの長さを調節することができ、交差していない場合と比較して、６つのコア部１４ａの長さの差をより短くすることができる場合がある。

各コア部１４ａの両端にはミラーが形成されている。発光部７２Ａｂの光軸および受光部８２Ｂａの光軸は、ミラーを介してコア部１４ａの光軸と一致するよう配置されている。これにより、各発光部７２Ａｂから出射した光は、ミラーで反射してコア部１４ａに導かれ、コア部１４ａを伝搬した光はミラーで反射して受光部８２Ｂａに到達する。すなわち、発光部７２Ａｂと受光部８２Ｂａとが光学的に接続される。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ａのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する６つの発光部７２Ａａと、１２個の受光部８２Ｃのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する６つの受光部８２Ｃｂとを接続する直線状の６つのコア部１４ｂが含まれている。

６つのコア部１４ｂは、互いにほぼ平行となっている。ただし、少なくとも１つのコア部１４ｂが他のコア部１４ｂの少なくとも１つと交差していてもよい。平行な場合、交差する場合の効果は、それぞれ、コア部１４ａで説明したものと同様である。

各コア部１４ｂの両端にはミラーが形成されている。発光部７２Ａａの光軸および受光部８２Ｃｂの光軸は、ミラーを介してコア部１４ｂの光軸と一致するよう配置されている。これにより、各発光部７２Ａａから出射した光は、ミラーで反射してコア部１４ｂに導かれ、コア部１４ｂを伝搬した光はミラーで反射して受光部８２Ｃｂに到達する。すなわち、発光部７２Ａａと受光部８２Ｃｂとが光学的に接続される。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｂのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する６つの発光部７２Ｂａと、１２個の受光部８２Ａのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する６つの受光部８２Ａｂとを接続する直線状の６つのコア部１４ｃが含まれている。

６つのコア部１４ｃは、互いにほぼ平行となっている。ただし、少なくとも１つのコア部１４ｃが他のコア部１４ｃの少なくとも１つと交差していてもよい。平行な場合、交差する場合の効果は、それぞれ、コア部１４ａで説明したものと同様である。

各コア部１４ｃの両端にはミラーが形成されている。発光部７２Ｂａの光軸および受光部８２Ａｂの光軸は、ミラーを介してコア部１４ｃの光軸と一致するよう配置されている。これにより、各発光部７２Ｂａから出射した光は、ミラーで反射してコア部１４ｃに導かれ、コア部１４ｃを伝搬した光はミラーで反射して受光部８２Ａｂに到達する。すなわち、発光部７２Ｂａと受光部８２Ａｂとが光学的に接続される。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｂのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する６つの発光部７２Ｂｂと、１２個の受光部８２Ｃのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する６つの受光部８２Ｃａとを接続する直線状の６つのコア部１４ｄが含まれている。

６つのコア部１４ｄは、互いにほぼ平行となっている。ただし、少なくとも１つのコア部１４ｄが他のコア部１４ｄの少なくとも１つと交差していてもよい。平行な場合、交差する場合の効果は、それぞれ、コア部１４ａで説明したものと同様である。

各コア部１４ｄの両端にはミラーが形成されている。発光部７２Ｂｂの光軸および受光部８２Ｃａの光軸は、ミラーを介してコア部１４ｄの光軸と一致するよう配置されている。これにより、各発光部７２Ｂｂから出射した光は、ミラーで反射してコア部１４ｄに導かれ、コア部１４ｄを伝搬した光はミラーで反射して受光部８２Ｃａに到達する。すなわち、発光部７２Ｂｂと受光部８２Ｃａとが光学的に接続される。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｃのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する６つの発光部７２Ｃａと、１２個の受光部８２Ｂのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する６つの受光部８２Ｂｂとを接続する直線状の６つのコア部１４ｅが含まれている。

６つのコア部１４ｅは、互いにほぼ平行となっている。ただし、少なくとも１つのコア部１４ｅが他のコア部１４ｅの少なくとも１つと交差していてもよい。平行な場合、交差する場合の効果は、それぞれ、コア部１４ａで説明したものと同様である。

各コア部１４ｅの両端にはミラーが形成されている。発光部７２Ｃａの光軸および受光部８２Ｂｂの光軸は、ミラーを介してコア部１４ｅの光軸と一致するよう配置されている。これにより、各発光部７２Ｃａから出射した光は、ミラーで反射してコア部１４ｅに導かれ、コア部１４ｅを伝搬した光はミラーで反射して受光部８２Ｂｂに到達する。すなわち、発光部７２Ｃａと受光部８２Ｂｂとが光学的に接続される。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｃのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する６つの発光部７２Ｃｂと、１２個の受光部８２Ａのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する６つの受光部８２Ａａとを接続する直線状の６つのコア部１４ｆが含まれている。

６つのコア部１４ｆは、互いにほぼ平行となっている。ただし、少なくとも１つのコア部１４ｆが他のコア部１４ｆの少なくとも１つと交差していてもよい。平行な場合、交差する場合の効果は、それぞれ、コア部１４ｆで説明したものと同様である。

各コア部１４ｆの両端にはミラーが形成されている。発光部７２Ｃｂの光軸および受光部８２Ａａの光軸は、ミラーを介してコア部１４ｆの光軸と一致するよう配置されている。これにより、各発光部７２Ｃｂから出射した光は、ミラーで反射してコア部１４ｆに導かれ、コア部１４ｆを伝搬した光はミラーで反射して受光部８２Ａａに到達する。すなわち、発光部７２Ｃｂと受光部８２Ａａとが光学的に接続される。

以上、複数のコア部１４について詳細に説明した。本実施形態では、各コア部１４ｂと、各コア部１４ｃと、各コア部１４ｅとが、互いに交差し、それぞれの交差角θがほぼ６０°となっている。このように、交差角θが十分に大きく確保されているため、交差部１４’での混信を効果的に防止することができる。また、本実施形態では、各コア部１４ａ、１４ｄ、１４ｆが他のコア部と交差していないため、交差部１４’の数が少なく抑えられている。

また、前述したように、各コア部１４（１４ａ〜１４ｆ）をそれぞれ直線的に形成することができるため、各コア部１４の長さを短く抑えることができるとともに、全コア部１４の長さの差を小さく抑えることもできる。全コア部１４のうちの最も長いコア部１４の長さをＬ１とし、最も短いコア部１４の長さをＬ２としたとき、０．８Ｌ１≦Ｌ２≦Ｌ１なる関係を満足するのが好ましく、０．９Ｌ１≦Ｌ２≦Ｌ１なる関係を満足するのがより好ましく、Ｌ１＝Ｌ２なる関係（すなわち、全コア部１４の長さが等しい関係）を満足するのがさらに好ましい。これにより、例えば、各コア部１４での位相ずれを効果的に抑制することができる。

また、本実施形態では、複数のミラーがそれぞれ対応する発光部７２または受光部８２の真下に、重なるようにして形成されている。そのため、光電気混載基板の平面視にて、配置領域Ｓ１には、各発光部７２Ａに対応するミラーと、各受光部８２Ａに対応するミラーとが位置している。また、配置領域Ｓ２には、各発光部７２Ｂに対応するミラーと、各受光部８２Ｂに対応するミラーとが位置している。また、配置領域Ｓ３には、各発光部７２Ｃに対応するミラーと、各受光部８２Ｃに対応するミラーとが位置している。このように、各配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３内にミラーを配置することによって、例えば、ミラーを、各配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に発光素子７、受光素子８および電気素子９を配置（固定）する際のアライメントマークとして用いることができる。また、ミラーによって各配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の位置を知ることができる。そのため、発光素子７、受光素子８および電気素子９を簡単にかつ精度よく配置することができる。

なお、電気素子９の搭載位置については光導波路１の上面に限定されない。電気素子９は、例えば電気配線基板上に載置されてもよい。この場合、貫通配線を省略することができるので、光電気混載基板に比べて電気回路の配線長をより短くすることができる。

また、貫通配線の位置は、発光素子７、受光素子８および電気素子９の真下に限定されない。例えば、光導波路１の上面に沿って敷設された電気配線と、この電気配線に接続されたランド部とを設け、ランド部上に各素子７、８、９を載置するとともに、ランド部から引き出された電気配線の途中または終端部の下方に貫通配線を設けるようにしてもよい。この場合、貫通配線の位置を比較的自由に選択できるため、電気回路の設計自由度をより高めることができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の光電気混載基板の第２実施形態について説明する。
図３は、本発明の光電気混載基板の第２実施形態を示す平面図（上面図）である。

以下、第２実施形態について説明するが、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、図３において第１実施形態と同様の構成部分については、先に説明したのと同様の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図３に示す光電気混載基板は、内側領域Ｓ９の周方向での発光素子７と受光素子８との並びが異なる以外は、前記光電気混載基板と同様である。

図３に示すように、配置領域Ｓ３では、内側領域Ｓ９に向かって左側に発光素子７Ｃが位置し、右側に受光素子８Ｃが位置している。すなわち、配置領域Ｓ３での発光素子７と受光素子８の位置が前述した第１実施形態と逆になっている。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の光電気混載基板の第３実施形態について説明する。
図４は、本発明の光電気混載基板の第３実施形態を示す平面図（上面図）である。

以下、第３実施形態について説明するが、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、図４において第１実施形態と同様の構成部分については、先に説明したのと同様の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図４に示す光電気混載基板は、コア部１４の引き回しが異なる以外は、前記光電気混載基板と同様である。

図４に示すように、６つのコア部１４ａは、発光素子７Ａが備える１２個の発光部７２Ａのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する６つの発光部７２Ａｂと、受光素子８Ｂが備える１２個の受光部８２Ｂのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する６つの受光部８２Ｂｂとを接続している。

また、６つのコア部１４ｅは、発光素子７Ｃが備える１２個の発光部７２Ｃのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する６つの発光部７２Ｃｂと、受光素子８Ｂが備える１２個の受光部８２Ｂのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する６つの受光部８２Ｂａとを接続している。また、各コア部１４ｅは、配置領域Ｓ１の外側をまわって発光部７２Ｃｂと受光部８２Ｂａとを接続している。

また、６つのコア部１４ｆは、発光素子７Ｃが備える１２個の発光部７２Ｃのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する６つの発光部７２Ｃａと、受光素子８Ａが備える１２個の受光部８２Ａのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する６つの受光部８２Ａａとを接続している。

図４に示す光電気混載基板では、各コア部１４ｅを図４に示すように引き回すようにしたことにより、各コア部１４ｅに交差部１４’が存在しないため、図２に示す光電気混載基板に比べて交差損（交差部１４’を光信号が通過する際の伝送損失）の分だけ伝送損失を低減することができる。同様に、図２に示す光電気混載基板に比べて、各コア部１４ｂ、１４ｃに存在する交差部１４’の数が減少するため、その分だけ伝送損失を低減することができる。

このような図４に示す光電気混載基板は、例えば交差部１４’の存在が伝送損失に大きく影響するようなタイプの信号を伝送する必要がある場合、この信号を各コア部１４ｅに通すことによって、全体の伝送損失の低減を図ることができる。

＜第４実施形態＞
次に、本発明の光電気混載基板の第４実施形態について説明する。
図５は、本発明の光電気混載基板の第４実施形態を示す平面図（上面図）である。

以下、第４実施形態について説明するが、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、図５において第１実施形態と同様の構成部分については、先に説明したのと同様の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図５に示す光電気混載基板は、配置領域の数が異なる以外は、光電気混載基板と同様である。

図５に示すように、本実施形態では、光導波路１上に４つの配置領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４が設けられている。そして、配置領域Ｓ１、Ｓ３が図５中縦方向（第１方向）に対向配置しており、配置領域Ｓ２、Ｓ４が図６中横方向（第１方向に直交する第２方向）に対向配置している。

配置領域Ｓ１、Ｓ３では、発光素子７Ａと受光素子８Ｃとが対向配置しており、受光素子８Ａと発光素子７Ｃとが対向配置している。また、配置領域Ｓ２、Ｓ４では、発光素子７Ｂと受光素子８Ｄとが対向配置しており、受光素子８Ｂと発光素子７Ｄとが対向配置している。

発光素子７Ａと受光素子８Ｃの離間距離（受光素子８Ａと発光素子７Ｃの離間距離）をＤ１とし、発光素子７Ｂと受光素子８Ｄの離間距離（受光素子８Ｂと発光素子７Ｄの離間距離）をＤ２としたとき、０．８Ｄ２≦Ｄ１≦１．２Ｄ２なる関係を満足するのが好ましく、０．９Ｄ２≦Ｄ１≦１．１Ｄ２なる関係を満足するのがより好ましく、Ｄ１＝Ｄ２であるのがさらに好ましい。これにより、全コア部１４の長さの差をより小さくすることができる。

複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ａのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する４つの発光部７２Ａｂと、１２個の受光部８２Ｂのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する４つの受光部８２Ｂａとを接続する直線状の４つのコア部１４ｇが含まれている。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ａのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する４つの発光部７２Ａａと、１２個の受光部８２Ｄのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する４つの受光部８２Ｄｂとを接続する直線状の４つのコア部１４ｈが含まれている。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ａのうちの中央に位置する４つの発光部７２Ａｃと、１２個の受光部８２Ｃのうちの中央に４つの受光部８２Ｃｃとを接続する直線状の４つのコア部１４ｉが含まれている。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｂのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する４つの発光部７２Ｂａと、１２個の受光部８２Ａのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する４つの受光部８２Ａｂとを接続する直線状の４つのコア部１４ｊが含まれている。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｂのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する４つの発光部７２Ｂｂと、１２個の受光部８２Ｃのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する４つの受光部８２Ｃａとを接続する直線状の４つのコア部１４ｋが含まれている。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｂのうちの中央に位置する４つの発光部７２Ｂｃと、１２個の受光部８２Ｄのうちの中央に４つの受光部８２Ｄｃとを接続する直線状の４つのコア部１４ｌが含まれている。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｃのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する４つの発光部７２Ｃａと、１２個の受光部８２Ｂのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する４つの受光部８２Ｂｂとを接続する直線状の４つのコア部１４ｍが含まれている。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｃのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する４つの発光部７２Ｃｂと、１２個の受光部８２Ｄのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する４つの受光部８２Ｄａとを接続する直線状の４つのコア部１４ｎが含まれている。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｃのうちの中央に位置する４つの発光部７２Ｃｃと、１２個の受光部８２Ａのうちの中央に４つの受光部８２Ａｃとを接続する直線状の４つのコア部１４ｏが含まれている。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｄのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する４つの発光部７２Ｄａと、１２個の受光部８２Ｃのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する４つの受光部８２Ｃｂとを接続する直線状の４つのコア部１４ｐが含まれている。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｄのうちの内側領域Ｓ９に向かって右側に位置する４つの発光部７２Ｄｂと、１２個の受光部８２Ａのうちの内側領域Ｓ９に向かって左側に位置する４つの受光部８２Ａａとを接続する直線状の４つのコア部１４ｑが含まれている。

また、複数のコア部１４には、１２個の発光部７２Ｄのうちの中央に位置する４つの発光部７２Ｄｃと、１２個の受光部８２Ｂのうちの中央に４つの受光部８２Ｂｃとを接続する直線状の４つのコア部１４ｒが含まれている。

＜電子機器＞
上述したような本発明の光電気混載基板は、前述したように、電気配線基板を基準にしつつ光導波路に正確な加工を容易に施し得るものであるため、例えば光電気混載基板に光素子を搭載する場合、光素子と電気配線基板とを導通抵抗の増大や断線等を招くことなく確実に接続することができる。その結果、信頼性の高い光モジュールを効率よく製造することができる。また、このような光電気混載基板を備えることにより、高品質の光通信を行い得る信頼性の高い電子機器が得られる。

本発明の光電気混載基板を備える電子機器としては、例えば、携帯電話、ゲーム機、ルーター装置、ＷＤＭ装置、パソコン、テレビ、ホーム・サーバー等の電子機器類が挙げられる。これらの電子機器では、いずれも、例えばＬＳＩ等の演算装置とＲＡＭ等の記憶装置との間で、大容量のデータを高速に伝送する必要がある。したがって、このような電子機器が本発明の光電気混載基板を備えることにより、電気配線に特有なノイズ、信号劣化等の不具合が解消され、その性能の飛躍的な向上が期待できる。

さらに、光導波路部分では、電気配線に比べて発熱量が大幅に削減される。このため、冷却に要する電力を削減することができ、電子機器全体の消費電力を削減することができる。

以上、本発明の光導波路、光電気混載基板および電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明の光導波路、光電気混載基板および電子機器の各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。

また、前述した実施形態では、配置領域が３つまたは４つの構成について説明したが、配置領域の数は、これに限定されない。例えば、配置領域は、５つ以上であってもよい。

１ 光導波路
１１、１２ クラッド層
１３ コア層
１４、１４ａ〜１４ｒ コア部
１４’ 交差部
１５ 側面クラッド部
２ 支持フィルム
３ カバーフィルム
７、７Ａ〜７Ｄ 発光素子
７２Ａ、７２Ａａ〜７２Ａｃ 発光部
７２Ｂ、７２Ｂａ〜７２Ｂｃ 発光部
７２Ｃ、７２Ｃａ〜７２Ｃｃ 発光部
７２Ｄ、７２Ｄａ〜７２Ｄｃ 発光部
８、８Ａ〜８Ｄ 受光素子
８２Ａ、８２Ａａ〜８２Ａｃ 受光部
８２Ｂ、８２Ｂａ〜８２Ｂｃ 受光部
８２Ｃ、８２Ｃａ〜８２Ｃｃ 受光部
８２Ｄ、８２Ｄａ〜８２Ｄｃ 受光部
９、９Ａ〜９Ｄ 電気素子
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４ 配置領域
Ｓ９ 内側領域

Claims (10)

1. コア部およびクラッド部を備える層状の光導波路であって、
   前記光導波路の一方の面側に設けられ、少なくとも１つの発光部を備える発光素子および少なくとも１つの受光部を備える受光素子を群配置する複数の配置領域を有し、
   前記コア部は、前記複数の配置領域の各々に前記発光素子および前記受光素子を搭載した状態にて、各前記発光部からの光を、該発光部を備える前記発光素子が搭載されている配置領域以外の配置領域に搭載された前記受光部へ導くように複数形成され、
   複数の前記コア部のうちの少なくとも２つは、互いに交差していることを特徴とする光導波路。
2. 前記複数の配置領域は、二次元的に配置されている請求項１に記載の光導波路。
3. 複数の前記コア部は、それぞれ、前記複数の配置領域により囲まれた内側領域に形成されている請求項１または２に記載の光導波路。
4. 前記複数の配置領域により囲まれた内側領域の周方向に沿って、前記発光素子と前記受光素子とが交互に配置される請求項１ないし３のいずれか一項に記載の光導波路。
5. 複数の前記コア部のうちの最も長いコア部の長さをＬ１とし、最も短いコア部の長さをＬ２としたとき、０．８Ｌ１≦Ｌ２≦Ｌ１なる関係を満足する請求項１ないし４のいずれか一項に記載の光導波路。
6. 各前記配置領域には、該配置領域に配置される前記発光素子および前記受光素子の駆動を制御する電気素子が配置されている請求項１ないし５のいずれか一項に記載の光導波路。
7. 各前記配置領域内に、前記発光部からの光を前記コア部へ導く少なくとも１つのミラーと、前記コア部からの光を前記受光部へ導く少なくとも１つのミラーとが位置している請求項１ないし６のいずれか一項に記載の光導波路。
8. 各前記配置領域内には、前記光導波路を貫通し、前記発光部と電気的に接続される少なくとも１つの発光部用貫通配線と、前記光導波路を貫通し、前記受光部と電気的に接続される少なくとも１つの受光部用貫通配線と、が設けられている請求項１ないし７のいずれか一項に記載の光導波路。
9. 請求項１ないし８のいずれか一項に記載の光導波路と、
   前記光導波路に積層され、表面に電気配線を備える電気配線基板と、を有することを特徴とする光電気混載基板。
10. 請求項９に記載の光電気混載基板を備えることを特徴とする電子機器。

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