JP2015097296A - 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用soq基板 - Google Patents
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Abstract
Description
12:半導体装置形成領域
110、210:検査用パターン
112a,112b,212a,212b:大面積ゲート
114,214:コンタクト
Claims (8)
- 石英基板の上に半導体層を形成してなるSOQ基板を準備する工程と、
前記SOQ基板上に、半導体装置形成領域と、複数の直線上に配置されたコンタクトホールを並列的に形成する工程と、
前記コンタクトホールに導電膜を埋設して形成したコンタクトを含むクラック検査用パターンを形成する工程と、
前記クラック検査用パターンを観察し、当該クラック検査用パターンにクラックが発生しているか否かを検査する第1の検査工程と、
前記第1の検査工程の結果、前記クラック検査用パターンにクラックが発生している場合には、前記半導体装置形成領域内のクラックを検査する第2の検査工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記クラック検査用パターンは、前記コンタクトの延長線上にクラックの広がりを阻止するガード領域を有することを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記半導体装置形成領域内に形成されるゲートよりも面積の大きな大面積ゲートを、前記クラック検査用パターンの前記コンタクトの近傍に形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。
- 石英基板と、
半導体装置形成領域と、導電膜が埋設されると共に直線上に配置されたコンタクトが並列的に複数配置されたクラック検査用パターンと、を備えた前記石英基板上に形成された半導体層と、
を備えることを特徴とする半導体装置製造用SOQ基板。 - 前記コンタクトの延長線上に、クラックの広がりを阻止するガード領域を備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置製造用SOQ基板。
- 前記クラック検査用パターンは、前記半導体装置形成領域内に形成されるゲートよりも面積の大きな大面積ゲートを前記コンタクトの近傍に備えることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体装置製造用SOQ基板。
- 前記クラック検査用パターンは、前記半導体装置形成領域とは異なる領域に形成されることを特徴とする請求項4から6のいずれか1項に記載の半導体装置製造用SOQ基板。
- 前記クラック検査用パターンは、前記半導体装置形成領域内に形成されることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置製造用SOQ基板。
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---|---|---|---|---|
JPH04199651A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2000150604A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-30 | Seiko Epson Corp | 基板の検査方法、半導体装置の製造方法、および液晶表示装置用アクティブマトリクス基板の製造方法 |
-
2015
- 2015-02-12 JP JP2015025438A patent/JP5997792B2/ja active Active
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JP2000150604A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-30 | Seiko Epson Corp | 基板の検査方法、半導体装置の製造方法、および液晶表示装置用アクティブマトリクス基板の製造方法 |
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