JP2015090979A - 電子部品パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】周辺環境からの電磁ノイズを遮蔽するとともに、集積回路モジュールに求められる軽量化要求を満たす電子部品パッケージおよびその製造方法を提供する。【解決手段】電子部品パッケージ100は、少なくとも一つの電子回路を有する基板101と、電子回路を封止し、かつ少なくとも一つのクラック112が形成されている少なくとも一つのフィラー111が充填されている封止樹脂110と、封止樹脂110の上面に形成され、その根元部がフィラー111のクラック112に埋め込まれている金属膜120とを有する。【選択図】図2

Description

本発明は、集積回路の分野に関し、特にその集積回路を備えた電子部品パッケージおよびその製造方法に関する。
本件出願は、2013年11月7日に出願された中国特許出願No. 201320700804.3及び米国特許出願No.14/289,932に基づく優先権の利益を主張するものであり、その中国特許出願及び米国特許出願の全体がそれを参照することでここに組み込まれるものである。
集積回路の開発がますます増加しているのに伴い、集積回路の機能がよりいっそう複雑になり、電子モジュールに搭載される素子が重要性を増してきている。
一方、集積された電子モジュールのためのサイズに対する要求がより厳しさを増しており、より密集し、かつ軽量であることが集積回路の製品の傾向になってきている。
近年、密集し、かつ軽量な集積回路製品に対する周辺環境からの電磁ノイズの影響が産業界で考慮されてきている。
例えば、特許文献1には、CPUモジュールの金属板を金属製下部筐体と一体にし、さらに金属製上部筐体と圧接してCPUモジュールに電磁シールド効果を持たせることが記載されている。
また、特許文献2には、半導体チップが封止樹脂によって封止され、その封止樹脂上に電磁シールドとしての金属膜が形成されている電子部品パッケージであって、封止樹脂が孔の形成されたフィラーを有し、その孔内に金属膜を進入させて金属膜のアンカー効果を向上させることが記載されている。
さらに、特許文献3には、半導体チップが封止樹脂によって封止され、その封止樹脂上に電磁シールド層が形成されている電子部品パッケージであって、封止樹脂に含まれているフィラーをエッチングして、封止樹脂に表面粗化部を形成し、電磁シールド層の密着性を向上させることが記載されている。
特開平10−209368号公報 特開2012−151326号公報 特開2005−109306号公報
電子モジュールに集積された電子部品が周辺環境からの電磁ノイズの影響を受けることを防止するため、中には、金属ブロックまたは金属殻によって電子部品を覆う構造のものがあった。例えば、電子部品を回路基板上に搭載したあと、封止プロセスで、金属ブロックまたは金属殻によって電子部品の表面が覆われる技術や、前述した特許文献1に開示されている技術があった。
しかしながら、そのような金属ブロックまたは金属殻の形状は、極めて大雑把であり、しかも、大きさが大きい。そのため、金属ブロック等を用いたことで、結果的に製品の厚さや大きさが増加してしまい、それによって製品の軽量化要求からはずれてしまう。
したがって、軽量化要求からはずれることのないようにしつつ周辺環境からの電磁ノイズの影響を遮蔽して、前述した欠点を克服するように改良された軽量電子部品パッケージおよびその製造方法を提供することが望まれていた。
本発明の目的は、周辺環境からの電磁ノイズを遮蔽するとともに、集積回路モジュールに求められる軽量化要求を満たす電子部品パッケージおよびその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、電子部品パッケージであって、少なくとも一つの電子回路を有する基板と、電子回路を封止し、かつ少なくとも一つのクラックが形成されている少なくとも一つのフィラーが充填されている封止樹脂と、その封止樹脂の上面に形成され、その根元部がフィラーのクラックに埋め込まれている金属膜とを有する電子部品パッケージを特徴とする。
上記電子部品パッケージの場合、クラックが平坦な開口部を有することが好ましい。
また、上記電子部品パッケージは、金属膜上に形成された酸化防止膜を更に有することが好ましい。
さらに、上記電子部品パッケージは、金属膜の上面が平坦であることが好ましい。
また、上記電子部品パッケージは、フィラーがシリコン酸化物によって形成され、かつそのフィラーの直径が1μm〜30μm程度であることが好ましい。
上記電子部品パッケージは、金属膜が銅を用いて形成され、かつ0.75μm〜5μm程度の厚さを有し、さらに酸化防止膜がニッケルによって形成され、かつ酸化防止膜が0.5μmよりも大きい厚さを有することが好ましい。
また、金属膜の根元部がフィラーと封止樹脂との間の隙間に埋め込まれていることが好ましい。
そして、本発明は、少なくとも一つの電子回路を有する基板と、その電子回路を封止し、かつ少なくとも一つのフィラーが充填されている封止樹脂と、その封止樹脂の上面に形成されている金属膜とを有する電子部品パッケージであって、フィラーは、金属膜が形成されるまで露出していた上面としてのフィラー面が叩かれたことによって、そのフィラー面からその内部にまで延びる少なくとも一つのクラックが形成され、そのクラックは、フィラー面から概ね深さ方向に沿った縦方向に延びる縦穴部と、その縦穴部につながり、その縦穴部と交差する交差方向に沿って延びる横穴部とを有し、金属膜は、クラックにおける縦穴部と横穴部の双方に埋め込まれ、かつ金属膜の根元部がフィラーと封止樹脂との間の隙間にも埋め込まれ、フィラーの横穴部よりもフィラー面側に配置されている部分が、金属膜の縦方向に沿った動きを阻害する阻害部となっている電子部品パッケージを提供する。
また、本発明は、少なくとも一つの電子回路を有する基板と、その電子回路を封止し、かつ少なくとも一つのフィラーが充填されている封止樹脂と、その封止樹脂の上面に形成されている金属膜とを有する電子部品パッケージの製造方法であって、後に封止樹脂となる樹脂層を形成した後、その樹脂層の表面を研磨してその樹脂層に充填されている少なくとも一つのフィラーを露出される研磨工程と、フィラーの金属膜が形成されるまで露出していたフィラーの上面としてのフィラー面を叩いて、そのフィラー面から概ね深さ方向に沿った縦方向に延びる縦穴部と、その縦穴部につながり、その縦穴部と交差する交差方向に沿って延びる横穴部とを有するクラックを形成するクラック形成工程と、フィラー面を有する表面フィラーにエッチングを施して、クラックにおける縦穴部または横穴部の幅または深さを拡大するクラック拡大工程と、フィラー面を含む樹脂層の表面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、その金属膜に酸化防止膜を形成する酸化防止膜形成工程とを有する電子部品パッケージの製造方法にも特徴がある。
従来技術に比べ、本発明の電子部品パッケージは、封止樹脂の上面に形成された金属膜を有していて、その金属膜の根元部が封止樹脂のフィラー上のクラックに埋め込まれている。そのため、金属膜と封止樹脂の間のアンカー効果が改善され、金属膜の剥がれ落ちが起きにくくなっている。さらに、金属膜が封止樹脂の上面上に金属ブロックを加えることなく上記のようにして形成されているから、電子部品パッケージのそのような形状によって周辺環境の電磁ノイズが遮蔽されるだけでなく、集積回路モジュールのための軽量化要求も満足するものである。
本発明のその他の側面、特徴および有利な点は、添付図面に関連する以下の詳細な説明によって明らかになる。添付図面は、本件の開示範囲の一部であって本発明の原理原則を一例として図示したものである。
以上詳述したように、本発明によれば、周辺環境からの電磁ノイズを遮蔽するとともに、集積回路モジュールに求められる軽量化要求を満たす電子部品パッケージおよびその製造方法が得られる。
添付図面は、本発明の様々な実施の形態の理解を容易にするものである。
本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージを示す断面図である。 図1に示した電子部品パッケージの要部を拡大した図である。 図2に対応する拡大した画像である。 金属膜を除去した電子部品パッケージの上部断面図である。 図4に対応する拡大した画像である。 本発明に係る電子部品パッケージの製造手順を示すフローチャートである。 製造途中の電子部品パッケージの要部を示し、(a)は封止樹脂の上面にフィラーを露出させた状態を示す断面図、(b)はフィラーの表面を叩いてクラックを形成した状態を示す断面図である。 図7の後続の工程を示し、(a)はフィラーの表面をさらに叩いてクラックを大きくした状態を示す断面図、(b)はフィラーの表面をエッチングしてクラックを大きくした状態を示す断面図である。
本発明に係る種々の好ましい実施の形態について、図面を参照して詳しく説明する。種々の図面を通して同様の参照符号は同様の部分を示している。上記で示されているように、本発明は、周辺環境からの電磁ノイズを遮蔽するだけでなく、集積回路モジュールに求められる軽量化要求を満たす電子部品パッケージおよびその製造方法に係るものである。その電子部品パッケージは、どのような集積回路モジュールや製品にも適用することができるものであり、ここに開示されているものに限定されるものではない。
(電子部品パッケージ100の構造)
図1を参照して、本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージ100について説明する。電子部品パッケージ100は、基板101と、基板101上に形成された複数の電子部品102と、電子部品102を封止する封止樹脂110と、封止樹脂110上に形成された金属膜120とを有している。
具体的には、基板101はプリント回路基板(PCB)とすることができる。電子部品102は、従来の方法を用いて基板101上に搭載される集積回路チップ、受動部品、電源装置等とすることができる。
封止樹脂110は、電子部品102を封止するために配置されている。図2〜図5に示すように、封止樹脂110は、二酸化珪素(SiO)によって形成された幾つかのフィラー111が充填されている。異なる大きさを備えた複数のフィラー111が封止樹脂110に充填されていて、これらは、外側表面の代わりに封止樹脂110の外側に配置され、さらにその内側にも配置されている。好ましくは、フィラー111の直径は、1μm〜30μmの範囲内にあり、2μm〜20μmの範囲内にあればより好ましい。そのフィラー111に複数のクラック112が形成されている。
クラック112は、封止樹脂110に充填されている複数のフィラー111のうち、封止樹脂110の表面に配置されているフィラー111(例えば、図2に示されているフィラー111A、以下「表面フィラー」ともいう)の上面をそれが露出しているときに叩き、さらにエッチングすることによって形成されている。このような形成方法の特徴により、クラック112には、詳細に説明される平坦な開口部が形成されている。なお、フィラー111の材質は、SiOに限定されるものではなく、クラック112を形成するため、フィラー111の表面を叩き、エッチングするのに適したその他の硬質な材料とすることができる。
金属膜120は、特に周辺環境から電子部品102に入射され得る電磁ノイズおよび電子部品102から周辺環境に出射され得る電磁ノイズを低減する電磁シールドとしての機能を発揮する。金属膜120は、封止樹脂110の上側の表面(以下「上面」ともいう)に形成されていて、その金属膜120の根元部120aはフィラー111(詳しくは、表面フィラー111A)のクラック112の中に埋め込まれている。すなわち、金属膜120の根元部120aがクラック112の中に進入していて、金属膜120がフィラー111の中に深く根付いている。
好ましくは、図2に示すように、金属膜120の根元部120aがフィラー111(表面フィラー111A)の下側にまで回り込み、フィラー111(表面フィラー111A)と、封止樹脂110との間の隙間にも埋め込まれていることが好ましい。こうなっていると、金属膜120がフィラー111と封止樹脂110とにしっかりと接続される。さらに好ましくは、図1に示すように、金属膜120が基板101の側面を覆い、封止樹脂110の上面と側面の双方を覆うことが好ましい。金属膜120は種々の種類の金属、例えば、抵抗値が小さく、低価格の銅(Cu)を用いることができる。本実施の形態では、金属膜120が酸化することを防止するため、図2に示すように、金属膜120の上面が酸化防止膜(抗酸化膜ともいう)121によって被覆されている。酸化防止膜121は、ニッケル(Ni)によって形成されている。
表面フィラー111Aについてさらに詳しく説明すると、次のとおりである。前述のとおり、表面フィラー111Aには、クラック112が形成されているが、本実施の形態に係るクラック112は、図2に示すように、縦穴部112aと、横穴部112bとを有している。縦穴部112aは、後述するフィラー面111fから概ね深さ方向に沿った縦方向に延びる穴状部分である。横穴部112bは、縦穴部112aの最も深い部分につながり、そこから、縦穴部112aと交差する方向に沿って延びる穴状部分である。クラック112は、縦穴部112aに加えて横穴部112bが形成されていることにより、縦穴部112aだけの場合よりも、穴状部分の内側全体の表面積が大幅に拡大されている。
しかも、表面フィラー111Aは、大塊部111Bに加え、小片部111Cをも有している。大塊部111Bは、表面フィラー111Aの大部分を示す大きな塊状の部分、小片部111Cは、大塊部111Bから離れた位置にあり、大塊部111Bよりも大きさの小さい破片のような部分である。
金属膜120の根元部120aが上記のようなクラック112の中に埋め込まれているため、金属膜120の根元部120aは縦穴部112aと、横穴部112bの双方に入り込み、双方の内壁部分に密着している。また、金属膜120は、小片部111Cを取り囲み、大塊部111Bだけでなく小片部111Cの表面全体にも密着している。
好ましくは、金属膜120は電磁ノイズの良好な遮蔽効果と良好なアンカー効果とを保つため、0.75μm〜5μmの厚さを有することが好ましい。金属膜120の厚さは1μm〜4μmの範囲にあることがより好ましい。そして、酸化防止膜121の厚さは、良好な酸化防止効果を達成するため、0.5μmよりも大きい。
さらに好ましくは、図示はしないが、金属膜120と酸化防止膜121の上面ができる限り湾曲していない連続した平坦面であることが好ましい。このような形状にすることで、金属膜120と酸化防止膜121の下部表面も連続した平坦面となり、封止樹脂110およびフィラー111の上面に応じた形状になりやすい。そうすると、金属膜120と酸化防止膜121とが封止樹脂110とフィラー111とに接続されやすくなる。こうなると、金属膜120と酸化防止膜121とが薄片となって剥がれ落ち難くなる。
(電子部品パッケージの製造方法)
図2−6に加え、図7,8を参照して、後に封止樹脂110となる樹脂層が形成された後、金属膜120と酸化防止膜(抗酸化膜)121が形成されるまでの製造方法について詳しく説明すると以下のとおりである。
図6に示すように、S1は研磨工程である。まず、後に電子部品を封止する封止樹脂110となる樹脂層の表面を研磨する。こうすることにより、その樹脂層(この樹脂層は、厚さやフィラーの形状等が異なるものの、実質的には封止樹脂110と共通する)の薄い層(この層は、樹脂層の表皮部分をなすため表皮層ともいう)を除去して、例えば、図7(a)に示すように、フィラー111の一部を露出させる。露出したフィラー111が前述の表面フィラー111Aとなる。このような研磨/除去の方法は、封止樹脂110の上面と側面の研磨に適用可能なラッピングや、ブラスト処理等によって行うことができる。
S2はクラック形成工程である。S1に続いて、まず、フィラー111の上面をそれが露出しているとき(本実施の形態では、図7(a)に示すように、封止樹脂110の上面を研磨してフィラー111の上面を露出させてから金属膜120が形成されるまでの間)に叩き、それによって表面フィラー111Aにクラック112を形成する。なお、フィラー111の上面であって、上記のように、金属膜120が形成されるまで露出していた上面111fをフィラー面ともいう。
詳しく説明すると次のとおりである。まず、表面フィラー111Aの上面(フィラー面111f)を叩くことで、その上面に表面フィラー111Aの上面から内側に延びるひび割れ(亀裂)を形成する。図7(b)に示すように、このひび割れが縦穴部112a,横穴部112bとなる。縦穴部112aは、フィラー面111fにつながっているため、表面フィラー111Aの開口部となり、そこから後に金属めっきが伸張する。また、表面フィラー111Aの表面を繰り返し叩くことで、図8(a)に示すように、ひび割れが広がり、表面フィラー111Aの一部が分離することもある。すると、分離した部分が後に小片部111Cとなる。なお、フィラー面111fを叩くことに加え、フィラー面111fを引っかいてもよい。また、フィラー111の大きさが不規則であったり、フィラー面111fの叩き方を工夫することで、図2に示すように、不規則な形状のクラック112が形成される。
続いて、表面フィラー111Aにエッチングを施す。すると、図8(b)に示すように、フィラー面111fが削られて凹部111dが形成され、さらに、縦穴部112a,横穴部112bの幅および/または深さが拡大される。こうすることで、所望の形状と大きさを備えたクラック112が得られる。この工程は、縦穴部、横穴部の幅や深さを拡大するからクラック拡大工程である。
S3は金属膜形成工程である。具体的には、金属膜120は、クラック112が露出している封止樹脂110の表面(上面および側面)に配置される。金属膜120は、無電解めっき工程を用いて配置される。これは、金属部材(銅など)の一部がクラック112の中に進入するようにして、フィラー111の金属膜120に対するアンカー効果を改善するためである。さらに、金属部材がフィラー111と封止樹脂110の間にも進入して、金属部材に対するフィラー111と封止樹脂110のアンカー効果がより優れたものとなる。加えて、金属膜120の上面がめっきの間、平坦になるように制御される。
特に、前述したクラック形成工程において、エッチングの前にフィラー面111fを叩くことによってクラック112が形成されており、そのクラック112は、縦穴部112aと横穴部112bとを有している。横穴部112bは縦穴部112aの交差方向に沿って形成され、そこにも金属膜120が進入する。
一方、こうして形成される金属膜120が封止樹脂110の表面から剥がれるときは、縦穴部112aに進入している部分はもちろん、横穴部112bに進入している部分も一体となって剥がれようとする。その際、横穴部112bに進入している部分に対して、表面フィラー111Aの一部(横穴部112bよりもフィラー面111f側に配置されている部分)がその縦方向に沿った動きを阻害する阻害部として作用する。この作用は、金属膜120の縦穴部112aに進入している部分に対して表面フィラー111Aが及ぼす作用よりも大きい。そのため、表面フィラー111Aによる金属膜120のアンカー効果は、従来技術(例えば特許文献2)のように、単に金属膜がフィラーの穴の中に進入している場合に比べて、より大きなものとなっている。
しかも、クラック112を上記のようにして形成したことにより、金属膜120の根元部120aが表面フィラー111Aの最も深い部分の下側にまで回り込んでいる。金属膜120の根元部120aが封止樹脂110と表面フィラー111Aの間の隙間にも埋め込まれているから、金属膜120と表面フィラー111Aとの接触面積の拡大による作用とともに、表面フィラー111Aによる阻害部として作用が拡大され、表面フィラー111Aによる金属膜120のアンカー効果はよりいっそう優れたものとなっている。
S4は酸化防止膜(抗酸化膜)形成工程である。具体的には、無電解めっき工程によって、酸化防止膜121(Ni膜)が金属膜120の表面に形成される。同時にNi膜121の表面が平坦になるよう制御されることが好ましい。
以上までの工程により、後に封止樹脂110となる樹脂層が形成された後、金属膜120と酸化防止膜121が形成されるまでの工程が完了し、電子部品パッケージ100が完成する。
従来技術と比べて、本発明の電子部品パッケージ100は、封止樹脂110の上面に形成された金属膜120を有していて、その金属膜120の根元部120aが封止樹脂110のフィラー111上のクラック112に埋め込まれまたは進入している。そのため、金属膜120と封止樹脂110の間のアンカー効果が改善され、金属膜120の剥がれ落ちが起きにくくなっている。さらに、金属膜120が封止樹脂110の上面上に金属ブロックを加えることなく上記のようにして形成されているから、電子部品パッケージのそのような形状によって周辺環境の電磁ノイズが遮蔽されるだけでなく、集積回路モジュールのための軽量化要求も満足するものである。
特に、フィラー111には、クラック112が形成されており、そのクラック112が縦穴部112aと横穴部112bとを有しているから、フィラー111による金属膜120のアンカー効果が、単にフィラーの縦方向の穴の中に金属膜が進入している場合に比べてより大きなものとなっている。
しかも、金属膜120が表面フィラー111Aの最も深い部分の下側にまで回り込み、根元部120aが封止樹脂110とフィラー111との間の隙間にも埋め込まれているから、アンカー効果はよりいっそう優れたものとなっている。
従来技術の場合、フィラーによる金属膜のアンカー効果は、フィラーに凹部が形成されたことで、フィラーと金属膜とが接触する部分の表面積が拡大され、それによって金属膜の密着力が向上することに起因している。
これに対し、本願発明の場合、フィラー111によるアンカー効果は、表面積の拡大による密着力の向上はもちろん、それに加えて大塊部111Bが金属膜120の根元部120aの動きを阻害してその引き抜きを食い止める食い止め作用が発揮されることによってもたらされる。したがって、従来技術に比べてアンカー効果がよりいっそう優れたものとなっている。
以上の説明は、本発明は、最も実践的で好ましい実施の形態であると考えられる事項にそって詳しく説明されているが、本発明は、開示されている実施の形態に限定されるものではない。様々な変形例および本発明の精神及び範囲内に含まれる均等な配置をも包含するものと理解される。
本発明を適用することにより、周辺環境からの電磁ノイズを遮蔽するとともに、集積回路モジュールに求められる軽量化要求を満たすことができる。本発明は電子部品パッケージおよびその製造方法に利用することができる。
100…電子部品パッケージ、101…基板、102…電子部品、110…封止樹脂、111…フィラー、111A…表面フィラー、111B…大塊部、111C…小片部、111f…フィラー面、112…クラック、112a…縦穴部、112a…横穴部、120…金属膜、120a…根元部分、121…酸化防止膜。

Claims (9)

  1. 電子部品パッケージであって、
    少なくとも一つの電子回路を有する基板と、
    前記電子回路を封止し、かつ少なくとも一つのクラックが形成されている少なくとも一つのフィラーが充填されている封止樹脂と、
    該封止樹脂の上面に形成され、その根元部が前記フィラーの前記クラックに埋め込まれている金属膜とを有する電子部品パッケージ。
  2. 前記クラックが平坦な開口部を有する請求項1記載の電子部品パッケージ。
  3. 前記金属膜上に形成された酸化防止膜を更に有する請求項1または2記載の電子部品パッケージ。
  4. 前記金属膜の上面が平坦である請求項1〜3のいずれか一項記載の電子部品パッケージ。
  5. 前記フィラーがシリコン酸化物によって形成され、かつ該フィラーの直径が1μm〜30μm程度である請求項1〜4のいずれか一項記載の電子部品パッケージ。
  6. 前記金属膜が銅を用いて形成され、かつ0.75μm〜5μm程度の厚さを有し、さらに前記酸化防止膜がニッケルによって形成され、かつ前記酸化防止膜が0.5μmよりも大きい厚さを有する請求項1〜5のいずれか一項記載の電子部品パッケージ。
  7. 前記金属膜の根元部が前記フィラーと前記封止樹脂との間の隙間に埋め込まれている請求項1〜6のいずれか一項記載の電子部品パッケージ。
  8. 少なくとも一つの電子回路を有する基板と、該電子回路を封止し、かつ少なくとも一つのフィラーが充填されている封止樹脂と、該封止樹脂の上面に形成されている金属膜とを有する電子部品パッケージであって、
    前記フィラーは、前記金属膜が形成されるまで露出していた上面としてのフィラー面が叩かれたことによって、該フィラー面からその内部にまで延びる少なくとも一つのクラックが形成され、該クラックは、前記フィラー面から概ね深さ方向に沿った縦方向に延びる縦穴部と、該縦穴部につながり、該縦穴部と交差する交差方向に沿って延びる横穴部とを有し、
    前記金属膜は、前記クラックにおける前記縦穴部と前記横穴部の双方に埋め込まれ、かつ前記金属膜の根元部が前記フィラーと前記封止樹脂との間の隙間にも埋め込まれ、
    前記フィラーの前記横穴部よりも前記フィラー面側に配置されている部分が、前記金属膜の前記縦方向に沿った動きを阻害する阻害部となっている電子部品パッケージ。
  9. 少なくとも一つの電子回路を有する基板と、該電子回路を封止し、かつ少なくとも一つのフィラーが充填されている封止樹脂と、該封止樹脂の上面に形成されている金属膜とを有する電子部品パッケージの製造方法であって、
    後に前記封止樹脂となる樹脂層を形成した後、該樹脂層の表面を研磨して該樹脂層に充填されている前記少なくとも一つのフィラーを露出させる研磨工程と、
    前記金属膜が形成されるまで露出していた前記フィラーの上面としてのフィラー面を叩いて、該フィラー面から概ね深さ方向に沿った縦方向に延びる縦穴部と、該縦穴部につながり、該縦穴部と交差する交差方向に沿って延びる横穴部とを有するクラックを形成するクラック形成工程と、
    前記フィラー面を有する表面フィラーにエッチングを施して、前記クラックにおける前記縦穴部または前記横穴部の幅または深さを拡大するクラック拡大工程と、
    前記フィラー面を含む前記樹脂層の表面に前記金属膜を形成する金属膜形成工程と、
    該金属膜に酸化防止膜を形成する酸化防止膜形成工程とを有する電子部品パッケージの製造方法。
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