CN203690294U - 电子元件组件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型的电子元件组件包括：具有电子电路的衬底；密封所述电子电路的密封树脂，所述密封树脂内填充有至少一填充物，所述填充物上形成有裂缝；以及金属膜，所述金属膜形成于所述密封树脂之表面，且所述金属膜的根部至少部分嵌入所述填充物的裂缝内。该电子元件组件能屏蔽外部环境的磁场噪音，且符合集成电路模块的薄型轻量化要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及集成电路领域，尤其涉及一种集成电路的电子元件组件。
背景技术
随着集成电路模块的发展，集成电路模块的功能越来越多，安装在电子模块上的电子元件亦随之越来越多；同时人们对集成电路模块的尺寸要求亦是越来越高，薄型轻量化的集成电路产品已成趋势。近年来，外部环境的磁场噪音对薄型轻量化的集成电路模块造成的影响已被业界所考虑。
为了避免集成电路模块上密集的电子元件收到外部环境的磁场噪音的影响，一些模块直接在电子元件上覆盖一金属块/金属盖以屏蔽外部磁场。例如在电路板上安装完电子元件后，封装成产品时，在电子元件的表面覆盖金属块/金属盖，继而再进行后续的封装工作。但是此种金属块/金属盖的设置方式粗糙，而且体积大，增设此金属块/金属盖会增加产品的厚度，不符合产品的薄型轻量化要求。
因此，亟待提供一种改进改进的电子元件组件，在屏蔽外部环境的磁场噪音的同时亦符合薄型轻量化要求。
实用新型内容
本实用新型的一个目的在于提供一种电子元件组件，其能屏蔽外部环境的磁场噪音，且符合集成电路模块的薄型轻量化要求。
为实现上述目的，本实用新型的电子元件组件包括：具有电子电路的衬底；密封所述电子电路的密封树脂，所述密封树脂内填充有至少一填充物，所述填充物上形成有裂缝；以及金属膜，所述金属膜形成于所述密封树脂之表面，且 所述金属膜的根部至少部分嵌入所述填充物的裂缝内。
较佳地，所述裂缝的开口呈平坦状。
作为一个优选实施例，还包括一抗氧化膜形成于所述金属膜之上。
较佳地，所述金属膜的表面呈平面状。
作为一个优选实施例，所述填充物为二氧化硅，所述填充物的直径尺寸为1μｍ～30μｍ。
较佳地，所述金属膜为铜层，所述金属膜的厚度为0.75μｍ～5μｍ；所述抗氧化膜为镍层，所述抗氧化膜的厚度大于0.5μｍ。
较佳地，所述金属膜的根部至少部分嵌入于所述密封树脂和所述填充物之间的间隙内。
与现有技术相比，本实用新型的电子元件组件上由于形成有覆盖在密封树脂表面上的金属膜，而且该金属膜的根部至少部分嵌入/渗入到密封树脂中填充物的裂缝内，因此，金属膜的固着效果十分好，不容易脱落。而且，由于金属膜以此种形式形成在密封树脂的表面，而非额外增加金属块，因此在屏蔽外部磁场噪音的同时，其同样适应于薄型轻量化的集成电路模块的需求。
附图说明
图1为本实用新型电子元件组件的一个实施例的剖视图。
图2为图1所示的电子元件组件的放大的局部剖视图。
图3为本实用新型的电子元件组件在移除金属膜后的顶面剖视图。
图4为制造本实用新型电子元件组件的简化流程图。
具体实施方式
下面结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。本实用新型的主旨在于提供一种电子元件组件，其能屏蔽外部环境的磁场噪音，且符合集成电路模块的薄型轻量化要求。本实用新型 的电子元件组件适用于任何集成电路模块、产品，在此并不受限制。
请参考图1，本实用新型电子元件组件100的一个实施例包括一衬底101，形成在该衬底101上的多个电子元件102、密封该电子元件102的密封树脂110，以及形成于密封树脂110上的金属膜120。
具体地，该衬底101可为一印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)，该电子元件102可为集成电路芯片、有源电子元件等，这些电子元件102通过传统的方法安装在衬底101上。
该密封树脂110将电子元件102密封在衬底101上。如图2-4所示，该密封树脂110内填充有多个填充物111，该填充物111为二氧化硅（SiO2）。这些填充物111大小不一地填充在密封树脂110内，而不会显露于密封树脂110的外表面。较佳地，该填充物111的直径尺寸为1μｍ～30μｍ，较佳地为2μｍ～20μｍ。填充物111上形成有多个裂缝112，较佳地，此些裂缝112通过撞击及蚀刻填充物111的表面而形成，鉴于形成方法的特殊性，此些裂缝112的形成口呈平坦状，下面将有详细的描述。需要说明的是，该填充物111的材料并不限于二氧化硅，同样可以采用其他适合撞击/蚀刻形成裂缝112的硬质材料。
该金属膜120作为降低外部磁场噪音的磁场屏蔽层，形成于密封树脂110的表面，且该金属膜120的根部至少部分嵌入密封树脂110中填充物111上的裂缝112内，亦即，金属膜120的根部部分渗入填充物111的裂缝112中，使得金属膜120牢固地“扎根”于填充物111中。较佳地，金属膜120的根部部分渗入于密封树脂110和填充物111之间的间隙中，使得金属膜120牢固地与密封树脂110和填充物111相连。较佳地，该金属膜120还形成在衬底101的侧面，以将密封树脂110的上表面和侧表面均覆盖。该金属膜120可采用多种金属材料，较佳地，例如，采用电阻较小成本较低的铜（Cu）。在本实施例中，为防止金属膜120被氧化，在该金属膜120的上表面覆盖一抗氧化膜121，例如，该抗氧化膜121为镍（Ni）膜。
较佳地，该金属膜120的厚度在0.75μｍ～5μｍ之间，以达到较佳的磁场屏蔽效果以及粘接效果，更佳地，该金属膜（铜膜）120的厚度在1μｍ～4μｍ之间。 该抗氧化膜121的厚度大于0.5μｍ，以达到较佳的抗氧化效果。
较佳地，金属膜120的上表面和抗氧化膜121的上表面呈连续的平面状，而非凹凸不平的波浪状，此种设计的好处在于金属膜120和抗氧化膜121能够紧密地连接在密封树脂110和填充物111上，而不容易脱落。
下面请结合图2-4，介绍金属膜120及抗氧化膜121的形成方法。
S1：抛磨工序。首先，对密封于电子元件上的密封树脂110的表面进行抛磨，移除一小层的密封树脂110，从而使密封树脂110中填充的填充物111部分显露在外。该抛磨/移除的方法可为研磨、撞击或其他方法。这些方法均适用于抛磨密封树脂110的上表面或侧表面。
S2：裂缝形成工序。接着，在显露在外的填充物111上形成裂缝112，例如可通过撞击的方法在填充物111的表面形成裂缝112开口，继而通过蚀刻将该裂缝112的宽度扩大或将深度加大，使裂缝112达到合适的尺寸。
S3：金属膜形成工序。接着，在显露有裂缝112的密封树脂110的表面（上表面及侧表面）上喷涂金属膜120，例如通过化学镀层工序（Electroless plating process）进行喷涂，使得部分金属材料（如Cu材料）渗入到裂缝112当中，从而实现与填充物111的固着效果。而且，这些金属材料亦渗入到填充物111和密封树脂110之间的间隙内，使得金属材料和填充物111以及密封树脂110之间的固着效果更佳。此外，在喷涂的过程中，控制金属膜120的上表面呈平坦状。
S4：抗氧化膜形成工序。最后，在金属膜120的表面上通过化学镀层工序进行抗氧化膜121（Ni膜）的喷涂，同时控制该Ni膜121的表面呈平坦状为佳。
至此，在电子元件上形成金属膜120及抗氧化膜121的工序完成。
与现有技术相比，本实用新型的电子元件组件100上由于形成有覆盖在密封树脂110表面上的金属膜120，而且该金属膜120的根部至少部分嵌入/渗入到密封树脂110中填充物111的裂缝112内，因此，金属膜120的固着效果十分好，不容易脱落。而且，由于金属膜120以此种形式形成在密封树脂110的表面，而非额外增加金属块，因此在屏蔽外部磁场噪音的同时，其同样适应于薄型轻量化的集成电路模块的需求。
以上结合最佳实施例对本实用新型进行了描述，但本实用新型并不局限于以上揭示的实施例，而应当涵盖各种根据本实用新型的本质进行的修改、等效组合。
Claims (7)
1.一种电子元件组件，其特征在于，包括：
具有电子电路的衬底；
密封所述电子电路的密封树脂，所述密封树脂内填充有至少一填充物，所述填充物上形成有裂缝；以及
金属膜，所述金属膜形成于所述密封树脂之表面，且所述金属膜的根部至少部分嵌入所述填充物的裂缝内。
2.如权利要求1所述的电子元件组件，其特征在于：所述裂缝的开口呈平坦状。
3.如权利要求1所述的电子元件组件，其特征在于，还包括一抗氧化膜形成于所述金属膜之上。
4.如权利要求1所述的电子元件组件，其特征在于：所述金属膜的表面呈平面状。
5.如权利要求1所述的电子元件组件，其特征在于：所述填充物为二氧化硅，所述填充物的直径尺寸为1μｍ～30μｍ。
6.如权利要求3所述的电子元件组件，其特征在于：所述金属膜为铜层，所述金属膜的厚度为0.75μｍ～5μｍ；所述抗氧化膜为镍层，所述抗氧化膜的厚度大于0.5μｍ。
7.如权利要求1所述的电子元件组件，其特征在于：所述金属膜的根部至少部分嵌入于所述密封树脂和所述填充物之间的间隙内。
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| Date | Code | Title | Description |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140702 |