JP2015087163A

JP2015087163A - テラヘルツ波計測装置

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Publication number: JP2015087163A
Application number: JP2013224290A
Authority: JP
Inventors: 達也河野; Tatsuya Kono; 山口　淳; Atsushi Yamaguchi; 山口　　淳; 一雄 ▲高▼橋; Kazuo Takahashi
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2013-10-29
Filing date: 2013-10-29
Publication date: 2015-05-07

Abstract

【課題】テラヘルツ波計測装置において好適な光学系の調整を実現する。【解決手段】テラヘルツ波計測装置（１）は、テラヘルツ波を発生する発生素子（１０１）を有する発生手段、及び発生手段から計測対象物（５００）に対して照射されたテラヘルツ波を検出する検出素子（２０１）を有する検出手段を備える。発生手段及び検出手段の少なくとも一方は、発生素子又は検出素子に接する第１レンズ（１０２，２０２）と、第１レンズから光軸方向で見て、発生素子又は検出素子とは反対側に配置された第２レンズ（１０３．２０３）と、発生素子又は検出素子、第１レンズ及び第２レンズを、一体的に光軸方向に可動する位置調整手段（１４）とを有する。【選択図】図１

Description

本発明は、例えばテラヘルツ波を用いて計測対象物に関する各種計測を実行するテラヘルツ波計測装置の技術分野に関する。

テラヘルツ波計測装置として、テラヘルツ波発生素子において発生されたテラヘルツ波を計測対象物に照射すると共に、計測対象物で反射又は透過したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出素子において検出することで、計測対象物に関する各種計測を可能とする装置が知られている。

例えば特許文献１では、紙類を透過したテラヘルツ波の減衰を利用して、紙類の枚数を判定する装置が開示されている。

特開２０１２−２１５５３０号公報

テラヘルツ波は、例えば周波数１ＴＨｚ（波長３００μｍ）前後の電磁波であり、電波が持つ物質透過性と、光の性質である反射、屈折、指向性、可干渉性の両方の性質を有している。このため、テラヘルツ波計測装置による計測時には、光学系や計測対象物の内部における干渉により、検出されるテラヘルツ波の強度が低下することがある。

検出されるテラヘルツ波の強度の低下は、計測結果の悪化を招く。よって、干渉が発生している場合には、光学系における調整を行うことが好ましい。しかしながら、光学系の調整は、例えば光学系を構成する複数のレンズの相対的な位置関係を高い精度で調整することが求められるため、複雑な処理や装置構成が要求されるという技術的問題点が生ずる。

本発明が解決しようとする課題には上記のようなものが一例として挙げられる。本発明は、テラヘルツ波の照射及び検出を好適に実行可能なテラヘルツ波計測装置を提供することを課題とする。

上記課題を解決するテラヘルツ波計測装置は、テラヘルツ波を発生する発生素子を有する発生手段、及び前記発生手段から計測対象物に対して照射された前記テラヘルツ波を検出する検出素子を有する検出手段を備えるテラヘルツ波計測装置であって、前記発生手段及び前記検出手段の少なくとも一方は、
前記発生素子又は前記検出素子に接する第１レンズと、前記第１レンズから光軸方向で見て、前記発生素子又は前記検出素子とは反対側に配置された第２レンズと、前記発生素子又は前記検出素子、前記第１レンズ及び前記第２レンズを、一体的に光軸方向に可動する位置調整手段とを有する。

実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。変形例に係るテラヘルツ波計測装置の光学系の構成を示す概略図（その１）である。変形例に係るテラヘルツ波計測装置の光学系の構成を示す概略図（その２）である。位置調整制御の一連の処理を示すフローチャートである。

＜１＞
本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置は、テラヘルツ波を発生する発生素子を有する発生手段、及び前記発生手段から計測対象物に対して照射された前記テラヘルツ波を検出する検出素子を有する検出手段を備えるテラヘルツ波計測装置であって、前記発生手段及び前記検出手段の少なくとも一方は、前記発生素子又は前記検出素子に接する第１レンズと、前記第１レンズから光軸方向で見て、前記発生素子又は前記検出素子とは反対側に配置された第２レンズと、前記発生素子又は前記検出素子、前記第１レンズ及び前記第２レンズを、一体的に光軸方向に可動する位置調整手段と、を有する。

本実施形態のテラヘルツ波計測装置によれば、その動作時には、発生手段が有する発生素子（例えば、光伝導アンテナ（ＰＣＡ：Photo Conductive Antenna）や共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ：Resonant Tunneling Diode）等）においてテラヘルツが発生され計測対象物に照射される。計測対象物に照射されたテラヘルツ波は、計測対象物において反射又は透過され、検出手段の検出素子（例えば、光伝導アンテナ（ＰＣＡ）や共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）等）で検出される。検出手段では、検出されたテラヘルツ波の強度に応じた強度信号が生成され、この強度信号に基づいて計測対象物に関する計測（例えば、イメージングや特性分析等）が行われる。

本実施形態では、発生手段及び検出手段の少なくとも一方は、発生素子又は検出素子に接する第１レンズと、第１レンズから光軸方向で見て、発生素子又は検出素子とは反対側に配置された第２レンズとを有している。

発生素子に接するように配置される第１レンズは、テラヘルツ波の取り出し効率を向上させる効果を発揮する。一方、検出素子に接するように配置される第１レンズは、検出面でのスポットを縮小させることで強度信号を増大させる効果を発揮する。なお、第１レンズは、例えば高抵抗シリコン等により、半球型や超半球型のレンズとして構成されることが好ましい。

発生素子側に配置される第２レンズは、発生素子から第１レンズを介して照射されるテラヘルツ波を平行光とするコリメートレンズとして機能する。一方で、検出素子側に配置される第２レンズは、計測対象物で反射又は透過されたテラヘルツ波を、第１レンズ及び検出素子に向けて集光する集光レンズとして機能する。なお、第２レンズは、テラヘルツ波透過性を有する樹脂等で構成すればよい。

ここで特に、発生手段及び検出手段の少なくとも一方は、位置調整手段を有しており、光軸方向に一体的に可動とされている。具体的には、発生素子並びに発生素子側に配置される第１レンズ及び第２レンズの３つの光学要素は、互いの相対的位置を保ちながら光軸方向に移動可能とされている。或いは、検出素子並びに検出素子側に配置される第１レンズ及び第２レンズの３つの光学要素は、互いの相対的位置を保ちながら光軸方向に移動可能とされている。

テラヘルツ波計測装置による計測時には、光学系や計測対象物の内部における干渉により、検出されるテラヘルツ波の強度が低下することがある。そして、検出されるテラヘルツ波の強度の低下は、計測結果の悪化を招くため、干渉が発生している場合には、光学系における調整を行うことが好ましい。しかしながら、光学系の調整は、例えば光学系を構成する複数のレンズの相対的な位置関係を高い精度で調整することが求められるため、複雑な処理や装置構成が要求されてしまう。

しかるに本発明では、上述したように、発生手段及び検出手段の少なくとも一方が、光軸方向で一体的に可動とされている。従って、干渉による悪影響を低減するための光学系の調整を極めて容易且つ的確に実現できる。即ち、発生手段に含まれる発生素子、第１レンズ及び第２レンズ、或いは検出手段に含まれる検出素子、第１レンズ及び第２レンズの相対的な位置関係を崩さずに調整が行えるため、各光学要素を独立して別個に調整する場合と比べて、極めて調整作業が容易となる。

以上説明したように、本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置によれば、発生手段及び検出手段の少なくとも一方が一体的に可動とされるため、光学系を好適に調整することが可能である。従って、テラヘルツ波を利用した計測対象物の計測を好適に実行できる。

＜２＞
本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置の一態様では、前記位置調整手段は、調整範囲が前記テラヘルツ波の波長の１／２以上である。

この態様によれば、干渉の影響で１／２波長毎に生ずるテラヘルツ波の強度変動において、強度が極大となる位置が確実に調整範囲中に存在する構成を実現できる。

＜３＞
本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記レンズは、半球レンズである。

この態様によれば、レンズの球面における屈折をなくすことができるため、より好適に計測対象物の計測を実行できる。なお、半球レンズの厚みは、発生素子の厚みを含めて、球面直径の半分であることが好ましい。

＜４＞
本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記レンズは、前記発生素子又は前記検出素子と密着されている。

この態様によれば、発生素子及びレンズ、或いは検出素子及びレンズが互いに密着されているため、各素子とレンズとの間に空気層が介在しない。これにより、空気層の界面においてテラヘルツ波の全反射が生じてしまうことを防止でき、好適にテラヘルツ波の放射又は検出が行える。

＜５＞
本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記検出手段は、前記発生手段から計測対象物に対して照射された前記テラヘルツ波のうち、前記計測対象物で反射された前記テラヘルツ波を検出する。

この態様によれば、テラヘルツ波計測装置を、いわゆる反射型計測装置として構成することが可能である。

＜６＞
上述の如く反射されたテラヘルツ波を検出する態様では、前記発生手段から前記計測対象物に対して照射される前記テラヘルツ波と、前記検出手段で検出すべき前記計測対象物で反射された前記テラヘルツ波とを互いに分離する分離手段を更に備えてもよい。

この場合、発生手段及び検出手段を、分離手段を含む同一の光学系として構成することができる。これにより、例えば装置の小型化等が容易となる。

＜７＞
本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記発生素子及び前記検出素子は、共鳴トンネルダイオードを含んで構成される。

この態様によれば、装置の小型化及び低コスト化を実現することが可能である。

＜８＞
本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置の他の態様では、前記検出手段で検出される前記テラヘルツ波の強度に基づいて前記位置調整手段を制御する制御手段を更に備える。

この態様によれば、発生手段及び検出手段の位置が、検出素子において検出されるテラヘルツ波の強度に基づいて調整される。よって、例えばテラヘルツ波の強度を最適な値に調整した上で計測を行うことができる。従って、より好適な計測を実現できる。

なお、制御手段は、発生手段及び検出手段と同一の筐体に配置されずともよく、例えば無線通信等によって発生手段又は検出手段の遠隔操作を行うようなものであっても構わない。

＜９＞
上述の如く制御手段を更に備える態様では、前記制御手段は、前記検出手段で検出される前記テラヘルツ波の強度が極大となるように前記位置調整手段を制御してもよい。

この場合、テラヘルツ波の強度が極大とされる（具体的には、調整時において周期的に変動するテラヘルツ波の強度が、任意の周期の極大値となるように調整される）ため、テラヘルツ波の強度不足により、適切な計測が行えない状況を回避できる。

本実施形態に係るテラヘルツ波計測装置の作用及び他の利得については、以下に示す実施例において、より詳細に説明する。

以下では、図を参照して本発明の実施例について詳細に説明する。

＜１：装置構成＞
初めに、図１を参照しながら、本実施例のテラヘルツ波計測装置１の構成について説明する。ここに図１は、本実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略図である。

図１において、本実施例のテラヘルツ波計測装置１は、テラヘルツ波を測定対象物であるサンプル５００に照射すると共に、サンプル５００から反射したテラヘルツ波を検出する。

テラヘルツ波は、１テラヘルツ（１ＴＨｚ＝１０^１２Ｈｚ）前後の周波数領域（つまり、テラヘルツ領域）に属する電磁波である。テラヘルツ領域は、光の直進性と電磁波の透過性を兼ね備えた周波数領域である。テラヘルツ領域は、様々な物質が固有の吸収スペクトルを有する周波数領域である。従って、テラヘルツ波計測装置１は、サンプル５００から反射された照射されたテラヘルツ波を利用して、サンプル５００のイメージング処理等を実行できる。

本実施例のテラヘルツ波計測装置１は、コントローラ１０と、テラヘルツ波発生素子１０１と、半球レンズ１０２と、コリメートレンズ１０３と、テラヘルツ波検出素子２０１と、半球レンズ２０２と、集光レンズ２０３と、ビームスプリッタ３００と、ＴＨｚ用レンズ４００とを備えて構成されている。

コントローラ１０は、テラヘルツ波計測装置１の各部の動作を制御するものとして構成されている。なお、本実施例のコントローラ１０は特に、放射制御部１１と、検出部１２と、イメージング１３と、位置調整部１４とを備えている。

放射制御部１１は、テラヘルツ波検出素子１０１において適切な強度のテラヘルツ波を発生させるよう放射制御を行う。

検出部１２は、テラヘルツ波検出素子２０１において生成される検出信号を入力とし、入力された検出信号に対して各種処理を実行すると共に、その結果を出力可能に構成されている。

イメージング部１３は、検出部１２からの出力に基づいて、テラヘルツ波が放射されるサンプル５００のイメージング処理を実行する。なお、イメージング処理については、既知の方法を適宜利用することができるため、ここでの詳細な説明は省略する。

位置調整部１４は、本発明の「位置調整手段」の一例であり、テラヘルツ波検出素子２０１、半球レンズ２０２及び集光レンズ２０３を含むテラヘルツ波検出器２００の位置を光軸方向で調整可能とされている。即ち、位置調整部１４は、テラヘルツ波検出素子２０１、半球レンズ２０２及び集光レンズ２０３を一体的に移動させることが可能である。なお、ここでのテラヘルツ波検出器２００は、本発明の「検出手段」の一例である。また、半球レンズ２０２は、本発明の「第１レンズ」の一例であり、集光レンズ２０３は、本発明の「第２レンズ」の一例である。

なお、位置調整部１４は、テラヘルツ波発生素子１０１、半球レンズ１０２及びコリメートレンズ１０３（以下、まとめて「テラヘルツ波発生器」と称することがある）を一体的に移動可能に構成されてもよい。なお、ここでのテラヘルツ波発生器は、本発明の「発生手段」の一例である。位置調整部１４による位置調整制御に係る具体的処理については、後に詳述する。

テラヘルツ波発生素子１０１は、例えば光伝導アンテナ（ＰＣＡ）や共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）として構成されており、テラヘルツ波を発生する。

半球レンズ１０２は、例えば高抵抗シリコン等を含んで構成されるレンズであり、テラヘルツ発生素子１０１と密着するように設けられている。半球レンズ１０２は、半球状或いは超半球状とされており、テラヘルツ波の取り出し効率を向上させる機能を有している。

コリメートレンズ１０３は、例えばテラヘルツ波透過性樹脂等により構成されており、テラヘルツ波発生素子１０１で発生されたテラヘルツ波が、半球レンズ１０２を介して照射される位置に配置されている。コリメートレンズ１０３は、テラヘルツ波発生素子１０１側から照射されたテラヘルツ波を平行光とする。

テラヘルツ波検出素子２０１は、テラヘルツ波発生素子１０１と同様に、例えば光伝導アンテナや共鳴トンネルダイオードとして構成されている。テラヘルツ波検出素子２０１は、検出したテラヘルツ波の強度に応じた検出信号を出力可能である。

半球レンズ２０２は、例えば高抵抗シリコン等を含んで構成されるレンズであり、テラヘルツ検出素子２０１と密着するように設けられている。半球レンズ２０２は、半球状或いは超半球状とされており、検出面でのスポットを縮小することで、検出信号を増大させる機能を有している。

集光レンズ２０３は、例えばテラヘルツ波透過性樹脂等により構成されており、サンプル５００において反射されたテラヘルツ波を、テラヘルツ波検出素子２０１（及び半球レンズ２０２）に向けて集光する。

なお、本実施例に係るテラヘルツ波検出素子２０１、半球レンズ２０２及び集光レンズ２０３は、上述したように、テラヘルツ波検出器２００として一体的に移動可能とされている。具体的には、テラヘルツ波検出素子２０１、半球レンズ２０２及び集光レンズ２０３は、テラヘルツ波検出器２００としての筐体に互いの相対的な位置関係が崩れぬように固定されており、アクチュエータ等の駆動装置により筐体毎移動可能とされる。

ビームスプリッタ３００は、本発明の「分離手段」の一例であり、テラヘルツ波発生器側から照射されるテラヘルツ波と、テラヘルツ波検出器２００側に照射すべきテラヘルツ波とを分離する。ビームスプリッタ３００は、例えばハーフミラーとして構成され、テラヘルツ波発生器側から照射されるテラヘルツ波を透過する一方で、テラヘルツ波検出器２００側に照射すべきテラヘルツ波を反射するように設けられる。

ＴＨｚ用レンズ４００は、例えばテラヘルツ波透過性樹脂等により構成されており、サンプル５００に放射するテラヘルツ波を集光する機能を有すると共に、サンプル５００で反射されたテラヘルツ波をコリメートする機能を有している。

なお、本実施例に係るテラヘルツ波計測装置１は、サンプル５００において反射されるテラヘルツ波を検出する、所謂反射型のテラヘルツ波計測装置である。またテラヘルツ波計測装置１は特に、ビームスプリッタ３００を有することで、テラヘルツ波発生器側及びテラヘルツ波検出器２００側の光学系が一体的に構成されている。

ただし、本発明を適用可能なテラヘルツ波計測装置は上述した構成に限られず、例えば異なる光学系を有するテラヘルツ波計測装置にも適用可能である。以下では、テラヘルツ波計測装置の変形例について、図２及び図３を参照して説明する。ここに図２及び図３は夫々、変形例に係るテラヘルツ波計測装置の光学系の構成を示す概略図である。

図２に示すように、テラヘルツ波計測装置は、ビームスプリッタ３００を有さない反射型テラヘルツ波計測装置２として構成されてもよい。この場合も、位置調整部１４は、テラヘルツ波検出素子２０１、半球レンズ２０２及び集光レンズ２０３を含むテラヘルツ波発生器２００の位置を光軸方向で調整可能とされる。なお、テラヘルツ波計測装置２では、テラヘルツ波発生器側及びテラヘルツ波検出器２００側の光学系が別々に構成されているため、図１のＴＨｚ用レンズ４００に代えて、テラヘルツ波発生器側にＴＨｚ用レンズ４０１が設けられ、テラヘルツ波検出器側にＴＨｚ用レンズ４０２が設けられている。

図３に示すように、テラヘルツ波計測装置は、透過型のテラヘルツ波計測装置３として構成されてもよい。即ち、テラヘルツ波計測装置は、サンプル５００を透過したテラヘルツ波を検出するものとして構成されてもよい。この場合も、位置調整部１４は、テラヘルツ波検出素子２０１、半球レンズ２０２及び集光レンズ２０３を含むテラヘルツ波発生器２００の位置を光軸方向で調整可能とされる。なお、透過型のテラヘルツ波計測装置３では、テラヘルツ波発生器及びテラヘルツ波検出器２００が、サンプル５００から見て夫々反対方向に配置される。

＜２：位置調整制御＞
次に、本実施例のテラヘルツ波計測装置１において実行される位置調整制御について、図４を参照して詳細に説明する。ここに図４は、位置調整制御の一連の処理を示すフローチャートである。

図４において、本実施例のテラヘルツ波計測装置１では、位置調整制御が開始されると、先ずヘッド全体（言い換えれば、テラヘルツ波計測器装置１全体）の位置及び傾きが調整される（ステップＳ１０１）。ヘッド全体の調整は、検出信号強度が最大となるまで（ステップＳ１０２：ＹＥＳ）繰り返し実行される。

ヘッド全体の調整が終了すると、続いてビームスプリッタ３００（例えば、ハーフミラー）の傾きが調整される（ステップＳ１０３）。ビームスプリッタ３００の調整は、検出信号強度が最大となるまで（ステップＳ１０４：ＹＥＳ）繰り返し実行される。

ビームスプリッタ３００の調整が終了すると、最後にテラヘルツ波検出器２００の位置が調整される（ステップＳ１０５）。即ち、テラヘルツ波検出器２００に含まれるテラヘルツ波検出素子２０１、半球レンズ２０２及び集光レンズ２０３を、光軸方向で一体的に移動する調整が実行される。テラヘルツ波検出器２００の調整は、検出信号強度が極大となるまで（ステップＳ１０６：ＹＥＳ）繰り返し実行される。即ち、調整時において周期的に変動するテラヘルツ波の強度が、任意の周期の極大値となるように調整される。

以上説明した一連の処理によれば、例えば干渉等に起因して低下したテラヘルツ波の強度を効果的に改善することができる。なお、テラヘルツ波の強度が最大となるまで、ステップＳ１０１からステップＳ１０６の各処理を繰り返し実行してもよい。

本実施例では特に、上述したように、テラヘルツ波検出器２００に含まれるテラヘルツ波検出素子２０１、半球レンズ２０２及び集光レンズ２０３が一体的に移動される。これにより、テラヘルツ波検出素子２０１、半球レンズ２０２及び集光レンズ２０３の相対的な位置関係を崩さずに調整が行えるため、各光学要素を独立して別個に調整する場合と比べて、極めて調整作業が容易となる。

なお、上述した実施例においては、位置調整部１４がテラヘルツ波検出器２００の位置を調整可能とするバイについて説明したが、テラヘルツ波検出器２００に代えて又は加えて、テラヘルツ波発生器（即ち、テラヘルツ波発生素子１０１、半球レンズ１０２及びコリメートレンズ１０３）を一体的に移動可能とする場合であっても同様の効果が得られる。

以上説明したように、本実施例のテラヘルツ波計測装置１によれば、テラヘルツ波発生器又はテラヘルツ波検出器２００の位置を一体的に調整することで、好適な光学系の調整を実現できる。従って、極めて好適な計測を実現できる。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うテラヘルツ波計測装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

１，２，３テラヘルツ波計測装置
１０コントローラ
１１照射制御部
１２検出部
１３イメージング部
１４位置調整部
１０１テラヘルツ波発生素子
１０２半球レンズ
１０３コリメートレンズ
２００テラヘルツ波検出器
２０１テラヘルツ波検出素子
２０２半球レンズ
２０３集光レンズ
３００ビームスプリッタ
４００，４０１，４０２ＴＨｚ用レンズ
５００サンプル

Claims

テラヘルツ波を発生する発生素子を有する発生手段、及び前記発生手段から計測対象物に対して照射された前記テラヘルツ波を検出する検出素子を有する検出手段を備えるテラヘルツ波計測装置であって、
前記発生手段及び前記検出手段の少なくとも一方は、
前記発生素子又は前記検出素子に接する第１レンズと、
前記第１レンズから光軸方向で見て、前記発生素子又は前記検出素子とは反対側に配置された第２レンズと、
前記発生素子又は前記検出素子、前記第１レンズ及び前記第２レンズを、一体的に光軸方向に可動する位置調整手段と
を有することを特徴とするテラヘルツ波計測装置。
前記位置調整手段は、調整範囲が前記テラヘルツ波の波長の１／２以上であることを特徴とする請求項１に記載のテラヘルツ波計測装置。
前記第１レンズは、半球レンズであることを特徴とする請求項１又は２に記載のテラヘルツ波計測装置。
前記第１レンズは、前記発生素子又は前記検出素子と密着されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
前記検出手段は、前記発生手段から計測対象物に対して照射された前記テラヘルツ波のうち、前記計測対象物で反射された前記テラヘルツ波を検出することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
前記発生手段から前記計測対象物に対して照射される前記テラヘルツ波と、前記検出手段で検出すべき前記計測対象物で反射された前記テラヘルツ波とを互いに分離する分離手段を更に備えることを特徴とする請求項５に記載のテラヘルツ波計測装置。
前記発生素子及び前記検出素子は、共鳴トンネルダイオードを含んで構成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
前記検出手段で検出される前記テラヘルツ波の強度に基づいて前記位置調整手段を制御する制御手段を更に備えることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のテラヘルツ波計測装置。
前記制御手段は、前記検出手段で検出される前記テラヘルツ波の強度が極大となるように前記位置調整手段を制御することを特徴とする請求項８に記載のテラヘルツ波計測装置。