JPWO2018008070A1 - 検査装置及び方法 - Google Patents

Abstract

検査装置（１、２）は、電磁波発生部（１１ａ）と、電磁波検出部（１６ａ）と、電磁波を反射可能な反射部（３４、４１）と、電磁波発生部から発生された電磁波が被検体（９０）に照射される検査期間の一部の期間に、電磁波を、反射部により被検体を介さずに、電磁波検出部に入射させ、電磁波検出部の検出感度に基づいて、電磁波検出部に印加されるバイアス電圧を調整する調整手段（２０）と、を備える。

Description

本発明は、電磁波を用いて被検体を検査する検査装置及び方法の技術分野に関する。

この種の装置として、例えば、非対称の順方向及び逆方向電流電圧特性を有し、負性微分抵抗を示す第１動作点で発振素子として動作し、負性抵抗領域ではない非線形特性を示す第２動作点で検出素子として動作する発振検出素子を備える装置が提案されている（特許文献１参照）。

特開２０１３−００５１１５号公報

特許文献１に記載の発振検出素子は、温度依存性を有しており、また多少の個体差もある。このため、素子の使用環境に応じて該素子に印加されるバイアス電圧を適宜設定しなければ、検出動作の安定性を保つことが困難になる可能性がある。しかしながら、特許文献１には、バイアス電圧をどのように設定するかは開示されていない。

本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、安定した検出動作を実現することができる検査装置及び方法を提供することを課題とする。

本発明の検査装置は、上記課題を解決するために、電磁波発生部と、電磁波検出部と、電磁波を反射可能な反射部と、前記電磁波発生部から発生された電磁波が被検体に照射される検査期間の一部の期間に、前記電磁波を、前記反射部により前記被検体を介さずに、前記電磁波検出部に入射させ、前記電磁波検出部の検出感度に基づいて、前記電磁波検出部に印加されるバイアス電圧を調整する調整手段と、を備える。

本発明の検査方法は、上記課題を解決するために、電磁波発生部と、電磁波検出部と、電磁波を反射可能な反射部と、を備える検査装置における検査方法であって、前記電磁波発生部から発生された電磁波が被検体に照射される検査期間の一部の期間に、前記電磁波を、前記反射部により前記被検体を介さずに、前記電磁波検出部に入射させ、前記電磁波検出部の検出感度に基づいて、前記電磁波検出部に印加されるバイアス電圧を調整する調整工程を備える。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

第１実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略構成図である。 第１実施例に係るテラヘルツ波計測装置の測定動作を示す概念図である。 第１実施例に係るテラヘルツ波検出素子の電流電圧特性の一例を示す特性図である。 第１実施例に係るバイアス電圧の設定処理を示すフローチャートである。 第１実施例に係るテラヘルツ波検出素子のバイアス電圧と検出感度との関係の一例を示す特性図である。 第２実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略構成図である。 第２実施例に係るテラヘルツ波計測装置の測定動作を示す概念図である。 第２実施例に係るバイアス電圧の設定処理を示すフローチャートである。

本発明の検査装置及び方法に係る実施形態について説明する。

（検査装置）
実施形態に係る検査装置は、電磁波発生部と、電磁波検出部と、該電磁波検出部に印加されるバイアス電圧を調整する調整手段と、を備える。該調整手段は、電磁波を反射可能な反射部と、電磁波発生部から発生された電磁波が被検体に照射される検査期間の一部の期間に、電磁波を、反射部により被検体を介さずに、電磁波検出部に入射させ、電磁波検出部の検出感度に基づいて、バイアス電圧を調整する。電磁波の一例としては、テラヘルツ波が挙げられる。

当該検査装置では、検査期間の一部の期間に（即ち、検査期間中に）、電磁波検出部の検出感度に基づいてバイアス電圧が調整される。例えば検査期間中の温度変化に起因して、バイアス電圧の最適値が変化した場合であっても、当該検査装置では、電磁波検出部に最適なバイアス電圧を印加することができる。従って、当該検査装置によれば、安定した検出動作を実現することができる。

実施形態に係る検査装置の一態様では、反射部は、被検体が載置される載置部の周囲の少なくとも一部に設けられている。当該検査装置は、検査期間に、被検体及び反射部に電磁波が照射されるように、電磁波発生部及び電磁波検出部を一体として移動させる走査手段を更に備える。

或いは、実施形態に係る検査装置の他の態様では、反射部は、電磁波発生部及び被検体を結ぶ電磁波の光路上に配置されている。当該検査装置は、検査期間の一部の期間に電磁波が被検体を介さずに電磁波検出部に入射し、検査期間の他の期間に電磁波が被検体に照射されるように、反射部の反射面の電磁波に対する角度を変更する角度変更手段を更に備える。

これらの態様によれば、比較的容易にして、検査期間の一部の期間にバイアス電圧の調整を行うことができる。

実施形態に係る検査装置の他の態様では、電磁波検出部は、電流電圧特性に非線形性を有する電磁波検出素子を含む。調整手段は、検査期間の一部の期間に、電磁波検出部に印加される（即ち、電磁波検出素子に印加される）バイアス電圧の電圧値を順次変更して、電磁波検出部の検出感度が最大となる電圧値を特定し、該特定された電圧値より所定値だけ低い電圧値に、バイアス電圧を調整する。ここで、電磁波検出素子は、共鳴トンネルダイオードであってよい。この態様によれば、電磁波の一例としてのテラヘルツ波を好適に検出することができる。

（検査方法）
実施形態に係る検査方法は、電磁波発生部と、電磁波検出部と、電磁波を反射可能な反射部と、を備える検査装置における検査方法である。当該検査方法は、電磁波発生部から発生された電磁波が被検体に照射される検査期間の一部の期間に、電磁波を、反射部により被検体を介さずに、電磁波検出部に入射させ、該電磁波検出部の検出感度に基づいて、電磁波検出部に印加されるバイアス電圧を調整する調整工程を備える。

当該検査方法によれば、上述した実施形態に係る検査装置と同様に、安定した検出動作を実現することができる。尚、当該検査方法においても、上述した実施形態に係る検査装置の各種態様と同様の各種態様を採ることができる。

本発明の検査装置に係る実施例について図面を参照して説明する。以下の実施例では、本発明に係る検査装置の一例として、テラヘルツ波計測装置を挙げる。また、本発明に係る電磁波の一例として、テラヘルツ波を挙げる。

＜第１実施例＞
テラヘルツ波計測装置の第１実施例について、図１乃至図５を参照して説明する。

（装置構成）
テラヘルツ波計測装置１の構成について図１及び図２を参照して説明する。図１は、第１実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略構成図である。図２は、第１実施例に係るテラヘルツ波計測装置の測定動作を示す概念図である。

図１において、テラヘルツ波計測装置１は、撮像ヘッド部１０、信号処理・制御部２０、バイアス電圧生成部２１、信号増幅器２２及びスキャン機構２３を備えて構成されている。テラヘルツ波計測装置１は、所謂フラットベッド型の装置である（図２（ａ）参照）。テラヘルツ波計測装置１は、測定対象物９０を載置するための、例えばフッ素樹脂等により構成された試料台３２と、測定対象９０を覆うスキャナカバー３３とを有している。

撮像ヘッド部１０は、発生部１１、コリメートレンズ１２、ビームスプリッタ１３、対物レンズ１４、集光レンズ１５及び検出部１６を備えて構成されている。発生部１１は、テラヘルツ波発生素子１１ａ及びホーンアンテナ１１ｂを備えて構成されている。検出部１６は、テラヘルツ波検出素子１６ａ及びホーンアンテナ１６ｂを備えて構成されている。

テラヘルツ波発生素子１１ａ及びテラヘルツ波検出素子１６ａ各々には、バイアス電圧生成部２１により生成されるバイアス電圧が印加されている。テラヘルツ波発生素子１１ａには、所定の参照信号に基づいて変調されたバイアス電圧が印加される。この結果、発生部１１からは、一定の周波数で変調されたテラヘルツ波が出射される。

発生部１１から出射されたテラヘルツ波は、コリメートレンズ１２、ビームスプリッタ１３、対物レンズ１４及び試料台３２を介して、測定対象物９０に照射される。該測定対象物９０により反射されたテラヘルツ波は、試料台３２、対物レンズ１４、ビームスプリッタ１３及び集光レンズ１５を介して、検出部１６に入射する。検出部１６からは、入射したテラヘルツ波に応じた受信信号が出力される。

スキャン機構２３は、信号処理・制御部２０からの駆動信号に基づいて、撮像ヘッド部１０を駆動する。具体的には図２（ｂ）に示すように、スキャン機構２３により、所謂ラスタースキャンが行われる。スキャン機構２３は、更に、撮像ヘッド部１０から照射されるテラヘルツ波の照射位置をモニタするための撮像位置信号を生成する。

信号処理・制御部２０は、検出部１６から出力された受信信号を、信号増幅器２２を介して受信する。測定対象物９０が当該テラヘルツ波計測装置１により測定される際は、信号処理・制御部２０は、検出部１６から出力された受信信号から生成されたテラヘルツ波受信データ信号と、スキャン機構２３により生成された撮像位置信号とに基づいて、マッピングされたテラヘルツ波イメージ画像を生成する。尚、テラヘルツ波イメージ画像の生成方法には、既存の各種態様を適用可能であるので、その詳細についての説明は割愛する。

本実施例では特に、テラヘルツ波計測装置１は、試料台３２の周囲且つ筺体３１の内側（即ち、撮像ヘッド部１０側）に、発生部１１から出射されたテラヘルツ波を反射するためのテラヘルツ波反射部３４が設けられている。

テラヘルツ波計測装置１の動作時には、図２（ｂ）に示すように、当該テラヘルツ波計測装置１の上方から平面的に見て、撮像ヘッド部１０とテラヘルツ波反射部３４とが重なるように、撮像ヘッド部１０が駆動される。撮像ヘッド部１０とテラヘルツ波反射部３４とが重なる場合（即ち、撮像ヘッド１０が、テラヘルツ波反射部３４の下方に位置する場合）、発生部１１から出射されたテラヘルツ波は、測定対象物９０には照射されずに、テラヘルツ波反射部３４で反射され検出部１６に入射する。

当該テラヘルツ波計測装置１では、テラヘルツ波検出素子１６ａとして、共鳴トンネルダイオード（Ｒｅｓｏｎａｎｔ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＲＴＤ）が用いられている。ここで、テラヘルツ波検出素子１６ａとしての共鳴トンネルダイオードについて、図３を参照して説明を加える。

共鳴トンネルダイオードは、その動作領域の電流電圧特性に、微分負性抵抗特性を示す微分負性抵抗領域を有する（図３の、点Ｂ〜点Ｃの範囲参照）。共鳴トンネルダイオードは、更に、微分負性抵抗領域付近で強い非線形特性を示す非線形領域を有する（図３の、点Ａ〜点Ｂの範囲参照）。

共鳴トンネルダイオードは、微分負性抵抗領域に該当するバイアス電圧が印加された際に、テラヘルツ波発生素子として機能する。他方で、共鳴トンネルダイオードは、非線形領域に該当するバイアス電圧が印加された際に、テラヘルツ検出素子として機能する。

図３からわかるように、非線形領域は、比較的狭い電圧範囲に限られるため、共鳴トンネルダイオードがテラヘルツ波検出素子として安定して動作するためには、精度良くバイアス電圧を制御する必要がある。このため、仮に、バイアス電圧が変化すると、又は、例えば温度変化に起因して共鳴トンネルダイオードの最適バイアス電圧が変化すると、検出感度が著しく低下する可能性がある（詳細については後述する）。

そこで本実施例では、測定対象物９０の測定期間の一部の期間（即ち、撮像ヘッド部１０とテラヘルツ波反射部３４とが重なる期間）に、検出部１６から出力される受信信号に基づいて、テラヘルツ波検出素子１６ａのバイアス電圧の設定（又は校正）が行われる。以下、テラヘルツ波検出素子１６ａのバイアス電圧の設定処理について、図４のフローチャートを主に参照して説明する。

（バイアス電圧の設定処理）
図４において、先ず、信号処理・制御部２０は、スキャン機構２３により生成された撮像位置信号に基づいて、撮像ヘッド部１０が、テラヘルツ波反射部３４の下方に位置するか否かを判定する（ステップＳ１０１）。この判定において、撮像ヘッド部１０が、テラヘルツ波反射部３４の下方に位置しないと判定された場合（ステップＳ１０１：Ｎｏ）、信号処理・制御部２０は、再びステップＳ１０１の処理を行う。つまり、撮像ヘッド部１０が、テラヘルツ波反射部３４の下方に位置するまで待機状態となる。

他方、ステップＳ１０１の判定において、撮像ヘッド部１０が、テラヘルツ波反射部３４の下方に位置すると判定された場合（ステップＳ１０１：Ｙｅｓ）、信号処理・制御部２０は、テラヘルツ波検出素子１６ａに印加されるバイアス電圧を初期化するように、バイアス電圧生成部２１を制御する（ステップＳ１０２）。

次に、信号処理・制御部２０は、テラヘルツ波検出素子１６ａに印加されるバイアス電圧を、現在値から所定値ΔＶ１だけ増加するように、バイアス電圧生成部２１を制御する（ステップＳ１０３）。このとき、信号処理・制御部２０は、検出部１６（即ち、テラヘルツ波検出素子１６ａ）から出力された受信信号の信号振幅を検出する（ステップＳ１０４）。

次に、信号処理・制御部２０は、前回検出された信号振幅と今回検出された信号振幅とを比較して、信号振幅が低下したか否かを判定する（ステップＳ１０５）。ここで、信号振幅は、テラヘルツ波検出素子１６ａの検出感度に相当する。

テラヘルツ波検出素子１６ａの検出感度について、図５を参照して説明を加える。尚、図５における点Ａ及び点Ｂは、図３における点Ａ及び点Ｂに対応している。図５からわかるように、テラヘルツ波検出素子１６ａとしての共鳴トンネルダイオードの検出感度は、バイアス電圧が高くなるにつれて高くなる。しかしながら、バイアス電圧が、点Ｂに相当する電圧（つまり、検出感度が最大となる電圧）を超えると、共鳴トンネルダイオードの検出感度は急激に失われる。即ち、共鳴トンネルダイオードは、テラヘルツ波検出素子として機能しなくなる。

従って、ステップＳ１０５の判定における「信号振幅が低下した場合」とは、テラヘルツ波検出素子１６ａに印加されたバイアス電圧が、検出感度が最大となる電圧を超えた場合を意味する
ステップＳ１０５の判定において、信号振幅が低下していないと判定された場合（ステップＳ１０５：Ｎｏ）、信号処理・制御部２０は、ステップＳ１０３の処理を行う。尚、前回検出された信号振幅の初期値は、例えばゼロ等とすればよい。このように構成すれば、ステップＳ１０２の処理によりバイアス電圧が初期化された後、初めてステップＳ１０５の判定が行われる場合も、「Ｓ１０５：Ｎｏ」と進み、ステップＳ１０３の処理が行われる。

他方、ステップＳ１０５の判定において、信号振幅が低下したと判定された場合（ステップＳ１０５：Ｙｅｓ）、信号処理・制御部２０は、バイアス電圧を、現在値から所定値ΔＶ２だけ小さくするように、バイアス電圧生成部２１を制御する（ステップＳ１０６）。

ここで、バイアス電圧を、現在値から所定値ΔＶ２だけ小さくする意義について、図５を参照して説明を加える。理想的には、図５における点Ｂに相当する電圧がバイアス電圧として、テラヘルツ波検出素子１６ａに印加されれば、該テラヘルツ波検出素子１６ａの検出感度を最大とすることができる。しかしながら、測定対象物９０の測定中に、例えばバイアス電圧が変動した場合、共鳴トンネルダイオードがテラヘルツ波検出素子１６ａとして機能しなくなる可能性がある。

そこで本実施例では、バイアス電圧が、検出感度が最大となる電圧よりも低い電圧（図５の、点Ｄ〜点Ｅの範囲に相当する電圧）となるように、現在値から所定値ΔＶ２だけバイアス電圧を小さくするのである。このように構成すれば、テラヘルツ波検出素子１６ａの動作の安定性と、良好な検出感度との両立を図ることができる。

所定値ΔＶ１は、例えば、当該バイアス電圧の設定処理にかかる時間や、バイアス電圧生成部２１の電圧誤差等を考慮して適宜設定すればよい。所定値ΔＶ２は、例えば、所定値ΔＶ１や、テラヘルツ波検出素子１６ａに係る電圧−検出感度特性等を考慮して適宜設定すればよい。

（技術的効果）
本実施例では、上述したバイアス電圧の設定処理が繰り返し行われる。この結果、撮像ヘッド部１０がテラヘルツ波反射部３４の下方に位置する度に、バイアス電圧が再設定（又は校正）される。このため、テラヘルツ波検出素子１６ａに、常に最適なバイアス電圧を印加することができ、当該テラヘルツ波計測装置１の安定した測定動作を実現することができる。

本実施例に係る「テラヘルツ波発生素子１１ａ」、「テラヘルツ波検出素子１６ａ」、「テラヘルツ波反射部３４」、「信号処理・制御部２０」及び「測定対象物９０」は、夫々、本発明に係る「電磁波発生部」、「電磁波検出部」、「反射部」、「調整手段」及び「被検体」の一例である。

尚、発生部１１は、テラヘルツ波発生素子１１ａ及びホーンアンテナ１１ｂが複数個アレイ状に配列されていてよい。同様に、検出部１６も、テラヘルツ波検出素子１６ａ及びホーンアンテナ１６ｂが複数個アレイ状に配列されていてよい。また、ホーンアンテナに代えて、半球状や超半球状のシリコンレンズが用いられてもよい。ビームスプリッタ１３に代えて、例えばハーフミラーや、偏光子及び１／４波長板の組合せ、等を適用可能である。

＜第２実施例＞
テラヘルツ波計測装置の第２実施例について、図６乃至図８を参照して説明する。第２実施例では、テラヘルツ波計測装置の構成及びバイアス電圧の設定処理の一部が異なっている以外は、上述した第１実施例と同様である。よって、第２実施例について、第１実施例と重複する説明を省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示し、基本的に異なる点についてのみ、図６乃至図８を参照して説明する。

（装置構成）
テラヘルツ波計測装置２の構成について図６及び図７を参照して説明する。図６は、第２実施例に係るテラヘルツ波計測装置の構成を示す概略構成図である。図７は、第２実施例に係るテラヘルツ波計測装置の測定動作を示す概念図である。

図６において、テラヘルツ波計測装置２は、撮像ヘッド部１０´、信号処理・制御部２０、バイアス電圧生成部２１、信号増幅器２２、ポリゴンミラー駆動部２４、ポリゴンミラー４１及び対物レンズ４２を備えて構成されている。

本実施例では、測定対象物９０の測定時に、ポリゴンミラー駆動部２４によりポリゴンミラー４１が回転駆動されることによって、発生部１１から出射されたテラヘルツ波が、測定対象物９０を走査する（図７参照）。

図７からわかるように、ポリゴンミラー４１が回転すると、一部の期間では、ポリゴンミラー４１の反射面が撮像ヘッド部１０´と正対するため、発生部１１から出射されたテラヘルツ波が、測定対象物９０には照射されずに、ポリゴンミラー４１で反射され検出部１６に入射する（図７（ｄ）参照）。

本実施例では、測定対象物９０の測定期間の一部の期間（即ち、発生部１１から出射されたテラヘルツ波が、ポリゴンミラー４１により反射され、測定対象物９０に照射されずに、検出部１６に入射する期間）に、検出部１６から出力される受信信号に基づいて、テラヘルツ波検出素子１６ａのバイアス電圧の設定（又は校正）が行われる。以下、テラヘルツ波検出素子１６ａのバイアス電圧の設定処理について、図８のフローチャートを参照して説明する。

（バイアス電圧の設定処理）
図８において、先ず、信号処理・制御部２０は、現在のバイアス電圧をメモリ１として記憶する（即ち、バイアス電圧に係る変数「メモリ１」の値を、現在のバイアス電圧とする）（ステップＳ２０１）。

次に、信号処理・制御部２０は、例えばポリゴンミラー駆動部２４の駆動信号を参照して、ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対しているか否か（即ち、発生部１１から出射されたテラヘルツ波の、ポリゴンミラー４１の反射面に対する入射角が０度であるか否か）を判定する（ステップＳ２０２）。

ステップＳ２０２の判定において、ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対していないと判定された場合（ステップＳ２０２：Ｎｏ）、信号処理・制御部２０は、再びステップＳ２０２の処理を行う。ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対するまでの期間は、測定対象物９０の測定が行われる。

他方、ステップＳ２０２の判定において、ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対していると判定された場合（ステップＳ２０２：Ｙｅｓ）、信号処理・制御部２０は、テラヘルツ波検出素子１６ａに印加されるバイアス電圧を初期化するように、バイアス電圧生成部２１を制御する（ステップＳ２０３）。

次に、信号処理・制御部２０は、テラヘルツ波検出素子１６ａに印加されるバイアス電圧を、現在値から所定値ΔＶ１だけ増加するように、バイアス電圧生成部２１を制御する（ステップＳ２０４）。

次に、信号処理・制御部２０は、ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対しているか否かを判定する（ステップＳ２０５）。この判定において、ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対していると判定された場合（ステップＳ２０５：Ｙｅｓ）、信号処理・制御部２０は、検出部１６（即ち、テラヘルツ波検出素子１６ａ）から出力された受信信号の信号振幅を検出する（ステップＳ２０６）。

次に、信号処理・制御部２０は、前回検出された信号振幅と今回検出された信号振幅とを比較して、信号振幅が低下したか否かを判定する（ステップＳ２０７）。この判定において、信号振幅が低下していないと判定された場合（ステップＳ２０７：Ｎｏ）、信号処理・制御部２０は、ステップＳ２０４の処理を行う。

他方、ステップＳ２０７の判定において、信号振幅が低下したと判定された場合（ステップＳ２０７：Ｙｅｓ）、信号処理・制御部２０は、バイアス電圧を、現在値から所定値ΔＶ２だけ小さくするように、バイアス電圧生成部２１を制御する（ステップＳ２０８）。

ステップＳ２０５の判定において、ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対していないと判定された場合（ステップＳ２０５：Ｎｏ）、信号処理・制御部２０は、現在のバイアス電圧をメモリ２として記憶する（即ち、バイアス電圧に係る変数「メモリ２」の値を、現在のバイアス電圧とする）（ステップＳ２０９）。

続いて、信号処理・制御部２０は、バイアス電圧がメモリ１に記録されている値に戻るように、バイアス電圧生成部２１を制御する（ステップＳ２１０）。ステップＳ２０５の判定において、ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対していないと判定された場合、発生部１１から出射されたテラヘルツ波が測定対象物９０に照射される。このとき、バイアス電圧がメモリ１に記憶されている値に戻されることによって、測定対象物９０の測定が適切に行われるのである。

次に、信号処理・制御部２０は、ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対しているか否かを判定する（ステップＳ２１１）。この判定において、ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対していないと判定された場合（ステップＳ２１１：Ｎｏ）、信号処理・制御部２０は、再びステップＳ２１１の処理を行う。ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対するまでの期間は、測定対象物９０の測定が行われる。

ステップＳ２１１の判定において、ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対していると判定された場合（ステップＳ２１１：Ｙｅｓ）、信号処理・制御部２０は、バイアス電圧がメモリ２に記録されている値になるように、バイアス電圧生成部２１を制御して（ステップＳ２１２）、ステップＳ２０６の処理を行う。

（技術的効果）
本実施例では、特に、原理的に発生する、ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対する時（即ち、発生部１１から出射されたテラヘルツ波の、ポリゴンミラー４１の反射面に対する入射角が０度である時）に、テラヘルツ波検出素子１６ａのバイアス電圧が再設定（又は校正）される。ポリゴンミラー４１が撮像ヘッド部１０´に正対する時は、測定期間のデッドタイムに当たるので、バイアス電圧の再設定により測定時間が延長されることはない。

本実施例に係る「ポリゴンミラー４１」は、本発明に係る「反射部」の他の例である。本実施例に係る「ポリゴンミラー駆動部２４」は、本発明に係る「角度変更手段」の一例である。

尚、ポリゴンミラー４１は、四角形（図６参照）に限定されない。また、対物レンズ４２には、例えばｆ−θレンズが用いられてよい。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う検査装置及び方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

１、２…テラヘルツ波計測装置、１０、１０´…撮像ヘッド部、１１ａ…テラヘルツ波発生素子、１６ａ…テラヘルツ波検出素子、２０…信号処理・制御部、２１…バイアス電圧生成部、２２…信号増幅器、２３…スキャン機構、２４…ポリゴンミラー駆度部、３４…反射部、４１…ポリゴンミラー、９０…測定対象物

Claims (7)

1. 電磁波発生部と、
   電磁波検出部と、
   電磁波を反射可能な反射部と、
   前記電磁波発生部から発生された電磁波が被検体に照射される検査期間の一部の期間に、前記電磁波を、前記反射部により前記被検体を介さずに、前記電磁波検出部に入射させ、前記電磁波検出部の検出感度に基づいて、前記電磁波検出部に印加されるバイアス電圧を調整する調整手段と、
   を備えることを特徴とする検査装置。
2. 前記反射部は、前記被検体が載置される載置部の周囲の少なくとも一部に設けられており、
   前記検査期間に、前記被検体及び前記反射部に前記電磁波が照射されるように、前記電磁波発生部及び前記電磁波検出部を一体として移動させる走査手段を更に備える
   ことを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
3. 前記反射部は、前記電磁波発生部及び前記被検体を結ぶ前記電磁波の光路上に配置されており、
   前記一部の期間に前記電磁波が前記被検体を介さずに前記電磁波検出部に入射し、前記検査期間の他の期間に前記電磁波が前記被検体に照射されるように、前記反射部の反射面の前記電磁波に対する角度を変更する角度変更手段を更に備える
   ことを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
4. 前記電磁波検出部は、電流電圧特性に非線形性を有する電磁波検出素子を含み、
   前記調整手段は、前記一部の期間に、前記バイアス電圧の電圧値を順次変更して前記検出感度が最大となる電圧値を特定し、前記特定された電圧値より所定値だけ低い電圧値に、前記バイアス電圧を調整する
   ことを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
5. 前記電磁波検出素子は、共鳴トンネルダイオードであることを特徴とする請求項４に記載の検査装置。
6. 前記電磁波は、テラヘルツ波であることを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
7. 電磁波発生部と、電磁波検出部と、電磁波を反射可能な反射部と、を備える検査装置における検査方法であって、
   前記電磁波発生部から発生された電磁波が被検体に照射される検査期間の一部の期間に、前記電磁波を、前記反射部により前記被検体を介さずに、前記電磁波検出部に入射させ、前記電磁波検出部の検出感度に基づいて、前記電磁波検出部に印加されるバイアス電圧を調整する調整工程を備える
   ことを特徴とする検査方法。

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