JP2015083538A5 - - Google Patents
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Description
（参考例）
５つのシリコンカーバイドウエハ（４Ｈ ｎ＋ ＳｉＣ、７６ｍｍ直径、＜１１２０＞方向に８度傾斜）を反応チャンバに設け、およそ１５７０℃〜１６００℃に加熱した。反応チャンバ内の圧力を９５ｔｏｒｒに維持した。水素ガスと、プロパンガスと、トリクロロシランガスと、窒素ガスとを含む混合ガスを反応チャンバ内に導入すると共に、上記圧力を維持した。得られた製品は５つのシリコンカーバイドウエハであり、ウエハはそれぞれ３０μｍの４Ｈ ＳｉＣエピタキシャル層を含有する。窒素流を用いて達成されるｎ型ドーピングは、約５×１０１５／ｃｍ３の正味キャリア濃度に相当する。マイクロ波光伝導減衰法を用いて再結合ライフタイム測定を行った。５つのウエハについて測定した個々のライフタイム中央値は０．９マイクロ秒〜１．２マイクロ秒の範囲であった。５つのウエハについて測定した個々の平均ライフタイムは０．９マイクロ秒〜１．６マイクロ秒の範囲であった。
５つのシリコンカーバイドウエハ（４Ｈ ｎ＋ ＳｉＣ、７６ｍｍ直径、＜１１２０＞方向に８度傾斜）を反応チャンバに設け、およそ１５７０℃〜１６００℃に加熱した。反応チャンバ内の圧力を９５ｔｏｒｒに維持した。水素ガスと、プロパンガスと、トリクロロシランガスと、窒素ガスとを含む混合ガスを反応チャンバ内に導入すると共に、上記圧力を維持した。得られた製品は５つのシリコンカーバイドウエハであり、ウエハはそれぞれ３０μｍの４Ｈ ＳｉＣエピタキシャル層を含有する。窒素流を用いて達成されるｎ型ドーピングは、約５×１０１５／ｃｍ３の正味キャリア濃度に相当する。マイクロ波光伝導減衰法を用いて再結合ライフタイム測定を行った。５つのウエハについて測定した個々のライフタイム中央値は０．９マイクロ秒〜１．２マイクロ秒の範囲であった。５つのウエハについて測定した個々の平均ライフタイムは０．９マイクロ秒〜１．６マイクロ秒の範囲であった。
Claims (4)
- 得られるコーティングが０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法であって、
ａ．ジクロロシランガス、メチルハイドロジェンジクロロシランガス、ジメチルジクロロシランガス、及びそれらの混合物からなる群から選択されるクロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む、制御量の混合ガスを、基板領域全体にわたって均質な蒸気の流れを生じさせるように、４Ｈ単結晶シリコンカーバイド基板を含有する反応チャンバの一部に連続的に導入すると共に、反応チャンバ内の別の部分から真空引きすること、及び
ｂ．１２００℃より高いが１８００℃より低い温度に該基板を加熱すること、
を含むが、但し、該反応チャンバ内の圧力は１０ｔｏｒｒ〜２５０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとし、ここで、全ガス流量が、１リットル／分〜１５０リットル／分であり、炭素含有ガスとクロロシランガスとの合計流量が、全流量の０．１％〜３０％であり、且つケイ素含有ガスに対する炭素含有ガスの流量の比率が０．３〜３である、シリコンカーバイドコーティングを基板上に堆積させる方法。 - 前記混合ガスがドーピングガスをさらに含む、請求項１に記載の方法。
- 前記ドーピングガスが、窒素ガスである、請求項２に記載の方法。
- 前記炭素含有ガスが、Ｃ３Ｈ８ガス、Ｃ２Ｈ６ガス、ＣＨ３Ｃｌガス又はＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２Ｃｌガスである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
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