KR101419279B1 - 캐리어 수명이 개선된 기판을 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 생성되는 기판의 캐리어 수명이 0.5 내지 1000㎲가 되도록 기판 위에 탄화규소 재료를 증착하는 방법에 관한 것으로, 당해 방법은 클로로실란 기체, 탄소 함유 기체 및 수소 기체를 포함하는 기체 혼합물을 기판을 함유하는 반응 챔버 속으로 도입하는 단계(a) 및 기판을 1000℃ 초과 2000℃ 미만의 온도로 가열하는 단계(b)를 포함하며, 반응 챔버내의 압력은 0.1 내지 760torr의 범위로 유지되어야 한다. 또한, 본 발명은 생성되는 기판의 캐리어 수명이 0.5 내지 1000㎲가 되도록 기판 위에 탄화규소 재료를 증착하는 방법에 관한 것으로, 당해 방법은 염소화되지 않은 규소 함유 기체, 염화수소, 탄소 함유 기체 및 수소 기체를 포함하는 기체 혼합물을 기판을 함유하는 반응 챔버 속으로 도입하는 단계(a) 및 기판을 1000℃ 초과 2000℃ 미만의 온도로 가열하는 단계(b)를 포함하며, 반응 챔버내의 압력은 0.1 내지 760torr의 범위로 유지되어야 한다.
기판, 캐리어 수명, 탄화규소, 반도체, 에피택셜 층

Description

캐리어 수명이 개선된 기판을 제조하는 방법 {Method of manufacturing substrates having improved carrier lifetimes}
본 출원은 35 U.S.C.§119(e)하에 2006년 7월 19일자로 출원된 미국 가특허원 제60/831,839호에 대한 우선권을 주장한다. 미국 가특허원 제60/831,839호는 본원에 참조로 인용된다.
본 발명은 미국 해군연구청에 의해 부여된 계약 번호 N00014-05-C-0324하에 미국 정부 지원으로 이루어졌다. 미국 정부는 본 발명의 일정 권리를 가질 수 있다.
본 발명은 탄화규소 에피택셜(epitaxial) 층의 성장에 관한 것이다. 반도체 재료로서, 탄화규소는 고전력, 고주파수 및 고온 전자 장치에 대해 특히 우수하다. 탄화규소는 열전도도가 매우 높으며, 분해(breakdown) 전에 높은 전기장 및 고전류 밀도에 견딜 수 있다. 탄화규소는 밴드 갭이 넓어서, 고온에서도 누설 전류가 낮다. 이들 및 다른 이유로, 탄화규소는 전력 장치, 즉 비교적 고전압에서 작동하도록 설계된 장치에 대한 매우 바람직한 반도체 재료이다.
그러나, 탄화규소는 작업하기 어려운 재료이다. 성장 과정은, 에피택셜 성장을 위해 약 1400℃ 이상의 온도에서 수행되어야 하고, 승화 성장을 위해 약 2000℃ 이상의 비교적 높은 온도에서 수행되어야 한다. 부가적으로, 탄화규소는 150가지를 초과하는 다형체를 형성할 수 있으며, 이들 중 다수는 작은 열역학적 차이에 의해 분리된다. 그 결과, 에피택셜 층 또는 벌크 결정에 의한 탄화규소의 단결정 성장이, 도전하고자 하는 공정이다. 최종적으로, 탄화규소(이는 연마 재료로서 가장 빈번하게 공업적으로 사용됨)의 최대 경도는 탄화규소의 취급을 어렵게 하고 탄화규소를 적절한 반도체 장치로 형성시키는 것을 어렵게 하는 원인이 된다.
그럼에도 불구하고, 지난 10여년에 걸쳐 탄화규소에 대한 성장 기술에서 많은 성장이 있었으며, 이는, 예를 들면, 미국 특허 제4,912,063호, 제4,912,064호, 등록 번호 제34,861호, 미국 특허 제4,981,551호, 제5,200,022호, 제5,459,107호 및 제6,063,186호에 반영되어 있다.
한 가지 특정 성장 기술이 "화학적 증착" 또는 "CVD"로서 언급된다. 당해 기술에서, 원료 기체(예를 들면, 탄화규소에 대해 실란 SiH4 및 프로판 C3H8)이 가열된 반응 챔버 속으로 도입되며, 당해 챔버는 원료 기체가 반응하여 에피택셜 층을 생성시키는 기판 표면을 포함한다. 성장 반응 속도의 조절에 도움을 주기 위해, 원료 기체는 통상적으로 기류(gas flow)의 가장 큰 용적을 형성하는 캐리어 기체와 함께 도입된다.
탄화규소에 대한 화학적 증착(CVD) 성장 공정은 온도 분포, 기체 속도, 기체 농도, 화학물질 및 압력의 측면에서 구분된다. 특정 에피레이어(epilayer)의 제조 를 위해 사용되는 조건의 선택은 종종 목적하는 성장 속도, 반응 온도, 주기 시간, 기체 용적, 설비 비용, 도핑 균일성 및 층 두께와 같은 인자들 중에서 절충된다.
탄화규소는 고성능 다이오드 및 트랜지스터의 성장에 대한 가능성을 제공하는 이론적 성질들을 갖는 밴드 갭이 넓은 반도체 재료이다. 규소와 같은 재료와 비교하여, 상기 반도체 장치는 더 높은 전력 및 스위칭 속도에서 작동할 수 있다.
전력 전자공학 분야는 종종 트랜지스터 또는 다이오드 설계를 갖는 회로를 생성시키는 것을 선호하며, 이들 장치의 한가지 부류는 소수 캐리어 또는 쌍극성 장치로서 공지되어 있다. 이들 유형의 장치의 동작 특징은 전자 정공 쌍의 발생 속도 및 재결합 비율에 의존한다. 당해 재결합 비율의 역수가 수명이다. 특정 쌍극성 장치로는 PiN 다이오드, 절연 게이트 쌍극성 트랜지스터(IGBT: insulated gate bipolar transistor), 사이리스터 및 쌍극성 접합 트랜지스터가 포함된다.
반도체 전력 장치 성능에 대해 이론적 수준으로 최적화되어야 하는 주요 재료 파라메터는 캐리어 재결합 수명이다. 규소에서, 수명은 철과 같은 불순물에 의해 제한된다. 탄화규소에서, 규소보다 덜 공지되어 있지만, 지금까지의 최고 지식은, 탄화규소의 수명이 결정 격자의 빈격자점(vacancy) 및 안티사이트(antisite)의 존재에 의해 감소된다는 것이다. 빈격자점은 규소 또는 탄소 원자가 없는 위치이다. 안티사이트는 잘못된 원자가 위치하는 위치이다.
반도체 탄화규소는 통상적으로 규소, 탄소 또는 탄화규소를 함유할 수 있는 고체 혼합물로부터의 물리적 기상 이송 방법(승화로도 공지됨)에 의해 또는 실란과 탄화수소의 기체 혼합물로부터의 화학적 증착(CVD)에 의해 성장한다. 이들 방법에 의해 성장된 탄화규소 재료는 수명이 500ns 미만이며, 이는 탄화규소 다이오드 및 트랜지스터에서 이론적 장치 거동을 실현시키기에는 너무 짧다. 반도체 탄화규소의 에피택셜 층의 수명 값은 종종 2㎲보다 훨씬 작은데, 이는 규소와 같은 재료에 비해 낮고 탄화규소에 대해 예측되는 이론치에 비해 낮다.
[발명의 요지]
제1 양태에서, 본 발명은 생성되는 피막의 캐리어 수명이 0.5 내지 1000㎲가 되도록 기판 위에 탄화규소 피막을 증착시키는 방법에 관한 것으로, 당해 방법은 클로로실란 기체, 탄소 함유 기체 및 수소 기체를 포함하는 기체 혼합물을 기판을 함유하는 반응 챔버 속으로 도입하는 단계(a) 및 상기 기판을 1000℃ 초과 2000℃ 미만의 온도로 가열하는 단계(b)를 포함하며, 단, 상기 반응 챔버내의 압력은 0.1 내지 760torr의 범위로 유지시킨다.
제2 양태에서, 본 발명은 생성되는 피막의 캐리어 수명이 0.5 내지 1000㎲가 되도록 기판 위에 탄화규소 피막을 증착시키는 방법에 관한 것으로, 당해 방법은 염소화되지 않은 규소 함유 기체, 염화수소, 탄소 함유 기체 및 수소 기체를 포함하는 기체 혼합물을 기판을 함유하는 반응 챔버 속으로 도입하는 단계(a) 및 상기 기판을 1000℃ 초과 2000℃ 미만의 온도로 가열하는 단계(b)를 포함하며, 단, 상기 반응 챔버내의 압력은 0.1 내지 760torr의 범위로 유지시킨다.
본 발명의 제1 양태에서, 기체 혼합물은 도핑 기체를 추가로 포함할 수 있다. 도핑 기체의 예로는 질소 기체, 포스핀 기체 또는 트리메틸알루미늄 기체가 있다. 클로로실란 기체는 통상적으로 화학식 RwHxSiyClz(여기서, y 및 z는 0보다 크고, w 및 x는 0 이상이며, R은 탄화수소 그룹이다)를 갖는다. 탄화수소 그룹의 예로는, 알킬 라디칼(예를 들면, 메틸, 에틸 또는 프로필), 알케닐 라디칼(예를 들면, 비닐 또는 알릴) 또는 할로탄화수소 라디칼(예를 들면, 3-클로로프로필)에 의해 예시되는 1 내지 3개의 탄소 원자를 함유하는 탄화수소 그룹이 있다. R 그룹은 목적하는 바에 따라 동일하거나 상이할 수 있다. R 그룹의 예로는 메틸, 에틸 또는 프로필과 같은 탄소수 1 내지 3의 1가 탄화수소 라디칼이 있다. w의 값은 통상적으로 0 내지 3이고, x의 값은 통상적으로 0 내지 3이고, y의 값은 통상적으로 1 내지 3이고, z의 값은 통상적으로 1 내지 3이다. 클로로실란 기체는 디클로로실란 기체, 트리클로로실란 기체, 트리메틸클로로실란 기체, 메틸하이드로겐디클로로실란 기체, 디메틸하이드로겐클로로실란 기체, 디메틸디클로로실란 기체, 메틸트리클로로실란 기체 또는 이들의 혼합물에 의해 예시된다.
본 발명의 제1 양태에서 탄소 함유 기체는 통상적으로 화학식 HaCbClc(여기서, a 및 b는 0 초과이고, c는 0 이상이다)를 갖는다. 탄소 함유 기체의 예로는 C3H8 기체, C2H6 기체, CH3Cl 기체 또는 CH3CH2CH2Cl 기체가 있다.
본 발명의 제1 양태에서, 기판은 통상적으로 1200 내지 1800℃로 가열된다. 기판을 이용 가능한 임의의 통상의 수단을 사용하여 가열할 수 있으며, 또는 반응 챔버 자체가 기판의 온도를 목적하는 수준으로 상승시키기에 충분한 온도로 가열될 수 있다. 기판은 통상적으로 단결정 탄화규소 기판 또는 단결정 규소 웨이퍼를 포함한다. 이러한 기판은 시판되고 있다.
제1 양태에서 반응 챔버내의 기체의 전체 압력은 0.1 내지 760torr의 광범위한 범위에 걸쳐 가변적일 수 있으며, 일반적으로 에피택셜 성장의 타당한 속도를 제공하는 수준으로 조절된다. 반응 챔버내의 압력은 통상적으로 10 내지 250torr이며, 또는 약 80 내지 200torr 범위의 압력이 사용될 수 있다.
본 발명의 제1 양태에서 반응 챔버 속으로 도입되는 화학적 증기의 양은 목적하는 탄화규소 에피택셜 층 성장 속도, 성장 균일성 및 도핑 기체 혼입을 허용하는 양이어야 한다. 전체 기체 유량은 반응 챔버의 크기 및 온도 분포에 따라 통상적으로 1 내지 150ℓ/min이다. 탄소 및 규소 함유 기체들의 합한 유량은 통상적으로 전체 유량의 0.1 내지 30%이다. 도핑 기체의 유량은 통상적으로 전체 유량의 1% 보다 훨씬 더 작다. 탄소 함유 기체의 유량 대 규소 함유 기체의 유량의 비는 통상적으로 0.3 내지 3의 범위일 것이며, 목적하는 도핑 기체 혼입 효율 및 표면 형태에 근거하여 조절되고, 당해 비는 반응 챔버 설계(크기, 온도 프로필 등)에 의해 크게 영향을 받는다. 이들 조건하에, 약 1 내지 100㎛/hr의 성장 속도가 일반적으로 달성될 수 있다. 당업자는 기류, 압력 및 웨이퍼 온도와 같은 특정 파라메터가, 특정 양태로부터 본 발명의 요지 및 범위를 벗어나지 않으면서 동일하거나 유사한 결과가 여전히 수득되는 양태로, 크게 변할 수 있음을 인지해야 한다.
본 발명의 제1 양태는 정체 조건하에 수행될 수 있지만, 일반적으로, 조절된 양의 기체 혼합물을 챔버의 하나의 부분 속으로 연속적으로 도입시키면서 챔버내의 또 다른 부분으로부터 진공을 뽑아내어 증기의 유동이 기판 영역 전체에 걸쳐 균일해지도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 방법에 사용되는 반응 챔버는 화학적 증착 공정에 의한 막의 성장을 촉진시키는 임의의 챔버일 수 있다. 이러한 챔버의 예는 문헌[참조: Nordell et al., Journal Electrochemical Soc., Vo;. 143, No.9, 1996(page 2910); or Steckl and Li, IEEE Transactions on Electronic Devices, Vol. 39, No.1, Jan. 1992]에 기재되어 있다.
제1 양태에서 생성된 제품은 결정질 3C, 4H 또는 6H 탄화규소 피복 기판이다. 피막은 약 1㎚ 내지 25㎝와 같은 매우 다양한 두께로 성장될 수 있다. 목적하는 경우, 피막을 기판으로부터 분리하여 새로운 기판으로서 사용할 수 있다.
본 발명의 제2 양태에서, 기체 혼합물은 도핑 기체를 추가로 포함할 수 있다. 도핑 기체는 본 발명의 제1 양태에 대해 위에서 기술한 바와 같다. 본 발명의 제2 양태에서 염소화되지 않은 규소 함유 기체는 화학식 RwHxSiy(여기서, y는 0초과이고, w 및 x는 0 이상이며, R은 탄화수소 그룹이다)를 갖는다. 탄화수소 그룹은 위에서 기술한 바와 같다. 염소화되지 않은 규소 함유 기체는 트리메틸하이드로겐실란 기체, 디메틸디하이드로겐실란 기체, 메틸트리하이드로겐실란 기체 또는 이들의 혼합물에 의해 예시된다. 본 발명의 제2 양태에서 탄소 함유 기체는 화학식 HaCbClc(여기서, a 및 b는 0 초과이고, c는 0 이상이다)를 갖는다. 탄소 함유 기체는 C3H8 기체, C2H6 기체, CH3Cl 기체 또는 CH3CH2CH2Cl 기체로 예시된다. 기체 혼합물 중의 하나 이상의 기체는 염소 원자를 함유하는 것이 통상적이다.
본 발명의 제2 양태에서, 기판은 통상적으로 1200 내지 1800℃로 가열된다. 본 발명의 제2 양태에서 기판은 제1 양태에서 위에서 기술한 바와 같다.
제2 양태에서 반응 챔버내의 기체의 전체 압력은 0.1 내지 760torr의 광범위한 범위에 걸쳐 가변적일 수 있으며, 일반적으로 에피택셜 성장의 타당한 속도를 제공하는 수준으로 조절된다. 반응 챔버내의 압력은 통상적으로 10 내지 250torr이며, 또는, 약 80 내지 200torr의 압력이 사용될 수 있다.
본 발명의 제2 양태에서 반응 챔버 속으로 도입되는 화학적 증기의 양은 목적하는 탄화규소 에피택셜 층 성장 속도, 성장 균일성 및 도핑 기체 혼입을 허용하는 양이어야 한다. 전체 기체 유량은 반응 챔버의 크기 및 온도 분포에 따라 통상적으로 1 내지 150ℓ/min이다. 탄소 함유 기체 및 염소화되지 않은 규소 함유 기체의 합한 유량은 통상적으로 전체 유량의 0.1 내지 30% 범위이다. 도핑 기체의 유량은 통상적으로 전체 유량의 1% 보다 훨씬 더 작다. 탄소 함유 기체의 유량 대 규소 함유 기체의 유량의 비는 통상적으로 0.3 내지 3의 범위일 것이며, 목적하는 도핑 기체 혼입 효율 및 표면 형태에 근거하여 조절되고, 당해 비는 반응 챔버 설계(크기, 온도 프로필 등)에 의해 크게 영향을 받는다. 이들 조건하에, 약 1 내지 100㎛/hr 범위의 성장 속도가 일반적으로 달성될 수 있다. 당업자는 기류, 압력 및 웨이퍼 온도와 같은 특정 파라메터가, 특정 양태로부터 본 발명의 요지 및 범위를 벗어나지 않으면서 동일하거나 유사한 결과가 여전히 수득되는 양태로, 크게 변할 수 있음을 인지해야 한다.
본 발명의 제2 양태는 정체 조건하에 수행될 수 있지만, 일반적으로, 조절된 양의 기체 혼합물을 챔버의 하나의 부분 속으로 연속적으로 도입시키면서 챔버내의 또 다른 부분으로부터 진공을 뽑아내어 증기의 유동이 기판 영역 전체에 걸쳐 균일해지도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제2 양태에 사용되는 반응 챔버는 제1 양태에 대해 위에서 기술한 바와 같다.
제2 양태에서 생성된 제품은 결정질 3C, 4H 또는 6H 탄화규소 피복 기판이다. 피막은 약 1㎚ 내지 25㎝와 같은 매우 다양한 두께로 성장될 수 있다. 목적하는 경우, 피막을 기판으로부터 분리하여 새로운 기판으로서 사용할 수 있다.
본 발명의 상기 양태의 방법의 제품은 반도체 장치에 유용하다. 당해 제품은 피막을 함유하는 단일 기판으로서 사용할 수 있거나, 피막을 기판으로부터 분리하여 여러 개의 기판으로 전환시킬 수 있다. 당해 제품은 트랜지스터 또는 다이오드 또는 집적 반도체 장치로 가공될 수 있다. 따라서, 본 발명은 또한 하나 이상의 반도체 장치 부품(i) 및 캐리어 수명이 0.5 내지 1000㎲인 탄화규소 영역을 포함하는 기판(ii)을 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다. 반도체 장치 부품은 트랜지스터, PiN 다이오드와 같은 다이오드, 절연 게이트 쌍극성 트랜지스터(IGBT), 사이리스터 및 쌍극성 접합 트랜지스터로 예시된다. 기판은 본 발명의 2개 양태에서 위에서 기술한 바와 같다.
하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 양태를 설명하기 위해 포함된다. 하기의 실시예에 기재된 기술이 본 발명의 실시에 널리 적용되도록 발명자에 의해 발견된 기술을 나타내고 본 발명의 실시를 위한 바람직한 방식을 구성하도록 고려될 수 있음이 당업자에 의해 인지되어야 한다. 그러나, 당업자는 본 발명의 설명에 따라, 상기 설명되고 본 발명의 요지 및 범위로부터 벗어나지 않으면서 동일하거나 유사한 결과를 여전히 제공하는 특정 양태에서 많은 변동이 이루어질 수 있음을 인지해야 한다.
캐리어 수명의 측정은 마이크로웨이브 광전도도 감쇠를 사용하여 수행된다. 상기 기술로부터 도출되는 수명 값은 표면 재결합 비율과 벌크 재결합 비율 또는 수명을 조합한 것이다.
실시예 1
5개의 탄화규소 웨이퍼(4H n+SiC, 직경 76㎜, <1120>에 대해 8도 경사짐)을 반응 챔버 속에 넣고 약 1570 내지 1600℃로 가열하였다. 반응 챔버내의 압력을 95torr로 유지시켰다. 수소 기체, 프로판 기체, 디클로로실란 기체 및 질소 기체를 함유하는 기체 혼합물을 반응 챔버 속에 도입시키면서 상기 압력을 유지시켰다. 생성된 제품은 각각 30um 4H SiC 에피택셜 층을 함유하는 5개의 탄화규소 웨이퍼였다. 질소 유동에 의해 달성된 n-형 도핑은 6x1014/㎤의 순수 캐리어 농도에 상응한다. 마이크로웨이브 광전도도 감쇠 기술을 사용하여 재결합 수명을 측정하였다. 5개의 웨이퍼에 대해 측정한 개별적인 중간 수명은 1.0 내지 6.0㎲의 범위였다. 5 개의 웨이퍼에 대해 측정한 개별적인 평균 수명은 1.2 내지 12.0㎲의 범위였다.
실시예 2
실시예 1로부터의 탄화규소 웨이퍼들(4H n+SiC, 직경 76㎜, <1120>에 대해 8도 경사짐) 중의 하나를 시간 분해 발광 분광법을 사용하여 개별적으로 시험하고, 수명을 발광 신호의 감쇠로부터 결정하였다. x축 직경 및 y축 직경 둘 다를 따라 재료를 스캐닝함으로써, 수명을 평가하였다. 마이크로웨이브 광전도도 감쇠에 의해 측정하는 경우 샘플의 수명은 5 내지 12㎲였고, 시간 분해 발광 분광법에 의해 측정하는 경우 수명은 2 내지 4㎲였다.
실시예 3
5개의 탄화규소 웨이퍼(4H n+SiC, 직경 76㎜, <1120>에 대해 8도 경사짐)을 반응 챔버 속에 넣고 약 1570 내지 1600℃로 가열하였다. 반응 챔버내의 압력을 95torr로 유지시켰다. 수소 기체, 프로판 기체, 트리클로로실란 기체 및 질소 기체를 함유하는 기체 혼합물을 반응 챔버 속에 도입시키면서 상기 압력을 유지시켰다. 생성된 제품은 각각 30um 4H SiC 에피택셜 층을 함유하는 5개의 탄화규소 웨이퍼였다. 질소 유동에 의해 달성된 n-형 도핑은 5x1015/㎤의 순수 캐리어 농도에 상응한다. 마이크로웨이브 광전도도 감쇠 기술을 사용하여 재결합 수명을 측정하였다. 5개 웨이퍼에 대해 측정한 개별적인 중간 수명은 0.9 내지 1.2㎲였다. 5개 웨이퍼에 대해 측정한 개별적인 평균 수명은 0.9 내지 1.6㎲였다.
이와 같이, 본 발명의 방법은 단결정 탄화규소 재료에서의 수명 제한 결함을 최소화시킨다. 본 발명은 탄화규소를 성장시키는 분야에 현재 공지된 다른 방법 보다 이론적 탄화규소 값에 더욱 근접하게 접근한 재결합 수명 값을 갖는 탄화규소를 성장시키기 위한 방법을 기술한다.

Claims (17)

  1. a. 디클로로실란 기체, 메틸하이드로겐디클로로실란 기체, 디메틸디클로로실란 기체 및 이들의 혼합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 클로로실란 기체, 탄소 함유 기체, 및 수소 기체를 포함하는 기체 혼합물을, 단결정 탄화규소 기판을 함유하는 반응 챔버 속으로 도입하는 단계, 및
    b. 상기 기판을 1200 내지 1800℃의 온도로 가열하는 단계를 포함하고,
    단, 상기 반응 챔버내의 압력은 10 내지 250torr의 범위로 유지하고, 전체 기체 유량은 1 내지 150ℓ/min이고, 클로로실란 기체와 탄소 함유 기체를 합한 유량은 전체 기체 유량의 0.1 내지 30%이고,
    생성된 제품이 단결정 탄화규소의 막으로 코팅된 결정질 4H 탄화규소 기판이고, 생성된 피막의 캐리어 수명이 0.5 내지 1000㎲인,
    6방정(hexagonal) 단결정 탄화규소 기판 위에 단결정 탄화규소 피막을 증착시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기체 혼합물이 도핑 기체를 추가로 포함하는, 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 도핑 기체가 질소 기체, 포스핀 기체 또는 트리메틸알루미늄 기체인, 방법.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 탄소 함유 기체가 화학식 HaCbClc(여기서, a 및 b는 0 초과이고, c는 0 이상이다)를 갖는, 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 탄소 함유 기체가 C3H8 기체, C2H6 기체, CH3Cl 기체 또는 CH3CH2CH2Cl 기체인, 방법.
  7. 제1항의 방법에 따라 제조된 제품.
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