JP2015082633A - 磁気抵抗素子、磁気センサ装置および磁気抵抗素子の製造方法 - Google Patents
磁気抵抗素子、磁気センサ装置および磁気抵抗素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015082633A JP2015082633A JP2013221133A JP2013221133A JP2015082633A JP 2015082633 A JP2015082633 A JP 2015082633A JP 2013221133 A JP2013221133 A JP 2013221133A JP 2013221133 A JP2013221133 A JP 2013221133A JP 2015082633 A JP2015082633 A JP 2015082633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive
- film
- barrier layer
- magnetoresistive element
- magnetoresistive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 129
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 17
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 129
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 7
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 45
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 43
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 37
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 19
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017305 Mo—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910011208 Ti—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
Description
図1は、本発明を適用した磁気抵抗素子4を備えた磁気センサ装置10、およびロータリエンコーダ1の原理を示す説明図であり、図1(a)、(b)、(c)は磁気抵抗素子4等に対する信号処理系の説明図、磁気抵抗素子4から出力される信号の説明図、およびかかる信号と回転体2の角度位置(電気角)との関係を示す説明図である。図2は、本発明を適用した磁気抵抗素子4の磁気抵抗膜41〜44の電気的な接続構造の説明図である。
図3は、本発明を適用した磁気抵抗素子4の説明図であり、図3(a)、(b)は磁気抵抗素子4の平面構成を示す説明図、および断面構成を示す説明図である。なお、図3(b)では、磁気抵抗膜41〜44、温度監視用抵抗膜47(機能層)、および加熱用抵抗膜48(機能層)の層構造を模式的に示してある。また、図3(a)では、温度監視用抵抗膜47については右下がりの斜線を付し、加熱用抵抗膜48については右上がりの斜線を付してある。
図3(b)に示すように、本形態の磁気抵抗素子4において、基板40の一方面40aには、シリコン酸化膜からなる第1絶縁膜51、シリコン酸化膜からなる第2絶縁膜52、およびポリイミド樹脂等からなる第3絶縁膜53が順に形成されている。
図3(b)に示すように、本形態の磁気抵抗素子4において、磁気抵抗膜41〜44の表面(基板40と反対側の面)には、磁気抵抗膜41〜44と同一パターンをもってバリア層71〜74が積層されている。バリア層71〜74は、磁気抵抗膜41〜44より膜厚が薄い非磁性金属膜からなる。例えば、バリア層71〜74は、温度監視用抵抗膜47および加熱用抵抗膜48と同様、Ti膜、Ti合金膜、Al膜、Al合金膜等、チタンやアルミニウムを主成分とする膜からなる。また、磁気抵抗膜41〜44の厚さは、例えば、10nmから80nmであり、バリア層71〜74の厚さは、例えば、0.5nmから2.0nmである。本形態において、バリア層71〜74の厚さは1.0nmである。
図4は、本発明を適用した磁気抵抗素子4の製造方法を示す工程断面図である。本形態の磁気抵抗素子4を製造するには、まず、図4(a)に示すように、基板40を準備した後、図4(b)に示す磁気抵抗膜形成工程において、基板40を蒸着用の真空チャンバ内に搬入する。次に、真空チャンバ内を真空状態とするとともに、基板40を300℃から400℃の温度、例えば、355℃の温度に加熱し、この状態で、Ni−Fe膜、Ni−Co、Ni−Fe−Co等の磁性膜からなる磁気抵抗膜49を蒸着法により形成する。磁気抵抗膜49の膜厚は、例えば、10nmから80nmであり、本形態において、磁気抵抗膜49の膜厚は35nmである。
バリア層71〜74は、チタンやアルミニウムを主成分とする膜からなる。また、バリア層79の厚さは、例えば、0.5nmから2.0nmであり、本形態において、バリア層79の厚さは1.0nmである。
図5は、本発明を適用した磁気センサ装置10の制御部90に構成した温度制御部の概略構成を示す説明図である。
図6は、本発明を適用した磁気抵抗素子4の抵抗変化率に関する評価結果を示すグラフであり、図6(a)、(b)は、バリア層71〜74としてアルミニウム膜を用いた場合のアルミニウム膜の膜厚と抵抗変化率(ΔR/R)との関係を示すグラフ、およびバリア層71〜74としてアルミニウム膜を用いた場合のアニール時間と抵抗変化率(ΔR/R)との関係を示すグラフである。なお、図6(a)では、アニール工程を行わなかった場合の結果を点線L0で示し、アニール工程(温度=385℃、時間=約30分間)を行った場合の結果を実線L1で示してある。
以上説明したように、本形態では、磁気抵抗膜49を形成した後、磁気抵抗膜49を酸化性雰囲気と接触させずに、磁気抵抗膜49の表面にバリア層79を積層し、その後、磁気抵抗膜49およびバリア層79をパターニングする。このため、磁気抵抗膜49(磁気抵抗膜41〜44)の表面が酸化することを防止することができ、抵抗変化率を向上することができる。また、バリア層71〜74の膜厚は、磁気抵抗膜41〜44の膜厚よりも薄いため、バリア層71〜74に用いる非磁性材料に大きな制約を加えなくても、バリア層71〜74の抵抗が大きい。このため、磁気抵抗膜41〜44にバリア層71〜74を積層した場合でも、抵抗変化率への悪影響を防止することができ、酸化防止に起因する利点を活かすことができる。それ故、抵抗変化率が高い磁気抵抗素子4を得ることができる。
上記実施の形態では、バリア層79(バリア層71〜74)として、チタンやアルミニウムを主成分とする膜を例示したが、銅(Cu)、マンガン(Mn)、クロム(Cr)、銀(Ag)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、マグネシム(Mg)、バナジウム(V)等を主成分とする非磁性膜をバリア層79(バリア層71〜74)に用いてもよい。
2・・回転体
4・・磁気抵抗素子
40・・基板
41〜44、49・・磁気抵抗膜
47・・温度監視用抵抗膜(機能層)
48・・加熱用抵抗膜(機能層)
71〜74、79・・バリア層
Claims (12)
- 基板と、
前記基板の一方面側に形成された磁気抵抗膜と、
該磁気抵抗膜の前記基板と反対側の面に当該磁気抵抗膜と同一パターンをもって積層され、当該磁気抵抗膜より膜厚が薄い非磁性金属膜からなるバリア層と、
を有することを特徴とする磁気抵抗素子。 - 前記バリア層の厚さは、0.5nmから2.0nmであることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗素子。
- 前記バリア層の厚さは、1.0nmであることを特徴とする請求項2に記載の磁気抵抗素子。
- 前記バリア層は、アルミニウムまたはチタンを主成分とすることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の磁気抵抗素子。
- 前記バリア層は、アルミニウムを主成分とすることを特徴とする請求項4に記載の磁気抵抗素子。
- 前記基板には、前記バリア層と同一の金属材料からなる機能層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の磁気抵抗素子。
- 前記磁気抵抗膜の厚さは、10nmから80nmであることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の磁気抵抗素子。
- 請求項1乃至7の何れか一項に記載の磁気抵抗素子を備えていることを特徴とする磁気センサ装置。
- 基板の一方面側に磁気抵抗膜を形成する磁気抵抗膜形成工程と、
前記磁気抵抗膜を酸化性雰囲気と接触させずに前記磁気抵抗膜の表面に当該磁気抵抗膜より膜厚が薄い非磁性金属膜からなるバリア層を形成するバリア層形成工程と、
前記バリア層の表面にエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、
前記バリア層の表面に前記エッチングマスクを形成した状態で前記磁気抵抗膜および前記バリア層をエッチングするエッチング工程と、
前記エッチングマスクを除去するエッチングマスク除去工程と、
を有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。 - 前記磁気抵抗膜形成工程を真空チャンバ内で行った後、当該真空チャンバ内に酸化性ガスを導入せずに当該真空チャンバ内で前記バリア層形成工程を行うことを特徴とする請求項9に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
- 前記磁気抵抗膜形成工程を行った後、
非酸化雰囲気中で前記磁気抵抗膜形成工程での前記磁気抵抗膜の成膜温度より高い温度で当該磁気抵抗膜を加熱するアニール工程を行うことを特徴とする請求項9または10に記載の磁気抵抗素子の製造方法。 - 前記アニール工程は、前記エッチングマスク除去工程の後に行うことを特徴とする請求項9乃至11の何れか一項に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013221133A JP6215001B2 (ja) | 2013-10-24 | 2013-10-24 | 磁気抵抗素子、磁気センサ装置および磁気抵抗素子の製造方法 |
CN201410578628.XA CN104576920B (zh) | 2013-10-24 | 2014-10-24 | 磁阻元件、磁传感器装置以及磁阻元件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013221133A JP6215001B2 (ja) | 2013-10-24 | 2013-10-24 | 磁気抵抗素子、磁気センサ装置および磁気抵抗素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015082633A true JP2015082633A (ja) | 2015-04-27 |
JP6215001B2 JP6215001B2 (ja) | 2017-10-18 |
Family
ID=53013070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013221133A Active JP6215001B2 (ja) | 2013-10-24 | 2013-10-24 | 磁気抵抗素子、磁気センサ装置および磁気抵抗素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6215001B2 (ja) |
CN (1) | CN104576920B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017163967A1 (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 回転検出装置 |
US10094890B2 (en) | 2014-10-09 | 2018-10-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Magnetic sensor |
DE112017003532T5 (de) | 2016-07-12 | 2019-04-04 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Magnetsensor und Detektionsvorrichtung, die ihn verwendet |
JP2019129254A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6583208B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2019-10-02 | 株式会社デンソー | 磁気検出素子 |
CN112048704B (zh) * | 2020-08-13 | 2021-05-25 | 北京航空航天大学合肥创新研究院 | 一种超薄多层膜的集成式加工设备及应用方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111136A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Fujitsu Ltd | 磁化方向制御膜及びこれを用いた磁気抵抗効果型センサ |
WO2001056090A1 (fr) * | 2000-01-28 | 2001-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif a magnetoresistance et procede de fabrication de celui-ci, base pour dispositif a magnetoresistance et procede de fabrication de celle-ci, et capteur a magnetoresistance |
JP2003264325A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-09-19 | Headway Technologies Inc | ボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法 |
JP2004006752A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Yamaha Corp | 磁気センサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002323775A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
JP2003204092A (ja) * | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗効果センサを有する薄膜磁気ヘッド、磁気抵抗効果センサの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
KR100590211B1 (ko) * | 2002-11-21 | 2006-06-15 | 가부시키가이샤 덴소 | 자기 임피던스 소자, 그를 이용한 센서 장치 및 그 제조방법 |
US6956716B2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-10-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic head having multilayer heater for thermally assisted write head and method of fabrication thereof |
JP2006344728A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子及びその製造方法 |
JP2009105208A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Tokai Rika Co Ltd | 磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子 |
JP5780744B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2015-09-16 | 日本電産サンキョー株式会社 | ロータリエンコーダ |
US8568602B2 (en) * | 2011-01-19 | 2013-10-29 | HGST Netherlands B.V. | Method of manufacturing a magnetic read sensor having a low resistance cap structure |
US9024632B2 (en) * | 2011-05-30 | 2015-05-05 | Denso Corporation | Magnetic sensor with a plurality of heater portions to fix the direction of magnetization of a pinned magnetic layer |
-
2013
- 2013-10-24 JP JP2013221133A patent/JP6215001B2/ja active Active
-
2014
- 2014-10-24 CN CN201410578628.XA patent/CN104576920B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001111136A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Fujitsu Ltd | 磁化方向制御膜及びこれを用いた磁気抵抗効果型センサ |
WO2001056090A1 (fr) * | 2000-01-28 | 2001-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif a magnetoresistance et procede de fabrication de celui-ci, base pour dispositif a magnetoresistance et procede de fabrication de celle-ci, et capteur a magnetoresistance |
JP2003264325A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-09-19 | Headway Technologies Inc | ボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法 |
JP2004006752A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Yamaha Corp | 磁気センサおよびその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10094890B2 (en) | 2014-10-09 | 2018-10-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Magnetic sensor |
WO2017163967A1 (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 回転検出装置 |
DE112017003532T5 (de) | 2016-07-12 | 2019-04-04 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Magnetsensor und Detektionsvorrichtung, die ihn verwendet |
US10759276B2 (en) | 2016-07-12 | 2020-09-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Magnetic sensor and detection device using same |
JP2019129254A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104576920B (zh) | 2018-01-09 |
CN104576920A (zh) | 2015-04-29 |
JP6215001B2 (ja) | 2017-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6215001B2 (ja) | 磁気抵抗素子、磁気センサ装置および磁気抵抗素子の製造方法 | |
JP4132835B2 (ja) | 回転数検出装置 | |
US6577124B2 (en) | Magnetic field sensor with perpendicular axis sensitivity, comprising a giant magnetoresistance material or a spin tunnel junction | |
JP2013174605A (ja) | ブラシレスモータ | |
JP6512141B2 (ja) | 磁石および変位検出装置 | |
JP2002303536A (ja) | 回転角検出センサ | |
JP4411223B2 (ja) | 車載用gmr角度センサ | |
WO2018079404A1 (ja) | 磁気センサおよびその製造方法 | |
JP3260921B2 (ja) | 可動体変位検出装置 | |
JP2007024598A (ja) | 磁気センサ | |
JP6151544B2 (ja) | 磁気センサ装置およびロータリエンコーダ | |
JP5007916B2 (ja) | 磁気センサ | |
JP4229877B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
JP2010256366A (ja) | 磁気センサおよびその製造方法 | |
JP5175350B2 (ja) | 磁気検知装置 | |
JP3873752B2 (ja) | 回転角度検出装置 | |
JP2019161160A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに位置検出装置 | |
US20080054894A1 (en) | Magnetic detection device having element provided with multi-layered protection layer and a method of manufacturing the same | |
JP2008003072A (ja) | 薄膜磁気抵抗素子及び薄膜磁気センサ | |
JP2011185747A (ja) | 異常検知装置 | |
JP6370412B2 (ja) | センサユニット | |
JP2005049262A (ja) | 磁気センサおよび磁気センサユニット | |
WO2011033981A1 (ja) | 磁気センサの製造方法 | |
JP6371149B2 (ja) | 電流センサ及び電流センサの製造方法 | |
JP5467209B2 (ja) | 磁気センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160907 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170502 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170620 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170920 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6215001 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |