JP2015065442A - セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法 - Google Patents
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第1の本発明において、「金属(A)よりも融点が高い金属(B)」は、銀、銅および金から選ばれる一種または二種以上であることが好ましい。
金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペースト(20)をスルーホール(12)に充填する充填工程、
融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第二金属ペーストをスルーホール(12)に充填した第一金属ペースト(20)に接触する位置に積層して、第二金属ペースト層(22)を形成する工程、および、
上記で得られた基板を焼成する焼成工程、
を含んでなる、第1の本発明のセラミックスビア基板(100a)の製造方法である。なお、セラミックスビア基板(100a)において、導電性ビア(23)は、スルーホール(12)に充填された第一金属ペースト(20)、および第二金属ペースト層(22)が焼成されて形成される。
金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペースト(20)をスルーホール(12)に充填する充填工程、
融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第二金属ペーストをスルーホール(12)に充填した第一金属ペースト(20)に接触する位置に積層して、第二金属ペースト層(22)を形成する工程、
上記で得られた基板を焼成する第一焼成工程、
該第一焼成工程の後に、金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末および活性金属粉末を含んでなる第三金属ペーストを配線パターンを形成する箇所に積層して第三金属ペースト層(24)を形成する工程、
さらに、融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第四金属ペーストを第三金属ペースト層(24)の上に積層して、第四金属ペースト層(26)を形成する工程、および、
上記で得られた基板を焼成する第二焼成工程、
を含んでなる、第2の本発明のメタライズドセラミックスビア基板(100b)の製造方法である。なお、メタライズドセラミックスビア基板(100b)において、導電性ビア(23)は、スルーホール(12)に充填された第一金属ペースト(20)、および第二金属ペースト層(22)が焼成されて形成される。
金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペースト(20)をスルーホール(12)に充填する充填工程、
金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第三金属ペーストを配線パターンを形成する箇所に積層して第三金属ペースト層(24)を形成する工程、
融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第五金属ペーストを該第三金属ペースト層の上に積層して、第五金属ペースト層(27)を形成する工程、
上記で得られた基板を焼成する焼成工程、
を含んでなる、第2の本発明のメタライズドセラミックスビア基板(100c)の製造方法である。なお、メタライズドセラミックスビア基板(100c)において、導電性ビア(23)は、スルーホール(12)に充填された第一金属ペースト(20)、第三金属ペースト層(24)、および第五金属ペースト層(27)が焼成されて形成され、同時に導電性ビア(23)に接続されたメタライズドパターン(25)が形成される。
本発明のセラミックスビア基板の製造方法は、以下の工程を備えている。
(i)スルーホールを有するセラミックス焼結体基板を準備する工程、
(ii)金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペーストを前記スルーホールに充填する充填工程、
(iii)融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第二金属ペーストを前記スルーホール充填した金属ペーストに接触する位置に積層して、第二金属ペースト層を形成する工程、および、
(iv)上記で得られた基板を焼成する焼成工程、
図1(a)を参照しながら、各工程について説明する。まず、工程(i)では、スルーホール12を有するセラミックス焼結体基板10を準備する。セラミックス焼結体基板10としては、公知のセラミックスからなる基板が特に制限なく使用可能である。
セラミックス焼結体基板10の構成材料であるセラミックスとしては、例えば(1)酸化アルミニウム系セラミックス、酸化ケイ素系セラミックス、酸化カルシウム系セラミックス、酸化マグネシウム系セラミックスなどの酸化物系セラミックス;(2)窒化アルミニウム系セラミックス、窒化ケイ素系セラミックス、窒化ホウ素系セラミックスなどの窒化物系セラミックス;(3)酸化ベリリウム、炭化ケイ素、ムライト、ホウケイ酸ガラス等を使用することができる。中でも、(2)窒化物セラミックスが好ましく、特に窒化アルミニウム系セラミックスが、熱伝導性が高いため好ましく使用することができる。
次に、金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペースト20を上記スルーホール12に充填する。第一金属ペースト20は、金属(B)の粉末、および、活性金属の粉末を含んでおり、その他、有機バインダー、有機溶媒、分散剤、可塑剤等を含んでいてもよい。
「金属(B)」は、金属(A)よりも融点が高い金属である。よって、まず、「金属(A)」について説明する。金属(A)は、融点が600℃以上1100℃以下の金属であり、例えば、銅、銀、金、金ろう、銀ろう等のろう材が挙げられる。中でも、金属(A)としては、コストの点から、金ろう、銀ろう、および、銅から選ばれる一種または二種以上を用いることとが好ましい。金属(A)の融点が600℃未満の場合は、焼成によりビア23とセラミックス焼結体基板10との間に後に説明する活性層を形成することが難しくなる。また、金属(A)の融点が1100℃超の場合は、焼成時に基板に熱がかかりすぎて、基板にビア形成時の応力が残存する可能性がある。
金属(B)としては、例えば、銅(融点:1085℃)、銀(融点:962℃)、金(融点:1064℃)、タングステン(融点:3410℃)、モリブデン(融点:2617℃)等が挙げられ、金属(A)の融点により選択される。中でも、金属(B)としては、導電性が高い点から、銀、銅および金から選ばれる一種または二種以上を使用することが好ましい。なお、金属(B)は、金属(A)よりも融点が高いものであれば、2種類以上のものを混合して使用することもできる。
なお、前記金属粉末(B)、および前記活性金属粉末を含んでなる第一金属ペースト20は、セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板の生産性を考慮すると、前記有機溶媒と有機バインダーとを含んだ状態での粘度を25℃において、50〜3000Pa・sの範囲に調整することが好ましい。
第二金属ペーストは、上記した金属(A)粉末を含み、第一金属ペーストと同様、他の成分を含んでいてもよい。該第二金属ペーストを、スルーホール12に充填した第一金属ペースト20と接触する位置に積層して、第二金属ペースト層22が形成される。この金属(A)粉末は、前記工程(ii)で説明した種類のものが使用される。
焼成工程において、溶融した金属(A)が、スルーホールに充填した金属(B)粉末間の空隙に流れ込めばよいので、第二金属ペースト層22は、第一金属ペースト20に接触する位置であれば、どこに形成してもよいが、該スルーホール12中の第一金属ペースト20の上側に形成することが好ましい。そうすることで、焼成時に、溶融した金属(A)がその重みによりビア中に流れ込み易くなる。
この第二金属ペーストに含まれる金属(A)粉末の平均粒子径(D50)は、他の金属粉末の大きさ、スルーホールの大きさとの兼ね合いもあるが、生産性を向上させ、優れた性能を発揮するセラミックスビア基板、およびメタライズドセラミックスビア基板を製造するためには、0.1〜50μmとすることが好ましい。なお、この平均粒子径(D50)は、日機装株式会社製マイクロトラックを用いてレーザー回折法により測定した値である。
なお、前記金属粉末(A)を含んでなる第二金属ペーストは、セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板の生産性を考慮すると、前記有機溶媒と有機バインダーとを含んだ状態での粘度を25℃において、20〜1000Pa・sの範囲に調整することが好ましい。
最後に、上記で作製した基板を焼成する。焼成は、使用した金属ペーストの種類(より具体的には、金属ペースト中の金属粉末の種類)に応じて、金属(A)の融点以上且つ金属(B)の融点未満の温度で実施すればよく、その他の条件は、通常採用される条件が適宜採用される。
例えば、金属(A)として、融点780℃のAg−Cu合金粉末を用い、金属(B)として銅を用いた場合には、780〜1050℃、好ましくは800〜950℃の温度で、1分〜1時間、好ましくは5分〜30分焼成すればよい。
上記した形態では、活性金属粉を含まない第二金属ペースト層22が存在していることにより、第一金属ペースト20中における活性金属成分がビア23の露出面に移動することが防がれている。また、上記した特殊な焼成条件を採用することで、活性金属成分がビア23の露出面に移動することがより効果的に防がれる。これにより、上記特定の焼成条件を採用した場合には、導電性ビア23とセラミックス焼結体10との界面に活性層が十分に形成され、密着性が良好なものとなる。
第1のメタライズドセラミックスビア基板の製造方法は以下の工程を備えている。
(i)スルーホールを有するセラミックス焼結体基板を準備する工程、
(ii)金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペーストを前記スルーホールに充填する充填工程、
(iii)融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第二金属ペーストを前記スルーホール充填した第一金属ペーストに接触する位置に積層して、第二金属ペースト層を形成する工程、
(iv)上記で得られた基板を焼成する第一焼成工程、
(v)該焼成工程の後に、前記金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末および前記活性金属粉末を含んでなる第三金属ペーストを配線パターンを形成する箇所に積層して第三金属ペースト層を形成する工程、
(vi)さらに、前記融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第四金属ペーストを該第三金属ペースト層の上に積層して、第四金属ペースト層を形成する工程、および、
(vii)上記で得られた基板を焼成する第二焼成工程、
第三金属ペーストは、前記金属(B)粉末および活性金属粉末を含んでおり、上記した第一金属ペーストと同様であってもよいが、スルーホールへの充填工程と基板表面への導電パターン印刷工程では、金属ペーストに求められる粘度特性や最適な金属粉末の粒度等が異なる為、それぞれの製造工程に適した金属ペーストを使用することが好ましい。
具体的には、この第三金属ペーストに含まれる金属(B)粉末の平均粒子径(D50)は0.1〜20μmであることが好ましい。また、この金属(B)粉末は、緻密なメタライズドパターン25を形成するために、2種類以上の平均粒子径のことなる粉末を使用することもできる。また、金属(B)粉末は、第二金属ペースト中の金属(A)よりも融点が高いものであれば、2種類以上のものを混合して使用することもできる。
一方、活性金属粉末の平均粒子径(D50)は0.1〜20μmであることが好ましい。また、この第三金属ペーストは、第一金属ペーストと同様に、その他、有機バインダー、有機溶媒、分散剤、可塑剤等を含んでいてもよく、メタライズドセラミックスビア基板の生産性を考慮すると、前記有機溶媒と有機バインダーとを含んだ状態での粘度を25℃において、20〜600Pa・sの範囲に調整することが好ましい。
また、第三金属ペーストに含まれる活性金属粉末の添加量は、形成されるメタライズドパターン25の密着性、導電性を考慮すると、第三金属ペースト中の金属(B)を100質量部として、1質量部以上10質量部以下とすることが好ましく、さらに、1.5質量部以上6質量部以下とすることが好ましい。
第四金属ペーストは、金属(A)粉末を含んでおり、上記した第二金属ペーストと同様であってもよい。また、焼成後のメタライズドパターン25表面の平滑性を改善する目的で、第四金属ペースト中に金属(B)を添加してもよい。
この第四金属ペーストに含まれる金属(A)粉末の平均粒子径(D50)は、0.1〜20μmであることが好ましい。また、第四金属ペーストに金属(B)粉末を添加する場合には、その金属(B)粉末の平均粒子径(D50)は、0.1〜10μmであることが好ましい。
また、この第四金属ペーストは、第一金属ペーストと同様に、その他、有機バインダー、有機溶媒、分散剤、可塑剤等を含んでいてもよく、メタライズドセラミックスビア基板の生産性を考慮すると、前記有機溶媒と有機バインダーとを含んだ状態での粘度を25℃において、20〜600Pa・sの範囲に調整することが好ましい。
また、第四金属ペーストに金属(B)粉末を添加する場合には、第三金属ペースト層24中の金属(B)を100質量部として、第四金属ペースト層26中の金属(B)は、好ましくは5質量部以上、より好ましくは10質量部以上であって、好ましくは100質量部以下、より好ましくは80質量部以下である。
この第四金属ペースト層26は、該ペースト層中の金属(A)成分量が上記範囲を満足するように、多層構造とすることもできる。
第二焼成工程は、第一焼成工程と同様の条件で行うことができる。
本発明のメタライズドセラミックスビア基板100bの製造方法においては、第一焼成工程において、上記した緻密で導電性の良好なビア23を備え、導電性ビア23とセラミックス焼結体基板10との密着性が良好なセラミックスビア基板100aが形成され、さらに、第二焼成工程において、溶融した第四金属ペースト26中の金属(A)がメタライズドパターンにしみ込むことで、緻密なメタライズドパターン25が形成される。また、第三金属ペースト層24中の活性金属とセラミックス成分とが反応して、メタライズドパターン25とセラミックス基板10との間に活性層が形成されることで、メタライズドパターン25の密着性が良好になる。
第2のメタライズドセラミックスビア基板の製造方法は、上記した第1のメタライズドセラミックスビア基板100bの製造方法とは別の方法により、同様のメタライズドセラミックスビア基板100cを製造する方法である。該方法では、一回の焼成工程により、メタライズドセラミックスビア基板100cが製造される。該方法は以下の工程を備えている。
(i)スルーホールを有するセラミックス焼結体基板を準備する工程、
(ii)金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペーストを前記スルーホールに充填する充填工程、
(iii)前記金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末および前記活性金属粉末を含んでなる第三金属ペーストを配線パターンを形成する箇所に積層して第三金属ペースト層を形成する工程、
(iv)前記融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第五金属ペーストを該第三金属ペースト層の上に積層して、第五金属ペースト層を形成する工程、
(v)上記で得られた基板を焼成する焼成工程、
セラミックス焼結体基板10表面のメタライズドパターンを形成する位置に、第三金属ペースト層24が形成される。形成方法などは、上記第1のメタライズドセラミックスビア基板100bの製造方法における工程(v)と同様である。
第五金属ペースト層27の形成方法は、基本的には、上記第1のメタライズドセラミックスビア基板100bの製造方法における工程(vi)と同様である。
この第五金属ペーストは、導電性成分としては金属(A)粉末のみを含んでもよいが、金属(B)粉末を含むこともできる。
この第五金属ペーストに含まれる金属(A)粉末の平均粒子径(D50)は、0.1〜20μmであることが好ましい。また、第五金属ペーストに金属(B)粉末を添加する場合には、その金属(B)粉末の平均粒子径(D50)は、0.1〜10μmであることが好ましい。
また、この第五金属ペーストは、第一金属ペーストと同様に、その他、有機バインダー、有機溶媒、分散剤、可塑剤等を含んでいてもよく、メタライズドセラミックスビア基板100cの生産性を考慮すると、前記有機溶媒と有機バインダーとを含んだ状態での粘度を25℃において、20〜600Pa・sの範囲に調整することが好ましい。
また、第五金属ペースト層27が金属(B)を含む場合には、その配合割合は、第三金属ペースト層24中の金属(B)の合計を100質量部として、5質量部以上100質量部以下であることが好ましく、さらに、10質量部以上80質量部以下であることが好ましい。
第五金属ペースト層を多層構造とすることにより、活性金属粉末を含まない上層の金属ペースト層を形成することにより、活性金属成分(例えば、チタン成分)がメタライズドパターン25表面に移動することが抑制され、メタライズドパターン25表面のメッキ性が良好なものとなり、かつ、メタライズドパターン25表面のクレーターを低減できる。また、活性金属成分がメタライズドパターンの表面に移動することが抑制されることにより、活性層がセラミックス焼結体基板10とメタライズドパターン25との界面において充分に形成されるために、メタライズドパターン25の密着性がより良好なものとなる。
焼成工程については、上記したセラミックスビア基板100bの製造方法(第3の本発明)の工程(iv)と同様である。
上記した製法により製造される、セラミックスビア基板100aおよびメタライズドセラミックスビア基板100b、100cは、緻密なビア23および、緻密なメタライズドパターン25を備えており、ビア23およびメタライズドパターン25の導電性が良好なものとなる。また、ビア23およびメタライズドパターン25とセラミックス焼結体基板10との界面に活性層が形成されているので、ビア23およびメタライズドパターン25とセラミックス焼結体基板10との密着性が良好である。
上記方法で製造されたセラミックスビア基板100aにおいて、ビア23とセラミックス焼結体基板10との界面に形成される活性層の厚みは、0.1〜2μmである。また、上記方法で製造されたメタライズドセラミックスビア基板100b、100cにおいて、メタライズパターン25とセラミックス焼結体基板10との界面に形成される活性層の厚みは、0.1〜2μmである。
<評価方法>
(導電性ビアの緻密性の評価)
下記の実施例および比較例で得られた、セラミックスビア基板、またはメタライズドセラミックスビア基板を樹脂に包埋して研磨し、セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板断面の観察試料を作製した。得られた観察試料を走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社製S−3400N)にて観察し(観察倍率1000倍)、導電性ビア中のボイドの量を評価した。導電性ビア断面の全面積うち、ボイドの占める面積の割合が1%未満である場合を「○」、1%以上5%未満を「△」、5%以上を「×」とした。結果を表2に示す。
上記で得られたセラミックスビア基板、またはメタライズドセラミックスビア基板断面の観察試料を前記走査型電子顕微鏡にて観察し、焼結体基板と導電性ビアとの界面における窒化チタン層(TiN層)の有無を確認した。結果を表2に示す。
下記の実施例および比較例で得られた評価用メタライズド基板のメタライズドパターン上に無電解ニッケルメッキを約2.5μm、次いで無電解金メッキを約0.4μm施した後、以下の手順で接合強度の評価を行った。メッキを施した2mm角のメタライズドパターン上に先端部の径がφ1.1mmで、且つ先端部表面にニッケルメッキを施した42アロイ製ネイルヘッドピンを基板と垂直となるようにPb−Sn半田にて半田付けし、ピンを10mm/分の速度で垂直に引張り、基板から破断した際の荷重を記録した。同様の試験を5回実施して荷重の平均値を算出した。結果を表2に示す。
下記の実施例および比較例で得られた評価用メタライズド基板に形成した幅0.4mmの直線状のメタライズドパターンの体積抵抗率を4端子法により測定した。結果を表2に示す。
(第一金属ペーストの作製)
金属(B)粉末として平均粒子径(D50)が5μmである銅粉末100質量部、及び活性金属粉末として平均粒子径(D50)が5μmである水素化チタン粉末3質量部と、ポリアルキルメタクリレートをターピネオールに溶解させたビヒクルとを乳鉢を用いて予備混合した後、3本ロールミルを用いて分散処理することにより、第一金属ペーストを作製した。
金属(A)粉末として平均粒子径(D50)が6μmであるAg−Cu合金粉末(BAg−8:融点780℃、組成:銀72質量%−銅28質量%)と、ポリアルキルメタクリレートをターピネオールに溶解させたビヒクルとを乳鉢を用いて予備混合した後、3本ロールミルを用いて分散処理することにより、第二金属ペーストを作製した。
(工程(i)、工程(ii))
上記第一金属ペーストを、直径0.2mmのスルーホール12を有する厚さ0.64mmの窒化アルミニウム焼結体基板(セラミックス焼結体基板10)(トクヤマ社製、商品名SH−30)のスルーホール12内へ、メタルマスクを使用しスクリーン印刷法にて充填し、100℃で10分間乾燥させた。次に、基板の両面をバフ研磨し基板表面にはみ出した第一金属ペーストを完全に除去し、水洗後100℃で10分間乾燥させた。
更に、上記第二金属ペーストを、直径0.25mmのスルーホールを有するメタルマスクを使用しスクリーン印刷法にて印刷し、100℃で10分間乾燥させ第二金属ペースト層22を形成した。この際、第二金属ペースト層22は、基板のスルーホール12に充填した第一金属ペースト20を覆うように、柱状に形成した。この際、スルーホール12に充填された第一金属ペースト20の金属(B)粉末100質量部に対する第二金属ペースト層22に含まれる金属(A)粉末の量(A/B×100)が、80質量部となるように第二金属ペースト層22の厚みを調整した。
次いで、真空中、900℃にて30分間焼成することにより、スルーホール12内に導電性ビア23が形成され、セラミックスビア基板100aを得た。この際、窒化アルミニウム製のセッター内(密閉容器内)に基板を収容した状態にて基板の焼成をおこなった。得られたセラミックスビア基板100aは、上記の分析、評価を行った。結果を表2に示す。
セラミックスビア基板の導電性ビア23の密着性(接合強度)及び体積抵抗率は、スルーホール12に充填された状態で評価するのは困難である為、代わりに窒化アルミニウム基板上に金属ペーストを印刷し、焼成することにより評価用メタライズド基板を作製し評価をおこなった。厚さ0.64mmの窒化アルミニウム焼結体基板(トクヤマ社製、商品名SH−30)上に、上記第一金属ペーストをスクリーン印刷法にて印刷し、100℃で10分間乾燥させ、2mm角のパッド形状及び、幅0.4mmの直線上のパターンを有する第一金属ペースト層を形成した。次いで、上記第二金属ペーストをスクリーン印刷法にて第一金属ペースト層上に重ねて印刷し、100℃で10分間乾燥させ第二金属ペースト層を形成した。この際、第一金属ペースト層の金属(B)粉末を100質量部として、第二金属ペースト層に含まれる金属(A)粉末が80質量部となるように、第二金属ペースト層の厚みを調整した。次いで、真空中、900℃にて30分間焼成することにより、評価用メタライズド基板を得た。この際、窒化アルミニウム製のセッター内(密閉容器内)に基板を収容した状態にて基板の焼成をおこなった。得られた評価用メタライズド基板を用いて、上記の方法により密着性(接合強度)及び体積抵抗率の評価をおこなった。結果を表2に示す。
ペーストの原料組成を表1に示した組成とし、焼成条件を表2に示した条件とした以外は、実施例1と同様にしてセラミックスビア基板100a及び評価用メタライズド基板を作製し、上記の分析・評価をおこなった。結果を表2に示す。
(第三金属ペーストの作製)
金属(B)粉末として平均粒子径(D50)が0.3μmである銅粉末12質量部、平均粒子径(D50)が2μmである銅粉末59質量部を使用し、さらに、これに平均粒子径(D50)が0.6μmである銀粉末29質量部使用した。これらの合計100質量部に対して、活性金属粉末として平均粒子径(D50)が5μmである水素化チタン粉末5質量部と、ポリアルキルメタクリレートをターピネオールに溶解させたビヒクルとを乳鉢を用いて予備混合した後、3本ロールミルを用いて分散処理することにより、第三金属ペーストを作製した。
金属(A)粉末として及び平均粒子径(D50)が6μmであるAg−Cu合金粉末(BAg−8、組成:銀72質量%−銅28質量%)50質量部を使用した。これに、平均粒子径(D50)が0.3μmである銅粉末50質量部を混合した。さらに、これら合計したものを、ポリアルキルメタクリレートをターピネオールに溶解させたビヒクルとを乳鉢を用いて予備混合した後、3本ロールミルを用いて分散処理することにより、第四金属ペーストを作製した。
(工程(v))
上記第三金属ペーストを、実施例1で作製したセラミックスビア基板100a上に、ビア23を覆うようにスクリーン印刷法にて印刷し、100℃で10分間乾燥させ第三金属ペースト層aを形成した。基板の裏面にも同様にして第三金属ペースト層bを形成した。
次いで、上記第四金属ペーストを、スクリーン印刷法にて第三金属ペースト層a上に重ねて印刷し、100℃で10分間乾燥させ第四金属ペースト層aを形成した。基板の裏面にも同様にして第四金属ペースト層bを形成した(ただし、裏面は図示していない)。このとき、基板の一方の面における、第三金属ペースト層中の金属(B)粉末および第四金属ペースト層中の金属(B)粉末の合計量を100質量部としたときの、第四金属ペースト層中に含まれる金層(A)粉末の量(A4/B3+4×100)が35質量部となるように、第四金属ペースト層の厚みを調整した(第四金属ペースト層a、bとも同じ厚みとした)。(A4):第四金属ペースト層に含まれる金属(A)粉末量、(B3+4):第三、第四金属ペースト層に含まれる金属(B)粉末量の合計量。
次いで、真空中、900℃にて30分間焼成することにより、基板の両面にメタライズ層25を有するメタライズドセラミックスビア基板100bを作製した。この際、窒化アルミニウム製のセッター内(密閉容器内)に基板を収容した状態にて基板の焼成をおこなった。得られたメタライズドセラミックスビア基板100bは、上記の方法で導電性ビア23の緻密性の評価及び窒化チタン層の有無の確認を行った。結果を表2に示す。得られたメタライズドセラミックスビア基板100bは、上記した方法でメタライズドセラミックスビア基板断面の観察試料を作製し、走査型電子顕微鏡による観察をおこなったが、基板両面のメタライズパターン25は、ボイド等の欠陥は無く導電性ビア23を介して接合していた。また、メタライズパターン25表面には導電性ビアに23起因するような凹み等の欠陥はみられなかった。
(第一金属ペーストの作製)
実施例1の第一金属ペーストと同様にして作製した。
(第三金属ペーストの作製)
実施例6の第三金属ペーストと同様にして作製した。
(第五金属ペーストXの作製)
実施例6の第四金属ペーストと同様にして作製した。
(第五金属ペーストYの作製)
実施例1の第二金属ペーストと同様にして作製した。
(工程(i)、工程(ii))
上記第一金属ペーストを、直径0.2mmのスルーホール12を有する厚さ0.64mmの窒化アルミニウム焼結体基板(トクヤマ社製、商品名SH−30)のスルーホール12内へ、メタルマスクを使用しスクリーン印刷法にて充填し、100℃で10分間乾燥させた。次いで、基板の両面をバフ研磨し基板表面にはみ出した第一金属ペーストを完全に除去した。
次に、上記第三金属ペーストを、第一金属ペーストを充填したスルーホール12を覆うように、上記基板上に、スクリーン印刷法にて印刷し、100℃で10分間乾燥させ第三金属ペースト層24を形成した。基板の裏面にも同様にして第三金属ペースト層を形成した(裏面は図示していない)。
次いで、上記第五金属ペーストXを、スクリーン印刷法にて第三金属ペースト層24上に重ねて印刷し、100℃で10分間乾燥させ、第五金属ペースト層Xを形成した。基板の裏面にも同様にして第五金属ペースト層Xを形成した。更に、上記第五金属ペーストYを、直径0.25mmのスルーホールを有するメタルマスクを使用しスクリーン印刷法にて第五金属ペースト層X上に印刷し、100℃で10分間乾燥させ第五金属ペースト層Yを形成した。基板の裏面にも同様にして第五金属ペースト層Yを形成した。この際、第五金属ペースト層Yは、基板表面と垂直方向から見たときの円形の印刷パターンの中心が、基板の各スルーホールの中心とほぼ重なる位置に配置されるように、柱状に形成した。また、スルーホール12に充填された第一金属ペースト中の金属(B)粉末、第三金属ペースト層中の金属(B)および第五金属ペースト層X中の金属(B)粉末の合計量を100質量部としたときの、第五金属ペースト層に含まれる金属(A)粉末の量(A5/B1+3+5×100)が50質量部となるように、第五金属ペースト層Yの厚みを調整した。(A5):第五金属ペースト層に含まれる金属(A)粉末量、(B1+3+5):第一、第三、第五金属ペースト層に含まれる金属(B)粉末量の合計量。
次いで、真空中、900℃にて30分間焼成することにより、基板の両面にメタライズ層を有するメタライズドセラミックスビア基板100cを得た。この際、窒化アルミニウム製のセッター内(密閉容器内)に基板を収容した状態にて基板の焼成をおこなった。得られたメタライズドセラミックスビア基板100cは、上記の方法で導電性ビアの緻密性の評価及び窒化チタン層の有無の確認を行った。結果を表2に示す。更に、上記した方法でメタライズドセラミックスビア基板断面の観察試料を作製し、走査型電子顕微鏡による観察、及びエネルギー分散型X線分析装置による元素マッピングをおこなった。図2に導電性ビア23の走査型電子顕微鏡写真を、図3に窒化アルミニウム焼結体基板10と導電性ビア23との界面近傍における元素マッピング写真を示す。図2より、基板両面のメタライズパターン25が、ボイド等の欠陥無く導電性ビア23を介して接合していることが確認できる。また、図3より、焼結体基板10と導電性ビア23とがボイド等の欠陥無く接合されており、界面にチタン成分が偏在していることから、接合界面に窒化チタン層が形成されていることが確認できる。
ペーストの原料組成を表1に示した組成とした以外は、実施例7と同様にしてメタライズドセラミックスビア基板100cを作製し、上記の方法で導電性ビア23の緻密性の評価及び窒化チタン層の有無の確認を行った。但し、メタライズドセラミックスビア基板100cを作製する際に第五金属ペースト層Yは形成せず、スルーホール12に充填された第一金属ペースト中の金属(B)粉末、第三金属層ペースト層中の金属(B)および第五金属ペースト層X中の金属(B)粉末の合計量を100質量部としたときの、第五金属ペースト層に含まれる金属(A)粉末の量(A5/B1+3+5×100)が80質量部となるように、第五金属ペースト層Xの厚みを調整した。結果を表2に示す。(A5):第五金属ペースト層に含まれる金属(A)粉末量、(B1+3+5):第一、第三、第五金属ペースト層に含まれる金属(B)粉末量の合計量。
実施例1において、ペーストの原料組成を表1に示した組成とした以外は、実施例1と同様にしてセラミックスビア基板及び評価用メタライズド基板を作製し、以下の分析・評価をおこなった。但し、比較例1及び3では、セラミックスビア基板及び評価用メタライズド基板作製の際、第二金属ペースト層22を形成しなかった。結果を表2に示す。
12 スルーホール
20 第一金属ペースト
22 第二金属ペースト層
23 導電性ビア
24 第三金属ペースト層
25 メタライズドパターン
26 第四金属ペースト層
27 第五金属ペースト層
Claims (7)
- セラミックス焼結体基板に導電性ビアが形成されてなるセラミックスビア基板であって、
融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)、該金属(A)よりも融点が高い金属(B)、および、活性金属を含む導電性の金属がスルーホールに密充填されてなる前記導電性ビアを有し、前記導電性ビアと前記セラミックス焼結体基板との界面に活性層が形成されている、セラミックスビア基板。 - 前記融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)が、金ろう、銀ろう、および、銅から選ばれる一種または二種以上である、請求項1に記載のセラミックスビア基板。
- 前記金属(A)よりも融点が高い金属(B)が、銀、銅および金から選ばれる一種または二種以上である、請求項1または2に記載のセラミックスビア基板。
- 前記活性層が、前記活性金属と、前記セラミックス焼結体基板のセラミックス成分とが反応して形成された反応層である、請求項1〜3のいずれかに記載のセラミックスビア基板。
- 前記活性金属がチタンであり、該チタンと反応する前記セラミックス成分が窒素であり、前記反応層が窒化チタン層である、請求項4に記載に記載のセラミックスビア基板。
- 前記セラミックス焼結体基板が窒化アルミニウム焼結体基板である、請求項1〜5のいずれかに記載のセラミックスビア基板。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のセラミックスビア基板の、表面および/または裏面に、金属(A)、金属(B)および活性金属を含む導電性の金属からなる配線パターンが形成されている、メタライズドセラミックスビア基板。
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