JP2015064925A - セル当たり複数ビット(mbc)不揮発性メモリ内のデータを読み出す方法、メモリコントローラおよびシステム - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2008年7月2日出願の米国特許出願第12/166,876号の利益を主張するものである。
2100を制御する。
102 メモリアレイ
104 メモリブロック、ブロック
106 コントローラ
108 相互接続部
110 インターフェース
112 極性制御部
202 ページ
302 データフィールド
304 予備フィールド
306 MBCメモリセル、MBCセル、セル
308 極性フラグ
310 エラー補正コード(ECC)
402 閾電圧
404 状態1
406 状態2
408 状態3
410 状態4
500 閾電圧の例示的分布
502 y軸、セル数
504 x軸、電圧
506 基準電圧VRef1
508 基準電圧VRef2
510 基準電圧VRef3
512 状態1から状態2への書換え
514 状態2から状態3への書換え
516 状態1から状態4への書換え
602 仮想SBC(セル当たり単一ビット)セル、下セル
604 仮想SBC(セル当たり単一ビット)セル、上セル
702 仮想下ページ
704 下データフィールド
706 下予備フィールド
712 仮想上ページ
714 上データフィールド
716 上予備フィールド
802 消去動作後のページの例示的分布
804 書込み動作後のページの例示的分布
806 書込み動作後のページの例示的分布
900 データワードを下ページおよび上ページに書き込む方法のフローチャート
1000 フローチャート900で表された方法のより詳細なフローチャート
1010 下データワードを下ページに書き込む段階のフローチャート
1022 上データワードを上ページに書き込む段階のフローチャート
1300 上ページからデータを読み出す方法のフローチャート
1400 下ページからデータを読み出す方法のフローチャート
1500 メモリシステム
1600 不揮発性メモリ装置
1700 メモリシステム
1800 不揮発性メモリ装置
1900 メモリシステム
2000 不揮発性メモリ装置
2100 メモリシステム
2200 電気デバイス
Claims (10)
- セル当たり複数ビット(MBC)不揮発性メモリ装置であって、
電気的に消去可能なブロックを含むメモリアレイを備え、
前記ブロックは書き換え可能なページを含み、
前記書き換え可能なページは同じワード線を共有する上ページおよび下ページを備え、
前記上ページおよび下ページはそれぞれの上データフィールドおよび下データフィールドを含み、
前記上データフィールドおよび下データフィールドはMBCメモリセルのそれぞれの仮想上セルおよび仮想下セルを含み、
前記MBCメモリセルは、最小電圧レベルから順番に、第1のレベル、第2のレベル、第3のレベル、または第4のレベルのうちの選択された1つに書込み可能なそれぞれの閾電圧を有し、
前記下セルの書込みは、前記第1の閾電圧レベルから前記第2の閾電圧レベルまでのそれぞれの閾電圧の書込みを含み、
前記上セルの書込みは、前記第1の閾電圧レベルから前記第4の閾電圧レベルまでの、または前記第2の閾電圧レベルから前記第3の閾電圧レベルまでのそれぞれの閾電圧の書込みを含み、
前記メモリアレイにデータを書き込むためのコントローラであって、前記コントローラは、書き込まれる下ページ内のビットの数を最大にするためにデータワードを選択的に反転し、それぞれの前記上ページ内の書き込まれるビットの数を最小にするためにデータを選択的に反転して極性を制御する、コントローラを備え、
前記上ページおよび下ページはそれぞれの上予備フィールドおよび下予備フィールドをさらに含み、前記上予備フィールドおよび下予備フィールドはそれぞれの上エラー補正コード(ECC)および下エラー補正コードをさらに含む、装置。 - 前記上予備フィールドおよび下予備フィールドはそれぞれの上ページ極性フラグおよび下ページ極性フラグを備える、請求項1に記載の装置。
- 前記第1のレベル、前記第2のレベル、前記第3のレベル、および前記第4のレベルの閾電圧は、それぞれ前記上セルおよび下セルの‘11’、‘10’、‘00’、および‘01’の組合せとして定義される、請求項1に記載の装置。
- 前記第1のレベルの閾電圧は消去状態を表す、請求項3に記載の装置。
- 前記第1のレベルの閾電圧は書き込まれていない上セルおよび書き込まれていない下セルを表す、請求項3に記載の装置。
- 前記第2のレベルの閾電圧は書き込まれていない上セルおよび書き込まれた下セルを表す、請求項1に記載の装置。
- 前記第3のレベルの閾電圧は書き込まれた上セルおよび書き込まれた下セルを表す、請求項1に記載の装置。
- 前記第2のレベルの閾電圧は書き込まれた上セルおよび書き込まれていない下セルを表す、請求項1に記載の装置。
- 前記上予備フィールドおよび下予備フィールドはそれぞれの上極性フラグおよび下極性フラグを含む、請求項1に記載の装置。
- セル当たり複数ビット(MBC)不揮発性メモリ装置であって、
電気的に消去可能なブロックを含むメモリアレイを備え、
前記ブロックは書き換え可能なページを含み、
前記書き換え可能なページは同じワード線を共有する上ページおよび下ページを備え、
前記上ページおよび下ページはそれぞれの上データフィールドおよび下データフィールドを含み、
前記上データフィールドおよび下データフィールドはMBCメモリセルのそれぞれの仮想上セルおよび仮想下セルを含み、
前記MBCメモリセルは、最小電圧レベルから順番に、第1のレベル、第2のレベル、第3のレベル、または第4のレベルのうちの選択された1つに書込み可能なそれぞれの閾電圧を有し、
前記下セルの書込みは、前記第1の閾電圧レベルから前記第2の閾電圧レベルまでのそれぞれの閾電圧の書込みを備え、
前記上セルの書込みは、前記第1の閾電圧レベルから前記第4の閾電圧レベルまでの、または前記第2の閾電圧レベルから前記第3の閾電圧レベルまでのそれぞれの閾電圧の書込みを備え、
前記メモリアレイにデータを書き込むためのコントローラであって、前記コントローラは、書き込まれる下ページ内のビットの数を最大にするためにデータワードを選択的に反転し、それぞれの前記上ページ内の書き込まれるビットの数を最小にするためにデータを選択的に反転して極性を制御する、コントローラを備え、
前記コントローラは前記ブロックの消去を制御するように構成されている、装置。
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