JP2010192049A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】閾値電圧情報を読み出す場合においても、データ読み出し時間を短縮化することができる。
【解決手段】選択メモリセルMCnが接続された選択ワード線WLnと隣接する隣接ワード線WLn+1に接続された隣接メモリセルMCn+1のデータを読み出し、このデータをデータラッチDL0、DL1に保持させる。続いて、データ又は前記閾値電圧情報の読み出しのために選択ワード線WLnに印加される複数種類の電圧(AR、BR、CR、AR−、AR+・・・)を更にそれぞれ複数通りの大きさに変化させ、この複数通りの電圧により読み出された複数通りのデータの1つを、データラッチDL0、DL1に保持されたデータに従って選択する。読み出されたデータの出力動作は、引き続いて実行される上記のデータ読み出しと並行して実行される。
【選択図】図13
【解決手段】選択メモリセルMCnが接続された選択ワード線WLnと隣接する隣接ワード線WLn+1に接続された隣接メモリセルMCn+1のデータを読み出し、このデータをデータラッチDL0、DL1に保持させる。続いて、データ又は前記閾値電圧情報の読み出しのために選択ワード線WLnに印加される複数種類の電圧(AR、BR、CR、AR−、AR+・・・)を更にそれぞれ複数通りの大きさに変化させ、この複数通りの電圧により読み出された複数通りのデータの1つを、データラッチDL0、DL1に保持されたデータに従って選択する。読み出されたデータの出力動作は、引き続いて実行される上記のデータ読み出しと並行して実行される。
【選択図】図13
Description
本発明は、半導体記憶装置に関するものであり、特に1つのメモリセルに複数ビットを記憶することが可能な不揮発性半導体記憶装置に関するものである。
不揮発性半導体記憶装置の一つとして、NAND型フラッシュメモリが知られている。このNAND型フラッシュメモリは、複数のNANDセルユニットから構成されているメモリセルアレイを有している。このNANDセルユニットは、直列接続される複数のメモリセルと、その両端に接続される2つの選択トランジスタにより構成されている。
メモリセルは消去状態においては、閾値電圧が負となる“1”データを保持しており、データの書き込み時においては、フローティングゲートに電子が注入され、閾値電圧が正となる“0”データに書き換えられる。NAND型フラッシュメモリでは、データの書き込み時においては、閾値電圧を低い方から高い方へ移動させることのみ可能であり、逆の移動(閾値電圧の高い方から低い方)は、ブロック単位での消去動作によってのみ行うことができる。
近年、メモリ容量の増加を目的として、1つのメモリセルに2ビット以上の情報を記憶するいわゆる多値NAND型フラッシュメモリの開発がなされている。例えば、1つのメモリセルに3ビットを記憶する場合には、1つのメモリセルが23=8通りの閾値電圧分布を有する。1つのメモリセルに8値の情報を記憶させた場合、8通りの閾値電圧分布の間の間隔が狭くなるため、データ読み出しの際に誤ってデータが読み出されて、データの信頼性が低下するおそれがある。
これに対し、誤って読み出されたデータを補正するエラー検出訂正(ECC:Error Check and Correct)を行なうため、読み出しデータに加えて、メモリセルの閾値電圧情報も読み出し、この情報を読み出しデータに付加することでデータ信頼性を高める半導体記憶装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。ここで、閾値電圧情報とは、メモリセルの閾値電圧が所定のデータが割り付けられた閾値電圧分布のどの位置にあるかを示す情報である。しかし、通常のデータ読み出しに加え、更に閾値電圧情報読み出しを別途実行する場合、データ読み出しと閾値電圧情報読み出しとの合計の動作時間が長時間化するおそれがある。
加えて、メモリセルの微細化により、あるメモリセルが有する閾値電圧が、隣接メモリセルの影響を受けて変動することがある。こうした変動を考慮した読み出し方法が、例えば特許文献2によって提案されている。しかし、こうした読み出し方法を、閾値電圧情報を読み出すようにした半導体記憶装置にそのまま適用すると、ますます動作時間が長期化するおそれがある。
加えて、メモリセルの微細化により、あるメモリセルが有する閾値電圧が、隣接メモリセルの影響を受けて変動することがある。こうした変動を考慮した読み出し方法が、例えば特許文献2によって提案されている。しかし、こうした読み出し方法を、閾値電圧情報を読み出すようにした半導体記憶装置にそのまま適用すると、ますます動作時間が長期化するおそれがある。
本発明は、閾値電圧情報を読み出す場合においても、データ読み出し時間を短縮化することができる半導体記憶装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る半導体記憶装置は、
複数の閾値電圧分布に割り付けられた複数ビットの情報を記憶することが可能なメモリセルを複数配列させたメモリセルアレイと、
前記メモリセルに保持されたデータを読み出すとともに、前記メモリセルの閾値電圧が前記複数の閾値電圧分布の1つの中のどの位置にあるかを示す閾値電圧情報を読み出すセンスアンプ回路と、
前記メモリセルから読み出された前記データ及び前記閾値電圧情報を保持する第1のデータ保持回路と、
前記メモリセルから読み出された前記データ及び前記閾値電圧情報を保持するとともに、外部に出力する第2のデータ保持回路と、
前記第1データ保持回路が保持するデータ、第2のデータ保持回路が保持するデータ、及び前記センスアンプが読み出したデータの間の演算を行う演算器と、
前記メモリセルアレイに対する読み出し動作、書き込み動作及び消去動作を制御する制御回路と
を備え、
前記制御回路は、
データ読み出しの対象である選択メモリセルが接続された第1ワード線と隣接する第2ワード線に接続された隣接メモリセルのデータを読み出し、このデータを前記第1のデータ保持回路に保持させる第1動作と、
前記データ又は前記閾値電圧情報の読み出しのために前記第1ワード線に印加される複数種類のワード線電圧を更にそれぞれ複数通りの大きさに変化させ、この複数通りの前記ワード線電圧により読み出された複数通りのデータの1つを、前記第1のデータ保持回路に保持されたデータに従って選択する第2動作と、
この第2動作により選択されたデータを外部に出力する第3動作と
を実行可能に構成され、
前記第3動作は、引き続いて実行される前記第1動作又は前記第2動作と同時に行われる
ことを特徴とする。
複数の閾値電圧分布に割り付けられた複数ビットの情報を記憶することが可能なメモリセルを複数配列させたメモリセルアレイと、
前記メモリセルに保持されたデータを読み出すとともに、前記メモリセルの閾値電圧が前記複数の閾値電圧分布の1つの中のどの位置にあるかを示す閾値電圧情報を読み出すセンスアンプ回路と、
前記メモリセルから読み出された前記データ及び前記閾値電圧情報を保持する第1のデータ保持回路と、
前記メモリセルから読み出された前記データ及び前記閾値電圧情報を保持するとともに、外部に出力する第2のデータ保持回路と、
前記第1データ保持回路が保持するデータ、第2のデータ保持回路が保持するデータ、及び前記センスアンプが読み出したデータの間の演算を行う演算器と、
前記メモリセルアレイに対する読み出し動作、書き込み動作及び消去動作を制御する制御回路と
を備え、
前記制御回路は、
データ読み出しの対象である選択メモリセルが接続された第1ワード線と隣接する第2ワード線に接続された隣接メモリセルのデータを読み出し、このデータを前記第1のデータ保持回路に保持させる第1動作と、
前記データ又は前記閾値電圧情報の読み出しのために前記第1ワード線に印加される複数種類のワード線電圧を更にそれぞれ複数通りの大きさに変化させ、この複数通りの前記ワード線電圧により読み出された複数通りのデータの1つを、前記第1のデータ保持回路に保持されたデータに従って選択する第2動作と、
この第2動作により選択されたデータを外部に出力する第3動作と
を実行可能に構成され、
前記第3動作は、引き続いて実行される前記第1動作又は前記第2動作と同時に行われる
ことを特徴とする。
この発明によれば、閾値電圧情報を読み出す場合においても、データ読み出し時間を短縮化することができる半導体記憶装置を提供することができる。
次に、本発明の各種実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
[第1の実施の形態]
まず、本発明の第1の実施の形態に係る半導体記憶装置を、図1等を参照して説明する。
まず、本発明の第1の実施の形態に係る半導体記憶装置を、図1等を参照して説明する。
[システムの全体構成]
図1は、第1の実施の形態による不揮発性半導体記憶装置であるメモリカード20の全体構成を示すブロック図である。このメモリカード20は、NAND型フラッシュメモリチップ21とその読み出し/書き込みを制御するメモリコントローラ22によりモジュールを構成する。フラッシュメモリチップ21は、複数のメモリチップの場合もある。図1では二つのメモリチップchip1、chip2を示しているが、その場合も一つのメモリコントローラ22で制御される。メモリコントローラ22は、メモリチップ21との間でデータ転送を行うためのNANDフラッシュインタフェース23、データ転送制御の他、メモリカード全体の動作制御を行うMPU24、ホストデバイスとの間でデータ転送を行うためのホストインタフェース25、読み出し/書き込みデータ等を一時保持するバッファRAM26、NAND型フラッシュメモリ21内のファームウェア(FW)の読み出し/書き込みのシーケンス制御等に用いられるハードウェアシーケンサ27を有する1チップコントローラである。
図1は、第1の実施の形態による不揮発性半導体記憶装置であるメモリカード20の全体構成を示すブロック図である。このメモリカード20は、NAND型フラッシュメモリチップ21とその読み出し/書き込みを制御するメモリコントローラ22によりモジュールを構成する。フラッシュメモリチップ21は、複数のメモリチップの場合もある。図1では二つのメモリチップchip1、chip2を示しているが、その場合も一つのメモリコントローラ22で制御される。メモリコントローラ22は、メモリチップ21との間でデータ転送を行うためのNANDフラッシュインタフェース23、データ転送制御の他、メモリカード全体の動作制御を行うMPU24、ホストデバイスとの間でデータ転送を行うためのホストインタフェース25、読み出し/書き込みデータ等を一時保持するバッファRAM26、NAND型フラッシュメモリ21内のファームウェア(FW)の読み出し/書き込みのシーケンス制御等に用いられるハードウェアシーケンサ27を有する1チップコントローラである。
メモリカード20に電源が投入されると、フラッシュメモリ21内に格納されているファームウェア(制御プログラム)を自動的に読み出す初期化動作(パワーオン・イニシャルセットアップ動作)が行われ、これがデータレジスタ(バッファRAM)26に転送される。この読み出し制御は、ハードウェアシーケンサ27により行われる。
バッファRAM26上にロードされたファームウェアにより、MPU24は、各種テーブルをバッファRAM26上に作成したり、ホストデバイスからのコマンドを受けて、フラッシュメモリ21をアクセスしたり、データ転送制御を行う。なお、NANDフラッシュインタフェース23は、フラッシュメモリチップ21に格納された冗長データに基づいて、読み出しデータの誤り訂正を行うためのECC回路を備えている。なお、フラッシュメモリチップ21とコントローラチップ22とが別チップであることは、このメモリシステムにとって本質的ではない。図2は、図1のメモリカード20を、メモリチップ21とコントローラ22のロジックコントロールを渾然一体として見た機能ブロック構成を示している。また図3はそのメモリコア部のセルアレイ構成を示している。
[メモリセルアレイ1の構成]
メモリセルアレイ1は、図3に示すように、複数の電気的書き換え可能な複数の不揮発性メモリセル(図の例では64個のメモリセル)MC0−MC63が直列接続されたNANDセルユニット(NANDストリング)NUを配列して構成される。複数のNANDセルユニットNUがワード線WLを共有して1つのブロックBLKが形成される。
メモリセルアレイ1は、図3に示すように、複数の電気的書き換え可能な複数の不揮発性メモリセル(図の例では64個のメモリセル)MC0−MC63が直列接続されたNANDセルユニット(NANDストリング)NUを配列して構成される。複数のNANDセルユニットNUがワード線WLを共有して1つのブロックBLKが形成される。
1つのブロックBLKは、データ消去動作の一単位を形成する。また、1つのメモリセルMCに2ビットのデータが格納される場合(2ビット/セル)、1つのワード線WLに沿って形成されるメモリセルMCにより、2ページ(上位ページUPPER、下位ページLOWER)のデータが格納される。1つのメモリセルアレイ1において1つのブロックBLK中のワード線WLの数は、64本であり、1ブロック中のページ数は64×2=128ページとなる。
図3に示すように、NANDセルユニットNUの一端は、選択ゲートトランジスタS1を介してビット線BLに、他端は選択ゲートトランジスタS2を介して共通ソース線CELSRCに接続される。選択ゲートトランジスタS1、S2のゲートは選択ゲート線SGD、SGSに接続される。また、メモリセルMC0−MC63の制御ゲートはそれぞれワード線WL0−WL63に接続される。
ビット線BLの一端側に、セルデータの読み出し及び書き込みに供されるセンスアンプ3aが配置され、ワード線WLの一端側にワード線及び選択ゲート線の選択駆動を行うロウデコーダ2(図3では図示せず)が配置される。
図2に示すように、コマンド、アドレス及びデータは、入出力制御回路13を介して入力され、チップイネーブル信号/CE、書き込みイネーブル信号/WE、読み出しイネーブル信号/REその他の外部制御信号は、論理回路14に入力され、タイミング制御に用いられる。コマンドは、コマンドレジスタ8でデコードされる。
制御回路6は、データの転送制御及び書き込み/消去/読み出しのシーケンス制御を行う。ステータスレジスタ11は、Ready/Busy端子にメモリカード20のReady/Busy状態を出力する。これとは別に、メモリ20の状態(Pass/Fail、Ready/Busy等)をI/Oポートを介してホストに知らせるステータスレジスタ12が用意されている。
アドレスは、アドレスレジスタ5を介して、ロウデコーダ(プリロウデコーダ2aとメインロウデコーダ2b)2やカラムデコーダ4に転送される。書き込みデータは、入出力制御回路13、コントロール回路6及びデータバスBUSを介してセンスアンプ回路3(センスアンプ3aとデータレジスタ3b)にロードされ、読み出しデータは制御回路6を介して、外部に出力される。
各動作モードに応じて必要とされる高電圧を発生するために、高電圧発生回路10が設けられている。高電圧発生回路10は、制御回路6から与えられる指令に基づいて所定の高電圧を発生する。
[メモリセルMC及び選択ゲートS1、S2の構成]
図4及び図5は、メモリセルMC及び選択ゲートS1、S2の断面構造を示している。基板41にはメモリセルMCを構成するMOSFETのソース、ドレインとして機能するn型拡散層42が形成されている。また基板41の上にはゲート絶縁膜43を介して浮遊ゲート(FG)44が形成され、この浮遊ゲート44の上には絶縁膜45を介して制御ゲート(CG)46が形成されている。
図4及び図5は、メモリセルMC及び選択ゲートS1、S2の断面構造を示している。基板41にはメモリセルMCを構成するMOSFETのソース、ドレインとして機能するn型拡散層42が形成されている。また基板41の上にはゲート絶縁膜43を介して浮遊ゲート(FG)44が形成され、この浮遊ゲート44の上には絶縁膜45を介して制御ゲート(CG)46が形成されている。
選択ゲートS1、S2は、基板41と、この基板41に形成されたソース、ドレインとしてのn型拡散層47を備えている。基板41の上にはゲート絶縁膜48を介して制御ゲート49が形成されている。
[NANDセルユニットNU]
図6は、メモリセルアレイ1内の1つのNANDセルユニットNUの断面を示している。この例において、1つのNANDセルユニットNUは、図4に示す構成の64個のメモリセルMCが直列接続されて構成されている。NANDセルユニットNUのドレイン側、ソース側には、図5に示す構成の第1の選択ゲートS1、第2の選択ゲートS2が設けられている。
図6は、メモリセルアレイ1内の1つのNANDセルユニットNUの断面を示している。この例において、1つのNANDセルユニットNUは、図4に示す構成の64個のメモリセルMCが直列接続されて構成されている。NANDセルユニットNUのドレイン側、ソース側には、図5に示す構成の第1の選択ゲートS1、第2の選択ゲートS2が設けられている。
[NAND型フラッシュメモリにおける多値記憶]
次に、このように構成されたNAND型フラッシュメモリにおける多値記憶について説明する。NAND型フラッシュメモリにおいては、1つのメモリセルにおいて閾値電圧の値を例えば4通りに制御して、2ビットのデータを1つのメモリセルに記憶させることができる。以下では、4値記憶を例にとって説明するが、本発明は、それ以外の8値(3ビット)あるいはそれ以上の多値記憶にも適用可能であることは言うまでもない。
次に、このように構成されたNAND型フラッシュメモリにおける多値記憶について説明する。NAND型フラッシュメモリにおいては、1つのメモリセルにおいて閾値電圧の値を例えば4通りに制御して、2ビットのデータを1つのメモリセルに記憶させることができる。以下では、4値記憶を例にとって説明するが、本発明は、それ以外の8値(3ビット)あるいはそれ以上の多値記憶にも適用可能であることは言うまでもない。
1つのメモリセルに2ビットの情報を記憶する場合における閾値電圧分布の状態図(閾値電圧とセル数との関係図)を図7に示す。2ビットの情報を記憶するためには、「11」、「01」、「00」、「10」の4通りのデータに対応して4種類の閾値電圧分布(ER、A〜C)が設けられ、情報の書き込み及び読み出しを行うものである。すなわち、4通りの閾値電圧分布(ER、A〜C)の各々に4通りのビット情報(11、01、00、01)のいずれかが割り付けられている。この2ビットのデータに対応して2つのサブページが形成される。即ち、上位ページUPPER、下位ページLOWERの2つである。
[通常のデータ読み出し(ハードビットリード)]
この4通りのデータの読み出し動作時には、メモリセルMCに接続された選択ワード線WLに読み出し電圧を印加して、メモリセルMCの導通・非導通を検出して行う。選択ワード線WLに印加される読み出し電圧の電圧値は、メモリセルの4通りの閾値電圧分布に対応して、図7に示すような各閾値電圧分布の上限と下限との間の電圧AR、BR、CR(3通り)に設定され得る(図7参照)。読み出し電圧ARは最も低い電圧で、BR、CRの順に電圧値が大きくなる。なお、リード動作時に非選択メモリセルMCに印加される電圧は、データ「10」が割り付けられた閾値電圧分布Cよりも大きな電圧とされる。
この4通りのデータの読み出し動作時には、メモリセルMCに接続された選択ワード線WLに読み出し電圧を印加して、メモリセルMCの導通・非導通を検出して行う。選択ワード線WLに印加される読み出し電圧の電圧値は、メモリセルの4通りの閾値電圧分布に対応して、図7に示すような各閾値電圧分布の上限と下限との間の電圧AR、BR、CR(3通り)に設定され得る(図7参照)。読み出し電圧ARは最も低い電圧で、BR、CRの順に電圧値が大きくなる。なお、リード動作時に非選択メモリセルMCに印加される電圧は、データ「10」が割り付けられた閾値電圧分布Cよりも大きな電圧とされる。
[閾値電圧情報読み出し(ソフトビットリード)]
ここで、1つのメモリセルMCに多値(例えば4値)の情報を記憶させた場合、4通りの閾値電圧分布の間の間隔が狭くなる。そのため、データ読み出しの際に誤ってデータが読み出されて、データの信頼性が低下するおそれがある。これに対し、誤って読み出されたデータを補正するエラー検出訂正(ECC:Error Check and Correct)を行なう必要がある。エラー検出訂正を実行する際に、読み出しデータに加えて、メモリセルMCの閾値電圧情報も読み出し、この情報を読み出しデータに付加することにより、精度の高いエラー検出訂正を実行することができる。ここで、閾値電圧情報とは、メモリセルMCの閾値電圧値が閾値電圧分布(ER、A、B、C)の1つの中においてどの位置にあるか(例えば、閾値電圧分布Aの中において中心付近にあるのか、分布の右側にあるのか、左側にあるのか等)を示す情報である。換言すれば、閾値電圧情報は、読み出されたデータの「確からしさ」を示す情報である。このような閾値電圧情報の読み出しを、以下では「ソフトビットリード」(Soft Bit Read)と称する。また、これとの対比として、通常のデータ(”11”、01”、”00”、”10”)の読み出しを「ハードビットリード」(Hard Bit Read)と称する。
ここで、1つのメモリセルMCに多値(例えば4値)の情報を記憶させた場合、4通りの閾値電圧分布の間の間隔が狭くなる。そのため、データ読み出しの際に誤ってデータが読み出されて、データの信頼性が低下するおそれがある。これに対し、誤って読み出されたデータを補正するエラー検出訂正(ECC:Error Check and Correct)を行なう必要がある。エラー検出訂正を実行する際に、読み出しデータに加えて、メモリセルMCの閾値電圧情報も読み出し、この情報を読み出しデータに付加することにより、精度の高いエラー検出訂正を実行することができる。ここで、閾値電圧情報とは、メモリセルMCの閾値電圧値が閾値電圧分布(ER、A、B、C)の1つの中においてどの位置にあるか(例えば、閾値電圧分布Aの中において中心付近にあるのか、分布の右側にあるのか、左側にあるのか等)を示す情報である。換言すれば、閾値電圧情報は、読み出されたデータの「確からしさ」を示す情報である。このような閾値電圧情報の読み出しを、以下では「ソフトビットリード」(Soft Bit Read)と称する。また、これとの対比として、通常のデータ(”11”、01”、”00”、”10”)の読み出しを「ハードビットリード」(Hard Bit Read)と称する。
このような閾値電圧情報を読み出すソフトビットリードを実行するため、本実施の形態では、上記のような電圧AR、BR、CRに加え、図8に示すような電圧AR−、AR+、BR−、BR+、CR−、CR+を選択ワード線WLに印加して、それぞれ読み出しを行う。この読み出されたデータが、上記の閾値電圧情報である。なお、電圧AR−は、電圧ARよりも所定値だけ小さい電圧である。電圧AR+は、電圧ARよりも所定値だけ大きい電圧である。電圧BR−は、電圧BRよりも所定値だけ小さい電圧である。電圧BR+は、電圧BRよりも所定値だけ大きい電圧である。電圧CR−は、電圧CRよりも所定値だけ小さい電圧である。電圧CR+は、電圧CRよりも所定値だけ大きい電圧である。なお、この所定値は、電圧AR−、AR+、BR−、BR+、CR−、CR+間で同一であってもよいし、異なっていてもよい。
[センスアンプ回路3の構成]
次に、このような2ビット/セルのデータを保持するメモリセルMCから通常のデータを読み出し(ハードビットリード)、且つ閾値電圧情報を読み出す(ソフトビットリード)のに適したセンスアンプ回路3の構成について説明する。図9は、センスアンプ回路3に含まれるセンスアンプ3a及びデータレジスタ3bの構成を示している。
次に、このような2ビット/セルのデータを保持するメモリセルMCから通常のデータを読み出し(ハードビットリード)、且つ閾値電圧情報を読み出す(ソフトビットリード)のに適したセンスアンプ回路3の構成について説明する。図9は、センスアンプ回路3に含まれるセンスアンプ3a及びデータレジスタ3bの構成を示している。
データレジスタ3bは、センスアンプ3aにより読み出されたデータについての論理演算を実行する演算回路31及び演算回路31から出力されたデータを一時的に保持する3つのデータラッチDL0、DL1、DLXにより構成される。データラッチDL0、DL1はそれぞれスイッチSW0を介してデータレジスタ3b内のローカルバスLBUSに接続されてデータの入出力が実行される。
また、データレジスタ3bには、データレジスタ3bとデータバスBUSとを接続するスイッチSW1、ローカルバスLBUSとデータラッチDLXを接続するスイッチSW2、及びセンスアンプ3aと演算回路31とを接続するスイッチSW3が備えられている。スイッチSW1とスイッチSW2は、一方が閉じているときは他方が開くように相補的に動作が制御される。スイッチSWXは、スイッチSW1又はSW2のいずれかと同時に閉じて、データラッチDLXをローカルバスLBUS又はデータバスBUSのいずれかに接続する。
また、データレジスタ3bには、データレジスタ3bとデータバスBUSとを接続するスイッチSW1、ローカルバスLBUSとデータラッチDLXを接続するスイッチSW2、及びセンスアンプ3aと演算回路31とを接続するスイッチSW3が備えられている。スイッチSW1とスイッチSW2は、一方が閉じているときは他方が開くように相補的に動作が制御される。スイッチSWXは、スイッチSW1又はSW2のいずれかと同時に閉じて、データラッチDLXをローカルバスLBUS又はデータバスBUSのいずれかに接続する。
演算回路31は、センスアンプ3aが検出した(読み出した)データとデータラッチDLが保持するデータとの論理演算及び複数のデータラッチDLが保持するデータの論理演算を行い、その演算結果をデータラッチDLに転送する機能を有する。また、データラッチDLXはスイッチSW2をオフ、スイッチSW1をオンにすることでデータバスBUSを通してデータを外部とやりとりすることができる。
本実施の形態のデータレジスタ3bは、読み出したデータをデータラッチDLXに保持し、スイッチSW2をオフ、スイッチSW1をオンにして、データラッチDLXに保持されたデータを外部に出力することができる。そして、これと同時にセンスアンプ3a及びデータラッチDL0〜DL1を用いて、後述する読み出し動作を実行することができる。
[隣接メモリセル間の干渉の影響を考慮した補正読出し方式]
また、本実施の形態では、隣接するメモリセル間の干渉の影響を考慮した読み出し方式(補正読出し方式)を採用している。以下、この補正読出し方式について説明する。
また、本実施の形態では、隣接するメモリセル間の干渉の影響を考慮した読み出し方式(補正読出し方式)を採用している。以下、この補正読出し方式について説明する。
隣接するメモリセル間の干渉の影響を説明するための概念図である。NAND型フラッシュメモリの微細化が進み、メモリセルが高密度化されると、メモリセル間の距離が小さくなり、隣接するセル間の干渉が強くなり、このため、あるメモリセルにおける閾値電圧分布は、隣接する他のメモリセルにおける書き込み動作の影響を受ける。例えば、ワード線WLnに沿ったメモリセルにおける閾値分布は、このワード線WLnに隣接するワード線WLn+1に接続された隣接メモリセルの影響を受ける。そして、その影響の度合は、隣接メモリセルに書き込まれるデータが、”11”、”01”、”00”、”10”のいずれであるかにより異なり、高い閾値電圧分布であるほど、その影響は大きい(図10参照)。
図10の符号Iに示すように、隣接メモリセルの閾値電圧分布がE(”11”)のままであれば、ワード線WLnに沿ったメモリセルは、その影響を受けない。しかし、隣接メモリセルが、閾値電圧分布Eから、閾値電圧分布A(”01”),B(”00”),C(”10”)になるように書き込みが行われると、それに応じて、ワード線WLn+1に沿ったメモリセルも、その影響を受けて閾値電圧分布が変化する(閾値電圧分布のシフトが大きくなる)。隣接メモリセルが閾値電圧分布C(”10”)に書かれる場合には、その他の場合に比べ、ワード線WLnに沿ったメモリセルMCにおける閾値電圧分布の移動量も大きい。
このように、あるメモリセルの閾値電圧分布が隣接メモリセルの影響を受けて変化し、さらにその影響の度合が隣接メモリセルに書き込まれた多値データの値によって異なるので、メモリセルにおける閾値電圧分布(E、A,B,C)の間のマージンが小さくなり、読み出し電圧の大きさを適切に設定することが困難になる。従って、この補正読出し方式では、まず、あるメモリセルのデータ読み出しを行う場合、これに隣接するメモリセル(後から書き込みが実行されるメモリセル)のデータを読み出す一方、読み出し対象のメモリセルでは、この隣接メモリセルのデータに応じて、ワード線WLnに印加する電圧の大きさを変化させている。これにより、隣接メモリセルによる影響を低減することができ、誤読み出し等の生じる虞を小さくすることができる。
次に、図11及び図12を参照して、この補正読出し方式の概要を説明する。補正読出し方式では、ハードビットリードの実行の際、ワード線WLnに印加する電圧ARを、4段階に微小に変化させる(電圧ARer、ARa、ARb、ARc)。電圧ARerは、ワード線WLn+1に沿った隣接メモリセルの保持データが、データ”11”(閾値電圧分布E=消去状態)である場合に有効とされる(選択される)、最も小さな電圧である。電圧ARaは、隣接メモリセルの保持データが、データ”01”(閾値電圧分布A)である場合に有効とされ(選択され)、電圧ARerよりも大きな電圧である。電圧ARbは、隣接メモリセルの保持データが、データ”00”(閾値電圧分布B)である場合に有効とされ(選択され)、電圧ARaよりも大きな電圧である。電圧ARcは、隣接メモリセルの保持データが、データ”10”(閾値電圧分布C)である場合に有効とされ(選択され)、電圧ARbよりも大きな電圧である。
同様に、データ読み出しのためにワード線WLnに印加する電圧BRも、4段階に微小に変化させる(電圧BRer、BRa、BRb、BRc)。電圧BRerは、隣接メモリセルの保持データが、データ”11”(閾値電圧分布E=消去状態)である場合に有効とされ(選択され)る、最も小さな電圧である。電圧BRaは、隣接メモリセルの保持データが、データ”01”(閾値電圧分布A)である場合に有効とされ(選択され)、電圧BRerよりも大きな電圧である。電圧BRbは、隣接メモリセルの保持データが、データ”00”(閾値電圧分布B)である場合に有効とされ(選択され)、電圧BRaよりも大きな電圧である。電圧BRcは、隣接メモリセルの保持データが、データ”10”(閾値電圧分布C)である場合に有効とされ(選択され)、電圧BRbよりも大きな電圧である。
同様に、データ読み出しのためにワード線WLnに印加する電圧CRも、4段階に微小に変化させる(電圧CRer、CRa、CRb、CRc)。電圧CRerは、隣接メモリセルの保持データが、データ”11”(閾値電圧分布E=消去状態)である場合に有効とされ(選択され)る、最も小さな電圧である。電圧CRaは、隣接メモリセルの保持データが、データ”01”(閾値電圧分布A)である場合に有効とされ(選択され)、電圧CRerよりも大きな電圧である。電圧CRbは、隣接メモリセルの保持データが、データ”00”(閾値電圧分布B)である場合に有効とされ(選択され)、電圧CRaよりも大きな電圧である。電圧CRcは、隣接メモリセルの保持データが、データ”10”(閾値電圧分布C)である場合に有効とされ(選択され)、電圧CRbよりも大きな電圧である。
このように、本実施の形態では、ハードビットリードにおいて印加される電圧AR、BR、CRを、それぞれ4通りの電圧に変化させる。そして、これら4通りの電圧の各々について得られた4通りのデータのうち、隣接メモリセルの保持データに応じたデータを選択し、これを選択メモリセルMCnの読み出しデータの特定に用いる。例えば、隣接メモリセルの保持データが”00”(閾値電圧分布B)であった場合には、電圧ARb、BRb、CRbにより得られたデータを、選択メモリセルの読み出しデータとするものである。
また、図12に示すように、ソフトビットリードにおいて印加される電圧AR−、AR+、BR−、BR+、CR−、CR+も、隣接メモリセルの保持データに応じて、それぞれ4段階の電圧に変化させられる。すなわち、ソフトビットリードにおいても、補正読出し方式が実行される。そして、隣接メモリセルの保持データに応じ、これら4段階の電圧のうちの1つにより読み出されたデータを選択し、その選択メモリセルの読み出しデータとして出力する。
たとえば、電圧AR−は、隣接メモリセルの状態に対応して、電圧AR−er、AR−a、AR−b、AR−cの4段階に変化させられる。電圧AR−erは、隣接メモリセルの保持データが、データ”11”(閾値電圧分布E=消去状態)である場合に有効とされる(選択される)、最も小さな電圧である。電圧AR−aは、隣接メモリセルの保持データが、データ”01”(閾値電圧分布A)である場合に有効とされ(選択され)、電圧AR−erよりも大きな電圧である。電圧AR−bは、隣接メモリセルの保持データが、データ”00”(閾値電圧分布B)である場合に有効とされ(選択され)、電圧AR−aよりも大きな電圧である。電圧AR−cは、隣接メモリセルの保持データが、データ”10”(閾値電圧分布C)である場合に有効とされ(選択され)、電圧AR−bよりも大きな電圧である。
また、電圧AR+は、電圧AR+er、AR+a、AR+b、AR+cの4段階に変化させる。電圧AR+erは、隣接メモリセルの保持データが、データ”11”(閾値電圧分布E=消去状態)である場合に有効とされ(選択され)、最も小さな電圧である。電圧AR+aは、隣接メモリセルの保持データが、データ”01”(閾値電圧分布A)である場合に有効とされ(選択され)、電圧AR+erよりも大きな電圧である。電圧AR+bは、隣接メモリセルの保持データが、データ”00”(閾値電圧分布B)である場合に有効とされ(選択され)、電圧AR+aよりも大きな電圧である。電圧AR+cは、隣接メモリセルの保持データが、データ”10”(閾値電圧分布C)である場合に有効とされ(選択され)、電圧AR+bよりも大きな電圧である。
電圧BR−は、電圧BR−er、BR−a、BR−b、BR−cの4段階に変化させる。電圧BR−erは、隣接メモリセルの保持データが、データ”11”(閾値電圧分布E=消去状態)である場合に有効とされ(選択され)る、最も小さな電圧である。電圧BR−aは、隣接メモリセルの保持データが、データ”01”(閾値電圧分布A)である場合に有効とされ(選択され)、電圧BR−erよりも大きな電圧である。電圧BR−bは、隣接メモリセルの保持データが、データ”00”(閾値電圧分布B)である場合に有効とされ(選択され)、電圧BR−aよりも大きな電圧である。電圧BR−cは、隣接メモリセルの保持データが、データ”10”(閾値電圧分布C)である場合に有効とされ(選択され)、電圧BR−bよりも大きな電圧である。
また、電圧BR+は、電圧BR+er、BR+a、BR+b、BR+cの4段階に変化させる。電圧BR+erは、隣接メモリセルの保持データが、データ”11”(閾値電圧分布E=消去状態)である場合に有効とされる(選択される)、最も小さな電圧である。電圧BR+aは、隣接メモリセルの保持データが、データ”01”(閾値電圧分布A)である場合に有効とされ(選択され)、電圧BR+erよりも大きな電圧である。電圧BR+bは、隣接メモリセルの保持データが、データ”00”(閾値電圧分布B)である場合に有効とされ(選択され)、電圧BR+aよりも大きな電圧である。電圧BR+cは、隣接メモリセルの保持データが、データ”10”(閾値電圧分布C)である場合に有効とされ(選択され)、電圧BR+bよりも大きな電圧である。
電圧CR−は、電圧CR−er、CR−a、CR−b、CR−cの4段階に変化させる。電圧CR−erは、隣接メモリセルの保持データが、データ”11”(閾値電圧分布E=消去状態)である場合に有効とされ(選択され)る、最も小さな電圧である。電圧CR−aは、隣接メモリセルの保持データが、データ”01”(閾値電圧分布A)である場合に有効とされ(選択され)、電圧CR−erよりも大きな電圧である。電圧CR−bは、隣接メモリセルの保持データが、データ”00”(閾値電圧分布B)である場合に有効とされ(選択され)、電圧CR−aよりも大きな電圧である。電圧CR−cは、隣接メモリセルの保持データが、データ”10”(閾値電圧分布C)である場合に有効とされ(選択され)、電圧CR−bよりも大きな電圧である。
また、電圧CR+は、電圧CR+er、CR+a、CR+b、CR+cの4段階に変化させる。電圧CR+erは、隣接メモリセルの保持データが、データ”11”(閾値電圧分布E=消去状態)である場合に有効とされる(選択され)、最も小さな電圧である。電圧CR+aは、隣接メモリセルの保持データが、データ”01”(閾値電圧分布A)である場合に有効とされ(選択され)、電圧CR+erよりも大きな電圧である。電圧CR+bは、隣接メモリセルの保持データが、データ”00”(閾値電圧分布B)である場合に有効とされ(選択され)、電圧CR+aよりも大きな電圧である。電圧CR+cは、隣接メモリセルの保持データが、データ”10”(閾値電圧分布C)である場合に有効とされ(選択され)、電圧CR+bよりも大きな電圧である。
このように、この第1の実施の形態の半導体記憶装置では、ハードビットリードに加えソフトビットリードを行うと共に、その各々について補正読出し方式を実行する。これらの動作を順に行う場合、データの読み出し時間が長期化する虞がある。このため、この以下に説明する本発明の各実施の形態の半導体記憶装置では、これら補正読出し方式で読み出されたハードビットリードデータの出力動作、及びソフトビットリードデータの出力動作を、続いて行われる隣接メモリセルのデータの読み出し/データ保持動作、又は続いて行われる選択メモリセルのハードビットリード又はソフトビットリードと並行して(同時に)実行することにより、データ読み出し時間を短縮している。
次に、図13を参照して、本発明の第1の実施の形態の半導体記憶装置におけるデータ読み出し動作を説明する。この図13は、選択メモリセルMCnが接続されるワード線WLnへの印加電圧、及びこの選択メモリセルMCnに隣接する隣接メモリセルMCn+1に接続される隣接ワード線WLn+1の印加電圧、及び外部出力インタフェースI/Fにおける出力動作を示している。
まず、時刻t11で、読み出しコマンドに従い、隣接ワード線WLn+1に沿った隣接メモリセルMCn+1の読み出し動作が実行され、順次隣接ワード線WLn+1に電圧AR、BR、CRが印加される。これにより、隣接メモリセルMCn+1に格納された4値データに対応する2ビットのデータが演算回路31を介して読み出され、これが図8に示すセンスアンプ回路3bの2つのデータラッチDL1、DL0に格納される。
続いて、時刻t12において、ワード線WLnに対するハードビットリードの一部が実行される。具体的には、選択メモリセルMCnの下位データ(LOWER)を読み出すため、電圧BRが、4段階(BRer、BRa、BRb、BRc)に切り換えられて印加され、4段階のそれぞれの電圧ごとに、選択メモリセルMCnからの読み出しデータとして、4通りの読み出しデータが得られる(すなわち、メモリセルMCnの2ビットのデータのうちの下位データ(LOWER)が読み出される)。
これら4通りの読み出しデータは、一旦演算回路31内のデータラッチ(図示せず)に格納される。その後、データラッチDL1、DL0に格納された隣接メモリセルMCn+1のデータに従い、この4通りの読み出しデータのうちの1つが演算回路31により選択され、この選択されたデータが、メモリセルMCnの下位データ(LOWER)としてデータラッチDLXに転送・格納される。
これら4通りの読み出しデータは、一旦演算回路31内のデータラッチ(図示せず)に格納される。その後、データラッチDL1、DL0に格納された隣接メモリセルMCn+1のデータに従い、この4通りの読み出しデータのうちの1つが演算回路31により選択され、この選択されたデータが、メモリセルMCnの下位データ(LOWER)としてデータラッチDLXに転送・格納される。
具体的には、メモリセルMCn+1に格納されているデータが、閾値電圧分布Eに対応するデータ”11”であった場合には(データラッチDL0、DL1にそれぞれ”1”、”1”が格納されている)には、電圧BRerを印加して読み出されたデータが選択され、データラッチDLXに転送・格納される。同様に、メモリセルMCn+1に格納されているデータが、閾値電圧分布Aに対応するデータ”01”であった場合には(データラッチDL0、DL1にそれぞれ”1”、”0”が格納されている)、電圧BRaを印加して読み出されたデータが選択され、データラッチDLXに転送・格納される。
同様に、メモリセルMCn+1に格納されているデータが、閾値電圧分布Bに対応するデータ”00”であった場合には(データラッチDL0、DL1にそれぞれ”0”、”0”が格納されている)、電圧BRbを印加して読み出されたデータが選択され、データラッチDLXに転送・格納される。
同様に、メモリセルMCn+1に格納されているデータが、閾値電圧分布Cに対応するデータ”10”であった場合には(データラッチDL0、DL1にそれぞれ”0”、”1”が格納されている)、電圧BRcを印加して読み出されたデータが選択され、データラッチDLXに転送・格納される。
次に、時刻t13では、新たな読み出しコマンドに従い、隣接ワード線WLn+1に電圧AR、BR、CRが順次印加されて隣接メモリセルMCn+1からデータの読み出しがされる。読み出されたデータは、データラッチDL0、DL1に格納される。
一方、これと同時に、外部インタフェースI/Fにおいては、時刻t12においてデータラッチDLXに格納されたデータ(選択メモリセルMCnの下位データ(LOWER))の外部への出力が実行される。このように、隣接ワード線WLn+1に沿った隣接メモリセルMCn+1からのデータ読み出しと、選択ワード線WLnに沿ったメモリセルMCnから読み出したデータの出力とが並行して行われるので、データ読み出し時間を短縮することができる。
続いて、時刻t14では、新たな読み出しコマンドの発行に従い、ワード線WLnに電圧ARが、電圧値を4段階に切り換えて印加され(ARer、ARa、ARb、ARc)、続いて電圧CRが、やはり電圧値を4段階に切り換えて印加される(CRer、CRa、CRb、CRc)。これにより読み出された2×4=8通りの読み出しデータ(メモリセルMCnの上位データ(Upper))は、一旦演算回路31のデータラッチ(図示せず)に格納される。その後、データラッチDL1、DL0に格納された隣接メモリセルMCn+1のデータに従い、この8通りの読み出しデータのうちの2つが演算回路31により選択され、この選択されたデータのみが演算回路31に残され、他のデータは削除される。
すなわち、データラッチDL0、DL1を格納データを参照した結果、メモリセルMCn+1のデータが”11”であれば、電圧ARer、Cerにより読み出されたデータのみが選択され、残りは削除される。同様に、メモリセルMCn+1のデータが”01”であれば、電圧ARa、CRaにより読み出されたデータのみが選択され、残りは削除される。メモリセルMCn+1のデータが”00”であれば、電圧ARb、CRbにより読み出されたデータのみが選択され、残りは削除される。メモリセルMCn+1のデータが”10”であれば、電圧ARc、CRcにより読み出されたデータのみが選択され、残りは削除される。
次に、時刻t15では、新たな読み出しコマンドの発行に従い、隣接ワード線WLn+1に沿った隣接メモリセルMCn+1の読み出し動作が実行され、順次隣接ワード線WLn+1に電圧AR、BR、CRが印加される。これにより、隣接メモリセルMCn+1に格納された4値データに対応する2ビットのデータが演算回路31を介して読み出され、これが図8に示すセンスアンプ回路3bの2つのデータラッチDL1、DL0に格納される。
一方で、これと同時に、外部インタフェースI/Fにおいては、演算回路31のデータラッチ(図示せず)に格納されたデータ(選択メモリセルMCnの上位データ(UPPER))の外部への出力が実行される。このように、隣接ワード線WLn+1に沿った隣接メモリセルMCn+1からのデータ読み出しと、選択ワード線WLnに沿ったメモリセルMCnから読み出したデータの出力とが並行して行われるので、データ読み出し時間を短縮することができる。
次に、時刻t16以降では、第1のソフトビットリード動作が実行される。すなわち、時刻t16では、新たな読み出しコマンドの発行に従い、ワード線WLnに電圧AR−、BR−、CR−が、更にそれぞれ電圧値を4段階に切り換えて印加され(AR−er、AR−a、AR−b、AR−cの4段階、BR−er、BR−a、BR−b、BR−cの4段階、CR−er、CR−a、CR−b、CR−cの4段階)。これにより読み出された3×4=12通りの読み出しデータは、一旦演算回路31のデータラッチ(図示せず)に格納される。その後、データラッチDL1、DL0に格納された隣接メモリセルMCn+1のデータに従い、この12通りの読み出しデータのうちの3つが演算回路31により選択され、この選択されたデータのみが演算回路31に残され、他のデータは削除される。
次に、時刻t17では、新たな読み出しコマンドの発行に従い、隣接ワード線WLn+1に沿った隣接メモリセルMCn+1の読み出し動作が実行され、順次隣接ワード線WLn+1に電圧AR、BR、CRが印加される。これにより、隣接メモリセルMCn+1に格納された4値データに対応する2ビットのデータが演算回路31を介して読み出され、これが2つのデータラッチDL1、DL0に格納される。
一方で、これと同時に、外部インタフェースI/Fにおいては、演算回路31のデータラッチ(図示せず)に格納されたデータ(時刻t16で読み出された選択メモリセルMCnの第1ソフトビットリードデータ)の外部への出力が実行される。このように、隣接ワード線WLn+1に沿った隣接メモリセルMCn+1からのデータ読み出しと、選択ワード線WLnに沿ったメモリセルMCnから読み出した第1ソフトビットリードデータの出力とが並行して行われるので、データ読み出し時間を短縮することができる。
次に、時刻t18では、第2のソフトビットリード動作が引き続き行われる。すなわち、新たな読み出しコマンドの発行に従い、ワード線WLnに電圧AR+、BR+、CR+が、更にそれぞれ電圧値を4段階に切り換えて印加され(AR+er、AR+a、AR+b、AR+cの4段階;BR+er、BR+a、BR+b、BR+cの4段階、CR+er、CR+a、CR+b、CR+cの4段階)。これにより読み出された3×4=12通りの読み出しデータは、一旦演算回路31のデータラッチ(図示せず)に格納される。
その後、データラッチDL1、DL0に格納された隣接メモリセルMCn+1のデータに従い、この12通りの読み出しデータのうちの3つが演算回路31により選択され、この選択されたデータのみが演算回路31に残され、他のデータは削除される。こうして読み出される第2ソフトビットデータは、引き続き外部インタフェースI/Fから外部に出力される。こうして出力された第2ソフトビットデータと、時刻t17において先に出力された第1ソフトビットデータとが合わさってソフトビットデータを構成し、ECC回路において誤り訂正に用いられる。
以上説明したように、本実施の形態では、ワード線WLnに沿って形成されるメモリセルMCnのハードビットリード、及びソフトビットリードが、電圧AR、BR、CR、AR−、BR−、CR−、AR+、BR+、CR+を4段階に大きさを変化させて実行する補正読出し方式により実行されると共に、隣接ワード線WLn+1に沿った隣接メモリセルMCn+1のデータに従って、この4段階の電圧で読み出されたデータのいずれかが選択される。このため、隣接セルの干渉の影響を受けない読み出し動作の実行を可能としている。そして、こうしたデータの読み出しは、メモリセルMCn+1からの読み出しと、メモリセルMCnのデータの出力動作とが並行して実行可能とされているので、読み出し時間も短縮することができる。
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態に係る半導体記憶装置を、図14を参照して説明する。この第2の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成は、第1の実施の形態と略同様で、図1〜図6に示す通りである。
次に、本発明の第2の実施の形態に係る半導体記憶装置を、図14を参照して説明する。この第2の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成は、第1の実施の形態と略同様で、図1〜図6に示す通りである。
また、ハードビットリードに加えソフトビットリードを行い、更に補正読出し方式を採用している点も、第1の実施の形態と同様である。ただし、この実施の形態では、選択メモリセルMCn、及び隣接メモリセルMCn+1の読み出し手順、具体的には選択ワード線WLn、隣接ワード線WLn+1への各種電圧の印加手順が第1の実施の形態と異なっており、これを図14に従って説明する。
まず、時刻t11〜t12の間は、第1の実施の形態と同様の動作を行う。
続く時刻t13で、別の読み出しコマンドが発行された後は、まず、時刻t12で選択しデータラッチDLXに保持した電圧BRによる読み出しデータを、メモリセルMCnの下位データ(LOWER)として外部インタフェースI/Fを通じて外部に出力する。
一方、これと並行して、隣接ワード線WLn+1に、電圧AR、BRのみを印加し、その読み出しデータをデータラッチDL0、DL1に格納する。換言すれば、メモリセルMCn+1の2ビットデータの読み出し動作の一部のみが実行され、残りの部分は、続く選択ワード線WLnに対する動作の終了後である時刻t16以降に行われる。
一方、これと並行して、隣接ワード線WLn+1に、電圧AR、BRのみを印加し、その読み出しデータをデータラッチDL0、DL1に格納する。換言すれば、メモリセルMCn+1の2ビットデータの読み出し動作の一部のみが実行され、残りの部分は、続く選択ワード線WLnに対する動作の終了後である時刻t16以降に行われる。
電圧AR、BRが印加されることにより、隣接メモリセルMCn+1が、
(1)閾値電圧分布ER(データ”11”)にあるのか、
(2)閾値電圧分布A(データ”01”)にあるのか、それとも
(3)閾値電圧分布B、C(データ”00”又は”10”)のいずれかであるのか
が判別され、これが2ビットのデータとしてデータラッチDL0、DL1に格納される。
(1)閾値電圧分布ER(データ”11”)にあるのか、
(2)閾値電圧分布A(データ”01”)にあるのか、それとも
(3)閾値電圧分布B、C(データ”00”又は”10”)のいずれかであるのか
が判別され、これが2ビットのデータとしてデータラッチDL0、DL1に格納される。
続いて、時刻t14において、選択ワード線WLnを活性化させて選択メモリセルMCnの読み出しを行うが、このとき、選択ワード線WLnには、電圧ARとして、電圧ARer、ARa、ARbの3段階の電圧のみを印加する。電圧ARcの印加は、この段階では実行せず、続く隣接ワード線WLn+1に対する読み出し動作の終了後である時刻t17で行う。
そして、隣接メモリセルMCn+1が上記の(1)であるならば電圧ARerにより得られた読み出しデータを選択してデータラッチDL0またはDL1(ここではDL0とする)に保持する。(2)であるならば電圧ARaにより得られた読み出しデータを選択してデータラッチDL0に保持する。(3)であるならば電圧ARbにより得られた読み出しデータを選択してデータラッチDL0に保持する。
時刻t15以降、このデータラッチDL0の保持データは、外部インタフェースI/Fを介して外部に出力される。また、これと並行して、選択ワード線WLn+1には、電圧CRとして、電圧CRer、CRa、CRbの3段階の電圧のみを印加する(電圧CRcの印加は、この段階では実行しない)。そして、電圧ARの場合と同様に、隣接メモリセルMCn+1の読み出しデータが(1)〜(3)のいずれであるのかにより、電圧CRer、CRa、CRbにより得られた3通りの読み出しデータのうちのいずれか1つが選択され、これがデータラッチDL1に保持される。すなわち、この時刻t14〜t15では、メモリセルMCnのハードビットリード動作の一部のみが実行され、残りの部分は、次に説明するメモリセルMCn+1に対する残りのリード動作の終了後である時刻t17で行われる。
続く時刻t16では、データラッチDLXから外部インタフェースを介して、電圧CRの印加により得られたデータが外部に出力され、これと並行して、隣接ワード線WLn+1には電圧CRが印加される。この電圧CRの印加により、隣接メモリセルMCn+1の保持データが、閾値電圧分布C(データ”10”)であったのか、それともそれ以外の分布ER、A,B(データ”11”、”01”、”00”)のいずれであったのかが判別される。その判別の結果が、データラッチDL1に格納される。
続く時刻t17では、選択ワード線WLnに対し、時刻t14〜t15の段階では印加されなかった電圧ARc、CRcが連続して印加され、この印加に基づくデータが読み出される。この読み出されたデータは、データラッチDL1の格納データに従って、この読み出されたデータを、すでに読み出し済みの電圧AR、CRのデータと置き換えるのか、それとも読み出し済みの電圧AR、CRのデータをそのまま維持するのかが判定される。
以上により、メモリセルMCnのハードビットリード動作が完了する。この実施の形態では、第1の実施の形態と異なり、隣接ワード線WLn+1に対する複数種類の電圧(AR、BR、CR)の印加動作と、選択ワード線WLnに対する複数種類の電圧(ARer、ARa、ARb、ARc、CRer、CRa、CRb、ARc、CRc)の印加動作とが、時刻t13〜t17の間において、それぞれ複数ステップに分割して印加されている(それぞれの動作が所定の小単位に分割して実行され、一方の動作の一部が他方の動作の一部の間に割り込むようにされている)。これにより、データラッチの記憶容量を小さくすることができ、第1の実施の形態に比べ、高速な読み出し動作を行うことができる。
次に、時刻t18では、時刻t17での読み出し動作の結果である選択メモリセルMCnの上位データ(UPPER)の外部インタフェースI/Fを介した読み出しを並行に行いつつ、新たな読み出しコマンドに従い、隣接メモリセルMCn+1に、電圧AR、BRが印加され、上記と同様に、隣接メモリセルMCn+1が、
(1)閾値電圧分布ER(データ”11”)にあるのか、
(2)閾値電圧分布A(データ”01”)にあるのか、それとも
(3)閾値電圧分布B、C(データ”00”又は”10”)のいずれかであるのか
が判別され、これが2ビットのデータとしてデータラッチDL0、DL1に格納される。
(1)閾値電圧分布ER(データ”11”)にあるのか、
(2)閾値電圧分布A(データ”01”)にあるのか、それとも
(3)閾値電圧分布B、C(データ”00”又は”10”)のいずれかであるのか
が判別され、これが2ビットのデータとしてデータラッチDL0、DL1に格納される。
続く時刻t19では、第1のソフトビットリード動作の一部を実行するため、選択ワード線WLnに、電圧AR−、BR−、CR−が、更にそれぞれ3段階の大きさの電圧(AR−er、AR−a、AR−b、BR−er、BR−a、BR−b、CR−er、CR−a、CR−b)に切り換えて印加される。ここでも、電圧AR−、BR−、CR−の各4段階の電圧のうち、AR−c、BR−c、CR−cはこの段階では印加されない。これらは、後述する隣接ワード線WLn+1に対する電圧印加動作を挟んで(当該動作の後に)行われる。
電圧AR−er、電圧AR−a、電圧AR−bにより得られた3種類のデータのうちの1つが、データラッチDL0、DL1に格納されたデータに従って選択され、これがデータラッチDLXに格納され、その後外部インタフェースI/Fを介して外部に出力される。電圧BR−er、BR−a、BR−bにより得られたデータにおいても同様の動作が行われる。また、電圧CR−er、CR−a、CR−bに関して同様である。
その後、時刻t20において、隣接ワード線WLn+1に電圧CRが印加され、この電圧CRによる読み出しデータがデータラッチDL1に格納される。その後、選択ワード線WLnには、時刻t19では印加されなかった電圧AR−c、BR−c、CR−cが連続して印加され、それぞれの電圧に基づくデータが読み出される。この読み出されたデータは、データラッチDL1の格納データに従って、この読み出されたデータを、すでに読み出し済みの電圧AR−、BR−、CR−のデータと置き換えるのか、それとも読み出し済みの電圧AR−、BR−、CR−のデータをそのまま維持するのかが判定される。
以下、時刻t21、時刻t22、時刻t23において、電圧AR+、BR+、CR+(第2のソフトビットリード動作)につき、電圧AR−、BR−、CR−における場合と同様の動作がなされる。この時刻t21〜時刻t23の動作により、隣接メモリセルMCn+1の状態に応じて、選択メモリセルMCにおいて最適な状態でソフトビットリードを実行することができる。
このソフトビットリード動作(時刻t19以降)でも、隣接ワード線WLn+1に対する一連の動作と、選択ワード線WLnに対する一連の動作とが、それぞれ所定の小単位に分割して実行され、その分割された手順の間に、他方の動作が割り込み、交互に実施されるようにされている。このように、選択ワード線WLn、隣接ワード線WLn+1に対する動作が交互に行われることにより、データラッチの記憶容量を小さくすることができ、読み出し動作の高速化を図ることができる。
[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態に係る半導体記憶装置を、図15を参照して説明する。この第3の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成は、第1の実施の形態と略同様で、図1〜図6に示す通りである。
次に、本発明の第3の実施の形態に係る半導体記憶装置を、図15を参照して説明する。この第3の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成は、第1の実施の形態と略同様で、図1〜図6に示す通りである。
また、ハードビットリードに加えソフトビットリードを行い、更に補正読出し方式を採用している点も、第1、第2の実施の形態と同様である。
また、隣接ワード線WLn+1に対する一連の動作と、選択ワード線WLnに対する一連の動作とが、それぞれ分割して実行され、その分割された手順の間に、他方の動作が割り込むようにされ、この点は、第2の実施の形態と共通している。以下、第2の実施の形態の動作と異なる点を中心に、第3の実施の形態の動作を図15を参照して説明する。
また、隣接ワード線WLn+1に対する一連の動作と、選択ワード線WLnに対する一連の動作とが、それぞれ分割して実行され、その分割された手順の間に、他方の動作が割り込むようにされ、この点は、第2の実施の形態と共通している。以下、第2の実施の形態の動作と異なる点を中心に、第3の実施の形態の動作を図15を参照して説明する。
まず、時刻t11〜t17の間は、第2の実施の形態と同様の動作を行う。
次に、時刻t18以降において、コマンドに従って、メモリセルMCnのハードビットリードの上位データ(UPPER)のデータを外部インタフェースI/Fから読み出した後、時刻t19以降、ソフトビットリード動作を開始する。時刻t19では、読み出しコマンドに従い、隣接ワード線WLn+1に沿った隣接メモリセルMCn+1の読み出し動作が実行され、順次隣接ワード線WLn+1に電圧AR、BR、CRが印加される。これにより、隣接メモリセルMCn+1に格納された4値データに対応する2ビットのデータが演算回路31を介して読み出され、これが図8に示すセンスアンプ回路3bの2つのデータラッチDL1、DL0に格納される。
次に、時刻t20〜t21では、電圧AR−,BR−、CR−に基づく第1ソフトビットリード動作が時刻t20において行われ、次に、電圧AR+,BR+、CR+に基づく第2ソフトビットリード動作が時刻t21において行われる。第2の実施の形態では、第1のソフトビットリードのための動作が、隣接ワード線WLn+1に対する読み出し動作と交互に、更に小単位に分けて実行されていた。これに対し、本実施の形態では、図15に示すように、電圧AR−,BR−、CR−に基づく第1ソフトビットリード動作は、隣接ワード線WLn+1の読み出し動作を間に挟むことなく、一括して実行する。すなわち、電圧AR−,BR−、CR−は、他の電圧と共に一括して(連続して)印加され、合計12種類の電圧が連続して印加される。この読み出し結果は、データラッチDLXに格納される。
続いて、時刻t21では、この第1のソフトビットリードのリード結果を、データラッチDLXから外部インタフェースI/Fを介して外部に転送すると共に、これと並行して第2ソフトビットリード動作を、ワード線WLnに電圧AR+、BR+、CR+を印加することにより行う。この第2のソフトビットリードでは、第2の実施の形態と同様に、電圧AR+c、BR+c、CR+cの電圧の印加は、他の電圧の印加とは切り離して実行され、その間において、ワード線WLn+1に対する電圧CRの印加を行う形式を取る。この形式が取られることにより、データラッチDL0、DL1において空きが生じるので、その空きの部分を用いて、時刻t20で行った第1ソフトビットデータの読み出しを、並行して実行することができる。
[第4の実施の形態]
次に、本発明の第4の実施の形態に係る半導体記憶装置を、図16を参照して説明する。この第4の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成の読み出し動作は、第3の実施の形態と略同様であるが、時刻t19において、隣接ワード線WLn+1に沿ったメモリセルMCn+1のデータ読み出し(電圧AR、BR、CRの印加)と、その前に読み出されデータラッチに保持されたメモリセルMCnの上位データ(UPPER)の読み出しとが並行して実行される点が、第3の実施の形態と異なる。それ以外は第3の実施の形態と同様である。
次に、本発明の第4の実施の形態に係る半導体記憶装置を、図16を参照して説明する。この第4の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成の読み出し動作は、第3の実施の形態と略同様であるが、時刻t19において、隣接ワード線WLn+1に沿ったメモリセルMCn+1のデータ読み出し(電圧AR、BR、CRの印加)と、その前に読み出されデータラッチに保持されたメモリセルMCnの上位データ(UPPER)の読み出しとが並行して実行される点が、第3の実施の形態と異なる。それ以外は第3の実施の形態と同様である。
以上、発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、追加等が可能である。
1・・・メモリセルアレイ、 2・・・ロウデコーダ、 3・・・センスアンプ回路、 4・・・カラムデコーダ、 5・・・アドレスレジスタ、 6・・・制御回路、 8・・・コマンドレジスタ、 10・・・高電圧発生回路、 11、12・・・ステータスレジスタ、 13・・・入出力制御回路、 14・・・論理回路、 20・・・メモリカード、 21・・・フラッシュメモリチップ、 22・・・メモリコントローラ、 23・・・NANDフラッシュインタフェース、 24・・・MPU、 25・・・ホストインタフェース、 26・・・バッファRAM、 27・・・ハードウェアシーケンサ、 31・・・演算回路。
Claims (5)
- 複数の閾値電圧分布に割り付けられた複数ビットの情報を記憶することが可能なメモリセルを複数配列させたメモリセルアレイと、
前記メモリセルに保持されたデータを読み出すとともに、前記メモリセルの閾値電圧が前記複数の閾値電圧分布の1つの中のどの位置にあるかを示す閾値電圧情報を読み出すセンスアンプ回路と、
前記メモリセルから読み出された前記データ及び前記閾値電圧情報を保持する第1のデータ保持回路と、
前記メモリセルから読み出された前記データ及び前記閾値電圧情報を保持するとともに、外部に出力する第2のデータ保持回路と、
前記第1データ保持回路が保持するデータ、第2のデータ保持回路が保持するデータ、及び前記センスアンプが読み出したデータの間の演算を行う演算器と、
前記メモリセルアレイに対する読み出し動作、書き込み動作及び消去動作を制御する制御回路と
を備え、
前記制御回路は、
データ読み出しの対象である選択メモリセルが接続された第1ワード線と隣接する第2ワード線に接続された隣接メモリセルのデータを読み出し、このデータを前記第1のデータ保持回路に保持させる第1動作と、
前記データ又は前記閾値電圧情報の読み出しのために前記第1ワード線に印加される複数種類のワード線電圧を更にそれぞれ複数通りの大きさに変化させ、この複数通りの前記ワード線電圧により読み出された複数通りのデータの1つを、前記第1のデータ保持回路に保持されたデータに従って選択する第2動作と、
この第2動作により選択されたデータを外部に出力する第3動作と
を実行可能に構成され、
前記第3動作は、引き続いて実行される前記第1動作又は前記第2動作と同時に行われる
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1動作と、前記第2動作とが、所定の小単位に分割されると共に、前記第1動作の小単位と、前記第2動作の小単位とを交互に実施するように構成された請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記第2動作では、
前記選択ワード線に印加される複数種類の前記前記ワード線電圧それぞれの複数通りの大きさの電圧のうち、一部を複数の前記小単位のうちの第1の小単位に割り当てると共に、残りの電圧を前記第1の小単位とは別の第2の小単位に割り当てることを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の動作では、
前記第2ワード線に印加すべき複数種類のワード線電圧のうち、前記メモリセルに記憶される複数ビットの情報の上位ビットの情報を特定するのに必要な電圧を、前記小単位のうちの第1の小単位に割り当てると共に、残りの電圧を前記第1の小単位とは別の第2の小単位に割り当てることを特徴とする請求項3記載の半導体記憶装置。 - 前記第2動作では、選択されたデータを前記第2のデータ保持回路に転送して保持させる動作を含む請求項1に記載の半導体記憶装置。
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