JP2015059269A - 円筒形スパッタリングターゲットとその製造方法 - Google Patents
円筒形スパッタリングターゲットとその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015059269A JP2015059269A JP2013195904A JP2013195904A JP2015059269A JP 2015059269 A JP2015059269 A JP 2015059269A JP 2013195904 A JP2013195904 A JP 2013195904A JP 2013195904 A JP2013195904 A JP 2013195904A JP 2015059269 A JP2015059269 A JP 2015059269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- cylindrical
- solder material
- face
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】セラミックス製の円筒形焼結体1裏面3とバッキングチューブ4を裏面用ハンダ材6により接合してなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、少なくとも2個以上の円筒形焼結体1の端面2が前記ハンダ材6よりも高い融点を持つ端面用ハンダ材5で接合されており、かつ、分割部の間隔が0.1mm未満であるセラミックス製円筒形スパッタリングターゲット。
【選択図】図1
Description
(1)円筒形焼結体の裏面とバッキングチューブを裏面用ハンダ材により接合してなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、少なくとも2個以上の円筒形焼結体の端面が、前記ハンダ材よりも高い融点を持つ端面用ハンダ材で接合されており、かつ、分割部の間隔が0.1mm未満であることを特徴とするセラミックス製円筒形スパッタリングターゲット。
(2)円筒形焼結体の接合部の各端面の、算術平均粗さ(Ra)が1μm以下であり、最大高さ(Ry)が10μm以下であることを特徴とする(1)に記載のスパッタリングターゲット。
(3)円筒形焼結体の接合部の各端面が鏡面仕上げとなっていることを特徴とする(1)又は(2)に記載のスパッタリングターゲット。
(4)端面で接合された焼結体同士の接合強度が1MPa以上であることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
(5)少なくとも2個以上の円筒形焼結体の端面を端面用ハンダ材で接着固化させた後、溶融した裏面用ハンダ材を焼結体とバッキングチューブのクリアランスに充填し接着固化させることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
円筒形焼結体の製造方法は、原料粉末の焼結挙動に適した成形方法および焼成方法を適宜選択することが可能であり、特に限定されるものではない。成形方法は、原料粉末を目的とした形状に成形できる成形方法を適宜選択することが可能であり、特に限定されるものではない。成形方法としてはプレス成形法、鋳込み成形法、射出成形法等が例示できる。成形体の密度は特に限定されるものではないが、密度が高いほど取扱いによる成形体の割れが少なくなり、かつ、焼成した後の焼結体密度も上昇しやすいので可能な限り高めた方が好ましい。そのために冷間静水圧プレス(CIP)成形等の方法を用いることも可能である。また、焼成方法としては、電気炉、ガス炉、HIP(等方熱間プレス)、HP(ホットプレス)およびマイクロ波炉等が例示できる。
次に、円筒形焼結体の端面に端面用ハンダ材を塗布する。ここで用いる端面用ハンダ材は、裏面用ハンダ材の融点よりも高いものを用いる必要がある。裏面用ハンダ材の融点よりも低いハンダ材を用いると、焼結体とバッキングチューブのクリアランスに裏面用ハンダ材を充填するときに、焼結体端部も裏面用ハンダ材の融点以上の温度に加熱されるため、端面用ハンダ材が溶融し、分割部から裏面用ハンダ材が漏れ出てしまい、裏面用ハンダの封止ができなくなる。
次に、焼結体裏面とバッキングチューブのクリアランスに裏面用ハンダ材を充填する。充填方法は特に限定されないが、溶融した裏面用ハンダ材を、焼結体とバッキングチューブのクリアランス上部から流し込む場合には、クリアランス下部にゴム等で蓋をして裏面用ハンダ材が漏れ出さないようにする。
円筒形IGZO焼結体(密度97%、原子組成比In:Ga:Zn=1:1:1)を作製し、マシニングセンターを用いて内径135mm、厚さ6mm、長さ250mmに加工した。焼結体端面の算術平均粗さ(Ra)を0.1μm、最大高さ(Ry)を0.5μm、裏面の粗さ(Ra)を1.0μmとした。
(スパッタリング条件)
電源 :DC電源 MDX(5kW)
磁場 :500G
回転数:6rpm
圧力 :0.35Pa
実施例2〜4
円筒形ITO焼結体(密度99%、重量組成比In2O3:SnO2=90:10)および円筒形AZO焼結体(密度99%、重量組成比ZnO:Al2O3=98:2)を用いて、それぞれ円筒形ITOスパッタリングターゲットおよび円筒形AZOスパッタリングターゲットを作製した。焼結体及び/又は端面用ハンダ材の厚み以外は実施例1と同様の製法でそれぞれのターゲットを作製した。光学顕微鏡で観察した分割部の間隔および、スパッタリングによるアーキング数を表1に示す。スパッタされた膜からは分割部からSn等の不純物成分は認められなかった。
実施例と同様のIGZO焼結体、ITO焼結体、AZO焼結体を用い、特許文献1に記載の方法並びに端面用ハンダ材の厚み以外は実施例と同様の方法でターゲットを作製した。光学顕微鏡で観察した分割部の間隔および、スパッタリングによるアーキング数を表1に示す。比較例条件においては、スパッタされた膜より、分割部から飛び出したと思われる裏面ハンダ材成分のインジウムパーティクルの発生や、スパッタリング時の焼結体割れ発生が認められた。
実施例1と同様の円筒形IGZO焼結体(密度97%、原子組成比In:Ga:Zn=1:1:1)を作製し、マシニングセンターを用いて内径135mm、厚さ6mm、長さ250mmに加工した。焼結体端面の算術平均粗さ(Ra)を0.1μm、最大高さ(Ry)を0.5μm、裏面の粗さ(Ra)を1.0μmとした。
2 焼結体端面
3 焼結体裏面
4 バッキングチューブ
5 端面用ハンダ材
6 裏面用ハンダ材
7 端面用ハンダ材と裏面用ハンダ材の接触部分
Claims (5)
- 円筒形焼結体の裏面とバッキングチューブを裏面用ハンダ材により接合してなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、少なくとも2個以上の円筒形焼結体の端面が、前記ハンダ材よりも高い融点を持つ端面用ハンダ材で接合されており、かつ、分割部の間隔が0.1mm未満であることを特徴とするセラミックス製円筒形スパッタリングターゲット。
- 円筒形焼結体の接合部の各端面の、算術平均粗さ(Ra)が1μm以下であり、最大高さ(Ry)が10μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 円筒形焼結体の接合部の各端面が鏡面仕上げとなっていることを特徴とする請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
- 端面で接合された焼結体同士の接合強度が1MPa以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
- 少なくとも2個以上の円筒形焼結体の端面を端面用ハンダ材で接着固化させた後、溶融した裏面用ハンダ材を焼結体とバッキングチューブのクリアランスに充填し接着固化させることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013195904A JP6273735B2 (ja) | 2013-09-20 | 2013-09-20 | 円筒形スパッタリングターゲットとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013195904A JP6273735B2 (ja) | 2013-09-20 | 2013-09-20 | 円筒形スパッタリングターゲットとその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015059269A true JP2015059269A (ja) | 2015-03-30 |
JP6273735B2 JP6273735B2 (ja) | 2018-02-07 |
Family
ID=52817043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013195904A Active JP6273735B2 (ja) | 2013-09-20 | 2013-09-20 | 円筒形スパッタリングターゲットとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6273735B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5947413B1 (ja) * | 2015-02-13 | 2016-07-06 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPWO2016140021A1 (ja) * | 2015-03-05 | 2017-12-14 | 三井金属鉱業株式会社 | セラミックス円筒形ターゲット材および円筒形スパッタリングターゲット |
CN107921849A (zh) * | 2015-08-26 | 2018-04-17 | 特斯拉公司 | 车辆前车门电力打开系统 |
CN110257782A (zh) * | 2016-03-28 | 2019-09-20 | Jx金属株式会社 | 圆筒型溅射靶及其制造方法 |
CN110408897A (zh) * | 2019-08-13 | 2019-11-05 | 北京航大微纳科技有限公司 | 一种旋转靶材的垂直绑定装置以及绑定方法 |
US10679833B2 (en) | 2015-03-23 | 2020-06-09 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Cylindrical sputtering target |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5920470A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-02 | Murata Mfg Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
JPH01230768A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-14 | Asahi Glass Co Ltd | スパッター用ターゲットユニットの製造方法および透明電導膜の製造方法 |
JP2000239838A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-09-05 | Sony Corp | 固相拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体およびその製造方法 |
JP2000345326A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-12 | Tosoh Corp | 分割itoスパッタリングターゲット |
JP2004315931A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JP2008184640A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Tosoh Corp | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2010106330A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Ulvac Material Kk | スパッタリングターゲットの製造方法、スパッタリングターゲット、スパッタリング装置 |
WO2012063525A1 (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2012063523A1 (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2013185160A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | スパッタリングターゲット |
-
2013
- 2013-09-20 JP JP2013195904A patent/JP6273735B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5920470A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-02 | Murata Mfg Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
JPH01230768A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-14 | Asahi Glass Co Ltd | スパッター用ターゲットユニットの製造方法および透明電導膜の製造方法 |
JP2000239838A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-09-05 | Sony Corp | 固相拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体およびその製造方法 |
JP2000345326A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-12 | Tosoh Corp | 分割itoスパッタリングターゲット |
JP2004315931A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JP2008184640A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Tosoh Corp | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2010106330A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Ulvac Material Kk | スパッタリングターゲットの製造方法、スパッタリングターゲット、スパッタリング装置 |
WO2012063525A1 (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2012063523A1 (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2013185160A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | スパッタリングターゲット |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5947413B1 (ja) * | 2015-02-13 | 2016-07-06 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2016148093A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPWO2016140021A1 (ja) * | 2015-03-05 | 2017-12-14 | 三井金属鉱業株式会社 | セラミックス円筒形ターゲット材および円筒形スパッタリングターゲット |
US10679833B2 (en) | 2015-03-23 | 2020-06-09 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Cylindrical sputtering target |
CN107921849A (zh) * | 2015-08-26 | 2018-04-17 | 特斯拉公司 | 车辆前车门电力打开系统 |
CN110257782A (zh) * | 2016-03-28 | 2019-09-20 | Jx金属株式会社 | 圆筒型溅射靶及其制造方法 |
CN110257782B (zh) * | 2016-03-28 | 2021-12-21 | Jx金属株式会社 | 圆筒型溅射靶及其制造方法 |
CN110408897A (zh) * | 2019-08-13 | 2019-11-05 | 北京航大微纳科技有限公司 | 一种旋转靶材的垂直绑定装置以及绑定方法 |
CN110408897B (zh) * | 2019-08-13 | 2023-05-05 | 北京航大微纳科技有限公司 | 一种旋转靶材的垂直绑定装置以及绑定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6273735B2 (ja) | 2018-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6273735B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
JP5818139B2 (ja) | Cu−Ga合金ターゲット材およびその製造方法 | |
KR101249566B1 (ko) | Cu-Ga 소결체 스퍼터링 타깃 및 동 타깃의 제조 방법 | |
KR101175091B1 (ko) | 소결체의 제조 방법, 소결체, 당해 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타겟 및 스퍼터링 타겟-백킹 플레이트 조립체 | |
TW200540289A (en) | Cylindrical sputtering target, ceramic sintered body, and process for producing sintered body | |
JP2015168832A (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
JP6052137B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材、ならびに、円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP2010150610A (ja) | 円筒形スパッタリングターゲット | |
JP7101717B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2009144226A (ja) | 金属亜鉛含有スパッタリングターゲット | |
TWI553140B (zh) | Sputtering target - backplane assembly | |
JP6273734B2 (ja) | 平板形スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
KR101923292B1 (ko) | 방식성의 금속과 Mo 또는 Mo 합금을 확산 접합한 백킹 플레이트, 및 그 백킹 플레이트를 구비한 스퍼터링 타깃-백킹 플레이트 조립체 | |
JP2010106330A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法、スパッタリングターゲット、スパッタリング装置 | |
JP2015045060A (ja) | Cu系粉末の製造方法およびこれを用いたCu系スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP5947413B1 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP5438825B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP6291551B2 (ja) | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 | |
KR20150120073A (ko) | Izo 스퍼터링 타겟 제조방법 | |
JP2014210943A (ja) | Cu−Ga合金ターゲット材およびその製造方法 | |
JP6297620B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP4985215B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2017150089A (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
WO2014128976A1 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
TW201404892A (zh) | 高蒸氣壓硫屬元素合金塊材之製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170516 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170523 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170707 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170801 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171024 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20171107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171225 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6273735 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |