JP2015056602A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図2に、本発明の一実施形態にかかる半導体装置の構造を示す。半導体装置20は、機能回路を構成する化合物半導体素子24が形成された化合物半導体基板23と、熱伝導率が化合物半導体基板23より高い実装基板21(第1の基板)と、化合物半導体基板23と実装基板21とを接着するための金属層22により構成されている。
次に、本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法について、図3を参照して説明する。
12,22 金属層
13,23 化合物半導体基板
14,24 化合物半導体素子
15 素子電極
16 放熱ビア
17 金属配線
18 層間絶縁膜
25 仮接着層
26 第2の基板
Claims (8)
- 機能回路を構成する化合物半導体素子が形成された化合物半導体基板と、
熱伝導率が前記化合物半導体基板より高い第1の基板と、
前記化合物半導体基板と前記実装基板とを接合するための金属層と
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記金属層は多層構造であって、前記化合物半導体基板と前記第1の基板とに接する金属層はTiであり、前記化合物半導体基板と前記第1の基板とを接合するための金属層は、AuまたはCuであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の基板は、Si、SiC、AlN、ダイヤモンド、Au、Cu、Alのいずれかの材料で構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 機能回路を構成する化合物半導体素子が形成された化合物半導体基板の上に接着層を形成する工程と、
前記接着層を薄層化し、かつ表面を平坦化する工程と、
前記接着層に第2の基板を接合する工程と、
前記化合物半導体基板の前記機能回路が形成された面と対向する面を薄層化し、かつ表面を平坦化する工程と、
前記化合物半導体基板の前記対向する面に第2の金属層を形成する工程と、
熱伝導率が前記化合物半導体基板より高く、第1の金属層が形成された第1の基板と、前記化合物半導体基板とを、前記第1および第2の金属層を介して接合する工程と、
前記第2の基板と前記接着層を前記化合物半導体基板から剥離する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記接着層は、前記化合物半導体基板の厚さと同じか、またはそれ以下に薄層化する
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の金属層は多層構造であって、前記第1の基板に接する側からTi/AuまたはTi/Cuであり、
前記第2の金属層は多層構造であって、前記化合物半導体基板に接する側からTi/AuまたはTi/Cuであり、
前記化合物半導体基板と前記第1の基板とは、AuまたはCuにより接合されることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記化合物半導体基板と前記第1の基板との接合は、表面活性化接合法が用いられることを特徴とする請求項4、5または6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の基板は、Si、SiC、AlN、ダイヤモンド、Au、Cu、Alのいずれかの材料で構成されることを特徴とする請求項4ないし7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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