JP2015052660A - 表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、この組成物の調製方法、表示素子の絶縁膜、この絶縁膜の形成方法及び表示素子 - Google Patents

Abstract

【課題】放射線感度等の感放射線性樹脂組成物に要求される一般的特性及び保存安定性に優れ、かつ絶縁膜の密着性不良の低減を可能とする表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、カルボキシル基を含む第１構造単位及びカルボキシル基が保護基により保護される第２構造単位のうちの少なくとも上記第２構造単位と、架橋性基を含む第３構造単位とを有する第１重合体、上記第１構造単位及び上記第２構造単位のうちの少なくとも上記第１構造単位と、上記第３構造単位とを有する第２重合体、並びに感放射線性酸発生体を含有し、上記第１重合体における上記第１構造単位と上記第２構造単位との合計モル数中の上記第２構造単位のモル割合である第１保護率と、上記第２重合体における上記質量モルである第２保護率との差が５モル％以上７０モル％以下である表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物である。【選択図】なし

Description

本発明は、表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、この組成物の調製方法、表示素子の絶縁膜、この絶縁膜の形成方法及び表示素子に関する。

薄膜トランジスタ型液晶表示素子や有機エレクトロルミネッセンス素子に代表される表示素子は、一般に層間絶縁膜や平坦化膜等の絶縁膜を有している。このような絶縁膜は、一般的に感放射線性樹脂組成物を用いて形成されている。かかる感放射線性樹脂組成物としては、パターニング性能の観点からナフトキノンジアジド等の酸発生剤を用いたポジ型感放射線性樹脂組成物が用いられていたが（特開２００１−３５４８２２号公報参照）、近年では種々の感放射線性樹脂組成物が提案されている。

その一例として、特開２００４−４６６９号公報では、上記ポジ型感放射線性樹脂組成物よりも高い感度で表示素子用の絶縁膜の形成することを目的とするポジ型化学増幅材料が提案されている。このポジ型化学増幅材料は、架橋剤、酸発生剤、及び酸解離性樹脂を含有するものである。酸解離性樹脂は、酸の作用により解裂しうる保護基を有するものであり、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用により保護基が解裂することでアルカリ水溶液に可溶となる。また、特開２００４−２６４６２３号公報及び特開２００８−３０４９０２号公報には、酸発生剤と、アセタール構造及び／又はケタール構造並びにエポキシ基を有する樹脂とを含有するポジ型感放射線性樹脂組成物が提案されている。

しかしながら、上述の感放射線性樹脂組成物、特にポジ型化学増幅材料を用いる場合、露光時に発生した酸は、加熱工程までの引き置き時間において、雰囲気中の塩基性物質に中和されることにより失活し、又は未露光部へ拡散するおそれがある。このような酸の失活や拡散が生じると、基板と絶縁膜との密着性が低下するという問題が生じる（特開平６−２６６１００号公報参照）。

露光後の引き置きは、大型サイズのガラス基板を用いる場合には、製造プロセスで頻繁に発生する。そのため、露光後の引き置きによる影響を低減し、安定したパターン形成が可能な感放射線性樹脂組成物が求められている。

露光後の引き置きによる影響を低減させるには、未露光部への酸の拡散を低減させることが考えられる。そして、酸の拡散を抑制するためには塩基性物質を添加することが有効である。しかし、塩基性物質にアミン化合物を用いた場合、組成物中の樹脂の硬化反応を促進してしまうため、感放射線性樹脂組成物の保存安定性が低下することが懸念される。

このように、酸の拡散等による絶縁膜の密着性の低下を抑制することと感放射線性樹脂組成物の保存安定性の低下を抑制することを両立するのは困難である。一方、感放射線性樹脂組成物は、放射線感度等の一般的特性が要求されるため、絶縁膜の密着性や保存安定性を改善するに当たっても、上記一般的特性を満足するように配慮する必要がある。

特開２００１−３５４８２２号公報 特開２００４−４６６９号公報 特開２００４−２６４６２３号公報 特開２００８−３０４９０２号公報 特開平６−２６６１００号公報参照

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、放射線感度等の感放射線性樹脂組成物に要求される一般的特性及び保存安定性に優れ、かつ絶縁膜の密着性不良の低減を可能とする表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明はさらに、当該感放射線性樹脂組成物の調製方法、当該感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子用の絶縁膜、この絶縁膜の形成方法、及び当該絶縁膜を備える表示素子を提供することを目的とする。

上記課題を解決するためになされた発明は、カルボキシル基を含む第１構造単位（以下「構造単位（Ｉ）」ともいう）及びカルボキシル基が保護基により保護される第２構造単位（以下「構造単位（ＩＩ）」ともいう）のうちの少なくとも上記第２構造単位と、架橋性基を含む第３構造単位とを有する第１重合体（以下「［Ａ１］重合体」ともいう）、上記第１構造単位及び上記第２構造単位のうちの少なくとも上記第１構造単位と、上記第３構造単位とを有する第２重合体（以下「［Ａ２］重合体」ともいう）（以下［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体をまとめて「［Ａ］重合体成分」ともいう）、並びに感放射線性酸発生体を含有し、上記第１重合体における上記第１構造単位と上記第２構造単位との合計モル数中の上記第２構造単位のモル割合である第１保護率と、上記第２重合体における上記モル割合である第２保護率との差が５モル％以上７０モル％以下である表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物（以下「感放射線性樹脂組成物」ともいう）である。

上記課題を解決するためになされた別の発明は、カルボキシル基を含む第１構造単位及びカルボキシル基が保護基により保護される第２構造単位のうちの少なくとも上記第２構造単位と、架橋性基を含む第３構造単位とを有する第１重合体、並びに上記第１構造単位及び上記第２構造単位のうちの少なくとも上記第１構造単位と、上記第３構造単位とを有する第２重合体を配合する工程を備え、上記第１重合体における上記第１構造単位と上記第２構造単位との合計モル数中の上記第２構造単位のモル割合である第１保護率と、上記第２重合体における上記モル割合である第２保護率との差が５モル％以上７０モル％以下である表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物の調製方法である。

上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、基板上に塗膜を形成する工程、この塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び現像された塗膜を加熱する工程を備える絶縁膜の形成方法であって、上記塗膜の形成に当該絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物を用いる表示素子の絶縁膜形成方法である。

本発明はさらに、当該感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子の絶縁膜、及び当該絶縁膜を備える表示素子を含む。

本発明は、放射線感度等の一般的特性を十分に満足すると共に保存安定性に優れ、かつ絶縁膜の密着性不良の低減を可能とする表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物を提供することができる。本発明はさらに、当該感放射線性樹脂組成物の調製方法、当該感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子の絶縁膜、その形成方法、及び当該絶縁膜を備える表示素子を提供することができる。従って、当該感放射線性樹脂組成物、当該感放射線性樹脂組成物の調製方法、当該絶縁膜、当該絶縁膜の形成方法及び当該表示素子は、液晶表示デバイス等の製造プロセスに好適に使用することができる。

［感放射線性樹脂組成物］
本発明の感放射線性樹脂組成物は、表示素子の絶縁膜を形成するためのものである。当該感放射線性樹脂組成物は［Ａ］重合体成分及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有する。また、当該感放射線性樹脂組成物は好適成分として［Ｃ］酸化防止剤を含有してもよい。さらに、当該感放射線性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。

〔［Ａ］重合体成分〕
［Ａ］重合体成分は、［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体からなる。［Ａ１］重合体と［Ａ２］重合体とは保護率が異なる。ここで、保護率とは、［Ａ１］重合体又は［Ａ２］重合体における構造単位（Ｉ）と構造単位（ＩＩ）との合計モル数中の構造単位（ＩＩ）のモル割合（モル％）をいう。すなわち、上記保護率は、構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）のうちのカルボキシル基が保護される構造単位（Ｉ）のモル割合である。この保護率は、［Ａ１］重合体又は［Ａ２］重合体に対して構造単位（Ｉ）を与える単量体と構造単位（ＩＩ）を与える単量体との合計モル数中の構造単位（ＩＩ）を与える単量体のモル割合として定義することもできる。なお、本実施形態では、［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体のうちの保護率の高い方が［Ａ１］重合体であり、保護率の低い方が［Ａ２］重合体である。

［Ａ１］重合体と［Ａ２］重合体とは、保護率が異なることで酸の拡散や水等に対するカルボキシル基の保護程度が異なるため、保存安定性や絶縁膜の密着性が異なる。そのため、当該感放射線性樹脂組成物は、［Ａ１］重合体と［Ａ２］重合体との保護率の差を所定範囲とすることで保存安定性と絶縁膜の密着性とを両立することが可能となる。

［Ａ１］重合体と［Ａ２］重合体との保護率の差の下限は、５質量％であり、好ましくは１０質量％、より好ましくは１５質量％である。上記保護率の差の上限は、７０質量％であり、好ましくは６５質量％、より好ましくは６０質量％である。上記保護率の差が上記下限未満であると、［Ａ１］重合体と［Ａ２］重合体との特性の差が小さく、［Ａ１］重合体の保護率と［Ａ２］重合体の保護率とを異ならせることによる保存安定性と絶縁膜の密着性との両立という効果を十分に得られないおそれがあると共に、放射線感度等の感放射線性樹脂組成物に要求される一般的特性を満足しないおそれがある。一方、上記保護率の差が上記上限を超えると、［Ａ１］重合体と［Ａ２］重合体との特性の差が大きくなって一方の重合体の特性が顕著に表れることで、絶縁膜の密着性と保存安定性との両立という効果を十分に得られないおそれがあると共に、放射線感度等の感放射線性樹脂組成物に要求される一般的特性を満足しないおそれがある。

［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体の保護率は、当該感放射線性樹脂組成物に求められる特性、例えば形成される絶縁膜の密着性、保存安定性、耐光性、放射線感度等のうちの重視される特性、これらの特性のバランス等に応じて決定すればよい。［Ａ１］重合体の保護率は、通常１０質量％以上１００質量％以下である。一方、［Ａ２］重合体の保護率は、通常０質量％以上９０質量％以下である。

＜［Ａ１］重合体＞
［Ａ１］重合体は、［Ａ２］重合体よりも保護率が高いものである。この［Ａ１］重合体は、構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）のうちの少なくとも構造単位（ＩＩ）を有する。すなわち、［Ａ１］重合体は、構造単位（ＩＩ）が必須構造単位であると共に構造単位（Ｉ）が任意構造単位である。［Ａ１］重合体は、架橋性基を含む構造単位（ＩＩＩ）を有することが好ましく、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の構造単位を含んでいてもよい。

＜［Ａ２］重合体＞
［Ａ２］重合体は、［Ａ１］重合体よりも保護率が低いものである。この［Ａ２］重合体は、構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）のうちの少なくとも構造単位（Ｉ）を有する。すなわち、［Ａ２］重合体は、［Ａ１］重合体とは逆に、構造単位（Ｉ）が必須構造単位であると共に構造単位（ＩＩ）が任意構造単位である。［Ａ２］重合体は、架橋性基を含む構造単位（ＩＩＩ）を有することが好ましく、本発明の効果を損なわない範囲でその他の構造単位を含んでいてもよい。

（構造単位（Ｉ））
構造単位（Ｉ）は、カルボキシル基を含む。［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体は、アルカリ可溶性基であるカルボキシル基を含む構造単位（Ｉ）を有することで、現像液に対する溶解性を向上できると共に絶縁膜の密着性を向上できる。構造単位（Ｉ）としては、例えば、不飽和カルボン酸に由来する基が挙げられる。

不飽和カルボン酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等の不飽和モノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等の不飽和ジカルボン酸；
コハク酸モノ〔２−（メタ）アクリロイルオキシエチル〕、フタル酸モノ〔２−（メタ）アクリロイルオキシエチル〕、へキサヒドロフタル酸モノ２−（メタクリロイルオキシ）エチル等の多価カルボン酸のモノ［（メタ）アクリロイルオキシアルキル］エステル；
ω−カルボキシポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート等の両末端にカルボキシル基と水酸基とを有するポリマーのモノ（メタ）アクリレート；
５−カルボキシビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５，６−ジカルボキシビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−カルボキシ−５−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−カルボキシ−５−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−カルボキシ−６−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−カルボキシ−６−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５，６−ジカルボキシビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン無水物等のカルボキシル基を有する不飽和多環式化合物などが挙げられる。

構造単位（Ｉ）としては、下記式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）で表される構造単位（以下、それぞれ「構造単位（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）」ともいう）が好ましい。

上記式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）中、Ｒ^１４は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
上記式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）中、Ｒ^１５は、炭素数１〜６の２価の鎖状炭化水素基、炭素数４〜１２の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基である。
上記式（Ｉ−１）中、Ｒ^１６は、炭素数１〜６の２価の鎖状炭化水素基、炭素数４〜１２の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基である。

上記Ｒ^１４としては、構造単位（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）を与える単量体の共重合性等の観点から、水素原子、メチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。

上記Ｒ^１５及びＲ^１６で表される炭素数１〜６の２価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メタンジイル基、１，２−エタンジイル基、１，１−エタンジイル基、１，３−プロパンジイル基、１，２−プロパンジイル基、１，１−プロパンジイル基、２，２−プロパンジイル基、１，４−プロパンジイル基、１，５−ペンタンジイル基、１，６−ヘキサンジイル基、１−メチル−１，３−プロパンジイル基、２−メチル−１，３−プロパンジイル基、２−メチル−１，２−プロパンジイル基、１−メチル−１，４−ブタンジイル基、２−メチル−１，４−ブタンジイル基等の飽和鎖状炭化水素基；１，２−エテンジイル基、１，３−プロペンジイル基、１，２−プロペンジイル基等の不飽和鎖状炭化水素基などが挙げられる。

上記Ｒ^１５及びＲ^１６で表される炭素数４〜１２の２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、１，３−シクロブタンジイル基等のシクロブタンジイル基；１，３−シクロペンタンジイル基等のシクロペンタンジイル基；１，４−シクロヘキサンジイル基、１，２−シクロヘキサンジイル基等のシクロヘキサンジイル基；１，５−シクロオクタンジイル基等のシクロオクタンジイル基などの単環式炭化水素基；１，４−ノルボルナンジイル基、２，５−ノルボルナンジイル基等のノルボルナンジイル基、１，３−アダマンタンジイル基、２，４−アダマンタンジイル基等のアダマンタンジイル基等の多環式炭化水素基などが挙げられる。

上記Ｒ^１５及びＲ^１６で表される炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、トリレン基等のアリーレン基等が挙げられる。

構造単位（Ｉ−１）としては、例えば、下記式（Ｉ−１−１）〜（Ｉ−１−３）で表される構造単位等が挙げられ、構造単位（Ｉ−２）としては、例えば、下記式（Ｉ−２−１）及び（Ｉ−２−２）で表される構造単位等が挙げられる。

上記式（Ｉ−１−１）〜（Ｉ−１−３）、（Ｉ−２−１）及び（Ｉ−２−２）中、Ｒ^１４は、上記式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）と同義である。

構造単位（Ｉ）としては、上記式（Ｉ−３）で表される構造単位が好ましく、メタクリル酸又はアクリル酸に由来する構造単位がより好ましい。

［Ａ１］重合体における構造単位（Ｉ）の含有割合としては、［Ａ１］重合体を構成する全構造単位に対して、１５モル％以上８５モル％以下が好ましく、２５モル％以上７５モル％以下がより好ましく、２５モル％以上６５モル％以下がさらに好ましい。［Ａ２］重合体における構造単位（Ｉ）の含有割合としては、［Ａ２］重合体を構成する全構造単位に対して、１モル％以上５０モル％以下が好ましく、１０モル％以上４０モル％以下がより好ましく、１５モル％以上３０モル％以下がさらに好ましい。構造単位（Ｉ）の含有割合を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の放射線感度を十分に確保できると共に絶縁膜の密着性が向上する。

（構造単位（ＩＩ））
構造単位（ＩＩ）は、上記構造単位（Ｉ）のカルボキシル基が保護基により保護される構造を有するものである。この保護基は、構造単位（ＩＩ）において酸解離性基を構成する。この酸解離性基は、保護基が酸の作用により解裂しうるものであり、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用により保護基が解裂することでアルカリ水溶液に可溶となる基である。

上記保護基としては、カルボキシル基を保護できるものであれば特に限定されないが、例えば、トリアルキルシリル基、１−アルコキシアルキル基、環状１−アルコキシアルキル基等が挙げられる。

上記トリアルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、ジメチルブチルシリル基等が挙げられる。

上記１−アルコキシアルキル基としては、下記式（１’）で表される１価の基が好ましい。

上記式（１’）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜３０の炭化水素基又はこの炭化水素基が有する水素原子の少なくとも一部がヒドロキシル基、ハロゲン原子若しくはシアノ基で置換された基である。但し、Ｒ^１及びＲ^２が共に水素原子である場合はない。Ｒ^３は、炭素数１〜３０の炭化水素基、この炭素水素基の炭素−炭素間若しくは結合手側末端に酸素原子を含む基又はこれら基が有する水素原子の少なくとも一部がヒドロキシル基、ハロゲン原子若しくはシアノ基で置換された基である。

上記Ｒ^１〜Ｒ^３で表される炭素数１〜３０の炭化水素基としては、例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等の１価の鎖状炭化水素基；
シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基、アダマンチル基等の１価の脂環式炭化水素基；
この脂環式炭化水素基の脂環構造を一部に有する１価の炭化水素基；
フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基等の１価の芳香族炭化水素基；
この芳香族炭化水素基の芳香環を一部に有する１価の炭化水素基などが挙げられる。

上記Ｒ^３で表される上記炭化水素基の炭素−炭素間又は結合手側末端に酸素原子を含む基としては、例えば、上記炭素数１〜３０の炭化水素基として例示した炭化水素基の炭素−炭素結合間又は結合手側の末端にエーテル結合を有する１価の基等が挙げられる。

上記Ｒ^１〜Ｒ^３の炭化水素基をヒドロキシル基で置換した基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシブチル基、ジヒドロキシエチル基、ジヒドロキシプロピル基等が挙げられる。

上記Ｒ^１〜Ｒ^３を置換するハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

上記Ｒ^１〜Ｒ^３としては、フェニル基が好ましい。すなわち、上記式（１’）で表される保護基としては、トリフェニルメチル基が好ましい。

上記環状１−アルコキシアルキル基としては、下記式（２’）で表される１価の基が好ましい。

上記式（２’）中、Ｒ^４〜Ｒ^１０は、それぞれ独立して、水素原子、又は炭素数１〜１２の炭化水素基である。ｎは、１又は２である。ｎが２の場合、複数のＲ^７及びＲ^８は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

上記Ｒ^４〜Ｒ^１０で表される炭素数１〜１２の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等の鎖状炭化水素基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の脂環式炭化水素基；フェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ベンジル基等の芳香族炭化水素基などが挙げられる。

上記Ｒ^４〜Ｒ^１０としては水素原子が好ましく、ｎとしては２が好ましい。すなわち、上記式（２’）で表される保護基としては、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基が好ましく、テトラヒドロピラニル基がさらに好ましい。

上記カルボキシル基の保護基により保護される構造としては、カルボキシル基中の水素原子が保護基により置換される構造が挙げられ、下記式（１）又は下記式（２）で表される構造が好ましい。

上記式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^３は、上記式（１’）のＲ^１〜Ｒ^３と同義である。
上記式（２）中、Ｒ^４〜Ｒ^１０及びｎは、式（２’）のＲ^４〜Ｒ^１０及びｎと同義である。

なお、［Ａ１］重合体が複数の構造単位（ＩＩ）を有する場合、これらの構造単位（ＩＩ）の保護基は同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。同様に、［Ａ２］重合体が複数種の構造単位（ＩＩ）を有する場合、これらの構造単位（ＩＩ）の保護基は同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。

また、［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体が共に構造単位（ＩＩ）を有する場合、［Ａ１］重合体の構造単位（ＩＩ）の保護基と、［Ａ２］重合体の構造単位（ＩＩ）の保護基とは同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。

［Ａ１］重合体における構造単位（ＩＩ）の含有割合としては、［Ａ１］重合体を構成する全構造単位に対して、０．１モル質量％以上６０モル％以下が好ましく、１モル％以上５０モル％以下がより好ましく、３モル％以上４０モル％以下がさらに好ましい。［Ａ２］重合体における構造単位（ＩＩ）の含有割合としては、［Ａ２］重合体を構成する全構造単位に対して、０．１モル％以上６０モル％以下が好ましく、１モル％以上５０モル％以下がより好ましく、３モル％以上４０モル％以下がさらに好ましい。構造単位（ＩＩ）の含有割合を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の放射線感度及び保存安定性をより十分に確保できる。

（構造単位（ＩＩＩ））
構造単位（ＩＩＩ）は、架橋基を含む。当該感放射線性樹脂組成物から形成される絶縁膜は、［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体のうちの少なくとも一方が架橋性基を含む構造単位（ＩＩＩ）を有することで、［Ａ］重合体成分を構成する重合体同士の架橋、又は［Ａ１］重合体若しくは［Ａ２］重合体と後述する［Ｃ］酸化防止剤等との架橋により強度を高めることができる。

上記架橋性基としては、例えば、重合性炭素−炭素二重結合を含む基、重合性炭素−炭素三重結合を含む基、オキシラニル基（１，２−エポキシ構造）、オキセタニル基（１，３−エポキシ構造）、アルコキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ジアルキルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、２，３−エポキシトリシクロ［５．２．１．０^２．６］デカン基、３，４−エポキシトリシクロ［５．２．１．０^２．６］デカン基等が挙げられる。

構造単位（ＩＩＩ）としては、例えば、下記式で表される構造単位等が挙げられる。

上記式中、Ｒ^１７は、水素原子又はメチル基である。

構造単位（ＩＩＩ）としてはさらに、例えば脂環式不飽和炭化水素がエポキシ化された構造とエチレン性不飽和結合とを有する単量体（以下、「単量体（ｉｉｉ）」ともいう）に由来する構造単位が挙げられる。この単量体（ｉｉｉ）に由来する構造単位としては、例えば、ビニルシクロヘキセンモノオキサイド、１，２−エポキシ−４−ビニルシクロヘキサン（例えば、ダイセル社の「セロキサイド２０００」）、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート（例えば、ダイセル社の「サイクロマーＡ４００」）、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート（例えば、ダイセル化学工業社の「サイクロマーＭ１００」）、メタクリル酸グリシジル、２，３−エポキシトリシクロ［５．２．１．０^２．６］デシルアクリレート、３，４−エポキシトリシクロ［５．２．１．０^２．６］デシルアクリレート、下記式（３）で表される構造単位が挙げられる。

上記式（３）中、Ｒ^１１は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はこのアルキル基が有する水素原子の少なくとも一部がヒドロキシ基で置換された基である。Ｒ^１２は、下記式（４−１）又は下記式（４−２）で表される基である。Ｘ^１は、単結合、メチレン基又は炭素数２〜１２のアルキレン基である。Ｙ^１は、単結合、酸素原子、硫黄原子又はイミノ基である。

上記Ｒ^１１で表される炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。水素原子の少なくとも一部がヒドロキシで置換されたアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、３−ヒドロキシプロピル基、１−ヒドロキシ−１−メチルエチル基、２−ヒドロキシ−１−メチルエチル基、１−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシブチル基、３−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシブチル基等が挙げられる。

上記Ｒ^１１としては、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基が好ましく、水素原子、メチル基がより好ましい。

上記Ｘ^１で表される炭素数２〜１２のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基等が挙げられ、中でも、上記Ｘ^１としては、エチレン基、メチレン基が好ましい。

上記式（３）で表される構造単位を与える単量体としては、例えば、下記式（３−１）〜式（３−３０）で表される単量体等が挙げられる。下記式（３−１）〜式（３−３０）で表される単量体は、単独で用いても２種以上を併用してもよい。

構造単位（ＩＩＩ）としては、３，４−エポキシトリシクロ［５．２．１．０^２．６］デシルアクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート又はメタクリル酸グリシジルに由来する構造単位が好ましい。

［Ａ１］重合体又は［Ａ２］重合体における構造単位（ＩＩＩ）の含有割合としては、［Ａ１］重合体又は［Ａ２］重合体を構成する全構造単位に対して、１モル％以上７５モル％以下が好ましく、５モル％以上６０モル％以下がより好ましく、１５モル％以上５０モル量％以下がさらに好ましい。構造単位（ＩＩＩ）の含有割合を上記範囲とすることで、絶縁膜の強度を効果的に高めることができる。

（その他の構造単位）
［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体は、本発明の効果を損なわない範囲で、構造単位（Ｉ）〜（ＩＩＩ）以外のその他の構造単位を有していてもよい。

その他の構造単位としては、例えば、不飽和化合物に由来する構造単位（以下、「構造単位（ＩＶ）」ともいう）等が挙げられる。［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体は、その他の構造単位として上記構造単位（ＩＶ）以外の構造単位を含んでいてもよい。

［構造単位（ＩＶ）］
構造単位（ＩＶ）は、不飽和化合物に由来する構造単位である。この不飽和化合物としては、例えば不飽和カルボン酸の無水物、水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸鎖状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸脂環式エステル、（メタ）アクリル酸芳香族エステル、不飽和芳香族化合物、Ｎ−置換マレイミド、共役ジエン、テトラヒドロフラン骨格等を有する化合物などが挙げられる。

不飽和カルボン酸の無水物としては、例えば、
アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等の不飽和モノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等の不飽和ジカルボン酸の無水物；
５−カルボキシビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５，６−ジカルボキシビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−カルボキシ−５−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−カルボキシ−５−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−カルボキシ−６−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−カルボキシ−６−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５，６−ジカルボキシビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン無水物等のカルボキシル基を有する不飽和多環式化合物の無水物などが挙げられる。

これらの中でも、不飽和ジカルボン酸の無水物が好ましく、無水マレイン酸が共重合反応性、アルカリ水溶液に対する溶解性及び入手の容易性からより好ましい。

水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、アクリル酸４−ヒドロキシブチル、アクリル酸５−ヒドロキシペンチル、アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸３−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸４−ヒドロキシブチル、メタクリル酸５−ヒドロキシペンチル、メタクリル酸６−ヒドロキシヘキシル等が挙げられる。

（メタ）アクリル酸鎖状アルキルエステルとしては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｓｅｃ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸イソデシル、メタクリル酸ｎ−ラウリル、メタクリル酸トリデシル、メタクリル酸ｎ−ステアリル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸イソデシル、アクリル酸ｎ−ラウリル、アクリル酸トリデシル、アクリル酸ｎ−ステアリル等が挙げられる。

（メタ）アクリル酸脂環式エステルとしては、例えばメタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸２−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル、メタクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イルオキシエチル、メタクリル酸イソボロニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸２−メチルシクロヘキシル、アクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イル、アクリル酸トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン−８−イルオキシエチル、アクリル酸イソボロニル等が挙げられる。

（メタ）アクリル酸芳香族エステルとしては、例えば、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等が挙げられる。

不飽和芳香族化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン等が挙げられる。

Ｎ−置換マレイミドとしては、例えば、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−トリルマレイミド、Ｎ−ナフチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド等が挙げられる。

共役ジエンとしては、例えば、１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン等が挙げられる。

テトラヒドロフラン骨格等を有する不飽和化合物としては、例えば、３−テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、２−メタクリロイルオキシ−プロピオン酸テトラヒドロフルフリルエステル、３−（メタ）アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−２−オン等が挙げられる。

［Ａ１］重合体又は［Ａ２］重合体におけるその他の構造単位の含有割合としては、［Ａ１］重合体又は［Ａ２］重合体を構成する全構造単位に対して、０モル％以上８０質量％以下が好ましく、１０モル％以上７０モル％以下がより好ましく、３０モル％以上６０モル％以下がさらに好ましい。上記その他の構造単位の含有割合を上記範囲とすることで、その他の構造単位の特性に応じた効果、例えば、当該感放射線性樹脂組成物の塗布性の改善、塗布膜のアルカリ水溶液に対する溶解性の最適化、優れた放射線性感度、表示素子の絶縁膜の撥水性の確保等の効果がより発揮される。

なお、［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体において、各構造単位の含有割合の合計が１００質量％を超えることはない。

＜［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体の合成方法＞
［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体のそれぞれは、例えば所定の構造単位を与える単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。具体的には、単量体及びラジカル重合開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、単量体を含有する溶液と、ラジカル重合開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル重合開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。

［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体の重合反応に用いられる溶媒としては、例えば、後述する＜感放射線性樹脂組成物の調製＞の項において例示するものと同様の溶媒等が挙げられる。

重合反応に用いられるラジカル重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できるが、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス−（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオン酸メチル）等のアゾ化合物；ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、ｔ−ブチルペルオキシピバレート、１，１’−ビス−（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサン等の有機過酸化物；過酸化水素などが挙げられる。

［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体の重合反応においては、分子量を調整するために分子量調整剤を使用することもできる。分子量調整剤としては、例えば、クロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類；ｎ−ヘキシルメルカプタン、ｎ−オクチルメルカプタン、ｎ−ドデシルメルカプタン、ｔ−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類；ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類；ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマーなどが挙げられる。

［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）としては、２．０×１０^３以上１．０×１０^５以下が好ましく、５．０×１０^３以上５．０×１０^４以下がより好ましい。［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体のＭｗを上記範囲とすることで当該感放射線性樹脂組成物の放射線感度及び現像性を高めることができる。

［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体のＧＰＣによるポリスチレン換算数平均分子量（Ｍｎ）としては、２．０×１０^３以上１．０×１０^５以下が好ましく、５．０×１０^３以上５．０×１０^４以下がより好ましい。［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体のＭｎを上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。

［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）としては、３．０以下が好ましく、２．６以下がより好ましい。［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体のＭｗ／Ｍｎを上記範囲とすることで、得られる絶縁膜の現像性を高めることができる。

＜［Ｂ］感放射線性酸発生体＞
［Ｂ］感放射線性酸発生体は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等を使用できる。当該感放射線性樹脂組成物は、［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有することで、感放射線特性を発揮することができ、かつ良好な放射線感度を有することができる。当該感放射線性樹脂組成物における［Ｂ］感放射線性酸発生体の含有形態としては、後述するように化合物の形態（以下、適宜「［Ｂ］感放射性酸発生剤」ともいう）でも、［Ａ１］重合体又は［Ａ２］重合体の一部として組み込まれる光酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。

［Ｂ］感放射線性酸発生体としては、例えば、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物等が挙げられる。

［オキシムスルホネート化合物］
オキシムスルホネート化合物としては、下記式（５）で表されるオキシムスルホネート基を含む化合物が好ましい。

式（５）中、Ｒ^１８は、アルキル基、１価の脂環式炭化水素基、アリール基又はこれらの基が有する水素原子の一部若しくは全部が置換基で置換された基である。

上記Ｒ^１８で表されるアルキル基としては、炭素数１〜１２の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。

上記Ｒ^１８で表される１価の脂環式炭化水素基としては、炭素数４〜１２の脂環式炭化水素基が好ましい。

上記Ｒ^１８で表されるアリール基としては、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基がより好ましい。

上記置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシ基、オキソ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

上記式（５）で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば、下記式（５−１）〜（５−３）で表されるオキシムスルホネート化合物等が挙げられる。

上記式（５−１）〜（５−３）中、Ｒ^１８は、上記式（５）と同義である。
上記式（５−１）及び式（５−２）中、Ｒ^１９は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のフルオロアルキル基である。
式（５−３）中、Ｘ^２はアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子である。ｉは、０〜３の整数である。但し、ｉが２又は３の場合、複数のＸ^２は同一でも異なっていてもよい。

上記Ｘ^２で表されるアルキル基としては、炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。上記Ｘ^２で表されるアルコキシ基としては、炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が好ましい。上記Ｘ^２で表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい

上記（５−３）で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば、下記式（５−３−１）〜（５−３−５）で表される化合物等が挙げられる。

上記式（５−３−１）〜（５−３−５）で表される化合物は、それぞれ（５−プロピルスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、（５−オクチルスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、（カンファースルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、（５−ｐ−トルエンスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル、２−（オクチルスルホニルオキシイミノ）−２−（４−メトキシフェニル）アセトニトリルであり、市販品として入手できる。

［オニウム塩］
オニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、アルキルスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、ジベンジルスルホニウム塩、置換ベンジルスルホニウム塩、ベンゾチアゾニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩等が挙げられる。

上記ジフェニルヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホン酸等が挙げられる。

上記トリフェニルスルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホン酸、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス（２、６−ジフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。

上記アルキルスルホニウム塩としては、例えば、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−４−（ベンゾイルオキシ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル−３−クロロ−４−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。

上記ベンジルスルホニウム塩としては、例えば、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−２−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。

上記ジベンジルスルホニウム塩としては、例えば、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−アセトキシフェニルジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。

上記置換ベンジルスルホニウム塩としては、例えば、ｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−クロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ｐ−ニトロベンジル−３−メチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、３，５−ジクロロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ｏ−クロロベンジル−３−クロロ−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。

上記ベンゾチアゾニウム塩としては、例えば、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジルベンゾチアゾニウムテトラフルオロボレート、３−（ｐ−メトキシベンジル）ベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−２−メチルチオベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジル−５−クロロベンゾチアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。

上記テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば、４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−１，１，２，２−テトラフルオロ−２−（ノルボルナン−２−イル）エタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（５−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム−２−（６−ｔ−ブトキシカルボニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イル）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。

［Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物］
Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物としては、例えば、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（エチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（プロピルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ブチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ペンチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ヘキシルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ヘプチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（オクチルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド、Ｎ−（ノニルスルホニルオキシ）ナフチルジカルボキシイミド等が挙げられる。

［ハロゲン含有化合物］
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物等が挙げられる。

［ジアゾメタン化合物］
ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、フェニルスルホニル（ベンゾイル）ジアゾメタン等が挙げられる。

［スルホン化合物］
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物等が挙げられる。

［スルホン酸エステル化合物］
スルホン酸エステル化合物としては、例えばアルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等が挙げられる。スルホン酸エステル化合物としてはハロアルキルスルホン酸エステルが好ましく、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルがより好ましい。

［カルボン酸エステル化合物］
カルボン酸エステル化合物としては、例えば、カルボン酸ｏ−ニトロベンジルエステル等が挙げられる。

［Ｂ］感放射線性酸発生体としては、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、スルホン酸エステル化合物が好ましく、オキシムスルホネート化合物がより好ましい。上記オキシムスルホネート化合物としては、上記式（５）で表されるオキシムスルホネート基を含む化合物が好ましく、上記式（５−３−１）〜（５−３−５）で表される化合物がより好ましい。

上記オニウム塩としては、テトラヒドロチオフェニウム塩、ベンジルスルホニウム塩が好ましく、４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートがより好ましく、４，７−ジ−ｎ−ブトキシ−１−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートがさらに好ましい。上記スルホン酸エステル化合物としては、ハロアルキルスルホン酸エステルが好ましく、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルがより好ましい。

当該感放射線性樹脂組成物は、［Ｂ］感放射線性酸発生体として例示した化合物を使用することで、放射線感度及び現像液に対する溶解性を向上させることができる。

［Ｂ］感放射線性酸発生体の含有量としては、［Ａ］重合体成分１００質量部に対して、０．１質量部以上１０質量部以下が好ましく、１質量部以上５質量部以下がより好ましい。［Ｂ］感放射線性酸発生体の含有量を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の放射線感度を最適化し、透明性を維持しつつ表面硬度が高い絶縁膜を形成できる。

＜［Ｃ］酸化防止剤＞
［Ｃ］酸化防止剤は、露光若しくは加熱により発生したラジカルの捕捉により、又は酸化によって生成した過酸化物の分解により、重合体分子の結合の解裂を抑制する成分である。当該感放射線性樹脂組成物は、［Ｃ］酸化防止剤を含有することで、当該感放射線性樹脂組成物から形成される絶縁膜中における重合体分子の解裂劣化を抑制し、耐光性等を向上させることができる。

［Ｃ］酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール構造を有する化合物、ヒンダードアミン構造を有する化合物、アルキルホスファイト構造を有する化合物、チオエーテル構造を有する化合物等が挙げられる。これらの中でも、［Ｃ］酸化防止剤としてはヒンダードフェノール構造を有する化合物が好ましい。このように［Ｃ］酸化防止剤がヒンダードフェノール構造を有することで、当該感放射線性樹脂組成物から形成される絶縁膜中における重合体分子の解裂劣化をより抑制することができる。

上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、チオジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、トリス−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレイト、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ヘキサン−１，６−ジイルビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルプロピオンアミド）、３，３’，３’，５’，５’−ヘキサ−ｔｅｒｔ−ブチル−ａ，ａ’，ａ’−（メシチレン−２，４，６−トリイル）トリ−ｐ−クレゾール、４，６−ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−クレゾール、４，６−ビス（ドデシルチオメチル）−ｏ−クレゾール、エチレンビス（オキシエチレン）ビス［３−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ｍ−トリル）プロピオネート、ヘキサメチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，３，５−トリス［（４−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２，６−キシリル）メチル］−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−（４，６−ビス（オクチルチオ）−１，３，５−トリアジン−２−イルアミン）フェノール等が挙げられる。

上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物の市販品としては、例えば、
「アデカスタブＡＯ−２０」、「アデカスタブＡＯ−３０」、「アデカスタブＡＯ−４０」、「アデカスタブＡＯ−５０」、「アデカスタブＡＯ−６０」、「アデカスタブＡＯ−７０」、「アデカスタブＡＯ−８０」、「アデカスタブＡＯ−３３０」（以上、ＡＤＥＫＡ社）、「ｓｕｍｉｌｉｚｅｒＧＭ」、「ｓｕｍｉｌｉｚｅｒＧＳ」、「ｓｕｍｉｌｉｚｅｒＭＤＰ−Ｓ」、「ｓｕｍｉｌｉｚｅｒＢＢＭ−Ｓ」、「ｓｕｍｉｌｉｚｅｒＷＸ−Ｒ」、「ｓｕｍｉｌｉｚｅｒＧＡ−８０」（以上、住友化学社）；
「ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１０３５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１０７６」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１０９８」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１１３５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１３３０」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１７２６」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１４２５ＷＬ」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１５２０Ｌ」、「ＩＲＧＡＮＯＸ２４５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ２５９」、「ＩＲＧＡＮＯＸ３１１４」、「ＩＲＧＡＮＯＸ５６５」、「ＩＲＧＡＭＯＤ２９５」（以上、チバジャパン社）；
「ヨシノックスＢＨＴ」、「ヨシノックスＢＢ」、「ヨシノックス２２４６Ｇ」、「ヨシノックス４２５」、「ヨシノックス２５０」、「ヨシノックス９３０」、「ヨシノックスＳＳ」、「ヨシノックスＴＴ」、「ヨシノックス９１７」、「ヨシノックス３１４」（以上、エーピーアイコーポレーション社）等が挙げられる。

また、［Ｃ］酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール構造を有する化合物の中でも、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、トリス−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレイトが好ましい。

［Ｃ］酸化防止剤の含有量としては、［Ａ］重合体成分１００質量部に対して、通常１５質量部以下であり、０．１質量部以上１０質量部以下が好ましく、０．２質量部以上５質量部以下がより好ましい。［Ｃ］酸化防止剤の含有量を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物から形成される絶縁膜の解裂劣化をより効果的に抑制することができる。

＜その他の任意成分＞
当該感放射線性樹脂組成物は、［Ａ］重合体成分、［Ｂ］感放射線性酸発生体及び［Ｃ］酸化防止剤成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて［Ｄ］多官能（メタ）アクリレート、［Ｅ］塩基性化合物、［Ｆ］界面活性剤、［Ｇ］密着助剤等のその他の任意成分を含有してもよい。その他の任意成分は、それぞれ単独で使用しても２種以上を併用してもよい。以下、各成分を詳述する。

＜［Ｄ］多官能（メタ）アクリレート＞
［Ｄ］多官能（メタ）アクリレートは、当該感放射線性組成物の硬化性を高めることができる。この［Ｄ］多官能（メタ）アクリレートとしては、２個以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物であれば特に限定されるものではないが、例えば、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と（メタ）アクリル酸を反応させて得られる多官能（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性された多官能（メタ）アクリレート、アルキレンオキサイド変性された多官能（メタ）アクリレート、水酸基を有する（メタ）アクリレートと多官能イソシアネートを反応させて得られる多官能ウレタン（メタ）アクリレート、水酸基を有する（メタ）アクリレートと酸無水物を反応させて得られるカルボキシル基を有する多官能（メタ）アクリレート等が挙げられる。

上記脂肪族ポリヒドロキシ化合物としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の２価の脂肪族ポリヒドロキシ化合物、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール等の３価以上の脂肪族ポリヒドロキシ化合物などが挙げられる。

上記水酸基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールジメタクリレート等が挙げられる。

上記多官能イソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等が挙げられる。

酸無水物としては、例えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水グルタル酸、無水イタコン酸、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸等の二塩基酸の無水物、無水ピロメリット酸、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等の四塩基酸二無水物などが挙げられる。

上記カプロラクトン変性された多官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、特開１１−４４９５５号公報の段落［００１５］〜［００１８］に記載されている化合物等が挙げられる。

上記アルキレンオキサイド変性された多官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、ビスフェノールＡのエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイド変性ジ（メタ）アクリレート、イソシアヌル酸のエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンのエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールのエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールのエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイド変性テトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールのエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイド変性ペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールのエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイド変性ヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

これらの多官能（メタ）アクリレートのうち、３価以上の脂肪族ポリヒドロキシ化合物と（メタ）アクリル酸とを反応させて得られる多官能（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性された多官能（メタ）アクリレート、多官能ウレタン（メタ）アクリレート、カルボキシル基を有する多官能（メタ）アクリレートが好ましい。３価以上の脂肪族ポリヒドロキシ化合物と（メタ）アクリル酸とを反応させて得られる多官能（メタ）アクリレートの中では、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートが、カルボキシル基を有する多官能（メタ）アクリレートの中では、ペンタエリスリトールトリアクリレートと無水コハク酸とを反応させて得られる化合物、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートと無水コハク酸とを反応させて得られる化合物が、アルカリ現像性が良好である点で特に好ましい。

［Ｄ］多官能（メタ）アクリレートは、単独で使用しても２種以上を併用してもよい。

［Ｄ］多官能（メタ）アクリレートの含有量としては、［Ａ］重合体成分１００質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下が好ましく、５質量部以上５０質量部以下がより好ましい。［Ｄ］多官能（メタ）アクリレートの含有量を上記範囲とすることで、硬化膜の硬度をより高めることができると共に、当該感放射線性樹脂組成物の放射線感度をより高めることができる。

＜［Ｅ］塩基性化合物＞
［Ｅ］塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものから任意に選択して使用できる。当該感放射線性樹脂組成物は、［Ｅ］塩基性化合物を含有することで、露光により［Ｂ］感放射線性酸発生体から発生した酸の拡散長を適度に制御することができ、パターン現像性を良好にできる。

［Ｅ］塩基性化合物としては、例えば脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、４級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸４級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの［Ｅ］塩基性化合物は、単独で使用しても２種以上を併用してもよい。

［脂肪族アミン］
脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。

［芳香族アミン］
芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。

［複素環式アミン］
複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ−メチル−４−フェニルピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［５，３，０］−７−ウンデセン等が挙げられる。

［４級アンモニウムヒドロキシド］
４級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。

［カルボン酸４級アンモニウム塩］
カルボン酸４級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。

これらの中で、［Ｅ］塩基性化合物としては、複素環式アミンが好ましく、４−ジメチルアミノピリジン、４−メチルイミダゾール、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノネン、ジメチルｎ−ドデシルアミン、２−フェニルベンズイミダゾール等がより好ましい。

［Ｅ］塩基性化合物の含有量としては、［Ａ］重合体成分１００質量部に対して、通常２質量部以下であり、０．００１質量部以上１質量部以下が好ましく、０．００５質量部以上０．２質量部以下がより好ましい。［Ｅ］塩基性化合物の含有量を上記範囲とすることで、パターン現像性がより向上する。

＜［Ｆ］界面活性剤＞
［Ｆ］界面活性剤は、当該感放射線性樹脂組成物の塗膜形成性を高める成分である。当該感放射線性樹脂組成物は、［Ｆ］界面活性剤を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果、当該感放射線性樹脂組成物から形成される絶縁膜の膜厚均一性をより向上できる。

［Ｆ］界面活性剤としては、例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等が挙げられる。これらの［Ｆ］界面活性剤は、単独で使用しても２種以上を併用してもよい。

フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び／又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましく、例えば１，１，２，２−テトラフルオロｎ−オクチル（１，１，２，２−テトラフルオロｎ−プロピル）エーテル、１，１，２，２−テトラフルオロｎ−オクチル（ｎ−ヘキシル）エーテル、ヘキサエチレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロｎ−ペンチル）エーテル、オクタエチレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフルオロｎ−ブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロｎ−ペンチル）エーテル、オクタプロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフルオロｎ−ブチル）エーテル、パーフルオロｎ−ドデカンスルホン酸ナトリウム、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロｎ−デカン、１，１，２，２，３，３，９，９，１０，１０−デカフルオロｎ−ドデカン、フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、フルオロアルキルリン酸ナトリウム、フルオロアルキルカルボン酸ナトリウム、ジグリセリンテトラキス（フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル）、フルオロアルキルアンモニウムヨージド、フルオロアルキルベタイン、フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル、パーフルオロアルキルポリオキシエタノール、パーフルオロアルキルアルコキシレート、カルボン酸フルオロアルキルエステル等が挙げられる。

フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えば、
「ＢＭ−１０００」、「ＢＭ−１１００」（以上、ＢＭ ＣＨＥＭＩＥ社）、「メガファックＦ１４２Ｄ」、「メガファックＦ１７２」、「メガファックＦ１７３」、「メガファックＦ１８３」、「メガファックＦ１７８」、「メガファックＦ１９１」、「メガファックＦ４７１」、「メガファックＦ４７６」（以上、大日本インキ化学工業社）；
「フロラードＦＣ−１７０Ｃ」、「フロラードＦＣ−１７１」、「フロラードＦＣ−４３０」、「フロラードＦＣ−４３１」（以上、住友スリーエム社）、「サーフロンＳ−１１２」、「サーフロンＳ−１１３」、「サーフロンＳ−１３１」、「サーフロンＳ−１４１」、「サーフロンＳ−１４５」、「サーフロンＳ−３８２」、「サーフロンＳＣ−１０１」、「サーフロンＳＣ−１０２」、「サーフロンＳＣ−１０３」、「サーフロンＳＣ−１０４」、「サーフロンＳＣ−１０５」、「サーフロンＳＣ−１０６」（以上、旭硝子社）；
「エフトップＥＦ３０１」、「エフトップＥＦ３０３」、「エフトップＥＦ３５２」（以上、新秋田化成社）；
「フタージェントＦＴ−１００」、「フタージェントＦＴ−１１０」、「フタージェントＦＴ−１４０Ａ」、「フタージェントＦＴ−１５０」、「フタージェントＦＴ−２５０」、「フタージェントＦＴ−２５１」、「フタージェントＦＴ−３００」、「フタージェントＦＴ−３１０」、「フタージェントＦＴ−４００Ｓ」、「フタージェントＦＴＸ−２１８」、「フタージェントＦＴ−２５１」（以上、ネオス社）等が挙げられる。

シリコーン系界面活性剤の市販品としては、例えば、
「トーレシリコーンＤＣ３ＰＡ」、「トーレシリコーンＤＣ７ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ１１ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ２１ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ２８ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ２９ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ３０ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ−１９０」、「トーレシリコーンＳＨ−１９３」、「トーレシリコーンＳＺ−６０３２」、「トーレシリコーンＳＦ−８４２８」、「トーレシリコーンＤＣ−５７」、「トーレシリコーンＤＣ−１９０」、「ＳＨ ８４００ ＦＬＵＩＤ」（以上、東レダウコーニングシリコーン社）；
「ＴＳＦ−４４４０」、「ＴＳＦ−４３００」、「ＴＳＦ−４４４５」、「ＴＳＦ−４４４６」、「ＴＳＦ−４４６０」、「ＴＳＦ−４４５２」（以上、ＧＥ東芝シリコーン社）；
「オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１」（信越化学工業社）等が挙げられる。

［Ｆ］界面活性剤の含有量としては、［Ａ］重合体成分１００質量部に対して、通常３質量部以下であり、０．０１質量部以上２質量部以下が好ましく、０．０５質量部以上１質量部以下がより好ましい。［Ｆ］界面活性剤の含有量を上記範囲とすることで、形成される塗膜の膜厚均一性をより向上できる。

＜［Ｇ］密着助剤＞
［Ｇ］密着助剤は基板等の膜形成対象物と絶縁膜との接着性を向上させる成分である。［Ｇ］密着助剤は特に無機物の基板と絶縁膜との接着性を向上させるために有用である。無機物としては、例えば、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属などが挙げられる。

［Ｇ］密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましい。この官能性シランカップリング剤としては、例えばカルボキシ基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基（好ましくはオキシラニル基）、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。これらの［Ｇ］密着助剤は、単独で使用しても２種以上を併用してもよい。

官能性シランカップリング剤としては、例えば、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらの中で、官能性シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。

［Ｇ］密着助剤の含有量としては、［Ａ］重合体成分１００質量部に対して、通常３０質量部以下であり、０．５質量部以上２０質量部以下が好ましく、１質量部以上１０質量部以下がより好ましい。［Ｇ］密着助剤の含有量を上記範囲とすることで、絶縁膜と基板との密着性がより改善される。

＜感放射線性樹脂組成物の調製方法＞
当該感放射線性樹脂組成物は、溶媒に［Ａ］重合体成分、［Ｂ］感放射線性酸発生体、必要に応じて好適成分、及びその他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製される。

［Ａ］重合体成分としては、カルボキシル基の保護率が異なる［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体を所定比率で含むものが使用される。すなわち、当該調製方法は、［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体を配合する工程を備える。［Ａ］重合体成分中における［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体の質量比率は、通常１／９９以上９９／１以下とされ、３０／７０以上７０／３０以下が好ましく、４０／６０以上６０／４０以下がより好ましく、４５／５５以上５５／４５以下がさらに好ましい。

［溶媒］
溶媒としては、当該感放射線性樹脂組成物中の他の成分を均一に溶解又は分散し、上記他の成分と反応しないものが好適に用いられる。このような溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。

上記アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、ベンジルアルコール、２−フェニルエチルアルコール、３−フェニル−１−プロパノール等が挙げられる。

上記エーテル類としては、例えば、テトラヒドロフラン等が挙げられる。

上記グリコールエーテルとして、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。

上記エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。

上記ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。

上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。

上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。

上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えば、プロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。

上記芳香族炭化水素類としては、例えば、トルエン、キシレン等が挙げられる。

上記ケトン類としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等が挙げられる。

上記他のエステル類としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、３−ヒドロキシプロピオン酸メチル、３−ヒドロキシプロピオン酸エチル、３−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、３−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−メトキシプロピオン酸ブチル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピオン酸ブチル、２−ブトキシプロピオン酸メチル、２−ブトキシプロピオン酸エチル、２−ブトキシプロピオン酸プロピル、２−ブトキシプロピオン酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸プロピル、３−エトキシプロピオン酸ブチル、３−プロポキシプロピオン酸メチル、３−プロポキシプロピオン酸エチル、３−プロポキシプロピオン酸プロピル、３−プロポキシプロピオン酸ブチル、３−ブトキシプロピオン酸メチル、３−ブトキシプロピオン酸エチル、３−ブトキシプロピオン酸プロピル、３−ブトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。

これらの溶媒の中で、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メトキシ酢酸ブチルがより好ましく、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルがさらに好ましい。

＜表示素子の絶縁膜＞
本発明の表示素子の絶縁膜は、当該感放射線性樹脂組成物から形成される。当該絶縁膜は、当該感放射線性樹脂組成物から形成されているため基板等との密着性に優れる。このような特性を有する当該絶縁膜は、表示素子における層間絶縁膜、平坦化膜、発光層を形成するための領域を規定するバンク（隔壁）、スペーサー、保護膜、カラーフィルタ用着色パターン等に使用できる。なお、当該絶縁膜の形成方法としては特に限定されないが、次に説明する絶縁膜の形成方法を適用することが好ましい。

＜表示素子の絶縁膜形成方法＞
本発明の絶縁膜の形成方法は、基板上に塗膜を形成する工程（以下、「工程（１）」ともいう）、この塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程（以下、「工程（２）」ともいう）、放射線が照射された塗膜を現像する工程（以下、「工程（３）」ともいう）、及び現像された塗膜を加熱する工程（以下、「工程（４）」ともいう）を有する。

当該絶縁膜形成方法によれば、パターン形状の安定性が高い絶縁膜を形成できる。また、未露光部の膜厚変化量を抑制できることから、結果として生産プロセスマージンを向上でき、歩留まりの向上を達成できる。さらに、感光性を利用した露光、現像、加熱によりパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する表示素子の絶縁膜を形成できる。

［工程（１）］
本工程では、当該感放射線性樹脂組成物を、基板上に塗布して塗膜を形成する。当該感放射線性樹脂組成物が溶媒を含む場合には、塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去することが好ましい。

上記基板としては、例えば、ガラス、石英、シリコーン、樹脂等が挙げられる。上記樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。プレベークの条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、通常７０℃〜１２０℃、１分〜１０分間程度である。

［工程（２）］
本工程では、塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、波長が１９０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲にある放射線が好ましく、３６５ｎｍの紫外線を含む放射線がより好ましい。露光量としては、５００Ｊ／ｍ^２〜６，０００Ｊ／ｍ^２が好ましく、１，５００Ｊ／ｍ^２〜１，８００Ｊ／ｍ^２がより好ましい。この露光量は、放射線の波長３６５ｎｍにおける強度を照度計（ＯＡＩ Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社の「ＯＡＩ ｍｏｄｅｌ３５６」）により測定した値である。

［工程（３）］
本工程では放射線が照射された塗膜を現像する。露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分（放射線の照射部分）を除去して所定のパターンを形成する。

この工程で使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の４級アンモニウム塩などが挙げられる。現像液としては、ケトン系有機溶媒、アルコール系有機溶媒等の有機溶媒を使用することもできる。

アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリの濃度としては、好適な現像性を得る観点から、０．１質量％以上５質量％以下が好ましい。

現像方法としては、例えば、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等が挙げられる。現像時間としては、当該感放射線性樹脂組成物の組成によって異なるが、通常１０秒〜１８０秒間程度である。

このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を３０秒〜９０秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。

現像前の塗膜の膜厚に対する現像後の膜厚の膜厚変化率は、９０％以上であることが好ましい。上述したように、当該感放射線性樹脂組成物を用いた当該形成方法によると、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量を抑制でき、現像後の膜厚は、現像前の膜厚の９０％以上を維持することができる。

［工程（４）］
本工程では、現像された塗膜を加熱する。加熱には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、［Ａ］重合体成分の硬化反応を促進して、絶縁膜を形成することができる。加熱温度としては、例えば、１２０℃〜２５０℃程度である。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えば、ホットプレートでは５分〜３０分間程度、オーブンでは３０分〜９０分間程度である。また、２回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成できる。この絶縁膜の膜厚としては、０．１μｍ〜８μｍが好ましく、０．１μｍ〜６μｍがより好ましい。

＜表示素子＞
本発明の表示素子は、当該絶縁膜を備えている。当該表示素子は、例えば、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子等である。

液晶表示素子は、例えば液晶セル、偏光板等により構成されている。この液晶表示素子は、当該絶縁膜を備えているため、例えば耐光性、基板等への絶縁膜の密着性等の信頼性に優れる。

表示素子の製造方法としては、まず片面に透明導電膜（電極）を有する透明基板を一対（２枚）準備し、そのうちの一枚の基板の透明導電膜上に、当該感放射線性樹脂組成物を用い、上述の＜絶縁膜の形成方法＞において説明した方法に従い、層間絶縁膜、スペーサー、保護膜等の絶縁膜を形成する。次いで、これらの基板の透明導電膜及びスペーサー又は保護膜上に液晶配向能を有する配向膜を形成する。これら基板を、その配向膜が形成された側の面を内側にして、それぞれの配向膜の液晶配向方向が直交又は逆平行となるように一定の間隙（セルギャップ）を介して対向配置し、基板の表面（配向膜）及びスペーサーにより区画されたセルギャップ内に液晶を充填し、充填孔を封止して液晶セルを構成する。そして、液晶セルの両外表面に、偏光板を、その偏光方向が当該基板の一面に形成された配向膜の液晶配向方向と一致又は直交するように貼り合わせることにより、本発明の表示素子としての液晶表示素子が得られる。

他の液晶表示素子の製造方法としては、上記製造方法と同様にして透明導電膜と、層間絶縁膜、保護膜、スペーサー等の絶縁膜と、配向膜とを形成した一対の透明基板を準備する。その後、一方の基板の端部に沿って、ディスペンサーを用いて紫外線硬化型シール剤を塗布し、次いで液晶ディスペンサーを用いて微小液滴状に液晶を滴下し、真空下で両基板の貼り合わせを行う。そして、上記のシール剤部に、高圧水銀ランプを用いて紫外線を照射して両基板を封止する。最後に、液晶セルの両外表面に偏光板を貼り合わせることにより、本発明の表示素子としての液晶表示素子が得られる。

上述の液晶表示素子の製造方法において使用される液晶としては、例えば、ネマティック型液晶、スメクティック型液晶等が挙げられる。また、液晶セルの外側に使用される偏光板としては、ポリビニルアルコールを延伸配向させながら、ヨウ素を吸収させた「Ｈ膜」と呼ばれる偏光膜を酢酸セルロース保護膜で挟んだ偏光板、又はＨ膜そのものからなる偏光板等が挙げられる。

一方、有機エレクトロルミネッセンス素子においては、当該感放射線性樹脂組成物から形成される絶縁膜は、ＴＦＴ素子上に形成される平坦化膜、発光部位を規定する隔壁等として使用できる。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、［Ａ１］重合体及び［Ａ２］重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、以下の方法により測定した。

［重量平均分子量（Ｍｗ）］
重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、下記条件で測定した。
装置：昭和電工社の「ＧＰＣ−１０１」
カラム：ＧＰＣ−ＫＦ−８０１、ＧＰＣ−ＫＦ−８０２、ＧＰＣ−ＫＦ−８０３及びＧＰＣ−ＫＦ−８０４を結合
移動相：テトラヒドロフラン
カラム温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料濃度：１．０質量％
試料注入量：１００μＬ
検出器：示差屈折計
標準物質：単分散ポリスチレン

＜［Ａ１］重合体又は［Ａ２］重合体の合成＞
［合成例１］（保護率５モル％の重合体（Ａ−１）の合成）
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位（Ｉ）を与えるメタクリル酸２０質量部、構造単位（ＩＩ）を与えるテトラヒドロピラニル基で保護されたメタクリル酸７質量部、構造単位（ＩＩＩ）を与える３，４−エポキシトリシクロ［５．２．１．０^２．６］デシルアクリレート４１質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸メチル２２質量部及びメタクリル酸ヒドロキシエチル１０質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持することでカルボキシル基の保護率が５％（質量基準）の重合体（Ａ−１）を含む重合体溶液を得た。重合体（Ａ−１）のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、３３．０質量％であった。

［合成例２］（保護率１０モル％の重合体（Ａ−２）の合成）
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位（Ｉ）を与えるメタクリル酸２７質量部、構造単位（ＩＩ）を与えるテトラヒドロピラニル基で保護されたメタクリル酸１３質量部、構造単位（ＩＩＩ）を与える３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン５０質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸ヒドロキシエチル１０質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持することでカルボキシル基の保護率が１０％（質量基準）の重合体（Ａ−２）を含む重合体溶液を得た。重合体（Ａ−２）のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、３１．２質量％であった。

［合成例３］（保護率２０モル％の重合体（Ａ−３）の合成）
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位（Ｉ）を与えるメタクリル酸１５質量部、構造単位（ＩＩ）を与えるテトラヒドロピラニル基で保護されたメタクリル酸２６質量部、構造単位（ＩＩＩ）を与える３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン５０質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸ヒドロキシエチル９質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持することでカルボキシル基の保護率が２０％（質量基準）の重合体（Ａ−３）を含む重合体溶液を得た。重合体（Ａ−３）のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、３１．２質量％であった。

［合成例４］（保護率５０モル％の重合体（Ａ−４）の合成）
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位（Ｉ）を与えるメタクリル酸１０質量部、構造単位（ＩＩ）を与えるテトラヒドロピラニル基で保護されたメタクリル酸６５質量部、構造単位（ＩＩＩ）を与える３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート１５質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸メチル５質量部及びメタクリル酸ヒドロキシエチル５質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持することでカルボキシル基の保護率が５０％（質量基準）の重合体（Ａ−４）を含む重合体溶液を得た。重合体（Ａ−４）のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、９，０００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、３１．２質量％であった。

［合成例５］（保護率７５モル％の重合体（Ａ−５）の合成）
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位（Ｉ）を与えるメタクリル酸０．５質量部、構造単位（ＩＩ）を与えるテトラヒドロピラニル基で保護されたメタクリル酸９９質量部、構造単位（ＩＩＩ）を与える３，４−エポキシトリシクロ［５．２．１．０^２．６］デシルアクリレート０．５質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持することでカルボキシル基の保護率が９０％（質量基準）の重合体（Ａ−５）を含む重合体溶液を得た。重合体（Ａ−５）のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、３１．５質量％であった。

［比較合成例１］（保護率１００モル％の重合体（ａ−１）の合成）
比較合成例１では、構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）のうち、構造単位（ＩＩ）のみを含み構造単位（Ｉ）を含まない比較用の［ａ］重合体としての重合体（ａ−１）を合成した。
具体的には、冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位（ＩＩ）を与えるテトラヒドロピラニル基で保護されたメタクリル酸１００質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持することでカルボキシル基の保護率が１００％（質量基準）の重合体（ａ−１）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａ−１）のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１１，０００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は３１．０質量％であった。

［比較合成例２］（保護率０％の重合体（ａ−２）の合成）
比較合成例１では、構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）のうち、構造単位（Ｉ）のみを含み構造単位（ＩＩ）を含まない比較用の［ａ］重合体としての重合体（ａ−２）を合成した。
具体的には、冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、ラジカル重合開始剤としての２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）７質量部及び溶媒としてのジエチレングリコールエチルメチルエーテル２００質量部を仕込んだ。引き続き、構造単位（Ｉ）を与えるメタクリル酸２０質量部、構造単位（ＩＩＩ）を与える３，４−エポキシトリシクロ［５．２．１．０^２．６］デシルアクリレート５０質量部、並びにその他の構造単位を与えるメタクリル酸メチル２０質量部及びスチレン１０質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持することでカルボキシル基の保護率が０％（質量基準）の重合体（ａ−２）を含む重合体溶液を得た。重合体（ａ−２）のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、３１．５質量％であった。

＜感放射線性樹脂組成物の調製＞
感放射線性樹脂組成物は、表１に示す組成に調製した。表１の［Ａ］重合体成分、［Ｂ］感放射線性酸発生剤、［Ｃ］酸化防止剤、［Ｄ］多官能（メタ）アクリレート、及び［Ｅ］塩基性化合物は、以下に示す通りである。

［［Ａ］重合体成分（［Ａ１］重合体、［Ａ２］重合体、［ａ］重合体］）
Ａ−１：合成例１で合成した保護率が５％の重合体（Ａ−１）
Ａ−２：合成例２で合成した保護率が１０％の重合体（Ａ−２）
Ａ−３：合成例３で合成した保護率が２０％の重合体（Ａ−３）
Ａ−４：合成例４で合成した保護率が５０％の重合体（Ａ−４）
Ａ−５：合成例５で合成した保護率が９０％の重合体（Ａ−５）
ａ−１：比較合成例１で合成した保護率が１００％の重合体（ａ−１）
ａ−２：比較合成例２で合成した保護率が０％の重合体（ａ−２）

［［Ｂ］感放射線性酸発生剤］
Ｂ−１：５−プロピルスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル（ＢＡＳＦ社の「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＰＡＧ １０３」）
Ｂ−２：（５−ｐ−トルエンスルフォニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）アセトニトリル（ＢＡＳＦ社の「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＰＡＧ １２１」）
Ｂ−３：（５−オクチルスルフォニルオキシイミノ）−（４−メトキシフェニル）アセトニトリル（ＢＡＳＦ社の「ＣＧＩ−７２５」）
Ｂ−４：下記式（Ｂ−４）で表されるオキシムスルホネート化合物（ＢＡＳＦ社の「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＰＡＧ ２０３」）

Ｂ−５：下記式（Ｂ−５）で表されるスルホン酸誘導体化合物

［［Ｃ］酸化防止剤］
Ｃ−１：１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェノール）ブタン（ＡＤＥＫＡ社の「アデカスタブＡＯ−３０」）
Ｃ−２：下記式（Ｃ−２）で表されるＡＤＥＫＡ社の「アデカスタブＡＯ−６０」

Ｃ−３：下記式（Ｃ−３）で表されるＡＤＥＫＡ社の「アデカスタブＡＯ−７０」

［Ｄ］多官能（メタ）アクリレート
Ｄ−１：ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとの混合物（日本化薬社の「ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ」）
Ｄ−２：コハク酸変性ペンタエリスリトールトリアクリレート（東亞合成社の「アロニックスＴＯ−７５６」）
Ｄ−３：トリメチロールプロパントリアクリレート

［Ｅ］塩基性化合物
Ｅ−１：２−ジメチルアミノピリジン
Ｅ−２：２−フェニルベンズイミダゾール

［実施例１］
重合体（Ａ−１）及び重合体（Ａ−２）を含む重合体溶液（（Ａ−１）５０質量部（固形分）及び（Ａ−２）５０質量部（固形分）に相当する量）に、感放射線性酸発生剤（Ｂ−１）５質量部を混合し、孔径０．２μｍのメンブランフィルタで濾過することにより、感放射線性樹脂組成物を調製した。

［実施例２〜６及び比較例１，２］
下記表１に示す種類及び含有量の成分を用いた以外は、実施例１と同様に操作し、感放射線性樹脂組成物を調製した。なお、表１中の「−」は、該当する成分を配合しなかったことを示す。

＜評価＞
実施例１〜６及び比較例１，２の感放射線性樹脂組成物について、下記の手法に従い、放射線感度、保存安定性、耐光性、透過率及びパターンの密着性の評価を実施した。評価結果を表２に示す。

［放射線感度の評価］
ガラス基板上に、感放射線性樹脂組成物をスピンナを用いて塗布した後、９０℃にて２分間ホットプレート上でプレベークして膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。続いて、露光機（キヤノン社の「ＭＰＡ−６００ＦＡ（ｇｈｉ線混合）」）を用い、６０μｍのライン・アンド・スペース（１０対１）のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した。その後、０．５質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃において８０秒間液盛り法で現像した。次いで、超純水で１分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、ＨＭＤＳ処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき、６μｍのスペース・パターンが完全に溶解するために必要な露光量を調べた。この露光量の値が５００（Ｊ／ｍ^２）以下の場合、感度は良好と判断できる。

［保存安定性の評価］
感放射線性組成物溶液を４０℃のオーブン中で１週間放置し、オーブンに入れる前後での粘度を測定し、粘度変化率（％）を求めた。このとき、粘度変化率が５％以下である場合は保存安定性が良好といえ、５％を超える場合は保存安定性が不良といえる。

［耐光性の評価］
シリコン基板上に、感放射線性樹脂組成物をスピンナを用いて塗布した後、９０℃にて２分間ホットプレート上でプレベークして膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。このシリコン基板をクリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱して絶縁膜を得た。得られた各絶縁膜に、ＵＶ照射装置（ウシオ社の「ＵＶＸ−０２５１６Ｓ１ＪＳ０１」）にて１３０ｍＷの照度で８００，０００Ｊ／ｍ^２照射した。照射前の膜厚に比較して、照射後の膜厚の膜減り量が３．５％以下である場合は絶縁膜の耐光性が良好であり、膜厚の膜減り量が３．５％未満である場合は絶縁膜の耐光性が不良であるといえる。
なお、耐光性の評価においては、形成する絶縁膜のパターニングは不要のため、現像工程は省略し、塗膜形成工程、耐光性試験及び加熱工程のみ行い評価を行った。

［透過率の評価］
上記耐光性の評価と同様に、感放射線性樹脂組成物を用いてシリコン基板上に塗膜を形成した。このシリコン基板をクリーンオーブン内にて２２０℃で１時間加熱して絶縁膜を形成した。この絶縁膜について、波長４００ｎｍにおける透過率を、分光光度計（日立製作所社製の「１５０−２０型ダブルビーム」）を用いて測定した。このとき、透過率が９０％以上の場合は透明性が良好であるといえ、透過率が９０％未満の場合は透明性が不良といえる。

［パターンの密着性の評価］
パターンの密着性は、露光引き置き後に評価した。具体的には、まず、ガラス基板上に、感放射線性樹脂組成物をスピンナを用いて塗布した後、９０℃にて２分間ホットプレート上でプレベークして膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。続いて、露光機（キヤノン社の「ＭＰＡ−６００ＦＡ（ｇｈｉ線混合）」）を用い、１０μｍのライン・アンド・スペース（１対１）のパターンを有するマスクを介して、７００（Ｊ／ｍ^２）の露光量で露光した。その後、１時間クリーンルーム内で放置し、その後０．５質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃において８０秒間液盛り法で現像した。次いで、超純水で１分間流水洗浄を行い、その後乾燥し、ガラス基板上にパターンを形成した。現像後の基板を光学顕微鏡で観察し、パターンの剥がれの有無を確認した。パターンの密着性の判断基準を以下に示す。

パターン剥がれがほとんど見られない場合：「○」
パターン剥がれがわずかに見られた場合：「△」
パターンが剥がれ、基板上にパターンがほとんど残っていない場合：「×」

表２の結果から明らかなように、実施例１〜６の感放射線性樹脂組成物は、放射線感度、保存安定性、耐光性、透過率及びパターンの密着性に優れていた。これに対して、比較例１及び比較例２の感放射線性組成物は、放射線感度、保存安定性、耐光性、透過率及びパターンの密着性について良好な結果が得られなかった。

本発明は、放射線感度等の一般的特性を十分に満足すると共に保存安定性に優れ、かつ絶縁膜の密着性不良の低減を可能とする表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物を提供することができる。本発明はさらに、当該感放射線性樹脂組成物の調製方法、当該感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子の絶縁膜、その形成方法、及び当該絶縁膜を備える表示素子を提供することができる。従って、当該感放射線性樹脂組成物、当該感放射線性樹脂組成物の調製方法、当該絶縁膜、当該絶縁膜の形成方法及び当該表示素子は、液晶表示デバイス等の製造プロセスに好適に使用することができる。

Claims (10)

1. カルボキシル基を含む第１構造単位及びカルボキシル基が保護基により保護される第２構造単位のうちの少なくとも上記第２構造単位と、架橋性基を含む第３構造単位とを有する第１重合体、
   上記第１構造単位及び上記第２構造単位のうちの少なくとも上記第１構造単位と、上記第３構造単位とを有する第２重合体、並びに
   感放射線性酸発生体を含有し、
   上記第１重合体における上記第１構造単位と上記第２構造単位との合計モル数中の上記第２構造単位のモル割合である第１保護率と、上記第２重合体における上記モル割合である第２保護率との差が５モル％以上７０モル％以下である表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物。
2. 上記第２構造単位におけるカルボキシル基が保護基で保護される構造が、下記式（１）又は下記式（２）で表される請求項１に記載の表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物。
   

   

   （式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜３０の炭化水素基又はこの炭化水素基が有する水素原子の少なくとも一部がヒドロキシル基、ハロゲン原子若しくはシアノ基で置換された基である。但し、Ｒ^１及びＲ^２が共に水素原子である場合はない。Ｒ^３は、炭素数１〜３０の炭化水素基、この炭素水素基の炭素−炭素間若しくは結合手側末端に酸素原子を含む基又はこれら基が有する水素原子の少なくとも一部がヒドロキシル基、ハロゲン原子若しくはシアノ基で置換された基である。
   式（２）中、Ｒ^４〜Ｒ^１０は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基である。ｎは、１又は２である。ｎが２の場合、複数のＲ^７及びＲ^８は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
3. 上記第３構造単位が、下記式（３）で表される請求項１又は請求項２に記載の表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物。
   

   

   （式（３）中、Ｒ^１１は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はこのアルキル基が有する水素原子の少なくとも一部がヒドロキシ基で置換された基である。Ｒ^１２は、下記式（４−１）又は下記式（４−２）で表される基である。Ｘ^１は、単結合、メチレン基又は炭素数２〜１２のアルキレン基である。Ｙ^１は、単結合、酸素原子、硫黄原子又はイミノ基である。
   

   
4. 上記感放射線性酸発生体が、下記式（５）で表されるオキシムスルホネート基を含む請求項１、請求項２又は請求項３に記載の表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物。
   

   

   （式（５）中、Ｒ^１３は、アルキル基、１価の脂環式炭化水素基、アリール基又はこれらの基が有する水素原子の少なくとも一部が置換基で置換された基である。）
5. 酸化防止剤をさらに含有する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物。
6. 上記酸化防止剤がヒンダードフェノール構造を有する化合物である請求項５に記載の表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物。
7. カルボキシル基を含む第１構造単位及びカルボキシル基が保護基により保護される第２構造単位のうちの少なくとも上記第２構造単位と、架橋性基を含む第３構造単位とを有する第１重合体、並びに上記第１構造単位及び上記第２構造単位のうちの少なくとも上記第１構造単位と、上記第３構造単位とを有する第２重合体を配合する工程を備え、
   上記第１重合体における上記第１構造単位と上記第２構造単位との合計モル数中の上記第２構造単位のモル割合である第１保護率と、上記第２重合体における上記モル割合である第２保護率との差が５モル％以上７０モル％以下である表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物の調製方法。
8. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子の絶縁膜。
9. 基板上に塗膜を形成する工程、この塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び現像された塗膜を加熱する工程を備える絶縁膜の形成方法であって、
   上記塗膜の形成に請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物を用いる表示素子の絶縁膜の形成方法。
10. 請求項８に記載の絶縁膜を備える表示素子。