JP2015052532A - Memsデバイス - Google Patents
Memsデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015052532A JP2015052532A JP2013185606A JP2013185606A JP2015052532A JP 2015052532 A JP2015052532 A JP 2015052532A JP 2013185606 A JP2013185606 A JP 2013185606A JP 2013185606 A JP2013185606 A JP 2013185606A JP 2015052532 A JP2015052532 A JP 2015052532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mems
- mems element
- substrate
- movable electrode
- diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/04—Means for compensating for effects of changes of temperature, i.e. other than electric compensation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0075—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板100上に設けられた第1および第2のMEMS素子とを備えている。前記第1および第2のMEMS素子の各々は、固定電極110と、上下方向に可動である可動電極140と、前記基板とともに前記固定電極および前記可動電極を収容する空洞を形成する第1の絶縁性の膜120と、前記空洞側の前記第1の絶縁性の膜の表面に設けられ、前記第1の絶縁性の膜に前記可動電極を接続するための第1のアンカー130とを備えている。前記第2のMEMS素子の前記第1の絶縁性の膜には貫通160孔が設けられている。前記第1のMEMS素子において、前記第1の絶縁性の膜および前記基板によって形成された前記空洞は閉じられている。前記第2のMEMS素子において、前記第1の絶縁性の膜および前記基板によって形成された前記空洞は貫通孔によって閉じられていない。
【選択図】 図2
Description
以下の実施形態では、MEMSデバイスの一つであるMEMS圧力センサを例にあげて説明するが、実施形態はMEMS圧力センサに限定されるものではない。実施形態のMEMS圧力センサは、例えば、スマートフォン向け圧力センサ(高度計、活動量計などの用途)、ヘルスケア向け圧力センサ、車載向け圧力センサ(側面衝突センサ、TPMS(Tire Pressure Monitoring System))に利用される。
圧力Pを受けているダイヤフラムの変形分布は、
w(r)=P(1−r2/a2)a4/(64D) (1)
D=Eh3/{12(1−ν2)} (2)
で与えられる。
rはダイヤフラムの中心からの距離、
w(r)はダイヤフラム中心からの距離rにおけるダイヤフラムの撓み量、
aはダイヤフラムの半径、
Pはダイヤフラムへの印加圧力、
Dはダイヤフラムの曲げ剛性、
Eはダイヤフラムのヤング率、
νはダイヤフラムのポアソン比
である。
wmax=w(0)=Pa4/(64D)
=3(1−ν2)Pa4/(16Eh3) (3)
である。
Coldは比較例のセンサ容量、
C0=επa2/g0は圧力が印加される前のセンサ容量(初期センサ容量)
εは空気の誘電率、
g0は圧力印加前である初期の可動電極と固定電極との電極間ギャップ
である。
ΔCold/C0=(Cold−C0)/C0は比較例のセンサの容量変化率
である。
以下の説明であらわれるパラメータ、定数のうち、比較例の説明であらわれたパラメータ、定数と同じものは同じ意味で用いている。
Cnew=επa2/(g0−wmax) (6)
で与えられる。
ΔCnew/C0=(Cnew−C0)/C0=wmax/(g0−wmax) (7)
で与えられる。
図7は、本実施形態のMEMS圧力センサの圧力検出用のMEMS素子を模式的に示す断面図であり、図8は、本実施形態のMEMS圧力センサの参照容量用のMEMS素子を模式的に示す断面図である。
基板200中にプラグ201を形成し、その後、固定電極202、配線203,204を形成する。
基板200上に第1の犠牲膜205を形成し、その後、配線203,204の上面の一部が露出するように、第1の犠牲膜205を所定の形状に加工する。第1の犠牲膜205は、例えば、ポリイミド等の有機物を材料とする絶縁膜である。
可動電極206およびアンカー207となる導電膜を全面に形成し、図示しないレジストパターンを形成し、そして、レジストパターンをマスクにして前記導電膜をエッチングし、可動電極206およびアンカー207を形成する。可動電極206およびアンカー207をそれぞれ別の材料の導電膜で形成しても構わない。
可動電極206とアンカー207とを接続するばね208となる導電膜を形成し、図示しないレジストパターンを形成し、そして、レジストパターンをマスクにして前記導電膜をエッチングし、ばね208を形成する。
図16までの工程で得られた製造途中のMEMS素子を半球状の形状を有する第2の犠牲膜209で覆い、その後、可動電極206の上面の一部が露出するように、第2の犠牲膜209に開口部210を形成する。第2の犠牲膜209は、例えば、塗布法により、ポリイミド等の有機物を材料とする塗布膜を形成した後、この塗布膜の全面をRIEプロセスにより加工することによる得られる。
開口部210を塞ぐように、第2の犠牲膜209上に、アンカー(第1のアンカー)および第1のダイヤフラムとなる絶縁性の膜211を形成する。膜211の材料は、例えば、シリコン酸化物である。
図示しないレジストパターンをマスクにして、膜211をエッチングすることにより、可動電極206に接続されたアンカー(第1のアンカー)211a、および、複数の貫通孔を有する第1のダイヤフラム211bを形成する。上記図示しないレジストパターンは、通常のフォトリソグラフィプロセスにより形成する。
酸素ガスを用いたアッシングにより、上記の図示しないレジストパターンを除去する。このとき、上記酸素ガスは、第1のダイヤフラム211bの貫通孔を介して、第2の犠牲膜209に供給される。第2の犠牲膜209は上記酸素ガスにより除去される。第2の犠牲膜209が除去されて第1の犠牲膜205が露出すると、第1の犠牲膜205も上記酸素ガスにより除去される。その結果、MEMS素子の可動部が動作するための空間としてのキャビティ(空洞)230が得られる。
図21は、本実施形態のMEMS圧力センサの圧力検出用のMEMS素子を模式的に示す断面図であり、図22は、本実施形態のMEMS圧力センサの参照容量用のMEMS素子を模式的に示す断面図である。
基板200上に固定電極202、配線203および配線204を形成し、その後、基板200、固定電極202、配線203および配線20の上に第1の絶縁層300aを形成する。
リソグラフィプロセスおよびエッチングを用いて、基板200、固定電極202、配線203および配線20のそれぞれの上面および側面の上の第1の絶縁層300aを残して、その他の第1の絶縁層300aを除去する。
全面上に第1の犠牲膜205を形成し、その後、リソグラフィプロセスおよびエッチングを用いて、配線203,204の上面の一部が露出するように、第1の犠牲膜205中に開口部を形成する。
第1の犠牲膜205の開口部の側面および底面を覆うように、第1の犠牲膜205上に第2の絶縁層300bを形成する。第2の絶縁層300bの材料は、第1の絶縁層300aの材料と同じである。
リソグラフィプロセスおよびエッチングを用いて、第1の犠牲膜205の開口部の底面上の第2の絶縁層300bを除去し、その後、図15、図16と同様に、可動電極206、アンカー207、ばね208を形成する。
全面に第3の絶縁層300cを形成し、その後、リソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスを用いて、第1の犠牲膜205の上面上の露出した第3の絶縁層300cおよびその下の第2の絶縁層300bを選択的に除去する。第3の絶縁層300cの材料は、第2の絶縁層300bの材料と同じである。この後は、第2に実施形態の図17以降の工程が行われる。
図29は、本実施形態のMEMS圧力センサの圧力検出用のMEMS素子を模式的に示す断面図であり、図30は、本実施形態のMEMS圧力センサの参照容量用のMEMS素子を模式的に示す断面図である。
図31は、本実施形態のMEMS圧力センサの参照容量用のMEMS素子を模式的に示す断面図である。
基板と、
前記基板上に設けられた第1のMEMS素子と、
前記基板上に設けられた第2のMEMS素子と
を具備してなり、
前記第1および第2のMEMS素子の各々は、
前記基板上に固定された固定電極と、
前記固定電極の上方に配置され、上下方向に可動である可動電極と、
前記基板とともに前記固定電極および前記可動電極を収容する空洞を形成する第1の絶縁性の膜と、
前記空洞側の前記第1の膜の表面に設けられ、前記第1の膜に前記可動電極を接続するための第1のアンカーとを具備してなり、
前記第1のMEMS素子において、前記第1の絶縁性の膜および前記基板によって形成された前記空洞は閉じられており、
前記第2のMEMS素子において、前記第1の絶縁性の膜および前記基板によって形成された前記空洞は貫通孔によって閉じられていないことを特徴とするMEMSデバイス。
前記第2のMEMS素子の前記貫通孔は、前記第1の絶縁性の膜または前記基板に設けられていることを特徴とする付記1に記載のMEMSデバイス
[付記3]
前記第1および第2のMEMS素子の各々は、さらに、
前記基板上に設けられ、前記固定電極の外側に配置された第2のアンカーと、
前記可動電極の上面上から前記第2のアンカーの上面上まで連接して形成され、前記可動電極と前記第1のアンカーとを接続するためのばね部とを具備してなることを特徴とする付記1または2に記載のMEMSデバイス
[付記4]
前記固定電極および前記可動電極の表面を覆う絶縁層をさらに具備してなることを特徴とする付記1または2に記載のMEMSデバイス。
前記固定電極および前記可動電極の表面を覆う絶縁層の材料は、シリコン窒化物であることを特徴とする付記1または2に記載のMEMSデバイス。
前記固定電極および前記可動電極の材料は、AlCu合金であることを特徴とする付記1または2に記載のMEMSデバイス。
前記第1のMEMS素子は圧力検出用のMEMS素子であり、前記第2のMEMS素子は参照容量用のMEMS素子であることを特徴とする付記1または2に記載のMEMSデバイス。
前記固定電極は平板形状を有し、前記可動電極は平板形状を有し、前記固定電極と前記可動電極とは対向していることを特徴とする付記1または2に記載のMEMSデバイス。
前記第1の膜に圧力が加わると、前記平板形状を有する前記可動電極は、下方に平行移動することを特徴とする付記1または2に記載のMEMSデバイス。
前記第1の絶縁性の膜上に設けられた第2の絶縁性の膜をさらに具備してなることを特徴とする付記1または2に記載のMEMSデバイス。
前記第2の絶縁性の膜上に設けられた第3の絶縁性の膜をさらに具備してなることを特徴とする付記10に記載のMEMSデバイス。
前記第1の絶縁性の膜の材料、前記第2の絶縁性の膜の材料および前記第3の絶縁性の膜の材料は互いに異なることを特徴とする付記11に記載のMEMSデバイス。
前記第1の絶縁性の膜の材料はシリコン酸化物であり、前記第2の絶縁性の膜の材料は有機物であり、前記第3の絶縁性の膜の材料はシリコン窒化物であることを特徴とする付記12に記載のMEMSデバイス
[付記14]
前記第1の絶縁性の膜の材料は前記第3の絶縁性の膜の材料とは同じであり、前記第2の絶縁性の膜の材料は前記第1および第2の絶縁性の膜の材料と異なることを特徴とする付記11に記載のMEMSデバイス。
前記第1および第3の絶縁性の膜の材料はシリコン酸化物であり、前記第2の絶縁性の膜の材料は有機物であることを特徴とする付記11に記載のMEMSデバイス。
前記第1の膜は複数の開口部を有し、前記第2の膜は前記第1の膜の前記複数の開口部を埋めることを特徴する付記10ないし15のいずれか1項に記載のMEMSデバイス。
前記第2の膜は塗布膜であることを特徴とする付記16に記載のMEMSデバイス。
前記固定電極、前記可動電極、前記第2のアンカーおよび前記ばね部の表面を覆う絶縁層をさらに具備してなることを特徴とする付記3に記載のMEMSデバイス。
前記第1のMEMS素子の前記第1の絶縁性の膜には貫通孔が設けられていないことを特徴とする付記1または2に記載のMEMSデバイス。
前記第1のMEMS素子の前記固定電極および前記可動電極を収容する前記空洞下の前記基板には貫通孔が設けられていないことを特徴とする付記2に記載のMEMSデバイス。
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上に設けられた第1のMEMS素子と、
前記基板上に設けられた第2のMEMS素子と
を具備してなり、
前記第1および第2のMEMS素子の各々は、
前記基板上に固定された固定電極と、
前記固定電極の上方に配置され、上下方向に可動である可動電極と、
前記基板とともに前記固定電極および前記可動電極を収容する空洞を形成する第1の絶縁性の膜と、
前記空洞側の前記第1の膜の表面に設けられ、前記第1の膜に前記可動電極を接続するための第1のアンカーとを具備してなり、
前記第1のMEMS素子において、前記第1の絶縁性の膜および前記基板によって形成された前記空洞は閉じられており、
前記第2のMEMS素子において、前記第1の絶縁性の膜および前記基板によって形成された前記空洞は貫通孔によって閉じられていないことを特徴とするMEMSデバイス。 - 前記第2のMEMS素子の前記貫通孔は、前記第1の絶縁性の膜または前記基板に設けられていることを特徴とする請求項1に記載のMEMSデバイス
- 前記第1および第2のMEMS素子の各々は、さらに、
前記基板上に設けられ、前記固定電極の外側に配置された第2のアンカーと、
前記可動電極の上面上から前記第2のアンカーの上面上まで連接して形成され、前記可動電極と前記第1のアンカーとを接続するためのばね部とを具備してなることを特徴とする請求項1または2に記載のMEMSデバイス - 前記固定電極および前記可動電極の表面を覆う絶縁層をさらに具備してなることを特徴とする請求項1または2に記載のMEMSデバイス。
- 前記第1のMEMS素子は圧力検出用のMEMS素子であり、前記第2のMEMS素子は参照容量用のMEMS素子であることを特徴とする請求項1または2に記載のMEMSデバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013185606A JP5985451B2 (ja) | 2013-09-06 | 2013-09-06 | Memsデバイス |
US14/188,342 US9274017B2 (en) | 2013-09-06 | 2014-02-24 | MEMS device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013185606A JP5985451B2 (ja) | 2013-09-06 | 2013-09-06 | Memsデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015052532A true JP2015052532A (ja) | 2015-03-19 |
JP5985451B2 JP5985451B2 (ja) | 2016-09-06 |
Family
ID=52624216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013185606A Active JP5985451B2 (ja) | 2013-09-06 | 2013-09-06 | Memsデバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9274017B2 (ja) |
JP (1) | JP5985451B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160124693A (ko) * | 2015-04-20 | 2016-10-28 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | Mems 센서를 위한 시스템 및 방법 |
JP2020153779A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | 圧力センサ |
KR102177143B1 (ko) * | 2020-04-27 | 2020-11-10 | 주식회사 제이피드림 | 공동을 갖는 박막 밀봉 패키지 및 그 형성 방법 |
US11169035B2 (en) | 2019-08-07 | 2021-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pressure sensor |
US11214481B2 (en) | 2019-08-13 | 2022-01-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MEMS element |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015068799A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
DE102014200500A1 (de) * | 2014-01-14 | 2015-07-16 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Drucksensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren |
US9493339B2 (en) * | 2014-09-02 | 2016-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Micro electro mechanical system |
JP2016170089A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | Mems装置及びmemsシステム |
CN105021323A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-11-04 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 按压传感器装置 |
JP6896576B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2021-06-30 | 株式会社東芝 | ガスセンサおよびその製造方法 |
CN110411614B (zh) * | 2018-04-27 | 2021-04-20 | 苏州明皜传感科技有限公司 | 力量传感器以及其制造方法 |
DE102020201576B4 (de) | 2020-02-10 | 2022-05-05 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Mikromechanisches Bauteil für eine Sensorvorrichtung und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil für eine Sensorvorrichtung |
JP7378358B2 (ja) * | 2020-06-19 | 2023-11-13 | 株式会社東芝 | センサ及び電子装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59163513A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | Fuji Electric Co Ltd | 静電容量式センサ |
JP2001159700A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-06-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 使用済燃料中間貯蔵容器の健全性モニタリング装置及びこれを備えた使用済燃料中間貯蔵施設 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000131173A (ja) | 1998-10-21 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | 静電容量式物理センサ |
JP3432780B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2003-08-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体圧力センサ |
TW200938479A (en) * | 2007-10-22 | 2009-09-16 | Toshiba Kk | Micromachine device and method of manufacturing the same |
JP4581011B2 (ja) * | 2008-01-25 | 2010-11-17 | 株式会社東芝 | 電気部品とその製造方法 |
JP5813471B2 (ja) | 2011-11-11 | 2015-11-17 | 株式会社東芝 | Mems素子 |
-
2013
- 2013-09-06 JP JP2013185606A patent/JP5985451B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-24 US US14/188,342 patent/US9274017B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59163513A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | Fuji Electric Co Ltd | 静電容量式センサ |
JP2001159700A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-06-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 使用済燃料中間貯蔵容器の健全性モニタリング装置及びこれを備えた使用済燃料中間貯蔵施設 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160124693A (ko) * | 2015-04-20 | 2016-10-28 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | Mems 센서를 위한 시스템 및 방법 |
JP2020153779A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | 圧力センサ |
US10908035B2 (en) | 2019-03-19 | 2021-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pressure sensor |
US11169035B2 (en) | 2019-08-07 | 2021-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pressure sensor |
US11214481B2 (en) | 2019-08-13 | 2022-01-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MEMS element |
KR102177143B1 (ko) * | 2020-04-27 | 2020-11-10 | 주식회사 제이피드림 | 공동을 갖는 박막 밀봉 패키지 및 그 형성 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5985451B2 (ja) | 2016-09-06 |
US9274017B2 (en) | 2016-03-01 |
US20150068314A1 (en) | 2015-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5985451B2 (ja) | Memsデバイス | |
JP6279464B2 (ja) | センサおよびその製造方法 | |
US10158949B2 (en) | MEMS microphone and method of manufacturing the same | |
US10412504B2 (en) | MEMS microphone and method of manufacturing the same | |
KR101740113B1 (ko) | 주변압에서의 변화 및 압력파를 센싱하기 위한 mems 센서 구조체 | |
KR100404904B1 (ko) | 차동 용량형 압력센서 및 그 제조방법 | |
US8901683B2 (en) | Micro electro mechanical system (MEMS) microphone and fabrication method thereof | |
US9264814B2 (en) | Microphone | |
US9641949B2 (en) | MEMS device and method for manufacturing the MEMS device | |
US10544038B2 (en) | MEMS microphone and method of manufacturing the same | |
US20160052776A1 (en) | Mems device | |
US9154886B2 (en) | Capacitive transducer manufacturing method, and multi-function device | |
JP2015200619A (ja) | 圧力センサ | |
TWI611167B (zh) | 經改良的壓力感測器 | |
US9400224B2 (en) | Pressure sensor and manufacturing method of the same | |
JP2016170089A (ja) | Mems装置及びmemsシステム | |
US9668064B2 (en) | Microelectromechanical system microphone | |
US20100116056A1 (en) | Micro-Electro-Mechanical System Device, Out-Of-Plane Sensor and Method for Making Micro-Electro-Mechanical System Device | |
JP6961639B2 (ja) | 圧力センサ | |
JP2006208135A (ja) | 圧力センサ及びその製造方法 | |
JP2016055395A (ja) | Mems素子およびその製造方法 | |
JP6519021B2 (ja) | 微細素子およびその製造方法 | |
JP2006167814A (ja) | Mems素子、mems素子の製造方法 | |
JP2009130297A (ja) | トランスデューサ用基板の製造方法およびトランスデューサ用基板、並びにトランスデューサ | |
JP2017158128A (ja) | Mems素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150812 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160301 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160803 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5985451 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |