JP2015048974A - チャンバー装置及び加熱方法 - Google Patents

Abstract

【課題】清浄な環境下で基板を収容することが可能なチャンバー装置及び加熱方法を提供すること。
【解決手段】一部に基板を収容可能な内部空間を有するチャンバーと、前記内部空間に配置された前記基板を加熱する加熱部と、前記チャンバーのうち前記内部空間に接する部分の温度を調整する温度調整部とを備える。
【選択図】図７

Description

本発明は、チャンバー装置及び加熱方法に関する。

Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎおよびこれらの組合せなどの金属と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、およびこれらの組合せなどの元素カルコゲンとを含む半導体材料を用いたＣＩＧＳ型太陽電池やＣＺＴＳ型太陽電池は、高い変換効率を有する太陽電池として注目されている（例えば特許文献１〜特許文献３参照）。

例えばＣＺＴＳ型太陽電池は、光吸収層（光電変換層）として、例えばＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｅの４種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。このような太陽電池の構成として、例えばガラスなどからなる基板上にモリブデンなどからなる裏面電極が設けられ、当該裏面電極の上に上記光吸収層が配置される構成が知られている。

このＣＺＴＳ型太陽電池は、従来型の太陽電池に比べて光吸収層の厚さを薄くすることができるため、曲面への設置や運搬が容易となる。このため、高性能でフレキシブルな太陽電池として、広い分野への応用が期待されている。光吸収層を形成する手法として、従来、例えば蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成する手法が知られていた（例えば、特許文献２〜特許文献５参照）。

特開平１１−３４０４８２号公報 特開２００５−５１２２４号公報 特表２００９−５３７９９７号公報 特開平１−２３１３１３号公報 特開平１１−２７３７８３号公報

これに対して、本発明者は、光吸収層を形成する手法として、上記半導体材料を液状体で基板上に塗布し、当該基板を加熱することで塗布膜を形成する手法を提案する。塗布膜を加熱する場合、チャンバー内に基板を収容した状態で行う。基板を加熱した後、基板をチャンバーから搬出し、チャンバーを冷却する。この処理において、以下の課題が挙げられる。

基板を加熱する際に液状体に含まれる物質の一部が気化してチャンバー内に漂う。この気化物は、加熱が終了し、基板が搬出された後もチャンバー内に漂い続ける場合がある。この状態でチャンバーを冷却すると、気化物の一部が固化してチャンバーの内壁に付着し、汚染の原因となる。

以上のような事情に鑑み、本発明は、清浄な環境下で基板を収容することが可能なチャンバー装置及び加熱方法を提供することを目的とする。

本発明の第一の態様に係るチャンバー装置は、一部に基板を収容可能な内部空間を有するチャンバーと、前記内部空間に配置された前記基板を加熱する加熱部と、前記チャンバーのうち前記内部空間に接する部分の温度を調整する温度調整部とを備える。

この構成によれば、温度調整部によってチャンバーのうち内部空間に接する部分の温度が調整されることで、気化物がこの内部空間に接する部分に付着するのを抑制することができる。これにより、清浄な環境下で基板を収容することが可能となる。

上記のチャンバー装置において、前記チャンバーは、前記内部空間に配置された前記基板の温度を調整可能な第二温度調整部を有する。
この構成によれば、第二温度調整部を用いて基板の温度を調整することにより、内部空間に存在する気化物が基板上で固化するように促進することができる。これにより、内部空間に存在する気化物の総量を減少させることができるため、内部空間を清浄な状態に維持することができる。

上記のチャンバー装置において、前記チャンバーは、前記内部空間に配置される前記基板を保持する基板保持部を有し、前記第二温度調整部は、前記基板保持部に設けられている。
この構成によれば、基板保持部を介して基板の温度を調整することができるため、効率的な温調が可能となる。

上記のチャンバー装置において、前記第二温度調整部は、前記基板保持部を加熱又は冷却することが可能な温調媒体を流通させる流路を有する。
この構成によれば、温調媒体によって基板保持部を加熱又は冷却することにより、効率的な温調が可能となる。

上記のチャンバー装置において、前記加熱部は、前記基板保持部に設けられている。
この構成によれば、加熱部によって加熱される基板保持部を効率的に温調または冷却することができる。

上記のチャンバー装置において、前記チャンバーは、前記内部空間に配置される前記基板を囲う壁部を有し、前記温度調整部は、前記壁部に設けられている。
この構成によれば、壁部の温度を調整することができるため、内部空間に存在する気化物が壁部に付着するのを抑制することができる。

上記のチャンバー装置において、前記温度調整部は、前記壁部の内部に設けられている。
この構成によれば、壁部の温度を内部から調整することができるため、効率的温調が可能となると共に、壁部のうち内部空間に接する部分を平坦に形成することができる。

上記のチャンバー装置において、前記チャンバーは、前記内部空間と外部との間を連通する開口部と、前記開口部を遮蔽可能な第一ゲート部とを有し、前記温度調整部は、前記第一ゲート部に設けられている。
この構成によれば、第一ゲートを温調することが可能となるため、内部空間に存在する気化物が第一ゲートに付着するのを抑制することができる。

上記のチャンバー装置において、前記チャンバーは、前記開口部を遮蔽可能な第二ゲート部を有し、前記温度調整部は、前記第二ゲート部に設けられている。
この構成によれば、開口部が第一ゲート及び第二ゲートの２つのゲートによって開閉される場合、第二ゲートについても温調することができる。これにより、内部空間に存在する気化物が第二ゲートに付着するのを抑制することができるため、第二ゲートの開閉動作の信頼性を維持することができる。

上記のチャンバー装置において、前記チャンバーは、前記内部空間を所定方向に移動可能に設けられ、前記基板保持部との間で前記基板の受け渡しを行う受け渡し部と、前記受け渡し部の移動経路を囲う第二壁部とを有し、前記温度調整部は、前記第二壁部に設けられていることが好ましい。

この構成によれば、第二壁部についても温度調整することが可能となるため、受け渡し部の移動経路の清浄性を維持することができる。

本発明に係る加熱方法は、一部に基板を収容可能な内部空間を有するチャンバーに前記基板を収容する収容ステップと、前記内部空間に配置された前記基板を加熱する加熱ステップと、前記チャンバーのうち前記内部空間に接する部分の温度を調整する温度調整ステップとを含む。

この構成によれば、チャンバーのうち内部空間に接する部分の温度を調整することで、加熱ステップで気化した物質がこの内部空間に接する部分に付着するのを抑制することができる。これにより、清浄な環境下で基板を収容した状態で基板を加熱することが可能となる。

上記の加熱方法において、前記温度調整ステップは、前記内部空間に配置された前記基板の温度を調整する第二温度調整ステップを含む。
この構成によれば、基板の温度を調整することにより、内部空間に存在する気化物が基板上で固化するように促進することができる。これにより、内部空間に存在する気化物の総量を減少させることができるため、内部空間を清浄な状態に維持することができる。

上記の加熱方法において、前記収容ステップは、前記内部空間に配置される基板保持部に前記基板を保持させることを含み、前記第二温度調整ステップは、前記基板保持部の温度を調整することを含む。
この構成によれば、基板保持部を介して基板の温度を調整することができるため、効率的な温調が可能となる。

上記の加熱方法において、前記第二温度調整ステップは、前記基板保持部に設けられた流路に当該基板保持部を冷却可能な温調媒体を流通させることを含む。
この構成によれば、基板保持部に設けられた流路に当該基板保持部を冷却可能な温調媒体を流通させることにより、効率的な冷却が可能となる。

上記の加熱方法において、前記加熱ステップは、前記基板保持部を加熱することを含む。

この構成によれば、第二温度調整ステップにおいて、加熱された基板保持部を効率的に温調または冷却することができる。

上記の加熱方法において、前記チャンバーは、前記内部空間に配置される前記基板を囲う壁部を有し、前記温度調整ステップは、前記壁部の温度を調整することを含む。
この構成によれば、壁部の温度を調整することにより、内部空間に存在する気化物が壁部に付着するのを抑制することができる。

上記の加熱方法において、前記温度調整ステップは、前記壁部の内部から温度を調整することを含む。
この構成によれば、壁部の温度を内部から調整することにより、効率的温調が可能となる。

上記の加熱方法において、前記チャンバーは、前記内部空間と外部との間を連通する開口部と、前記開口部を遮蔽可能なゲート部とを有し、前記温度調整ステップは、前記第一ゲート部の温度調整を行うことを含む。
この構成によれば、第一ゲート部の温度調整を行うことにより、内部空間に存在する気化物がゲート部に付着するのを抑制することができる。

上記の加熱方法において、前記チャンバーは、前記開口部を遮蔽可能な第二ゲート部を有し、前記温度調整ステップは、前記第二ゲート部の温度を調整することを含む。
この構成によれば、第一ゲート及び第二ゲートの２つのゲートの温度を調整することにより、内部空間に存在する気化物が第一ゲートのみならず第二ゲートに付着するのを抑制することができる。

上記の加熱方法において、前記チャンバーは、前記内部空間を所定方向に移動可能に設けられ、前記基板保持部との間で前記基板の受け渡しを行う受け渡し部と、前記受け渡し部の移動経路を囲う第二壁部とを有し、前記温度調整ステップは、前記第二壁部の温度を調整することを含む。
この構成によれば、第二壁部の温度を調整することにより、受け渡し部の移動経路の清浄性を維持することができる。

本発明によれば、清浄な環境下で基板を収容することが可能となる。

本発明の実施の形態に係る塗布装置の全体構成を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の全体構成を示す図。 本実施形態に係るノズルの構成を示す図。 本実施形態に係る塗布部の一部の構成を示す図。 本実施形態に係る減圧乾燥部の構成を示す図。 本実施形態に係る焼成部の一部の構成を示す図。 本実施形態に係る焼成部の一部の構成を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の減圧乾燥処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。 本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。 変形例に係る塗布装置の構成を示す図。 変形例に係る塗布装置の構成を示す図。 変形例に係る塗布装置の構成を示す図。 変形例に係る塗布装置の構成を示す図。 変形例に係る塗布装置の構成を示す図。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの構成を示す概略図である。
図１に示すように、塗布装置ＣＴＲは、基板Ｓに液状体を塗布する装置である。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２、接続部ＣＮ及び制御部ＣＯＮＴを有している。第一チャンバーＣＢ１は、塗布部ＣＴを有している。第二チャンバーＣＢ２は、焼成部ＢＫを有している。接続部ＣＮは、減圧乾燥部ＶＤを有している。

塗布装置ＣＴＲは、例えば工場などの床面ＦＬに載置されて用いられる。塗布装置ＣＴＲは、一つの部屋に収容される構成であっても構わないし、複数の部屋に分割して収容される構成であっても構わない。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されている。

なお、装置構成について、塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されることに限られることは無い。例えば、基板供給回収部ＬＵが不図示の基板供給部と不図示の基板回収部に分割されても構わないし、減圧乾燥部ＶＤが省略されても構わない。勿論、一方向に並んで配置されていなくてもよく、不図示のロボットを中心とした上下に積層する配置や、左右に配置する構成でもよい。

以下の各図において、本実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。当該ＸＹＺ座標系においては、床面に平行な平面をＸＹ平面とする。このＸＹ平面において塗布装置ＣＴＲの各構成要素（基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫ）が並べられた方向をＸ方向と表記し、ＸＹ平面上でＸ方向に直交する方向をＹ方向と表記する。ＸＹ平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。

本実施形態では、基板Ｓとして、例えばガラスや樹脂などからなる板状部材を用いている。本実施形態では更に、基板Ｓ上に裏面電極としてスパッタにてモリブデンを形成している。勿論、裏面電極として、他の導電性物質を用いる構成としても構わない。基板Ｓとして、Ｚ方向視における寸法が３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板を例に挙げて説明する。なお、基板Ｓの寸法については、上記のような３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板に限られることは無い。例えば、基板Ｓとして、寸法が１２５ｍｍ×１２５ｍｍの基板を用いても構わないし、寸法が１ｍ×１ｍの基板を用いても構わない。勿論、上記寸法よりも大きい寸法の基板や小さい寸法の基板を適宜用いることができる。

本実施形態では、基板Ｓに塗布する液状体として、例えば所定の溶媒に、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セレン（Ｓｅ）または銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、セレン（Ｓｅ）といった金属を含有する液状組成物を用いている。この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ型太陽電池の光吸収層（光電変換層）を構成する金属材料を含んでいる。

本実施形態では、この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ太陽電池の光吸収層のグレインサイズを確保するための物質を含んでいる。勿論、液状体として、他の金属、たとえば金属ナノ粒子を分散させた液状体を用いる構成としても構わない。

（基板供給回収部）
基板供給回収部ＬＵは、塗布部ＣＴに対して未処理の基板Ｓを供給すると共に、塗布部ＣＴからの処理済の基板Ｓを回収する。基板供給回収部ＬＵは、チャンバー１０を有している。チャンバー１０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー１０の内部には、基板Ｓを収容可能な収容室１０ａが形成されている。チャンバー１０は、第一開口部１１、第二開口部１２及び蓋部１４を有している。第一開口部１１及び第二開口部１２は、収容室１０ａとチャンバー１０の外部とを連通する。

第一開口部１１は、チャンバー１０の＋Ｚ側の面に形成されている。第一開口部１１は、Ｚ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。チャンバー１０の外部に取り出される基板Ｓや、収容室１０ａへ収容される基板Ｓは、第一開口部１１を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。

第二開口部１２は、チャンバー１０の＋Ｘ側の面に形成されている。第二開口部１２は、Ｘ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。塗布部ＣＴへ供給される基板Ｓや塗布部ＣＴから戻される基板Ｓは、第二開口部１２を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。

蓋部１４は、第一開口部１１を開放又は閉塞させる。蓋部１４は、矩形の板状に形成されている。蓋部１４は、不図示のヒンジ部を介して第一開口部１１の＋Ｘ側の辺に取り付けられている。このため、蓋部１４は、第一開口部１１の＋Ｘ側の辺を中心としてＹ軸周りに回動する。第一開口部１１は、蓋部１４をＹ軸周りに回動させることで開閉可能となっている。

収容室１０ａには、基板搬送部１５が設けられている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７を有している。ローラー１７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー１７がＸ方向に複数並んでいる。

各ローラー１７は、Ｙ軸方向を中心軸方向としてＹ軸周りに回転可能に設けられている。複数のローラー１７は、それぞれ等しい径となるように形成されており、複数のローラー１７の＋Ｚ側の端部はＸＹ平面に平行な同一平面上に配置されている。このため、複数のローラー１７は、基板ＳがＸＹ平面に平行な姿勢になるように当該基板Ｓを支持可能である。

各ローラー１７は、例えば不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７が基板Ｓを支持した状態で各ローラー１７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、基板ＳをＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送する。基板搬送部１５としては、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。

（第一チャンバー）
第一チャンバーＣＢ１は、床面ＦＬに載置された基台ＢＣ上に配置されている。第一チャンバーＣＢ１は、直方体の箱状に形成されている。第一チャンバーＣＢ１の内部には、処理室２０ａが形成されている。塗布部ＣＴは、処理室２０ａに設けられている。塗布部ＣＴは、基板Ｓに対して液状体の塗布処理を行う。

第一チャンバーＣＢ１は、第一開口部２１及び第二開口部２２を有している。第一開口部２１及び第二開口部２２は、処理室２０ａと第一チャンバーＣＢ１の外部とを連通する。第一開口部２１は、第一チャンバーＣＢ１の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部２２は、第一チャンバーＣＢ１の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部２１及び第二開口部２２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部２１及び第二開口部２２を介して第一チャンバーＣＢ１に出し入れされる。

塗布部ＣＴは、吐出部３１、メンテナンス部３２、液状体供給部３３、洗浄液供給部３４、廃液貯留部３５、気体供給排出部３７及び基板搬送部２５を有する。

吐出部３１は、ノズルＮＺ、処理ステージ２８及びノズル駆動部ＮＡを有している。
図３（ａ）は、ノズルＮＺの構成を示す図である。
図３（ａ）に示すように、ノズルＮＺは、長尺状に形成されており、長手方向がＸ方向に平行になるように配置されている。ノズルＮＺは、本体部ＮＺａ及び突出部ＮＺｂを有している。本体部ＮＺａは、内部に液状体を収容可能な筐体である。本体部ＮＺａは、例えばチタン又はチタン合金を含んだ材料を用いて形成されている。突出部ＮＺｂは、本体部ＮＺａに対して＋Ｘ側及び−Ｘ側にそれぞれ突出して形成されている。突出部ＮＺｂは、ノズル駆動部ＮＡの一部に保持される。

図３（ｂ）は、−Ｚ側からノズルＮＺを見たときの構成を示している。
図３（ｂ）に示すように、ノズルＮＺは、本体部ＮＺａの−Ｚ側の端部（先端ＴＰ）に吐出口ＯＰを有している。吐出口ＯＰは、液状体が吐出される開口部である。吐出口ＯＰは、Ｘ方向に長手となるようにスリット状に形成されている。吐出口ＯＰは、例えば長手方向が基板ＳのＸ方向の寸法とほぼ同一となるように形成されている。

ノズルＮＺは、例えば上記のＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の金属が所定の組成比で混合された液状体を吐出する。ノズルＮＺは、接続配管（不図示）などを介して、それぞれ液状体供給部３３に接続されている。ノズルＮＺは、内部に液状体を保持する保持部を有している。なお、上記保持部に保持された液状体の温度を調整する温調部が配置されていても構わない。

図１及び図２に戻って、処理ステージ２８は、塗布処理の対象となる基板Ｓを載置する。処理ステージ２８の＋Ｚ側の面は、基板Ｓを載置する基板載置面となっている。当該基板載置面は、ＸＹ平面に平行に形成されている。処理ステージ２８は、例えばステンレスなどを用いて形成されている。

ノズル駆動部ＮＡは、ノズルＮＺをＸ方向に移動させる。ノズル駆動部ＮＡは、リニアモータ機構を構成する固定子４０及び可動子４１を有している。なお、ノズル駆動部ＮＡとしては、例えばボールスクリュー機構など、他の駆動機構が用いられた構成であっても構わない。固定子４０は、Ｙ方向に延在されている。固定子４０は、支持フレーム３８に支持されている。支持フレーム３８は、第一フレーム３８ａ及び第二フレーム３８ｂを有している。第一フレーム３８ａは、処理室２０ａの−Ｙ側端部に配置されている。第二フレーム３８ｂは、処理室２０ａのうち第一フレーム３８ａとの間で処理ステージ２８を挟む位置に配置されている。

可動子４１は、固定子４０の延在方向（Ｙ方向）に沿って移動可能である。可動子４１は、ノズル支持部材４２及び昇降部４３を有する。ノズル支持部材４２は、門型に形成されており、ノズルＮＺの突出部ＮＺｂを保持する保持部４２ａを有している。ノズル支持部材４２は、昇降部４３と共に固定子４０に沿って第一フレーム３８ａと第二フレーム３８ｂとの間をＹ方向に一体的に移動する。このため、ノズル支持部材４２に保持されるノズルＮＺは、処理ステージ２８をＹ方向に跨いで移動する。ノズル支持部材４２は、昇降部４３の昇降ガイド４３ａに沿ってＺ方向に移動する。可動子４１は、ノズル支持部材４２をＹ方向及びＺ方向に移動させる不図示の駆動源を有している。

メンテナンス部３２は、ノズルＮＺのメンテナンスを行う部分である。メンテナンス部３２は、ノズル待機部４４及びノズル先端管理部４５を有している。
ノズル待機部４４は、ノズルＮＺの先端ＴＰが乾燥しないように当該先端ＴＰをディップさせる不図示のディップ部と、ノズルＮＺを交換する場合やノズルＮＺに供給する液状体を交換する場合にノズルＮＺ内に保持された液状体を排出する不図示の排出部とを有している。

ノズル先端管理部４５は、ノズルＮＺの先端ＴＰ及びその近傍を洗浄したり、ノズルＮＺの吐出口ＯＰから予備的に吐出したりすることで、ノズル先端のコンディションを整える部分である。ノズル先端管理部４５は、ノズルＮＺの先端ＴＰを払拭する払拭部４５ａと、当該払拭部４５ａを案内するガイドレール４５ｂと、を有している。ノズル先端管理部４５には、ノズルＮＺから排出された液状体や、ノズルＮＺの洗浄に用いられた洗浄液などを収容する廃液収容部３５ａが設けられている。

図４は、ノズルＮＺ及びノズル先端管理部４５の断面形状を示す図である。図４に示すように、払拭部４５ａは、断面視においてノズルＮＺの先端ＴＰ及び先端ＴＰ側の斜面の一部を覆う形状に形成されている。

ガイドレール４５ｂは、ノズルＮＺの吐出口ＯＰをカバーするようにＸ方向に延びている。払拭部４５ａは、不図示の駆動源などにより、ガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動可能に設けられている。払拭部４５ａがノズルＮＺの先端ＴＰに接触した状態でＸ方向に移動することで、先端ＴＰが払拭されることになる。

液状体供給部３３は、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂを有している。第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂには、基板Ｓに塗布する液状体が収容される。また、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂは、それぞれ異なる種類の液状体を収容可能である。

洗浄液供給部３４は、塗布部ＣＴの各部、具体的にはノズルＮＺの内部やノズル先端管理部４５などを洗浄する洗浄液が収容されている。洗浄液供給部３４は、不図示の配管やポンプなどを介して、これらノズルＮＺの内部やノズル先端管理部４５などに接続されている。

廃液貯留部３５は、ノズルＮＺから吐出された液体のうち再利用しない分を回収する。なお、ノズル先端管理部４５のうち、予備吐出を行う部分と、ノズルＮＺの先端ＴＰを洗浄する部分とが別々に設けられた構成であっても構わない。また、ノズル待機部４４において予備吐出を行う構成であっても構わない。

気体供給排出部３７は、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂを有している。気体供給部３７ａは、処理室２０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。排気部３７ｂは、処理室２０ａを吸引し、処理室２０ａの気体を第一チャンバーＣＢ１の外部に排出する。

基板搬送部２５は、処理室２０ａにおいて基板Ｓを搬送する。基板搬送部２５は、複数のローラー２７を有している。ローラー２７は、処理室２０ａのＹ方向の中央部をＸ方向に横切るように二列に配置されている。各列に配置されるローラー２７は、それぞれ基板Ｓの＋Ｙ側端辺及び−Ｙ側端辺を支持する。

基板Ｓを支持した状態で各ローラー２７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー２７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。

（接続部）
接続部ＣＮは、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２とを接続する。基板Ｓは、接続部ＣＮを経由して、第一チャンバーＣＢ１と第二チャンバーＣＢ２との間を移動するようになっている。接続部ＣＮは、第三チャンバーＣＢ３を有している。第三チャンバーＣＢ３は、直方体の箱状に形成されている。第三チャンバーＣＢ３の内部には、処理室５０ａが形成されている。本実施形態では、処理室５０ａには、減圧乾燥部ＶＤが設けられている。減圧乾燥部ＶＤは、基板Ｓ上に塗布された液状体を乾燥させる。第三チャンバーＣＢ３には、ゲートバルブＶ２及びＶ３が設けられている。

第三チャンバーＣＢ３は、第一開口部５１及び第二開口部５２を有している。第一開口部５１及び第二開口部５２は、処理室５０ａと第三チャンバーＣＢ３の外部とを連通する。第一開口部５１は、第三チャンバーＣＢ３の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部５２は、第三チャンバーＣＢ３の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部５１及び第二開口部５２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部５１及び第二開口部５２を介して第三チャンバーＣＢ３に出し入れされる。

減圧乾燥部ＶＤは、基板搬送部５５及び気体供給部５８、排気部５９及び加熱部５３を有している。
基板搬送部５５は、複数のローラー５７を有している。ローラー５７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー５７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー５７は、第一開口部２１を介して処理室５０ａに配置された基板Ｓを支持する。

基板Ｓを支持した状態で各ローラー５７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー５７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。

図５は、減圧乾燥部ＶＤの構成を示す模式図である。
図５に示すように、気体供給部５８は、処理室５０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。気体供給部５８は、第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂを有している。第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂは、ガスボンベやガス管などのガス供給源５８ｃに接続されている。処理室５０ａへのガスの供給は主として第一供給部５８ａを用いて行われる。第二供給部５８ｂは、第一供給部５８ａによる気体の供給量を微調整する。

排気部５９は、処理室５０ａを吸引し当該処理室５０ａの気体を第三チャンバーＣＢ３の外部に排出して、処理室５０ａを減圧させる。処理室５０ａを減圧させることにより、基板Ｓの液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、液状体を乾燥させる。排気部５９は、第一吸引部５９ａ及び第二吸引部５９ｂを有している。第一吸引部５９ａ及び第二吸引部５９ｂは、ポンプなどの吸引源５９ｃ及び５９ｄに接続されている。処理室５０ａからの吸引は主として第一吸引部５９ａを用いて行われる。第二吸引部５９ｂは、第一吸引部５９ａによる吸引量を微調整する。

加熱部５３は、処理室５０ａに配置された基板Ｓ上の液状体を加熱する。加熱部５３としては、例えば赤外線装置やホットプレートなどが用いられる。加熱部５３の温度は、例えば室温〜１００℃程度に調整可能である。加熱部５３を用いることにより、基板Ｓ上の液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、減圧下での乾燥処理をサポートする。

加熱部５３は、昇降機構（移動部）５３ａに接続されている。昇降機構５３ａは、加熱部５３をＺ方向に移動させる。昇降機構５３ａとしては、例えばモーター機構やエアシリンダ機構などが用いられている。昇降機構５３ａにより加熱部５３をＺ方向に移動させることにより、加熱部５３と基板Ｓとの間の距離を調整できるようになっている。昇降機構５３ａによる加熱部５３の移動量や移動のタイミングなどは、制御部ＣＯＮＴによって制御されるようになっている。

（第二チャンバー）
第二チャンバーＣＢ２は、床面ＦＬに載置された基台ＢＢ上に配置されている。第二チャンバーＣＢ２は、直方体の箱状に形成されている。第二チャンバーＣＢ２の内部には、処理室６０ａが形成されている。焼成部ＢＫは、処理室６０ａに設けられている。焼成部ＢＫは、基板Ｓ上に塗布された塗布膜を焼成する。

焼成部ＢＫは、基板搬送部６５及び気体供給部６８、排気部６９及びチャンバー装置７０を有している。
基板搬送部６５は、複数のローラー６７と、アーム部７１とを有している。ローラー６７は、基板案内ステージ６６をＹ方向に挟んで一対配置されており、当該一対のローラー６７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー６７は、開口部６１を介して処理室６０ａに配置された基板Ｓを支持する。

基板Ｓを支持した状態で各ローラー６７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー６７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。

アーム部７１は、架台７４上に配置されており、複数のローラー６７とチャンバー装置７０との間で基板Ｓの受け渡しを行う。アーム部７１は、搬送アーム７２及びアーム駆動部７３を有している。搬送アーム７２は、基板支持部７２ａ及び移動部７２ｂを有している。基板支持部７２ａは、基板Ｓの＋Ｙ側及び−Ｙ側の辺を支持する。移動部７２ｂは、基板支持部７２ａに連結されており、Ｘ方向に移動可能であり、かつθＺ方向に回動可能である。

アーム駆動部７３は、移動部７２ｂをＸ方向又はθＺ方向に駆動する。アーム駆動部７３によって移動部７２ｂを＋Ｘ方向に移動させた場合には、基板支持部７２ａがチャンバー装置７０内に挿入されると共に、基板Ｓがチャンバー装置７０のＺ方向視中央部に配置されるようになっている。

図６は、チャンバー装置７０の構成を示す平面図である。図７は、図６におけるＡ−Ａ断面に沿った構成を示す図である。
図６及び図７に示すように、チャンバー装置７０は、架台７４上に配置されている。チャンバー装置７０は、チャンバー本体８１と、加熱板（加熱部）８２と、温度調整部８３とを有している。

チャンバー本体８１は、底部９１、側壁部９２、天井部９３を有している。底部９１及び天井部９３は、平面視で矩形に形成されており、４つの辺がそれぞれ重なるように配置されている。側壁部９２は、底部９１及び天井部９３の４つの辺に対応する位置に配置されている。これら底部９１、側壁部９２及び天井部９３は、チャンバー本体８１の内部空間Ｋ０を囲うように配置されている。

底部９１は、底板９１Ｓを有している。底板９１Ｓのうち＋Ｚ側の面は、ＸＹ平面に平行となるように形成された底面９１ａとなっている。底面９１ａを平坦にすることにより、加熱板８２の下部のスペースを極力小さくすることができる。底板９１Ｓは、底面９１ａにおいて加熱板８２を支持する。底面９１ａの一部は、内部空間Ｋ０に接している。底板９１Ｓの−Ｚ側には、底部空間Ｋ１が形成されている。底部空間Ｋ１には、ミスト供給口９６ａ及びエアー供給口９７ａが設けられている。

底部９１は、温調板９１Ｃを有している。温調板９１Ｃは、底板９１Ｓの−Ｚ側に配置されている。温調板９１Ｃは、底板９１Ｓとの間で底部空間Ｋ１を挟む位置に設けられている。温調板９１Ｃの内部には、温調媒体Ｃ１を流通可能な流路９１ｒが形成されている。流路９１ｒは、例えば温調板９１Ｃのうち板面方向の全体に亘って引き回されている。この流路９１ｒは、例えば温調板９１Ｃの外部に設けられた不図示の温調媒体供給源に接続されている。この構成により、温調板９１Ｃを介して底板９１Ｓの温度を調整することが可能である。底板９１Ｓの温度を調整することにより、当該底板９１Ｓに支持される加熱板８２の温度を調整可能となっている。温調媒体Ｃ１としては、水などの液体を用いてもよいし、他の物質を用いてもよい。また、温調媒体Ｃ１を流通させる流路を底板９１Ｓに直接設ける構成としてもよい。また、底部空間Ｋ１の一部に温調媒体Ｃ１を流通させるようにしてもよい。

側壁部９２は、四角枠状に形成された壁部材９２Ｓを有している。壁部材９２Ｓの内面９２ａは、内部空間Ｋ０に接している。壁部材９２Ｓの４つの側部のうち＋Ｘ側の一側部の外面には、凹部９２ｂが形成されている。凹部９２ｂは、蓋部材９０によって封止されている。このように壁部材９２Ｓの内部には、蓋部材９０と凹部９２ｂとによって壁内空間Ｋ２が形成されている。壁内空間Ｋ２には、温度調整部８３として複数のシースヒーター９２ｄが設けられている。シースヒーター９２ｄは、止め具９２ｅによって壁部材９２Ｓに固定されている。この複数のシースヒーター９２ｄにより、内面９２ａの温度を側壁部９２の内側から調節できるようになっている。なお、図６及び図７では、壁部材９２Ｓの４つの側部のうち＋Ｘ側の一側部にのみシースヒーター９２ｄが配置された構成を例に挙げているが、これに限られることは無い。例えば、他の３つの側部のうち少なくとも１つの側部にシースヒーター９２ｄが設けられた構成であってもよい。

壁部材９２Ｓの４つの側部のうち−Ｘ側の一側部には、開口部機構９８が設けられている。開口部機構９８は、第一開口部８１ａが形成された第一部材９８ａと、第二開口部８１ｂが形成された第二部材９８ｂと、第一開口部８１ａを開閉する第一開閉部材８４と、第二開口部８１ｂを開閉する第二開閉部材８５とを有している。

第一部材９８ａは、チャンバー本体８１の外側に配置されている。第二部材９８ｂは、チャンバー本体８１の内側に配置されている。第二部材９８ｂは、壁部材９２Ｓの−Ｘ側の部分に挿入されている。第二部材９８ｂのうち上側には突出部９８ｃが形成されている。

第一開口部８１ａ及び第二開口部８１ｂは、チャンバー本体８１の内外を連通するように設けられている。第一開口部８１ａは、２つの開口部のうち外側に配置されている。第一開口部８１ａは、第一開閉部材８４によって開閉可能に設けられている。第二開口部８１ｂは、２つの開口部のうち内側に配置されている。第二開口部８１ｂは、第二開閉部材８５によって開閉可能に設けられている。第一開口部８１ａ及び第二開口部８１ｂは、基板Ｓを搬入及び搬出するための搬入出口となる。第一開閉部材８４及び第二開閉部材８５は、基板Ｓの搬送の妨げにならないように、第一開口部８１ａ、第二開口部８１ｂの開口領域から外れた位置に移動可能である。

壁部材９２Ｓの４つの側部のうち−Ｙ側の一側部には、気体導入口８６が設けられている。気体導入口８６は、図６に示す気体供給部８７に接続されている。気体導入口８６は、内部空間Ｋ０に窒素ガスなどを供給する。気体供給部８７は、ガスボンベやガス管などの気体供給源８７ａと、当該気体供給源８７ａと気体導入口８６とを接続する接続管８７ｂとを有している。気体供給源８７ａは、窒素ガスの供給源と、カルコゲン元素を含む気体（例、硫化水素、セレン化水素）の供給源とを有している。なお、気体供給源８７ａが他のガスの供給源を有する構成であってもよい。

壁部材９２Ｓの４つの側部のうち＋Ｙ側の一側部には、排気口８８が設けられている。排気口８８は、図６に示す排気部８９に接続されている。排気部８９は、内部空間Ｋ０を吸引し、内部空間Ｋ０の気体を内部空間Ｋ０の外部に排出する。排気部８９は、排気部８９は、ポンプなどの吸引源８９ａと、当該吸引源８９ａと排気口８８とを接続する接続管８９ｂとを有している。

このように、壁部材９２Ｓには、Ｙ方向に対向する２つの側部の一方に気体導入口８６が設けられ、他方に排気口８８が設けられるため、内部空間Ｋ０に導入される気体の流れを形成しやすいという利点がある。なお、本実施形態では、気体導入口８６が内部空間Ｋ０の上側に接続され、排気口８８が内部空間Ｋ０の下側に接続された構成を例に挙げているが、これに限られることは無い。例えば、気体導入口８６及び排気口８８のＺ位置が同じになるように配置された構成であってもよい。また、複数の気体導入口８６、排気口８８のＸ方向の並びについても、ピッチや配置パターンなどを適宜設定してもよい。また、気体供給部８７が気体を加熱する加熱部（不図示）を有する構成であってもよいし、排気部８９が気体を加熱する加熱部（不図示）を有する構成であってもよい。

天井部９３は、天井板９３Ｓを有している。天井板９３Ｓは、壁部材９２Ｓの突出部９２ｆ及び第二部材９８ｂの突出部９８ｃに固定されている。なお、突出部９２ｆは、壁部材９２Ｓのうち内部空間Ｋ０側へ張り出した部分である。天井板９３Ｓの−Ｚ側の面は、ＸＹ平面に平行となるように形成された天井面９３ａとなっている。天井面９３ａは、内部空間Ｋ０に接触する面である。天井板９３Ｓの＋Ｚ側は、天井空間Ｋ３となっている。天井空間Ｋ３には、温度調整部８３として、複数のシースヒーター９３ｄが設けられている。複数のシースヒーター９３ｄは、Ｘ方向に所定の間隔を空けて並んで配置されている。各シースヒーター９３ｄは、止め具９３ｅによって天井板９３Ｓの＋Ｚ側の面に固定されている。この構成では、シースヒーター９３ｄにより、天井面９３ａの温度を天井部９３の内側から調整できるようになっている。また、図６に示すように、シースヒーター９３ｄは、天井面９３ａの全体に亘って配置されているため、天井面９３ａの温度をムラ無く調整することができるようになっている。天井空間Ｋ３には、ミスト供給口９６ｂ及びエアー供給口９７ｂが設けられている。ミスト供給口９６ｂから供給されるミストやエアー供給口９７ｂから供給されるエアーは、例えばシースヒーター９３ｄの温調（例、冷却など）に用いられる。

加熱板８２は、内部空間Ｋ０に配置されており、上記のように底部９１の底板９１Ｓに固定されている。加熱板８２は、基板Ｓを載置させた状態で当該基板Ｓを加熱する。加熱板８２は、例えば石英などを用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。加熱板８２の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。加熱板８２には複数の貫通孔８２ａが形成されている。貫通孔８２ａは、リフト部９４の一部を貫通させる。

リフト部９４は、アーム部７１と加熱板８２との間で基板Ｓを移動させる。リフト部９４は、複数の支持ピン９４ａと、当該支持ピン９４ａを保持してＺ方向に移動可能な移動部９４ｂとを有している。加熱板８２に設けられる複数の貫通孔８２ａは、Ｚ方向視で複数の支持ピン９４ａに対応する位置に配置されている。リフト部９４には、支持ピン９４ａ及び移動部９４ｂの移動経路を覆うカバー部９５が設けられている。カバー部９５は、表面を加熱する加熱部９５ａを有している。

（基板搬送経路）
基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２、塗布部ＣＴの第一開口部２１並びに第二開口部２２、減圧乾燥部ＶＤの第一開口部５１並びに第二開口部５２、焼成部ＢＫの開口部６１は、Ｘ方向に平行な直線上に並んで設けられている。このため、基板Ｓは、Ｘ方向に直線上に移動する。また、基板供給回収部ＬＵから焼成部ＢＫのチャンバー装置７０に収容されるまでの経路においては、Ｚ方向の位置が保持されている。このため、基板Ｓによる周囲の気体の攪拌が抑制される。

（アンチチャンバー）
図１に示すように、第一チャンバーＣＢ１には、アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３が接続されている。
アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、第一チャンバーＣＢ１の内外を連通して設けられている。アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、それぞれ処理室２０ａの構成要素を第一チャンバーＣＢ１の外部へ取り出したり、第一チャンバーＣＢ１の外部から処理室２０ａに当該構成要素を入れ込んだりするための経路である。

アンチチャンバーＡＬ１は、吐出部３１に接続されている。吐出部３１に設けられるノズルＮＺは、アンチチャンバーＡＬ１を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。アンチチャンバーＡＬ２は、液状体供給部３３に接続されている。液状体供給部３３は、アンチチャンバーＡＬ２を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。

アンチチャンバーＡＬ３は、液状体調合部３６に接続されている。液状体調合部３６では、アンチチャンバーＡＬ３を介して液体を処理室２０ａに出し入れ可能となっている。また、アンチチャンバーＡＬ３は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば塗布部ＣＴにおいて液状体の試し塗りを行う場合、アンチチャンバーＡＬ３から未処理の基板Ｓを処理室２０ａに供給することが可能である。また、試し塗りを行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ３から取り出すことが可能である。また、緊急時などにアンチチャンバーＡＬ３から臨時に基板Ｓを取り出すことも可能である。

また、第二チャンバーＣＢ２には、アンチチャンバーＡＬ４が接続されている。
アンチチャンバーＡＬ４は、チャンバー装置７０に接続されている。アンチチャンバーＡＬ４は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えばチャンバー装置７０において基板Ｓの加熱を行う場合、アンチチャンバーＡＬ４から基板Ｓを処理室６０ａに供給することが可能である。また、加熱処理を行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ４から取り出すことが可能である。

（グローブ部）
図１に示すように、第一チャンバーＣＢ１には、グローブ部ＧＸ１が接続されている。また、第二チャンバーＣＢ２には、グローブ部ＧＸ２が接続されている。
グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、作業者が第一チャンバーＣＢ１及び６０内にアクセスするための部分である。作業者がグローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に手を挿入することにより、第一チャンバーＣＢ１及び６０内のメンテナンス動作などを行うことができるようになっている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、袋状に形成されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、それぞれ第一チャンバーＣＢ１及び６０の複数個所に配置されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に作業者が手を入れたか否かを検出するセンサなどが第一チャンバーＣＢ１及び６０内に配置されていても構わない。

（ゲートバルブ）
基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布部ＣＴの第一開口部２１との間には、ゲートバルブＶ１が設けられている。ゲートバルブＶ１は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ１をＺ方向に移動させることで、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布部ＣＴの第一開口部２１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部１２及び第一開口部２１が同時に開放されると、これら第二開口部１２と第一開口部２１との間で基板Ｓの移動が可能となる。

第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２と第三チャンバーＣＢ３の第一開口部５１との間には、ゲートバルブＶ２が設けられている。ゲートバルブＶ２は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ２をＺ方向に移動させることで、第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２と第三チャンバーＣＢ３の第一開口部５１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部２２及び第一開口部５１が同時に開放されると、これら第二開口部２２と第一開口部５１との間で基板Ｓの移動が可能となる。

第三チャンバーＣＢ３の第二開口部５２と第二チャンバーＣＢ２の開口部６１との間には、ゲートバルブＶ３が設けられている。ゲートバルブＶ３は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ３をＺ方向に移動させることで、第三チャンバーＣＢ３の第二開口部５２と第二チャンバーＣＢ２の開口部６１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部５２及び開口部６１が同時に開放されると、これら第二開口部５２と開口部６１との間で基板Ｓの移動が可能となる。

（制御装置）
制御部ＣＯＮＴは、塗布装置ＣＴＲを統括的に制御する部分である。具体的には、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ、焼成部ＢＫにおける動作、ゲートバルブＶ１〜Ｖ３の動作などを制御する。調整動作の一例として、制御部ＣＯＮＴは、溶媒濃度センサＳＲ１〜ＳＲ４による検出結果に基づいて、気体供給部３７ａの供給量を調整する。制御部ＣＯＮＴは、処理時間の計測等に用いる不図示のタイマーなどを有している。

（塗布方法）
次に、本実施形態に係る塗布方法を説明する。本実施形態では、上記のように構成された塗布装置ＣＴＲを用いて基板Ｓ上に、金属を含む塗布膜を形成する。塗布装置ＣＴＲの各部で行われる動作は、制御部ＣＯＮＴによって制御される。

制御部ＣＯＮＴは、まず、外部から基板供給回収部ＬＵに基板Ｓを搬入させる。この場合、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞された状態として、蓋部１４を開けて基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。基板Ｓが収容室１０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴは、蓋部１４を閉じさせる。

蓋部１４が閉じられた後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を開放させ、チャンバー１０の収容室１０ａと塗布部ＣＴの第一チャンバーＣＢ１の処理室２０ａとを連通させる。ゲートバルブＶ１を開放させた後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部１５を用いて基板ＳをＸ方向へ搬送する。

第一チャンバーＣＢ１の処理室２０ａに基板Ｓの一部が挿入された後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理室２０ａに完全に搬入させる。基板Ｓが搬入された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させる。制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた後、基板Ｓを処理ステージ２８へと搬送する。

図８は、塗布部ＣＴの構成を簡略化し一部の構成を省略して示す図である。以下、図９〜図１２においても同様である。図８に示すように、基板Ｓが処理ステージ２８上に載置されると、塗布部ＣＴにおいて塗布処理が行われる。当該塗布処理に先立って、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１及びＶ２が閉塞された状態とし、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂを用いて不活性ガスの供給及び吸引を行わせる。

この動作により、処理室２０ａの雰囲気及び圧力が調整される。処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整後、制御部ＣＯＮＴは、ノズル駆動部ＮＡ（図８では不図示）を用いてノズルＮＺをノズル待機部４４からノズル先端管理部４５へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、以後塗布処理の間、処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整動作を継続して行わせる。

ノズルＮＺがノズル先端管理部４５に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図９に示すように、ノズルＮＺに対して予備吐出動作を行わせる。予備吐出動作では、制御部ＣＯＮＴは、吐出口ＯＰから液状体Ｑを吐出させる。予備吐出動作の後、制御部ＣＯＮＴは、図１０に示すように、払拭部４５ａをガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動させ、ノズルＮＺの先端ＴＰ及びその近傍の傾斜部を払拭させる。

ノズルＮＺの先端ＴＰを払拭させた後、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを処理ステージ２８へ移動させる。ノズルＮＺの吐出口ＯＰが基板Ｓの−Ｙ側端部に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１１に示すように、ノズルＮＺを＋Ｙ方向に所定速度で移動させつつ、吐出口ＯＰから基板Ｓへ向けて液状体Ｑを吐出させる。この動作により、基板Ｓ上には液状体Ｑの塗布膜Ｆが形成される。

基板Ｓの所定領域に液状体Ｑの塗布膜を形成した後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理ステージ２８から第二ステージ２６Ｂへと＋Ｘ方向に移動させる。また、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを−Ｙ方向へ移動させ、ノズル待機部４４へと戻す。

基板Ｓが第一チャンバーＣＢ１の第二開口部２２に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１３に示すように、ゲートバルブＶ２を開放させ、基板Ｓを第一チャンバーＣＢ１から第二チャンバーＣＢ２へと搬送させる。なお、当該搬送ステップを行う際に、基板Ｓは接続部ＣＮに配置される第三チャンバーＣＢ３を経由する。制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓが第三チャンバーＣＢ３を通過する際に、当該基板Ｓに対して減圧乾燥部ＶＤを用いて乾燥処理を行わせる。具体的には、第三チャンバーＣＢ３の処理室５０ａに基板Ｓが収容された後、制御部ＣＯＮＴは、図１４に示すように、ゲートバルブＶ２を閉塞させる。

ゲートバルブＶ２を閉塞させた後、制御部ＣＯＮＴは、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させる。その後、制御部ＣＯＮＴは、図１５に示すように、気体供給部５８を用いて処理室５０ａの雰囲気を調整させると共に、排気部５９を用いて処理室５０ａを減圧させる。この動作により処理室５０ａが減圧すると、基板Ｓに形成された液状体Ｑの塗布膜に含まれる溶媒の蒸発が促進され、塗布膜が乾燥する。なお、制御部ＣＯＮＴは、排気部５９を用いて処理室５０ａを減圧する減圧動作を行わせる間に、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させても構わない。

また、制御部ＣＯＮＴは、図１５に示すように、加熱部５３を用いて基板Ｓ上の塗布膜Ｆを加熱する。この動作により、基板Ｓ上の塗布膜Ｆに含まれる溶媒の蒸発が促進され、減圧下での乾燥処理を短時間で行うことができる。制御部ＣＯＮＴは、加熱部５３によって加熱動作を行う間に、昇降機構５３ａを用いて加熱部５３のＺ方向の位置を調整させても構わない。

減圧乾燥処理が行われた後、制御部ＣＯＮＴは、図１６に示すように、ゲートバルブＶ３を開放させ、基板Ｓを接続部ＣＮから第二チャンバーＣＢ２へと搬送させる。基板Ｓが第二チャンバーＣＢ２の処理室６０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴはゲートバルブＶ３を閉塞させる。

図１７に示すように、制御部ＣＯＮＴは、第一開閉部材８４及び第二開閉部材８５を移動させ、第一開口部８１ａ及び第二開口部８１ｂを開いた状態としておく。その後、制御部ＣＯＮＴは、基板支持部７２ａを移動＋Ｘ方向に移動させることにより、基板Ｓが第一開口部８１ａ及び第二開口部８１ｂを介して内部空間Ｋ０に挿入され、加熱板８２の上方に配置される。

その後、制御部ＣＯＮＴは、図１８に示すように、リフト部９４を＋Ｚ方向に移動させる。この動作により、基板Ｓは搬送アーム７２の基板支持部７２ａから離れ、リフト部９４の複数の支持ピン９４ａに支持される。このようにして基板Ｓが基板支持部７２ａからリフト部９４へと渡される。基板Ｓがリフト部９４の支持ピン９４ａによって支持された後、制御部ＣＯＮＴは、基板支持部７２ａをチャンバー装置７０の外部へ−Ｘ方向に退避させる。

基板支持部７２ａを退避させた後、制御部ＣＯＮＴは、図１９に示すように、リフト部９４を−Ｚ方向に移動させると共に、第一開閉部材８４及び第二開閉部材８５を移動させて第一開口部８１ａ及び第二開口部８１ｂを閉塞させる。この動作により、チャンバー本体８１の内部空間Ｋ０が密閉される。内部空間Ｋ０が密閉された後、制御部ＣＯＮＴは、リフト部９４を−Ｚ方向へ移動させて基板Ｓを加熱板８２上に載置させる。このようにして基板Ｓは内部空間Ｋ０に収容される（収容ステップ）。

基板Ｓが内部空間Ｋ０に収容された後、制御部ＣＯＮＴは、図２０に示すように、気体供給部８７を用いて内部空間Ｋ０に窒素ガスや硫化水素ガス、セレン化水素ガスを供給すると共に、排気部８９を用いて内部空間Ｋ０を吸引させる。この動作により、内部空間Ｋ０の雰囲気及び圧力が調整されると共に、窒素ガス、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの気流が内部空間Ｋ０に形成される。窒素ガス、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの気流が形成された状態で、制御部ＣＯＮＴは、加熱板８２を作動させ、基板Ｓの焼成動作を行わせる（加熱ステップ）。この動作により、基板Ｓの塗布膜Ｆから溶媒成分が蒸発すると共に、塗布膜Ｆに含まれる気泡などが除去される。また、窒素ガス、硫化水素ガス、セレン化水素ガスの気流により、塗布膜Ｆから蒸発した溶媒成分や気泡などが押し流され、排気部８９から吸引される。

上記焼成動作においては、塗布膜Ｆに含まれる金属成分のうち少なくとも一種類の成分を融点以上まで加熱し、塗布膜Ｆの少なくとも一部を溶解させる。例えば、塗布膜ＦがＣＺＴＳ型の太陽電池に用いられる場合であれば、塗布膜Ｆを構成する成分のうち、Ｔｉ、Ｓ、Ｓｅについて融点以上まで加熱し、これらの物質を液状化させて塗布膜Ｆを凝集させる。その後、塗布膜Ｆが固形化する温度まで当該塗布膜Ｆを冷却する。塗布膜Ｆを固形化することで、当該塗布膜Ｆの強度が高められることになる。

このような焼成動作が完了した後、制御部ＣＯＮＴは、加熱板８２の動作を停止させ、基板Ｓ及びチャンバー本体８１の温度を低下させる。このとき、加熱ステップにおいて気化した金属成分などの気化物が排気されずに内部空間Ｋ０に残っていることがある。このため、基板Ｓ及びチャンバー本体８１の温度を自然冷却させた場合、内部空間Ｋ０に残った気化物が冷却されて固化し、チャンバー本体８１の内部に付着してしまうことがある。

これを防ぐため、制御部ＣＯＮＴは、図２１に示すように、チャンバー本体８１のうち内部空間Ｋ０に接触する部分の温度を、温度調整部８３を用いて調整する。このように内部空間Ｋ０に接触する部分としては、例えば側壁部９２の内面９２ａや天井部９３の天井面９３ａが挙げられる。側壁部９２について、制御部ＣＯＮＴは、シースヒーター９２ｄを用いて壁部材９２Ｓを加熱する。これにより、側壁部９２の内部から内面９２ａが加熱される。天井部９３について、制御部ＣＯＮＴは、シースヒーター９３ｄを用いて天井板９３Ｓを加熱する。これにより、天井部９３の内部から天井面９３ａが加熱される。

内面９２ａ及び天井面９３ａがシースヒーター９２ｄ、９３ｄによってそれぞれ加熱されることにより、当該内面９２ａ及び天井面９３ａの温度低下が抑制される。このため、内部空間Ｋ０に残った気化物が固化するのを防ぐことができ、金属物質等の付着が抑制されることになる。

また、上記の温度調整部８３による温度調整に加えて、制御部ＣＯＮＴは、温調板９１Ｃの内部の流路９１ｒに温調媒体Ｃ１を流通させ、温調板９１Ｃを冷却させる。これにより、底板９１Ｓ及び当該底板９１Ｓに載置された加熱板８２が冷却され、加熱板８２を介して基板Ｓが冷却される。基板Ｓが冷却されることにより、内部空間Ｋ０に残った気化物は、基板Ｓによって冷却されて固化し、基板Ｓに付着することになる。後に基板Ｓが内部空間Ｋ０から搬出されるため、内部空間Ｋ０の気化物は基板Ｓに付着した状態で排出されることになる。これにより、内部空間Ｋ０に存在する気化物の総量が減少する。

なお、制御部ＣＯＮＴは、上記のように内面９２ａ及び天井面９３ａを加熱し、基板Ｓを冷却する場合、図２１に示すように、気体導入口８６から窒素などの不活性ガスを内部空間Ｋ０に供給すると共に、排気口８８から内部空間Ｋ０の気体を排気させることにより、内部空間Ｋ０を清浄化する。これにより、内部空間Ｋ０に存在する気化物の総量が減少する。

基板Ｓの温度が所定温度まで低下した後、基板Ｓを内部空間Ｋ０から搬出する。制御部ＣＯＮＴは、図２２に示すように、第一開閉部材８４及び第二開閉部材８５を移動させて第一開口部８１ａ及び第二開口部８１ｂを開かせる。また、制御部ＣＯＮＴは、リフト部９４を＋Ｚ方向に移動させ、支持ピン９４ａによって基板Ｓを持ち上げさせる。その後、搬送アーム７２の基板支持部７２ａを内部空間Ｋ０に挿入させ、基板支持部７２ａによって基板Ｓを支持させる。制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓを基板支持部７２ａに支持させた後、基板支持部７２ａを−Ｘ方向に移動させる。これにより、基板Ｓが内部空間Ｋ０から搬出される。また、制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓを搬出させる際、温度調整部８３による内面９２ａ及び天井面９３ａの加熱を継続させると共に、排気口８８からの排気を継続させて行わせる。これにより、基板搬出時における気化物の固化を防ぐと共に、内部空間Ｋ０に存在する気化物を排出させる。

基板を搬出した後、制御部ＣＯＮＴは、図２３に示すように、温度調整部８３による加熱を停止させ、チャンバー本体８１を冷却する。このとき、ミスト供給口９６ｂから天井空間Ｋ３にミストを供給したり、エアー供給口９７ｂから天井空間Ｋ３にエアーを供給したりすることにより、シースヒーター９２ｄを冷却することができる。上記の加熱ステップにおいて内部空間Ｋ０に存在していた気化物が固化することなく排出されているため、金属物質等が内面９２ａや天井面９３ａ、底面９１ａなどにほとんど付着すること無く、チャンバー本体８１が冷却される。このため、次に搬入される基板Ｓは、清浄な環境下にある内部空間Ｋ０に収容されることになる。

内部空間Ｋ０から搬出された基板Ｓは、チャンバー装置７０からアーム部７１、基板案内ステージ６６を経て焼成部ＢＫから搬出され、減圧乾燥部ＶＤ、塗布部ＣＴを経て基板供給回収部ＬＵへ戻される。基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた状態で蓋部１４を開放させる。その後、作業者は、チャンバー１０内の基板Ｓを回収し、新たな基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。

基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、基板Ｓに形成された塗布膜Ｆ上に更に別の塗布膜を重ねて形成する場合、制御部ＣＯＮＴは、再度基板Ｓを塗布部ＣＴへ搬送させ、塗布処理、減圧乾燥処理及び焼成処理を繰り返して行わせる。このようにして基板Ｓ上に塗布膜Ｆが積層される。

以上のように、本実施形態によれば、温度調整部８３によってチャンバー本体８１のうち内部空間Ｋ０に接する部分（内面９２ａ、天井面９３ａ）の温度が調整されることで、気化物が内面９２ａ、天井面９３ａに付着するのを抑制することができる。これにより、清浄な環境下で基板Ｓを収容することが可能となる。

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、温度調整部８３としてシースヒーターが設けられた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、他の加熱機構が設けられてもよい。

また、例えば、上記実施形態では、温度調整部８３を構成するシースヒーターが側壁部９２及び天井部９３にのみ配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。

図２４は、変形例に係るチャンバー装置７０Ａの構成を示す図である。
図２４に示すように、開口部機構９８に温度調整部８３Ａ、８３Ｂ、８３Ｃが設けられた構成であってもよい。

温度調整部８３Ａは、開口部機構９８の第一部材９８ａに設けられている。当該温度調整部８３Ａとして、例えばシースヒーター９８ｄが用いられている。シースヒーター９８ｄは、第一部材９８ａの＋Ｚ側の面及び−Ｚ側の面に配置されている。この構成により、第一部材９８ａを加熱し、内部空間Ｋ０に接触する内面９８ｅの温度を調整することができる。このため、内面９８ｅに気化物が固化して付着するのを抑制することができる。勿論、シースヒーター９８ｄは、第一部材９８ａの内面９８ｅに設けられるなど、他の位置に配置されていてもよい。

温度調整部８３Ｂは、開口部機構９８の第一開閉部材８４に設けられている。当該温度調整部８３Ｂとして、例えばシースヒーター８４ｄが用いられている。シースヒーター８４ｄは、第一開閉部材８４の−Ｘ側の面に固定されている。この構成により、第一開閉部材８４を加熱し、内部空間Ｋ０に接触する内面８４ａの温度を調整することができる。このため、内面８４ａに気化物が固化して付着するのを抑制することができる。勿論、シースヒーター８４ｄは、第一開閉部材８４の＋Ｚ側の面、−Ｚ側の面、＋Ｙ側の面又は−Ｙ側の面など、他の位置に配置されていてもよい。

温度調整部８３Ｃは、開口部機構９８の第二開閉部材８５に設けられている。当該温度調整部８３Ｃとして、例えばシースヒーター８５ｄが用いられている。シースヒーター８５ｄは、第二開閉部材８５の−Ｘ側の面に固定されている。この構成により、第二開閉部材８５を加熱し、内部空間Ｋ０に接触する内面８５ａの温度を調整することができる。このため、内面８５ａに気化物が固化して付着するのを抑制することができる。勿論、シースヒーター８５ｄは、第二開閉部材８５の＋Ｚ側の面、−Ｚ側の面、＋Ｙ側の面又は−Ｙ側の面など、他の位置に配置されていてもよい。

また、例えば、上記実施形態では、温度調整部８３としてシースヒーターを例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、温調媒体によって内面９２ａや天井面９３ａを加熱する構成であってもよい。
図２５は、変形例に係るチャンバー装置７０Ｂの構成を示す図である。
図２５に示すように、チャンバー装置７０Ｂのうち、壁部材９２Ｓ及び天井板９３Ｓには、流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒが形成されている。流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒには、温調媒体Ｃ２が流通可能になっている。流路９２Ｓｒ及び流路９３Ｓｒは、連通された状態となっている。このため、温調媒体Ｃ２は、流路９２Ｓｒ及び流路９３Ｓｒの間を流通することになる。

温調媒体Ｃ２としては、例えば公知の温調用オイルなどを用いることができる。チャンバー装置７０Ｂには、温調媒体Ｃ２を流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒに供給するための不図示の温調媒体供給部９９Ｓが設けられている。温調媒体供給部は、流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒに供給する温調媒体Ｃ２を予め加熱する加熱部９９ｈを有している。この構成により、加熱した温調媒体Ｃ２が流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒに供給される。温調媒体Ｃ２は、流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒを流通し、その際に温調媒体Ｃ２の熱が壁部材９２及び天井板９３に伝達される。温調媒体Ｃ２の加熱温度としては、壁部材９２及び天井板９３が所定の温度に到達する程度の温度とすることができる。この温度は、実験やシミュレーション、実際の使用などによって調整することが可能である。なお、チャンバー装置７０Ｂには、シースヒーターは設けられていない。

このような構成によれば、温調媒体Ｃ２を流通させることによって壁部材９２及び天井板９３の温調を行うことができるため、電熱線を用いた温調に比べて消費電力を低減させることができる。なお、上記説明では、流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒには、加熱した温調媒体Ｃ２を供給する例を挙げたが、これに限られることは無い。例えば、流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒに冷却した温調媒体Ｃ２を供給してもよい。この場合、加熱された壁部材９２及び天井板９３を冷却することができる。

また、図２６は、他の変形例に係るチャンバー装置７０Ｃの構成を示す図である。
図２６に示すように、チャンバー装置７０Ｂと同様に、チャンバー装置７０Ｃの壁部材９２Ｓ及び天井板９３Ｓには、流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒが形成されている。チャンバー装置７０Ｃにおいては、流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒと、温調板９１Ｃに形成された流路９１ｒとが、温調媒体駆動部９９によって接続された構成となっている。

温調媒体駆動部９９は、第一流路９９ａと、本体部９９ｂと、第二流路９９ｃとを有している。第一流路９９ａは、流路９３Ｓｒ（または流路９２Ｓｒでもよい）と本体部９９ｂとの間を接続している。第二流路９９ｃは、本体部９９ｂと流路９１ｒとの間を接続している。

本体部９９ｂは、流路９３Ｓｒ（または流路９２Ｓｒ）を流通する温調媒体Ｃ３を第一流路９９ａから吸引し、所定温度に冷却する。なお、この温調媒体Ｃ３は、別途設けられた温調媒体供給部９９Ｓなどから供給される。また、本体部９９ｂは、温調媒体Ｃ３を所定温度に冷却した後、第二流路９９ｂを介して温調媒体Ｃ３を流路９１ｒに供給する。なお、流路９１ｒに供給された温調媒体Ｃ３は、流路９１ｒを流通した後、不図示の排出部によって流路９１ｒの外部に排出される。

このような構成によれば、温調媒体Ｃ３が流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒ及び流路９１ｒに共通して流通させることができるため、温調媒体Ｃ３の管理を容易に行うことができる。また、温調媒体Ｃ３の駆動系を共通化することができるため、温調媒体Ｃ３の流通の制御を容易に行うことができる。

なお、排出部から流路９１ｒの外部に排出された温調媒体Ｃ３は、不図示の流路により、温調媒体供給部９９Ｓに戻される構成としてもよい。これにより、温調媒体Ｃ３に流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒ及び９１ｒの間を循環させることができるため、効率的な温調が可能となる。

また、上記説明では、流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒには、加熱した温調媒体Ｃ３を供給し、流路９１ｒには冷却した温調媒体Ｃ３を供給する例を挙げたが、これに限られることは無い。例えば、流路９２Ｓｒ、９３Ｓｒに冷却した温調媒体Ｃ３を供給し、流路９１ｒには加熱した温調媒体Ｃ３を供給可能な構成としてもよい。

また、上記実施形態においては、第二チャンバーＣＢ２の焼成部ＢＫにおいて焼成動作を行わせる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図２７に示すように、第二チャンバーＣＢ２とは異なる位置に別途第四チャンバーＣＢ４が設けられ、当該第四チャンバーＣＢ４に設けられる加熱部ＨＴによって基板Ｓを加熱する構成であっても構わない。

この場合、例えば基板Ｓに塗布膜Ｆを積層させた後、第四チャンバーＣＢ４の加熱部ＨＴにおいて、積層された塗布膜Ｆを焼成するための加熱処理（第二加熱ステップ）を行うようにすることができる。第二加熱ステップにおける加熱処理では、焼成部ＢＫによる加熱処理よりも高い加熱温度で塗布膜Ｆを加熱する。この加熱処理により、積層された塗布膜Ｆの固形分（金属成分）を結晶化させることができるので、塗布膜Ｆの膜質を更に高めることができる。

なお、基板Ｓに塗布膜Ｆを積層させた後の加熱については、第二チャンバーＣＢ２の焼成部ＢＫにおいて行うようにしても構わない。この場合、焼成部ＢＫでは、塗布膜Ｆの各層を焼成する場合の加熱温度よりも、積層させた後の塗布膜Ｆを焼成する場合の加熱温度の方が高くなるように制御すれば良い。

また、上記実施形態では、減圧乾燥部ＶＤにおいて、基板Ｓの−Ｚ側（鉛直方向下側）に加熱部５３が配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば加熱部５３が基板Ｓの＋Ｚ側（鉛直方向上側）に配置された構成であっても構わない。また、昇降機構５３ａを用いて、基板Ｓの−Ｚ側の位置と基板Ｓの＋Ｚ側の位置との間を移動可能な構成としても構わない。この場合、加熱部５３の形状として、基板搬送部５５を構成する複数のローラー５７を通過可能な構成（例えば、加熱部５３に開口部が設けられている、など）となっていれば良い。

また、塗布装置ＣＴＲの構成として、例えば図２８に示すように、基板供給回収部ＬＵの＋Ｘ側に、塗布部ＣＴを有する第一チャンバーＣＢ１、減圧乾燥部ＶＤを有する接続部ＣＮ及び焼成部ＢＫを有する第二チャンバーＣＢ２が繰り返して配置された構成であっても構わない。

図２８では、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が３回繰り返して配置された構成が示されているが、これに限られることは無く、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が２回繰り返して配置された構成や、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２が４回以上繰り返して配置された構成であっても構わない。

このような構成によれば、第一チャンバーＣＢ１、接続部ＣＮ及び第二チャンバーＣＢ２がＸ方向に直列に繰り返し設けられているため、基板Ｓを一方向（＋Ｘ方向）に搬送すれば良く、基板ＳをＸ方向に往復させる必要が無いため、基板Ｓに対して塗布膜を積層する工程を連続して行うことができる。これにより、基板Ｓに対して効率的に塗布膜を形成することができる。

なお、上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、設計要求等に基づき種々変更可能である。例えば、上記実施形態においては、塗布部ＣＴの構成として、スリット型のノズルＮＺを用いた構成としたが、これに限られることは無く、例えば中央滴下型の塗布部を用いても構わないし、インクジェット型の塗布部を用いても構わない。また、例えば基板Ｓ上に配置される液状体をスキージなどを用いて拡散させて塗布する構成であっても構わない。

また、例えば、上記塗布装置ＣＴＲを用いた処理を行う場合、第一チャンバーＣＢ１、第二チャンバーＣＢ２、第三チャンバーＣＢ３、チャンバー装置７０を含むチャンバー装置の少なくとも１つにおいて、動作時の所定のタイミング（例えば、チャンバー装置への基板Ｓの搬入前、搬出後、ノズルＮＺによる液状体Ｑの吐出前、吐出後、加熱部５３による加熱前、加熱後、加熱板８２による加熱前、加熱後など、各チャンバーにおける処理の前後を含む）又は非動作時に、必要に応じてメンテナンス処理や、チャンバー装置の周囲又は内部の状態を所定状態（例えば、初期状態、所定の雰囲気の状態、所定の温度状態など）にするための処理（例えば、構造物の移動、クリーニング、雰囲気調整、温度調整など）を適宜行ってもよい。

また、上記メンテナンス処理、上記所定状態にするための各処理等を行う場合には、例えば洗浄液などを用いた洗浄を行ってもよいし、気体供給部５８、気体供給部８７あるいはこれらに対応する構成を用いて、窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガス、空気、水蒸気などの各種ガスのうち少なくとも１つのガスあるいは他の種類のガスを適宜各チャンバー装置の周囲又は内部に供給してもよい。また、必要に応じて搬送系（例えば、ローラー、アームなど）を適宜作動させるようにしてもよい。

また、上記実施形態において、塗布装置ＣＴＲが一つの部屋に収容される構成である場合、当該部屋の雰囲気を調整する気体供給排出部が設けられた構成であっても構わない。この場合、当該気体供給排出部を用いて部屋の雰囲気中の気化溶媒などを排出することができるため、部屋全体の雰囲気の清浄化を行うことができ、より確実に塗布環境の変化を抑制することができる。

なお、上記において実施形態又はその変形例として記載した各構成要素は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わせることができるし、また、組み合わされた複数の構成要素のうち一部の構成要素を適宜用いないようにすることもできる。

ＣＴＲ…塗布装置 Ｓ…基板 Ｋ０…内部空間 ７０…チャンバー装置 ８１…チャンバー本体 ８２…加熱板 ８３、８３Ａ、８３Ｂ、８３Ｃ…温度調整部 ８４ｄ、８５ｄ、９２ｄ、９３ｄ、９８ｄ…シースヒーター ９１…底部 ９１Ｃ…温調板 ９１ｒ…流路 ９２…側壁部 ９２ａ…内面 ９２Ｓ…壁部材 ９３…天井部 ９３Ｓ…天井板 ９３ａ…天井面 ９４…リフト部 ９５…カバー部 ９５ａ…加熱部 ９６ａ…ミスト供給口 ９７ａ…エアー供給口 ９８…開口部機構 Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３…温調媒体

Claims (20)

1. 一部に基板を収容可能な内部空間を有するチャンバーと、
   前記内部空間に配置された前記基板を加熱する加熱部と、
   前記チャンバーのうち前記内部空間に接する部分の温度を調整する温度調整部と
   を備えるチャンバー装置。
2. 前記チャンバーは、前記内部空間に配置された前記基板の温度を調整可能な第二温度調整部を有する
   請求項１に記載のチャンバー装置。
3. 前記チャンバーは、前記内部空間に配置される前記基板を保持する基板保持部を有し、
   前記第二温度調整部は、前記基板保持部に設けられている
   請求項２に記載のチャンバー装置。
4. 前記第二温度調整部は、前記基板保持部を加熱又は冷却することが可能な温調媒体を流通させる流路を有する
   請求項３に記載のチャンバー装置。
5. 前記加熱部は、前記基板保持部に設けられている
   請求項３又は請求項４に記載のチャンバー装置。
6. 前記チャンバーは、前記内部空間に配置される前記基板を囲う壁部を有し、
   前記温度調整部は、前記壁部に設けられている
   請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。
7. 前記温度調整部は、前記壁部の内部に設けられている
   請求項６に記載のチャンバー装置。
8. 前記チャンバーは、
   前記内部空間と外部との間を連通する開口部と、
   前記開口部を遮蔽可能な第一ゲート部と
   を有し、
   前記温度調整部は、前記第一ゲート部に設けられている
   請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。
9. 前記チャンバーは、前記開口部を遮蔽可能な第二ゲート部を有し、
   前記温度調整部は、前記第二ゲート部に設けられている
   請求項８に記載のチャンバー装置。
10. 前記チャンバーは、
    前記内部空間を所定方向に移動可能に設けられ、前記基板保持部との間で前記基板の受け渡しを行う受け渡し部と、
    前記受け渡し部の移動経路を囲う第二壁部と
    を有し、
    前記温度調整部は、前記第二壁部に設けられている
    請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。
11. 一部に基板を収容可能な内部空間を有するチャンバーに前記基板を収容する収容ステップと、
    前記内部空間に配置された前記基板を加熱する加熱ステップと、
    前記チャンバーのうち前記内部空間に接する部分の温度を調整する温度調整ステップと
    を含む加熱方法。
12. 前記温度調整ステップは、前記内部空間に配置された前記基板の温度を調整する第二温度調整ステップを含む
    請求項１１に記載の加熱方法。
13. 前記収容ステップは、前記内部空間に配置される基板保持部に前記基板を保持させることを含み、
    前記第二温度調整ステップは、前記基板保持部を冷却することを含む
    請求項１２に記載の加熱方法。
14. 前記第二温度調整ステップは、前記基板保持部に設けられた流路に当該基板保持部を冷却可能な温調媒体を流通させることを含む
    請求項１３に記載の加熱方法。
15. 前記加熱ステップは、前記基板保持部を加熱することを含む
    請求項１３又は請求項１４に記載の加熱方法。
16. 前記チャンバーは、前記内部空間に配置される前記基板を囲う壁部を有し、
    前記温度調整ステップは、前記壁部の温度を調整することを含む
    請求項１１から請求項１５のうちいずれか一項に記載の加熱方法。
17. 前記温度調整ステップは、前記壁部の内部から温度を調整することを含む
    請求項１６に記載の加熱方法。
18. 前記チャンバーは、
    前記内部空間と外部との間を連通する開口部と、
    前記開口部を遮蔽可能な第一ゲート部と
    を有し、
    前記温度調整ステップは、前記第一ゲート部の温度調整を行うことを含む
    請求項１１から請求項１７のうちいずれか一項に記載の加熱方法。
19. 前記チャンバーは、前記開口部を遮蔽可能な第二ゲート部を有し、
    前記温度調整ステップは、前記第二ゲート部の温度を調整することを含む
    請求項１８に記載の加熱方法。
20. 前記チャンバーは、
    前記内部空間を所定方向に移動可能に設けられ、前記基板保持部との間で前記基板の受け渡しを行う受け渡し部と、
    前記受け渡し部の移動経路を囲う第二壁部と
    を有し、
    前記温度調整ステップは、前記第二壁部の温度を調整することを含む
    請求項１１から請求項１９のうちいずれか一項に記載の加熱方法。

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