JP2015038958A - 光源装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 141
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
- G03B21/14—Details
- G03B21/20—Lamp housings
- G03B21/2006—Lamp housings characterised by the light source
- G03B21/2033—LED or laser light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
例えば、プロジェクタ用途として、半導体レーザ素子を複数備える光源装置が提案されている(例えば、特許文献1及び2)。
このような状況下、輝度及び放熱性の双方が満足される、半導体レーザ素子を用いた光源装置の開発が熱望されている。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、出力の高い半導体レーザ素子を複数最密配置した場合において、十分な放熱性を確保した高品質の光源装置を提供することを目的とする。
半導体レーザ装置と、保持部材とを備える光源装置であって、
前記半導体レーザ装置は、
半導体レーザ素子と、
該半導体レーザ素子が載置された載置体と、
該載置体を一方側に載置させた基体と、
前記半導体レーザ素子と電気的に接続され、前記基体の他方側に載置させて該基体から突出する一対の端子を有し、
前記保持部材は、
他面側において凹部によって形成され、かつ孔を有する薄膜部と、
該薄膜部に隣接する厚膜部と、を有し、
一面側に前記半導体レーザ装置が載置され、かつ前記厚膜部において前記半導体レーザ装置の載置体が配置され、
他面側から前記孔を通して前記一対の端子が露出されることを特徴とするか、あるいは、
複数の半導体レーザ装置と、保持部材とを備える光源装置であって、
前記半導体レーザ装置は、
半導体レーザ素子と、
該半導体レーザ素子が載置された載置体と、
該載置体を一方側に偏在させた基体と、
前記半導体レーザ素子と電気的に接続され、前記基体の他方側に偏在して該基体から突出する一対の端子を有し、
前記保持部材は、
少なくとも一対の列状に配列された孔と、
前記孔が配列され、他面側における少なくとも一対の凹部によって形成される薄膜部と、
該薄膜部に隣接する厚膜部と、を有し、
一面側に前記半導体レーザ装置が載置され、かつ前記厚膜部において前記半導体レーザ装置の載置体がそれぞれ配置され、
他面側から前記孔を通して前記一対の端子が露出されることを特徴とする。
半導体レーザ装置100は、図1〜図4に示すように、半導体レーザ素子10と、半導体レーザ素子10が載置された載置体30と、載置体30を載置した基体40と、一対の端子50とを有する。なお、この半導体レーザ装置100では、図示していないが、基体40上に搭載された半導体レーザ素子10等は、半導体レーザ素子10の光出射側に光取り出し用の窓を有する封止部材(例えば、キャップ状)によって気密封止されている。窓にはコリメートレンズ機能を付加したもの、つまりコリメートレンズと一体化された半導体レーザ装置が好ましい。このような構成によって、半導体レーザ装置から出射される光を、平行光にすることができる。あるいは、半導体レーザ装置は、拡散光を出射するタイプの装置でもよい。
半導体レーザ素子10は、特に限定されるものではなく、公知のいずれの半導体レーザ素子をも用いることができ、通常、半導体層の積層体に接続されたp電極及びn電極を備える。
半導体層は、例えば、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、InXAlYGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。
p電極及びn電極は、活性層に対して同一面側に配置されたものであってもよいし、異なる面側に配置されたものでもよい。
マルチモードの半導体レーザ素子は比較的高出力であるため、発熱量が大きい。よって、高い放熱性を確保する必要がある。一方、マルチモードの半導体レーザ素子を本発明の光源装置に用いる場合には、後述する保持部材等と関連して、高い放熱性を確保することができるために、高出力を維持して高輝度を確保しながら、長時間安定して使用することができる。
載置体30は、ヒートシンクとも呼ばれるものであり、半導体レーザ素子10を載置し、半導体レーザ素子10で生じた熱を放散するために用いられる。
載置体30は、放熱性に優れた金属材料によって形成されることが好ましい。金属材料としては、銅、銀、金、アルミニウム等が挙げられ、なかでも銅又は銅合金が好ましい。
載置体の大きさ及び形状は特に限定されないが、例えば、半導体レーザ素子よりも平面積が大きいものが好ましい。また、厚みは、半導体レーザ素子の厚みよりも大きい、例えば、5倍程度以上、10倍程度以上大きいものが好ましい。形状は、例えば、円柱、楕円柱、半円柱、多角形柱(例えば、直方体又は立方体等の四角形柱)等が挙げられる。なかでも、目的とする半導体レーザ装置の大きさを考慮して、デッドスペースを最小限に止めるため、半円柱が好ましい。
載置体に対して、例えば、介在体20(所謂サブマウント)を介在させて、半導体レーザ素子を載置することが好ましい。半導体レーザ素子は、半田又は銀ペーストを用いて介在体に接着させることが好ましい。介在体20は、載置体30の熱伝導率よりも高い材料を用いることが好ましい。半導体レーザ素子10で生じた熱を効率的に載置体30に逃がすことができるからである。また、介在体20は、窒化アルミ、炭化ケイ素、ケイ素、ダイヤモンドなどの絶縁体で構成することにより、半導体レーザ素子10と載置体30とを絶縁させることができる。
基体40は、ステム又はアイレットとも呼ばれるものであり、載置体30を搭載する。
基体40を形成する材料は特に限定されるものではなく、一般に、載置体30よりも放熱性が劣る金属材料が用いられる。金属材料としては、鉄、アルミニウム、真鍮等が挙げられる。基体は、通常、上述したように、気密封止のためのキャップ状等の封止部材を溶接等により接続されるため、熱伝導率が高すぎると熱が拡散し、溶接できない等のためである。
半導体レーザ素子に電気的に接続された一対の端子は、図1〜図3に示すように、基体40の他方側に偏在しており、基体40の表裏面から突出している。通常、端子50は、絶縁体を介して基体40に固定されている。また、端子50は、ワイヤ60によって半導体レーザ素子の電極と電気的に接続されている。
ここで「他方側に偏在」とは、上述した「一方側に偏在」とその方向が反対側となる以外同様の意味である。偏在の程度は、特に限定されるものではなく、基体40の中心線から離間して他方側に配置されていればよく、例えば、中心線と基体の端部との中央又はその近傍に一対の端子双方とも配置されることが好ましい。また、基体40の中心を通り、中心線に対して直交する線に対しては、右又は左あるいは上又は下対称に配置されていることが好ましい(図1参照)。
保持部材70は、図5〜図7に示すように、少なくとも一対の列状に配列された孔と、これらの孔が配列され、他面側における少なくとも一対の凹部72によって形成される薄膜部と、この薄膜部に隣接する厚膜部73とを有する。保持部材70は、一面側に半導体レーザ装置100を載置する。従って、保持部材70の一面側が光出射面となる。以下、保持部材70の一面を表面70aということがあり、他面を裏面70bということがある。
そのために、保持部材は、通常、平面形状(表面の形状)が長尺な四角形又はこれに近い形状であることが好ましい。概形は、長尺な四角形又はこれに近い形状の柱状、つまり、直方体及び/又はこれに近い形状が好ましい。長尺な左右側面(図7D参照)は、平坦であることが好ましい。このような形状によって、短尺な方向に、複数の保持部材70、ひいては光源装置200を積層させることができる。
凹部72内において、上述した列状の孔71を通して、半導体レーザ装置100の端子50が引き出される。言い換えると、保持部材70の裏面70b側では、薄膜部(つまり、凹部72内)で、半導体レーザ装置100の端子50がそれぞれ露出する。この端子50は、上述したように、半導体レーザ装置100の他方側に偏在して配置されている端子50である。凹部72内に引き出される端子50の先端は、保持部材70の裏面70bよりも内側に配置されることが好ましい(図7E参照)。このような配置により、意図しない外力に起因する端子のダメージを防止することができる。あるいは、凹部72内に引き出される端子50の先端は、保持部材70の裏面70bよりも外側に配置されていてもよい。このような配置により、外部空間、あるいは外部放熱部との距離が短くなるため、放熱性を高めることができる。
なお、保持部材70では、薄膜部に隣接して配置される、上述した凹部72が形成されていない部位が、厚膜部73となる。なお、本発明における厚膜部と薄膜部は、保持部材の厚み方向(一面側と他面側とが対向する方向)において、厚い部分と薄い部分とをそれぞれ説明するものであって、膜状であることを特定するものではない。
凹部72(薄膜部)と厚膜部73との幅は、それぞれ、延長方向(長手方向)において異なる幅であってもよいが、同じ幅であることが好ましい。複数の薄膜部は互いに異なる幅であってもよいが、同じ幅であることが好ましい。複数の厚膜部は互いに異なる幅であってもよいし、一部のみ異なる幅であってもよいし、全部が同じ幅であってもよい。薄膜部と厚膜部とは互いに同じ幅であってもよいが、異なる幅であることが好ましい。例えば、半導体レーザ装置が2列配列されている場合には、保持部材70の最も外側に配置される厚膜部73(図7Cでは、73b)の幅は、凹部72の幅よりも大きいことが好ましい。これにより、後述するようにより一層の放熱効果を発揮させることができる。
このような配置によって、半導体レーザ素子で発生した熱が、まず、半導体レーザ装置内の載置体、基体を通して放散され、保持部材の厚膜部への接触を通してさらに保持部材に放散される。これによって、上述した保持部材の材料及び形状(厚み)によって、より一層の放熱効果が得られる。特に、載置体が、保持部材上であっても、薄膜部に配置されるものに比べて、大きな放熱効果が発揮される。
言い換えると、半導体レーザ装置において端子が偏在するために、このような半導体レーザ装置を保持部材に一対の列状に配列する場合、図7Cに示すように、互いの列で、端子50を、偏在させた長さに相当する距離だけ、保持部材70の中央に近接させて配置させることができる。これによって、列間距離を小さくすることができ、特に短尺方向に、光源装置をより小型化させることができる。あるいは、光源装置の大きさを変化させずに、厚膜部73bの幅を大きくすることができる。加えて、載置体が偏在するために、互いの列で、載置体を、偏在させた長さに相当する距離だけ遠ざけて配置させることができ、これによって、保持部材の外側に配置させることができる。そのために、特に熱が生じる/溜まる部材である載置体を互いに離間させ、外部空間、あるいは外部放熱部とより大きな接触面積で接触させることができる。その結果、光源装置の放熱性をより一層向上させることが可能となる。
また、開口を若干深い深さとすることにより、半導体レーザ装置を、保持部材の表面と面一に又一面より内側に配置させることができる。これによって、半導体レーザ装置が保持部材から突出することなく、意図しない外力から保護することができる。その結果、出射されるレーザ光の光軸のずれ等を効果的に防止することができる。
貫通孔は、ザグリ穴とすることが好ましい。これにより、ねじの頭部を保持部材の内部に隠すことができる。また、ザグリ穴により保持部材の表面積を増大させて、放熱性を向上させることができる。ザグリを設ける場合、ねじの頭部が保持部材の最表面より内部に隠れていることが好ましく、たとえば保持部材の側面が切り欠かれたザグリとすることができる。
つまり、保持部材77は、他面側(裏面77b)に1本の凹部72を形成することによって形成され、孔71を1つ有する薄膜部と、この薄膜部に両側で隣接する厚膜部73とを有する以外は、実質的に上述した保持部材70と同様の構成を有し、実質的に同様の効果を奏する。
光源装置200は、保持部材70の裏面70bの凹部72内に露出した半導体レーザ装置100の端子50が、例えば、図8A〜8Cに示すような、配線基板93、90、90aによって電気的に接続され、種々の用途、例えば、プロジェクタ等の高輝度を必要とする装置に使用することができる。
また、図9B、図11A及び図11Bに示したように、保持部材70、80、81の凹部72に、2本の凹部72に収まる形状に加工された配線基板90、90aによって、2列に配列された8個の半導体レーザ装置を直列接続するものが例示される。この場合、駆動回路を1つとすることができるため、小型化を図ることができる。
これにより、配線基板90、90aの保持部材80、81の裏面からの突出を回避することができる。
この場合の溝86、87は、例えば、貫通孔75が形成されている場合には、その内側に設けることが好ましい。配線をより短く形成するためである。
20 介在体
30 載置体
40 基体
40a 凹部
40b 貫通孔
40c 表面
40d 裏面
50 端子
60 ワイヤ
70、77、80、81 保持部材
70a、77a 表面
70b、77b 裏面
71 孔
72、82 凹部(薄膜部)
73、73a、73b、83a、83b 厚膜部
74 開口
75 貫通孔
86、87 溝
90、90a、93 配線基板
91 コネクタ
92 孔
100 半導体レーザ装置
200 光源装置
Claims (11)
- 半導体レーザ装置と、保持部材とを備える光源装置であって、
前記半導体レーザ装置は、
半導体レーザ素子と、
該半導体レーザ素子が載置された載置体と、
該載置体を一方側に載置させた基体と、
前記半導体レーザ素子と電気的に接続され、前記基体の他方側に載置させて該基体から突出する一対の端子を有し、
前記保持部材は、
他面側において凹部によって形成され、かつ孔を有する薄膜部と、
該薄膜部に隣接する厚膜部と、を有し、
一面側に前記半導体レーザ装置が載置され、かつ前記厚膜部において前記半導体レーザ装置の載置体が配置され、
他面側から前記孔を通して前記一対の端子が露出される光源装置。 - 複数の半導体レーザ装置と、保持部材とを備える光源装置であって、
前記半導体レーザ装置は、
半導体レーザ素子と、
該半導体レーザ素子が載置された載置体と、
該載置体を一方側に偏在させた基体と、
前記半導体レーザ素子と電気的に接続され、前記基体の他方側に偏在して該基体から突出する一対の端子を有し、
前記保持部材は、
少なくとも一対の列状に配列された孔と、
前記孔が配列され、他面側における少なくとも一対の凹部によって形成される薄膜部と、
該薄膜部に隣接する厚膜部と、を有し、
一面側に前記半導体レーザ装置が載置され、かつ前記厚膜部において前記半導体レーザ装置の載置体がそれぞれ配置され、
他面側から前記孔を通して前記一対の端子が露出される光源装置。 - 前記載置体が配置された前記保持部材の厚膜部の幅が、前記薄膜部の幅よりも大きい請求項1に記載の光源装置。
- 前記保持部材が、一体的に形成された金属からなる請求項1又は2に記載の光源装置。
- 前記半導体レーザ装置が、前記保持部材の一面より内側に配置されており、前記端子の先端が、前記保持部材の他面よりも内側に配置されている請求項1〜3のいずれか1つに記載の光源装置。
- 前記保持部材が、厚膜部の端部に貫通孔を備える請求項1〜4のいずれか1つに記載の光源装置。
- 前記半導体レーザ装置は、コリメートレンズと一体化されたレーザ装置である請求項1〜5のいずれか1つに記載の光源装置。
- 前記半導体レーザ装置は、前記保持部材に低融点半田によって固定されている請求項1〜6のいずれか1つに記載の光源装置。
- 前記保持部材の孔は、少なくとも一対の列状に配列された孔である請求項1、3〜8のいずれか1つに記載の光源装置。
- 前記保持部材の凹部は、少なくとも一対形成されている請求項1、3〜9のいずれか1つに記載の光源装置。
- 前記半導体レーザ装置は複数含まれる請求項1、3〜10のいずれか1つに記載の光源装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014082560A JP6311424B2 (ja) | 2013-04-22 | 2014-04-14 | 光源装置 |
CN201410157274.1A CN104112982B (zh) | 2013-04-22 | 2014-04-18 | 光源装置 |
US14/257,523 US9726329B2 (en) | 2013-04-22 | 2014-04-21 | Light source apparatus |
IN2039CH2014 IN2014CH02039A (ja) | 2013-04-22 | 2014-04-21 | |
EP14165456.6A EP2797184B1 (en) | 2013-04-22 | 2014-04-22 | Light source apparatus |
EP23165059.9A EP4224644A3 (en) | 2013-04-22 | 2014-04-22 | Light source apparatus |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013089501 | 2013-04-22 | ||
JP2013089501 | 2013-04-22 | ||
JP2013150836 | 2013-07-19 | ||
JP2013150836 | 2013-07-19 | ||
JP2014082560A JP6311424B2 (ja) | 2013-04-22 | 2014-04-14 | 光源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015038958A true JP2015038958A (ja) | 2015-02-26 |
JP6311424B2 JP6311424B2 (ja) | 2018-04-18 |
Family
ID=50542854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014082560A Active JP6311424B2 (ja) | 2013-04-22 | 2014-04-14 | 光源装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9726329B2 (ja) |
EP (2) | EP2797184B1 (ja) |
JP (1) | JP6311424B2 (ja) |
CN (1) | CN104112982B (ja) |
IN (1) | IN2014CH02039A (ja) |
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US10725365B2 (en) | 2017-09-27 | 2020-07-28 | Seiko Epson Corporation | Illumination device and projector |
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- 2014-04-18 CN CN201410157274.1A patent/CN104112982B/zh active Active
- 2014-04-21 IN IN2039CH2014 patent/IN2014CH02039A/en unknown
- 2014-04-21 US US14/257,523 patent/US9726329B2/en active Active
- 2014-04-22 EP EP14165456.6A patent/EP2797184B1/en active Active
- 2014-04-22 EP EP23165059.9A patent/EP4224644A3/en active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
IN2014CH02039A (ja) | 2015-07-03 |
EP4224644A3 (en) | 2023-09-13 |
US9726329B2 (en) | 2017-08-08 |
EP2797184A2 (en) | 2014-10-29 |
US20140313715A1 (en) | 2014-10-23 |
EP4224644A2 (en) | 2023-08-09 |
CN104112982A (zh) | 2014-10-22 |
CN104112982B (zh) | 2021-03-26 |
JP6311424B2 (ja) | 2018-04-18 |
EP2797184B1 (en) | 2023-07-19 |
EP2797184A3 (en) | 2015-03-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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