JP2015025466A - ピストンリング及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
さらに、アルミニウム合金製ピストンのピストンリング溝にピストンリングを装着した場合、燃焼室の温度の上昇とともに、ピストンの温度も高くなり、ピストンリング溝と摺動するピストンリングの側面にピストンを構成するアルミニウムが凝着し、シール特性が低下したり、オイル消費量が増加するおそれがある。このため、アルミニウム合金製のピストンに使用されるピストンリングの側面には、アルミニウムの凝着を抑制する機能が求められる。
図11は、ピストン20のピストンリング溝20aにピストンリング(トップリング)200を装着した状態を示す。初期の状態(図11(a))から使用されるにつれて、トップリング200の下側面200b2が燃焼ガスの圧力などによって水平面に対して傾いた状態でピストンリング溝20aのセカンドランド20cに押し付けられる。又、ピストン20の往復動によって、トップリング200の上側面200b1がピストンリング溝20aのトップランド20bにも同様に押し付けられる。このようにしてピストンリング溝20aが軸方向に広がる「ラッパ状摩耗」が発生する。
このとき、トップリング200の上側面200b1及び下側面200b2も摩耗することから、ピストンリングの外周面と側面とに耐摩耗性に優れた硬質炭素被膜を形成する技術が提案されている。
又、特許文献2には、酸素含有量が1原子%以上10原子%以下であり、水素含有量が10原子%以上40原子%以下であり、ケイ素含有量が0.1原子%以上20原子%以下である硬質炭素膜をピストンリングの外周では緻密な組織で形成し、ピストンリングの側面では柱状の組織で形成することが記載されている。
又、特許文献2記載の技術の場合、硬質炭素被膜が水素を含有するため、被膜の耐熱性が低く、高温の燃焼ガスに晒されると熱分解により被膜からガスを放出したり、酸化により被膜が消耗しやすい。
外周面の硬質炭素被膜はピストンリングの外周側にあって、Feを主成分とするシリンダライナと摺動し、高い耐摩耗性を要求される。そこで、外周面の硬質炭素被膜を、柱状組織を有しない被膜とすることで被膜が緻密となり、良好な耐摩耗性を有し長期にわたって耐摩耗性を維持することができる。
一方、側面に形成された硬質炭素被膜を柱状組織とすることで、硬質炭素被膜の表面から柱状組織間の隙間に潤滑油が浸透して保持されるので油切れが生じにくくなる。この結果、アルミニウム合金製のピストンのピストンリング溝の壁面とピストンリングの側面(硬質炭素被膜)が摺動してもアルミニウムの凝着が生じ難くなる。
さらに、硬質炭素被膜の柱状組織を、法線方向に対して外周側に傾斜した方向に延びるように形成することで、硬質炭素被膜が傾いた状態でピストンリングのセカンドランドに押し付けられたときに、柱状組織の延びる方向が押付け合力の向きに近付く(沿う)ようになる。この結果,柱状組織の境界と交差する方向(側面に平行な方向)へ柱状組織同士を剪断しようとする力が低減され、柱状組織(硬質炭素被膜)の耐摩耗性が良好となる。
前記硬質炭素被膜が、炭素を98原子%以上含むことが好ましい。
前記硬質炭素被膜の成膜時における圧力が、5×10−2Pa以下であることが好ましい。
本発明の実施形態に係るピストンリングは、アルミニウム合金製のピストンに形成されたピストンリング溝に装着され、Feを主成分とするシリンダライナと摺動するものである。
図1は、本発明の実施形態に係るピストンリング10の断面図を示す。ピストンリング10は、基材12の外周面12aと、両側面12b1、12b2とにそれぞれ硬質炭素被膜3を形成してなる。ここで、ピストンリング10の「側面」とは、ピストンリング10の板面であり、「外周面」は「側面」と隣接して「側面」に交差する面である。又、図1に示すように、「外周面」は曲面(バレル形状)を好ましく用いることができ、ピストンリングの外周面に適用される形状であればいずれの形状であってもよい。なお、外周面12aに形成された硬質炭素被膜を符号「3a」で示し、両側面12b1、12b2にそれぞれ形成された硬質炭素被膜を符号「3b」で示す。
基材12は例えばステンレス鋼、鉄鋼、鋳鉄、鋳鋼等からなる。
中間層16は、クロム,チタン,タングステン,炭化ケイ素及びタングステンカーバイドの群から選ばれる1種又は2種以上で構成され、基材12と硬質炭素被膜3との密着性を向上させる。
硬質層18は、物理的蒸着法(PVD法)で形成した窒化クロム層や窒化チタン層;クロムめっき層;クロムめっきに硬質粒子を含有する複合クロムめっき層;溶射被膜;窒化層などで構成され、厳しい摺動環境下で使用されるピストンリング外周の耐摩耗性を維持して耐久性を高める。
なお、中間層16及び硬質層18は必須の構成ではない。
又、硬質炭素被膜3が、炭素を98原子%以上含むと、硬質炭素被膜3全体の成分の中で、炭素以外の不純物等として含まれる元素が少ない。
硬質炭素被膜の水素と炭素の含有量は、RBS(Rutherford Backscattering Spectrometry)/HFS(Hydrogen Forward Scattering Spectrometry)及びSIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)によって評価する。詳細な測定方法は後述する。
ここで柱状組織を有しない被膜とは、後述する方法によって硬質炭素被膜の破断面のSEM(走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope))像(二次電子像)を取得したときに、柱状組織が認められない被膜断面形態のことを示す。被膜の破断面の作製時には,被膜の組織形態が変化しないよう,被膜と反対の基材側から刻み目や溝,切り欠き等を形成し,基材側から上記刻み目等を拡大又は縮小するようにして被膜を破断する。
図2は、後述する実施例1の試料の外周面に形成された硬質炭素被膜3aの断面SEM像を示す。
特に、図1に示すように、柱状組織は、側面12b1、12b2の法線n方向に対し、外周側にθ=10〜30度傾斜した方向に延びることが好ましい。
硬質炭素被膜3bの径方向に沿った破断面試料を作製する。そして、SEM(走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope))を用いてこの試料の20000〜30000倍の倍率の二次電子像を取得する(図3(a)参照)。硬質炭素被膜3bとその下層基材(又は中間層)とはSEM像のコントラストが異なるので、硬質炭素被膜3bのコントラストに所定の閾値を設け、閾値よりも明るくなった境界部分を線形近似させた線を硬質炭素被膜3bと下層との境界線L1とする(図3(b)参照)。なお、硬質炭素被膜3bの横方向(図3(b)の左右方向)の10箇所につき、コントラストを取得して境界部分を求める。硬質炭素被膜3bの上面の境界線L2についても同様にして求める。
又、二次電子像では柱状組織の縁が強調され明るくなる。従って、二次電子像の硬質炭素被膜3bの部分を画像処理し、図4に示すように輪郭を抽出すると、柱状組織の縁が黒い筋として表れる。そこで、図4で抽出した柱状組織の縁に沿って、境界線L1から図3(b)の上方に向かって、境界線L1、L2の間隔(硬質炭素被膜3bの膜厚に相当)の1/2以上の高さまでの領域A〜Bにおいて10点を取得し、この10点を通る直線L3を最小二乗法によって求める。
そして、境界線L1に垂直な法線nと、直線L3とのなす角θを求める。さらに、図4の輪郭抽出画像から直線L3を10箇所取得し、各直線L3についてのθを算術平均したものを柱状組織の傾きθの値として用いる。
なお,30000倍を超える高い倍率でのSEM像において、輪郭抽出処理を行うと閉じた領域の境界を示す筋が認められる場合があるが、このような構造は、柱状組織の境界を表す直線L3のような細長い筋ではない。従って、このような柱状組織の境界以外の構造と区別するため、短径に対する長径の比率(長径/短径:アスペクト比)が5以上であるものの長径を直線L3として採用し、アスペクト比が5未満の輪郭画像は取得しない。
又、硬質炭素被膜3を形成したくない部分は、基材12にマスキングを施したり、基材12のうち硬質炭素被膜を形成しない側面同士を重ねたりすることによって形成を防止できる。また、硬質炭素被膜3を形成した後に研磨加工等を実施することにより、不要な硬質炭素被膜3を除去しても良い。
図7は、硬質炭素被膜3の形成前のピストンリングの基材12を保持した治具120の断面図である。治具120は、中心軸124と、複数のピストンリング保持板122とを有している。各ピストンリング保持板122は、互いに厚み方向に離間しつつ自身の中心を中心軸124と同心にして中心軸124に接続されている。
又、図8に示すように、ピストンリング保持板122は基材12の内径よりやや大径で円盤状をなしている。そして、各基材12はピストンリング保持板120の周縁を囲むようにピストンリング保持板120に装着され、基材12が縮径しようとするバネ性を利用してピストンリング保持板120に保持される。なお、各基材12の合い口部12hは、治具120内で互いに同じ向きに揃えられる。
このように、後述するイオン流Iの運動を阻害しないよう、基材12の内周または被膜を形成しない方の側面を保持することが好ましい。
なお,基材12の外周に硬質層18が形成されていても良い.
アークイオンプレーティング法で、水素を含まない硬質炭素被膜3を形成するためには、炭素カソードを用いる必要があると共に、成膜雰囲気中のガスを、分子式中に水素を含まないガス(例えば、アルゴン等の不活性ガス)とする。成膜雰囲気を、ガスを導入しない高真空雰囲気としてもよい。つまり、硬質炭素被膜3を成膜する時に、成膜室の内壁に吸着した水分やリークなど不可避的に成膜室内に流入するガス成分を除き、外部より水素又は水素を構成元素として含む分子成分を導入せずに成膜することで、水素を含まない硬質炭素被膜3を形成することができる。
ここで「水素を含まない」とは、硬質炭素被膜3を構成するすべての元素の合計量を100原子%としたとき、水素含有量が2原子%以下であることを意味する。
なお、本実施形態では、治具120の軸心Axは、炭素カソード56からのイオン流Iの方向と角度φ(φ<90度)をなして傾いている。このようにすると、後述するように、硬質炭素被膜3bの柱状組織の延びる方向をθ=10〜30度とすることができる。
ここで、基材12の外周面12aはイオン流Iに面しているため、炭素イオンが外周面12aに直接到達して堆積し、柱状組織を有しない断面構造の硬質炭素被膜3aが成膜される。
一方、基材12の両側面12b1、12b2はイオン流Iに対して直角より小さな角度をもって傾斜しているが、プラズマ中に置かれた基材12の周辺には、電子とイオンの移動度の違いによってシース電場Shが形成される。通常、負バイアスを印加することが一般的であり、バイアスを印加しない状態(0Vや浮遊電位)であっても、プラズマ中の電位に対して基材12が負の電位になり、炭素イオンを両側面12b1、12b2側に引きこむ(回り込ませる)ように作用する。
成膜時の温度は、200℃以下が好ましく、より好ましくは、160℃以下である。成膜温度が200℃を超えると、形成される被膜がグラファイト化して強度が低下することがある。
なお、後述する比較例4のように、成膜時にArなどの不活性ガスを導入して雰囲気圧力を高めると、炭素イオンがガスと衝突して拡散し、両側面12b1、12b2にも炭素イオンが回り込み、θが小さくなる。しかしながら、この場合は、炭素イオンがガスと衝突してエネルギーを失うので、被膜の硬さ(耐摩耗性)が低下する。
一方、φ<50度の場合、治具120に積み重ねられた複数の基材12同士が影になってイオン流Iを遮る頻度が高くなるため、高いエネルギーを持つイオン流Iが被膜形成に寄与する割合が低くなり硬質炭素被膜3の形成が困難となるとともに、成膜装置50内に設置できる基材12の数量が少なくなり生産性が低下する。φ=50〜80度とすると、基材12表面に飛来するイオン流Iの法線方向nの運動エネルギーの成分が大きくなり、より高いエネルギーで基材12の両側面12b1、12b2に衝突して堆積するので、θ=10〜30度の柱状組織が確実に得られ、摺動特性が良好となる。
なお、上述のように、治具120の軸心Axをイオン流Iの方向と角度φで傾ける代わりに、軸心Axを傾けずに炭素カソード56の表面を軸心Axと斜めに設置してもよい。
又、アーク放電によって炭素カソードより放出されるドロップレットを少なくして被膜中への混入を抑制するため、アーク放電電流を低くしたり、ドロップレットを除去する機構を備えることが好ましい。ドロップレットを除去する機構としては、例えばドロップレットを選別することができる磁場輸送型フィルタや衝立を用いるとよい。この場合、成膜速度が低下するが、得られた硬質炭素被膜3は平滑性に優れ、成膜後の被膜表面の平滑化加工が不要か又は容易となる。
ピストンリング材の基材12(バネ鋼からなるTOPリング,呼称径φ78mm,リング高さ(h1):1.2mm,リング幅(a1):2.4mm)の外周を軸方向に研磨して表面粗さRzjis=0.3〜0.5μmとした。同様に、基材12の側面を研磨し、表面粗さRzjis=0.8〜1.2μmとした。RzjisはJIS B0601:2001に規定されている。研磨後の基材12の洗浄を行い、表面に付着した汚れを除去した。
次に、図7、図9に示す成膜装置50の治具120に基材12を装着した。なお、治具120を予め洗浄した。又、各基材12の合い口部12hを治具120内で互いに同じ向きに揃えた。そして、成膜装置50の真空室40内を、真空排気機構によって5×10-3Pa以下の圧力に到達するまで真空排気した。このとき、真空室40内の温度を上げ、所定の温度で維持した。
真空排気後、基材12にイオンボンバード処理を実施し、その後、クロムからなる中間層16を基材12表面に形成した(図1参照)。次に、アーク放電によって炭素カソード(炭素99at%以上)56を蒸発させながら、基材12表面に硬質炭素被膜3を形成した。そして、必要に応じて、外周面に形成された硬質炭素被膜3a及び側面に形成された硬質炭素被膜3bを研磨し、成膜前の基材12の各面の表面粗さと同程度となるように調整した。
硬質炭素被膜3a、3bの水素と炭素の含有量は、上述のとおりにRBS/HFS及びSIMSにより求めた。ピストンリングの外周面に形成された硬質炭素被膜3a、3bは平坦でないので、そのままではRBS/HFS測定はできない。そこで、基準試料として、鏡面研磨した平坦な試験片(焼入処理したSKH51材ディスク、φ24×厚さ4(mm))を各基材12と同時に治具120に装着して同様に成膜し、硬質炭素被膜を形成した。なお,基準試料の鏡面研磨面の中心がピストンリング外周面と同じ位置で同じ方向を向くように冶具120に設置し,冶具120とともに回転運動させながら成膜した。
そして、この基準試料の硬質炭素被膜3a、3bの組成(水素と炭素の含有割合(水素(at%)/炭素(at%)))をRBS/HFSによって評価した。
次にSIMSにより、基準試料に形成された硬質炭素被膜の水素と炭素の二次イオン強度比(水素(count/sec)/炭素(count/sec))を求めた。そして、上記したRBS/HFSで評価した(水素/炭素)の値と、SIMSで評価した(水素/炭素)の値との間の関係式(検量線)を、最小二乗法により二次回帰曲線で求めた。
そして、実施例と比較例の試料につき、SIMSで硬質炭素被膜3の(水素/炭素)比を測定し、上記検量線によりRBS/HFSに相当する原子比に換算した。
なお、実施例と比較例の試料につき、水素と炭素以外の元素はEDXによって分析を行い、炭素含有量(at%)を基準として、炭素とそれ以外の元素との比率を算出した。これにより、実施例1〜4及び比較例1,2の硬質炭素被膜3は水素を含まず、炭素を98原子%以上含むことを確認した。
上述のようにして、硬質炭素被膜が柱状組織を有しない被膜であるか、又は柱状組織を有するかを評価し、柱状組織を有する場合は角度θを算出した。
熱陰極PIGプラズマガンを備えたプラズマCVD成膜装置に、上記と同様の治具120を取り付けた。この治具に実施例1と同様に基材12を装着し、Ar及びC2H2を導入しながらプラズマCVD法によって硬質炭素被膜の形成を行った。この硬質炭素被膜の組成を上記と同様に分析した結果、水素を35.8原子%含有し、炭素を63.7原子%含有することがわかった。
実施例1と同様にして基材12表面に中間層16を形成した。次に、硬質炭素層被膜形成時の真空室40にArを導入して雰囲気圧力を0.5Paに調整し、実施例1と同様にして硬質炭素被膜を形成した。この硬質炭素被膜3は水素を含まず、炭素を98原子%以上含むことを確認した。
各実施例及び比較例の各ピストンリングを用いてエンジン試験を実施した。エンジン試験には、4気筒のガソリンエンジンを用い、アルミニウム合金製ピストンの所定の位置に各ピストンリングを装着した。エンジンの運転条件は次に示すとおりとした。
回転数:5700rpm
エンジンオイル:5W−20SL(油温:90℃)
負荷:全負荷
運転時間:450h
エンジン試験後にピストンリングを取り外し、ピストンリング外周面の硬質炭素層被膜3aを拡大鏡を用いて目視観察し、下地(中間層16)が長さ5mm以上露出した場合を「×」,これ以外の場合を「○」と判定した。下地露出の評価が○であれば、硬質炭素層被膜3aが長期にわたって耐摩耗性を維持できるといえる。
(アルミニウムの凝着)
次に、ピストンリング側面の硬質炭素層被膜3bを拡大鏡を用いて目視観察し、ピストン側のアルミニウムが被膜に凝着したか否かを判定した。被膜に最大外径0.5mm以上のアルミニウムが凝着したと認められる場合を「×」、これ以外の場合を「○」と判定した。アルミニウムの凝着の評価が○であれば、硬質炭素層被膜3bがピストンリング溝との間でアルミニウムの凝着を抑制できるといえる。
(ピストンリング溝の摩耗)
エンジン試験後のピストンを取り外し、軸方向に沿って切断した。この切断面のピストンリング溝の幅方向(上下方向)の中央における摩耗深さを測定した。摩耗深さが5μm以下の場合を「○」、5μmを超えた場合を「×」と判定した。評価が○であれば、硬質炭素層被膜3bがピストンリング溝との間でアルミニウムの凝着を抑制できるといえる。
得られた結果を表1に示す。
又、側面に形成された硬質炭素被膜の柱状組織の上記角度θが10度未満である比較例2の場合、ピストンリング溝との間でアルミニウムの凝着が生じなかったが、ピストンリング溝の摩耗が進行した。これは、比較例2において冶具120の軸心Axが40度傾いているため、成膜時に複数の基材12同士が影になってイオン流を遮る頻度が高くなり、高いエネルギーを持つイオンの被膜形成への寄与が低くなって被膜の強度が低下したためと考えられる。被膜の強度が低いと、微小なアルミ凝着が生じても被膜とともに脱落するため、それ以上アルミニウムの凝着が進行しないと考えられる。一方、比較例2の場合、ピストンリング溝との摺動によって生じた摩耗粉(アルミニウムを含む)がピストンリング溝の摩耗を促進させたと考えられる。
成膜時の圧力が、5×10−2Paを超えた比較例4の場合、外周面の硬質炭素被膜の耐摩耗性が十分でなく、シリンダライナ内壁との摺動によって摩耗が進行し、下地が露出した。又、ピストンリング溝の摩耗が進行し、アルミニウムの凝着も生じた。
これは、比較例4の場合、圧力が高いためにイオン流とガスの原子(又は分子)との衝突が多くなり、イオン流が初期のエネルギーの大部分を失い、このため、外周面の硬質炭素被膜を構成する炭素が基材に強固に結合することができず、被膜の耐摩耗性が不十分になったと考えられる。又、イオン流のエネルギーが低いために、側面の硬質炭素被膜の強度も低下したものと考えられる。
3a 外周面に形成された硬質炭素被膜
3b 側面に形成された硬質炭素被膜
10 ピストンリング
12 (ピストンリングの)基材
12a 基材の外周面
12b1、12b2 基材の側面
n 側面の法線
θ 柱状組織の延びる方向が側面の法線方向となす角
Claims (5)
- アルミニウム合金製のピストンに装着され、Feを主成分とするシリンダライナと摺動するピストンリングであって、
外周面と、少なくとも一方の側面とに水素を含まない硬質炭素被膜が形成され、前記外周面に形成された前記硬質炭素被膜が柱状組織を有しない被膜であり、前記側面に形成された前記硬質炭素被膜が該側面と交差する方向に延びる柱状組織を有することを特徴とするピストンリング。 - 前記柱状組織は、前記側面の法線方向に対し、外周側に10〜30度傾斜した方向に延びることを特徴とする請求項1記載のピストンリング。
- 前記硬質炭素被膜が、炭素を98原子%以上含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のピストンリング。
- 炭素カソードを備えたアーク式蒸発源を用い、アークイオンプレーティング法によってピストンリングの外周面と、少なくとも一方の側面とに硬質炭素被膜を形成するピストンリングの製造方法であって、前記ピストンリングの側面と、前記アーク式蒸発源からのイオン流とのなす角が10°〜40°となるように配置し、且つ外部より不活性ガスを除き任意のガスを導入しないで硬質炭素被膜を成膜することを特徴とするピストンリングの製造方法。
- 前記硬質炭素被膜の成膜時における圧力が、5×10−2Pa以下であることを特徴とする請求項4記載のピストンリングの製造方法。
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