JP6357606B1 - 摺動部材及びピストンリング - Google Patents
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Abstract
Description
(1)成膜に起因して大きな残留応力が内在すること。
(2)炭素結合が化学的に安定であること。
図1は本実施形態に係る摺動部材の構造を模式的に示す断面図である。同図に示すとおり、摺動部材10は、母材1と、母材1の表面上に形成された非晶質硬質炭素膜3と、母材1と非晶質硬質炭素膜3との間に形成された中間層5とを備える。すなわち、摺動部材10は、母材1の表面上に中間層5を介して非晶質硬質炭素膜3を形成することによって製造されたものである。
図1に示す非晶質硬質炭素膜3の断面において濃淡はsp2比を表しており、具体的にはsp2比が低い部分は薄く、他方sp2比が高い部分は濃く表されている。つまり、非晶質硬質炭素膜3は、母材1側である内面F1側から外面F2側に向かうにしたがってsp2比が増加する傾斜構造を有する。
母材1としては、摺動部材10の用途に応じて適した材料を採用すればよい。摺動部材10に対して高い熱伝導性が求められる場合、例えば図1に示す構成のピストンリングを製造する場合、母材1として熱伝導率が30W/(m・K)以上の材料(例えば鉄鋼材料)を採用することが好ましい。母材1の熱伝導率はより好ましくは35W/(m・K)以上であり、更に好ましくは38W/(m・K)以上である。ピストンリングは、ピストンとシリンダ壁との気密を保つガスシール機能及び適正な潤滑油膜をシリンダ壁に保持するオイルコントロール機能に加えて、ピストン頂部に受けた熱量を冷却されたシリンダ壁に伝達する重要な機能を有している。
中間層5は、母材1と非晶質硬質炭素膜3との密着性を更に向上させるためのものである。中間層5としては、母材1の金属と格子整合性があり、かつ母材1の金属よりも非晶質硬質炭素膜3の炭素と炭化物を形成しやすい元素から構成されるものが好ましい。具体的には、中間層5はTi、Cr、Si、Co、V、Mo及びWからなる群から選択される少なくとも一種の金属又はその金属炭化物からなることが好ましい。また、摺動部材10が高面圧などの厳しい環境で使用されるものである場合、中間層5はTi、Zr、Cr、Si、及びVからなる群から選択される少なくとも一種の金属の窒化物からなることが好ましい。この場合、非晶質硬質炭素膜3が摩滅するようなことが生じても、中間層5の存在により摺動特性を維持することが可能となる。
非晶質硬質炭素膜3は、例えば、蒸発源にグラファイトカソードを備えたアークイオンプレーティング装置を用いて形成することができる。この装置によれば、真空雰囲気中、グラファイトカソードとアノードとの間で真空アーク放電を発生させ、炭素カソード表面から炭素材料を蒸発、イオン化し、負のバイアス電圧を印加した母材(非晶質硬質炭素膜が形成される前の摺動部材)の摺動面上に炭素イオンを堆積させる工程を経て非晶質硬質炭素膜3が形成される。
アークイオンプレーティング装置を使用し、以下のようにしてピストンリングを製造した。まず、予め洗浄したピストンリング母材(SUP10相当材)を治具にセットした。蒸発源にグラファイトカソードとCrカソードとを備えたアークイオンプレーティング装置を準備した。この装置の自公転テーブルの自転軸に上記治具を取り付けた後、装置のチャンバ内を1×10−3Pa以下の真空雰囲気とした。チャンバ内にArガスを導入するとともに、母材にバイアス電圧を加えてグロー放電により母材表面をクリーニングした。これに引き続きCrからなる中間層を成膜した。その後、グラファイトカソードの蒸発源を放電させて中間層の表面上に非晶質硬質炭素膜を成膜した。
図3に示したsp2比のプロファイルとなるようにパルスバイアス電圧を調整して成膜した他は、実施例1と同様にしてピストンリングを製造した。
図4に示したsp2比のプロファイルとなるようにパルスバイアス電圧を調整して成膜した他は、実施例1と同様にしてピストンリングを製造した。
パルスバイアス電圧の変化幅を縮小してB−Aが20%未満となるように成膜した他は、実施例1と同様にしてピストンリングを製造した。
成膜時間の経過にしたがってバイアス電圧を連続的に変化させることなく、バイアス電圧を一定に保った状態で非晶質硬質炭素膜を形成したことの他は実施例1と同様にしてピストンリングを製造した。
硬質炭素被膜のsp2比の膜厚方向のプロファイルを以下のようにして評価した。すなわち、非晶質硬質炭素膜の断面を透過型電子顕微鏡(TEM)で観察しながら、非晶質硬質炭素膜の内面側から外面側に向けて約2μm間隔でsp2比を測定した。表1の内面近傍は、中間層との界面から非晶質炭素膜内に約0.2μmにおけるsp2比の測定値である。なお、中間層を形成しない場合には、内面近傍は、基材との界面から非晶質炭素膜内に約0.2μmにおけるsp2比の測定値とすればよい。外面近傍は、表面から非晶質炭素膜内に約0.2μmにおけるsp2比の測定値である。sp2比は電子エネルギー損失分光法(EELS)によって得られるスペクトルに基づいて算出した。
(1)エネルギー損失スペクトルは240eV以下から550eV以上までの領域において、データを取得する。
(2)エネルギー損失が320eV以上のデータについて、近似曲線を算出する。
(3)得られた近似曲線に基づいて観測値を規格化する。
(4)規格化されたデータを用いて、280〜295eVの範囲において、Gauss関数を用いてピーク分離を行い、低エネルギー側のピーク面積を求め、その値をSπとする。
(5)規格化されたデータにおいて、280〜310eVの面積を算出し、Sπ+σとする。
(6)同様に、ダイヤモンド及びグラファイトの試料について、上記(1)〜(5)までの手順で観測し、285eV付近のピークの面積及び280〜310eVの面積をそれぞれ算出する。ダイヤモンドについて得られた面積をSdπ及びSd(π+σ)とし、グラファイトについては、Sgπ及びSg(π+σ)とする。そして、sp2比は下記の式で算出される。
非晶質硬質炭素膜の水素含有量をラザフォード後方散乱分光法(RBS)及び水素前方散乱分光法(HFS)によって求めた。水素含有量は非晶質硬質炭素膜の外面側を測定した。測定装置として、CEA社製RBSを使用し、測定条件は以下のとおりとした。
・入射イオン:2.275MeV 4He++(RBS、HFS)
・ビーム径:1〜2mmφ
・RBS検出角度:160°
・Grazing angle:110°
・HFS検出角度:130°
球面研磨法による、いわゆるCALOTEST(研磨痕の寸法測定)によって非晶質硬質炭素膜の厚さを測定した。
往復摺動試験によって耐剥離性を評価した。試験装置として、図6に示す構成のものを使用した。図6に示すFC(鋳鉄)プレート21はシリンダに相当するものであり、治具(不図示)に固定されたピストンリング片22が潤滑油23の存在下、FCプレート21上をピストンリング片22の厚さ方向(図6の左右方向)に往復動するように構成されている。なお、FCプレート(21)として、研磨加工により表面粗さRzjisを1.1μmに調整したものを使用した。ピストンリングを長さ約30mmに切断することによってピストンリング片(22)を準備した。試験条件は、垂直加重(F)500N、600N、700N、800N又は900N、ストローク3mm、速度3000rpm、プレート温度120℃、エンジン油0W−20を3滴滴下した潤滑下とし、試験時間は30分とした。非晶質硬質炭素膜の耐剥離性の評価は図7に示す試験後のピストンリング片22に生じた楕円形状の摺動部24の周辺部分における剥離の有無を目視により観察することによって行った。また、耐摩耗性の評価を実施例1の摩耗量(垂直荷重:500N)を基準として評価した。
Claims (8)
- 母材と、
前記母材の表面上に形成された非晶質硬質炭素膜と、
を備え、
前記非晶質硬質炭素膜は、前記母材側である内面側から外面側に向かうにしたがってsp2比が増加する傾斜構造を有し、
前記非晶質硬質炭素膜の前記内面側のsp 2 比をA%とし、
前記非晶質硬質炭素膜の前記外面側のsp 2 比をB%とすると、
(B−A)の値は20以上である、摺動部材。 - 前記非晶質硬質炭素膜の前記内面側のsp2比が40%未満であり、
前記非晶質硬質炭素膜の前記外面側のsp2比が65%超である、請求項1に記載の摺動部材。 - 前記非晶質硬質炭素膜の水素含有量が5原子%未満である、請求項1又は2に記載の摺動部材。
- 前記非晶質硬質炭素膜の厚さが3μm〜40μmである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の摺動部材。
- 前記非晶質硬質炭素膜の表面に存在する300μm2以上の大きさのドロップレットの密度が600個/mm2以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の摺動部材。
- 前記母材が熱伝導率30W/(m・K)以上の鉄鋼材料からなる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の摺動部材。
- 前記母材と前記非晶質硬質炭素膜との間に中間層を更に備える、請求項1〜6のいずれか一項に記載の摺動部材。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の摺動部材からなるピストンリング。
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