JP2015023186A - 電極、電極材料及び電極形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第1導電材を焼結させて形成された、多孔質の第1導電体(多孔質焼結体)と、
前記第1導電材とは異なる第2導電材を含むと共に、前記第1導電体の空隙部に充填・固化された第2導電体と
を備えてなることを特徴とするものである。
基板に形成された開孔内に配置される貫通・埋込電極を形成する方法であって、
ペースト状の第1導電材を焼結させることで多孔質の第1導電体を形成する工程と、
前記第1導電材とは異なる第2導電材を前記第1導電体の空隙に充填・固化させて、第2導電体を形成する工程とを備え、
前記空隙に充填された前記第2導電体を含む前記第1導電体が、貫通・埋込電極を構成することを特徴とするものである。
(1)良好な信頼性を確保するために、第1導電材は、基板との熱膨張係数差が小さく、多孔質焼結体と基板の熱膨張係数が3倍を超えないことが推奨される。この制約は、第1導電材を含む半導体デバイス基板が高温雰囲気に曝された時に、当該基板との熱膨張係数差に起因して発生した内部応力が、当該基板を破損しないために必要なものである。
(2)良好な信号伝達特性を確保するために、第1導電材としては、電気抵抗が小さいものが好ましい。
(3)焼結(拡散結合)温度を300℃以下とする。貫通・埋込電極が形成される基板の大部分が、多数のデバイスが集積化されたシリコンウェハであることを考慮すると、周辺のデバイス回路にダメージを与えないようにするために、焼結(拡散結合)温度は、集積回路製造プロセス中の最高温度よりも低い温度に制限することも必要である。
(1)基板の一方の面(第1主面)からの開孔工程
(2)開孔の内壁に絶縁層を形成する工程
(3)開孔に第1導電材を固形成分とするペーストを塗布し、堆積・充填する工程
(4)低温焼結処理工程
(5)多孔質の第1導電体の上に第2導電材を固形成分とするペースト(あるいは第2導電材の溶融液)を塗布・堆積する工程
(6)第2導電材を溶融・含浸させる工程
(7)基板の第1主面または第2主面、あるいは第1主面と第2主面の双方を平滑化する工程
これらの七つの工程のうち、上記工程(2)は、基板が樹脂あるいはセラミックの場合には不要である。
図1A及び図1Bは、本発明の第1実施形態に係る貫通電極の形成方法を示す。本実施形態は、電極の両端が基板の両面から接続端子として露出するケースであり、この電極は貫通電極となる。貫通電極を内蔵するこの基板は、インターポーザとして機能する。
図2A及び図2Bは、本発明の第2実施形態に係る埋込電極の形成方法を示す。本実施形態は、基板の片面に電極が接続端子として露出し、他方の面では、既に築かれた半導体デバイスの配線に基板の内部から接続されるケースであり、この電極は埋込電極となる。
図3は、本発明の第3実施形態に係る埋込電極の形成方法を示す。本実施形態は、上述した第2実施形態において多層配線を用いた場合である。したがって、図3では、上述した第2実施形態を示す図2A及び図2Bと同一番号は、同一構成要素を示している。
図6A〜6Hは、本発明の第4実施形態に係る貫通・埋込電極の形成方法に使用される導電性微粒子と、導電性微粒子同士の種々の接合構造(結合態様)を示している。なお、図6A〜6Hを参照して以下に説明する種々の導電性微粒子は、上述した第2及び第3実施形態に係る多孔質焼結体257あるいは非完全置換型固溶体260にも適用可能である。
核(コア)として使用できる微粒子は、上述したW、Mo,またはSi単体よりなる微粒子のほか、Si以外の半導体の微粒子、インコネル等の合金の微粒子、SiC、AlN等のセラミックの微粒子、ホウ珪酸ガラス、テンパックスガラス、イーグルガラス等の無機材料の微粒子、ポリイミド変性材料等の有機材料の微粒子、有機材料と無機材料の混合体の微粒子が使用可能である。
核(コア)658として使用できる微粒子は、図6Bに示された微粒子458と同じである。
核(コア)658として使用できる微粒子は、図6Bに示された微粒子458と同じである。
核(コア)として使用できる微粒子は、図6Bに示された微粒子458と同じである。含浸させることができる材料としては、上記Cuのほか、Ag、Zn、Al、Ni、Cdが使用可能である。
核(コア)として使用できる微粒子は、図6Bに示された微粒子458と同じである。含浸させることができる材料としては、上記Ag、Cuのほか、Ag、Zn、Al、Ni,Cdが使用可能である。
51 開孔
52、252 第1主面
53、253 第2主面
54、74、254 絶縁層
55 支持板
56、59、256、259 ペースト
57、257 第1導電体(多孔質焼結体)
60、260 第2導電体(非完全置換型固溶体)
61、261 熔湯(金属あるいは合金)
58、258、358、458、558、658 導電性微粒子
65、66、73、73a、73b、73c、265 配線層
70 トランジスタ
71 拡散層
72 ゲート電極
251、251b、251c、251bc 開孔
270 層間配線
861 網目状・部分的Au−Sn合金接合部
878 Cu含浸W粒子を核とし、その表面をSn被膜で覆った金属微粒子
978 Ag、Cuを含浸したW、Mo粒子を核とし、その表面をAu被膜で覆った金属微粒子
Claims (5)
- 第1導電材を300℃未満の温度で焼結して形成された、多孔質の第1導電体と、
前記第1導電材とは異なると共に前記第1導電材の焼結温度より低い融点を持つ金属または合金よりなる第2導電材を、前記第1導電体の空隙部に充填・固化してなる第2導電体と
を備えてなることを特徴とする貫通・埋込電極。 - 前記第1導電材または前記第1導電材が、網目状または立体網目状の合金接合部を有していると共に、基板の熱膨張係数の3倍を超えない熱膨張係数を有している請求項1に記載の貫通・埋込電極。
- 表面が導電性被膜で覆われ且つ粒径が0.5〜10μmである導電性微粒子を含み、
前記導電性微粒子が、前記導電性被膜の融点が異なる2種類以上の導電性粒子の混合体であるか、前記導電性被膜が種類の異なる金属または合金を含む多層構造となっており、
前記導電性被膜の厚さが、前記導電性微粒子の外形寸法の10分の1から200分の1であることを特徴とする電極材料。 - 前記導電性微粒子が、タングステン、モリブデンを含む金属、合金、金属化合物、半導体、ガラス、セラミック、または有機材料であって、基板の熱膨張率に近いもの、またはそれらの混合物である請求項3に記載の電極材料。
- 基板に形成された開孔内に配置される貫通・埋込電極を形成する方法であって、
前記開孔内に第1導電材のペーストを充填して乾燥させる工程と、
前記開孔内に充填された前記第1導電材のペーストを固相焼結して、多孔質の第1導電体を生成する工程と、
前記第1導電体を覆うように第2導電材のペーストを塗布する工程と、
前記第2導電材のペーストを熱処理して融解させ、前記第1導電体に含浸させる工程と
を備えていることを特徴とする貫通・埋込電極の形成方法。
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