JP2015004094A - 電気ニッケルめっき液、めっき液の製造方法および電気めっき方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ピット防止等のための添加剤やホウ素を含まない、高速電気めっきのめっき液として用いた場合にも、耐食性および外観に優れためっき皮膜が得られる電気ニッケルめっき液を提供する。【解決手段】被めっき物にニッケル皮膜を形成するための電気ニッケルめっき液において、硫酸ニッケルを２５０ｇ／Ｌ以上４００ｇ／Ｌ以下、塩化ニッケルを１ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下、クエン酸３ナトリウムを１００ｇ／Ｌ以上２５０ｇ／Ｌ以下含み、ｐＨが３以上５以下であることを特徴とする電気ニッケルめっき液。【選択図】図１

Description

本発明は、めっき処理によりニッケル皮膜を形成するための電気ニッケルめっき液およびその電気ニッケルめっき液を用いた電気めっき方法に関する。

従来、一般的な電子部品用めっきは銅および銅合金素地上に下地としてニッケルめっき皮膜を設け、その表面に金めっきを行う二層めっきが用いられている。電子部品用めっきは、「フープめっき」と呼ばれるリールトゥリールによる高速めっき法が用いられる。高速めっき法では、被めっき品を０．５〜１５ｍ／ｍｉｎ程度の移動速度で移動させて装飾用めっきよりも高い電流密度で連続的にめっき処理が行われる。

装飾用の電気ニッケルめっきには、硫酸ニッケルと、塩化ニッケルと、ホウ酸とで構成された「ワット浴」が一般的に用いられるが、高速めっきの下地ニッケルめっきにはスルファミン酸ニッケルと、塩化ニッケルと、ホウ酸とで構成された「スルファミン酸ニッケルめっき浴」が用いられる。めっき浴に含まれるホウ酸は、ニッケルめっき浴のｐＨを一定に保ってニッケルを安定的に電析するためのｐＨ緩衝剤である。

このスルファミン酸ニッケルめっき浴は、そのままではめっき外観にピットやピンホールと呼ばれる外観不良を引き起こす場合がある。そのため、ピットやピンホールの発生を抑制するためにめっき液の表面張力を低下させる界面活性剤等の添加剤がめっき液に添加される。

特開２００１−１７２７９０号公報 特開２０１２−１６２７８６号公報

しかしながら、２００１年７月１日施行の改正水質汚濁防止法においてホウ酸が規制対象物質に指定されたことから、電気ニッケルめっき液においてもホウ酸を含まないめっき液が求められるようになった。

そのため、例えば特許文献１には、ｐＨ緩衝剤であるホウ酸の代替としてクエン酸を用いた電気ニッケルめっき浴が開示されている。特許文献１には硫酸ニッケル：２００〜３６０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３０〜９０ｇ／Ｌ、クエン酸ニッケル：２４〜４２ｇ／Ｌ（又はクエン酸：１２〜２１ｇ／Ｌ）を含み、ｐＨ：３〜５であることを特徴とするホウ酸フリーの電気ニッケルめっき浴が開示される。特許文献１では、このめっき浴を用いて電流密度０．１〜１５Ａ／ｄｍ^２の範囲で、静止（引っかけ）あるいは回転（バレル）めっきによりめっきを行うとしている。

また特許文献２は、ホウ酸の代替としてリンゴ酸等のモノカルボン酸をｐＨ緩衝剤として用いる高速用電気ニッケルめっき浴を開示する。特許文献２のめっき浴は、スルファミン酸ニッケル４水和物：１０〜１０００ｇ／Ｌ、塩化ニッケル６水和物：１００ｇ／Ｌ、モノカルボン酸：１〜３００ｇ／Ｌを含み、ｐＨ：１〜６であることを特徴とするホウ酸フリーの高速用ニッケルめっき浴（スルファミン酸ニッケルめっき浴）である。金めっきの下地ニッケルめっきとしての記載はない。

しかし、特許文献１のめっき浴をリールトゥリールによる高速めっき法におけるめっき浴として用いると、めっき表面に焼けが生じ、表面の平滑な膜質の優れためっき皮膜を形成することができない。

また特許文献２のスルファミン酸ニッケルを用いためっき浴では、生成されためっきにピットが生じやすい。ピット防止のために界面活性剤などの添加剤をめっき浴に加えると、界面活性剤に含まれる成分がニッケル皮膜において共析し、ニッケル皮膜の耐食性を低下させるなどの原因となる。

そこで本発明は、ピット防止等のための添加剤やホウ素を含まない、高速電気めっきのめっき液として用いた場合にも、耐食性および外観に優れためっき皮膜が得られる電気ニッケルめっき液を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気ニッケルめっき液は、被めっき物にニッケル皮膜を形成するための電気ニッケルめっき液において、硫酸ニッケル６水和物を２５０ｇ／Ｌ以上４００ｇ／Ｌ以下、塩化ニッケル６水和物を１ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下、クエン酸３ナトリウムを１００ｇ／Ｌ以上２５０ｇ／Ｌ以下含み、ｐＨが３以上５以下であることを特徴とする。

本発明によれば、ピット防止等のための添加剤やホウ素を含まない、高速電気めっきのめっき液として用いた場合にも、耐食性および外観に優れためっき皮膜が得られる電気ニッケルめっき液を提供することができる。

実施形態の電気ニッケルめっき液を用いた電気めっき処理を行う装置の一例である、リールトゥリールによる高速めっき法によりめっき処理を行う装置の概略図である。 実施例を作成した高速めっき処理の流れと本実施例において高速めっき処理を行った装置構成を示す図である。 ニッケルめっき時と金めっき時のそれぞれのめっき表面の写真である。 ニッケルめっき時と金めっき時のそれぞれのめっき表面の写真である。 実施例と比較例の試験前のめっき表面と試験開始から２４時間経過後のめっき表面のそれぞれの写真である。 比較例の試験前のめっき表面と試験開始から２４時間経過後のめっき表面のそれぞれの写真である。

以下、本発明に係る電気ニッケルめっき液の実施形態について説明する。本実施形態の電気ニッケルめっき液は、めっき対象物（被めっき物）にニッケル皮膜を電気めっき法で形成する際に用いる電気めっき液である。本実施形態の電気ニッケルめっき液は、硫酸ニッケルと塩化ニッケルとクエン酸３ナトリウムを含み、ｐＨが３以上５以下に調整されためっき液である。

硫酸ニッケルは、電気ニッケルめっき液における含有量が硫酸ニッケル６水和物で２５０ｇ／Ｌ以上４００ｇ／Ｌ以下であることが好ましい。電気ニッケルめっき液を生成する場合には、硫酸ニッケル６水和物を用いればよい。硫酸ニッケル６水和物のめっき液における含有量が２５０ｇ／Ｌより少ないと、めっき皮膜の外観に曇りおよび焦げが生じる場合がある。また硫酸ニッケル６水和物の含有量が４００ｇ／Ｌより多いと、めっき液の比重が高くなり、ピットの発生を引き起こす場合がある。硫酸ニッケル６水和物は、３００ｇ／Ｌ以上４００ｇ／Ｌ以下めっき液に含まれることがより好ましい。

塩化ニッケルは、電気ニッケルめっき液における含有量が塩化ニッケル６水和物で１ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下含まれることが好ましい。塩化ニッケル６水和物のめっき液における含有量が１ｇ／Ｌより少ないと、アノード板として用いるニッケルが不導態化し、ニッケルが不溶化するため、めっき反応を阻害する場合がある。また塩化ニッケル６水和物の含有量が２０ｇ／Ｌより多いと、めっき皮膜の内部応力が増大する場合がある。電気ニッケルめっき液を生成する場合には、塩化ニッケル６水和物を用いればよい。

クエン酸３ナトリウムは、電気ニッケルめっき液における含有量が１００ｇ／Ｌ以上２５０ｇ／Ｌ以下含まれることが好ましい。トリカルボン酸であるクエン酸のナトリウム塩であるクエン酸３ナトリウムを含有することで、めっき皮膜を形成した場合にピットやピンホールなどがより発生しにくくなる。さらに皮膜の耐食性も向上する。一方、たとえばクエン酸３ナトリウムの代わりにモノカルボン酸を用いてめっきをした場合には、ピットやピンホールが発生しやすくなったり、形成される皮膜の耐食性が十分でない場合がある。また、クエン酸３ナトリウムではなく、クエン酸を用いた場合には、めっき液のｐＨが低くなり、塩基性炭酸ニッケルを用いてｐＨを上げる操作を必要とするため、好ましくない。クエン酸３ナトリウムのめっき液における含有量が１００ｇ／Ｌより少ないと、めっき時の水素の発生量が増大するため、電流効率が低下する場合がある。またクエン酸３ナトリウムの含有量が２５０ｇ／Ｌより多いと、めっき液のｐＨが低くなりピットを生じやすくなるので、好ましくない。

また、本実施形態の電気ニッケルめっき液のｐＨは、３以上５以下であることが好ましい。めっき液のｐＨが３より小さいとめっき皮膜の外観にピットを生じやすくなる場合があり、ｐＨが５より大きいとめっき皮膜に焦げを生じやすく、また内部応力の増大および皮膜が硬くなる場合がある。

本実施形態の電気ニッケルめっき液の調製方法を説明する。まず、純水に硫酸ニッケル６水和物、塩化ニッケル６水和物を入れ、５０℃程度に加熱して溶解させる。そして、その溶液にクエン酸３ナトリウムを加え、溶解させる。そして、希硫酸等を加えてｐＨを調整する。そして、必要に応じて溶液中の不純物を取り除くために、活性炭処理（活性炭を加えて撹拌後、吸引濾過）を行う。以上の工程により本実施形態の電気ニッケルめっき液が得られる。

次に、本実施形態の電気ニッケルめっき液を用いて電気ニッケルめっきを行う方法について説明する。本実施形態の電気ニッケルめっき液は、リールトゥリールによる高速めっき法のめっき液として用いた場合でも、ピットなどの外観不良が抑制され、かつ、耐食性に優れためっき皮膜を形成することができる。図１には、本実施形態の電気ニッケルめっき液を用いた電気めっき処理を行う装置の一例として、リールトゥリールによる高速めっき法によりめっき処理を行う装置の概略図を示す。図１に示す高速めっき装置１は、帯状の銅などの金属板であるめっき対象物５０（被めっき物）をリールから送り出して連続してめっき処理を行い、リールで巻き取る装置である。図１の高速めっき装置１は、めっき対象物５０の表面に下地ニッケル層を形成し、下地ニッケル層の表面に金めっきを行う装置であり、電子部品のめっき加工処理などに用いられる装置である。

高速めっき装置１は、前処理部２と、下地Ｎｉめっき部４と、Ａｕめっき部６と、後処理部８と、乾燥部１０と、送り出しリール１２と、巻き取りリール１４と、を備える。

前処理部２は、めっき対象物５０の表面を、有機溶媒やアルカリ溶液によって脱脂を行ったり、酸による洗浄を行ったり、電解脱脂などを行う。どのような前処理を行うかは、めっき対象物の材料やめっき液の種類や形成するめっき皮膜の条件等に応じて適宜設定されればよい。

下地Ｎｉめっき部４は、前処理が行われためっき対象物５０の表面に電気ニッケルめっきを行う。下地Ｎｉめっき部４で用いられるめっき浴は本実施形態の電気ニッケルめっき液である。高速めっき装置１は、高速めっき法でめっき処理を行う。そのため、リールによるめっき対象物の移動速度によっても変わるが、１０Ａ／ｄｍ^２以上４０Ａ／ｄｍ^２以下の電流密度で下地Ｎｉめっき処理が行われることが好ましい。当該範囲での電流密度でめっきが行われれば、めっき対象物を移動させながらめっきする高速めっき法で電気ニッケルめっきを行っても、十分な厚みや質を備えた下地Ｎｉめっき皮膜を形成することができる。電気ニッケルめっき液の温度は４０℃以上６０℃以下が好ましい。

Ａｕめっき部６は、Ｎｉめっき皮膜が形成されためっき対象物５０のＮｉめっき皮膜の表面にめっきにより金皮膜を形成する。Ａｕめっき部６において行われる金めっき処理は、金を含むめっき浴を用いて電気めっき等の公知のめっき処理方法によって行うことができる。

後処理部８は、金めっき処理が行われためっき対処物５０の水洗処理などを行う。また乾燥部１０は、水洗処理等の後処理が行われためっき対象物５０を乾燥させる。

送り出しリール１２は、帯状のめっき対象物５０をめっき処理を行うために連続的に送り出す。巻き取りリール１４は、高速めっき処理によって一連のめっき処理がされためっき対象物５０を巻き取って回収する。送り出しリール１２と巻き取りリール１４はめっき対象物５０の高速めっき装置１における送り速度を調整することができる。送り速度は適宜設定されるが、０．５ｍ／ｍｉｎ〜１５．０ｍ／ｍｉｎ程度に設定されれば良い。

本実施形態の電気ニッケルめっき液を用いて電気ニッケルめっきを行えば、上述の速度でめっき対象物５０を送り、上述の電流密度で高速電気めっき処理を行った場合でも、ピット等の外観不良が抑制され、耐食性にも優れた、品質のより高いニッケルめっき皮膜を形成することができる。よって本実施形態の電気ニッケルめっき液を用いれば、より高品質の電子部品等のめっき物を効率よく製造することができる。

とくに、本実施形態の電気ニッケルめっき液を用いた場合には、ピットの発生を防止するピット防止剤や光沢剤などの添加剤を含まなくても、ピットなどの発生が抑制され、緻密で欠陥の非常に少ない、光沢を有するニッケル皮膜を形成することができる。

また、本実施形態の電気ニッケルめっき液を用いれば、めっき液にホウ酸を含まないので、ホウ酸フリーでめっき処理が可能となる。めっき液にホウ酸を含まないことで、めっき対象物を水洗した場合に排水等に含まれるホウ酸を取り除く処理を行う必要がない。また、ホウ酸が含まれないので、ホウ酸を含む排水等が自然界に放出されて環境に好ましくない影響を及ぼすこともない。

次に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（高速めっき法でのめっき皮膜の形成）
上述した実施形態の電気ニッケルめっき液をめっき浴に用いて、実際に高速めっき法でニッケル皮膜およびそのニッケル皮膜上に金めっき皮膜を形成するめっき処理を行った。高速めっき処理は、リールトゥリール方式の場合のようにめっき対象物をめっき浴中において移動させる代わりに、以下に示すような装置でめっき対象物の円板を回転させながら電気めっき処理を行うことで、めっき対象物が移動している場合と同様の状況を実現してめっき処理を行った。

図２は、実施例を作成した高速めっき処理の流れと本実施例において高速めっき処理を行った装置構成を示す図である。ニッケルめっき処理を行う電気ニッケルめっき装置２０と、金めっき処理を行う電気金めっき装置２０’は、めっき浴の組成が異なるだけであり基本的には同じ構成である。電気ニッケルめっき装置２０および電気金めっき装置２０’は、めっき浴槽２２（２２’）と、カソード２４と、回転軸２６と、モータ２８と、アノード３０と、電極板３２と、を備える。

実施例で用いためっき対象物５２は、円板状の銅板である。中心に穴が開いており回転軸２６に固定してモータ２８で回転させることができる。めっき対象物５２を回転させながら電流を流すことで、めっき対象物５２がめっき液に対して相対的に移動している状態でめっき処理を行うことができる。

めっき浴槽２２（２２’）は、めっき液をためる槽である。電気ニッケルめっき装置２０のめっき浴槽２２には電気ニッケルめっき液がためられ、電気金めっき装置２０’のめっき浴槽２２’には金めっき液がためられている。電気ニッケルめっき液の組成および金めっき液の組成は後述する。

このめっき浴槽２２（２２’）に回転軸２６の先端に固定されたメッキ対象物５２が浸漬される。そして円板状のめっき対象物５２が固定された回転軸２６は、モータ２８に接続されており、モータ２８によってめっき対象物５２を回転させることができる。また、回転軸２６とめっき対象物５２は導通状態で固定され、さらに回転軸２６とカソード２４とが導通状態で接続されている。このように接続されることで、めっき対象物５２がめっき液中におけるカソードとしてはたらき、めっき対象物５２の表面に金属を析出させることができる。

アノード３０はめっき浴槽２２（２２’）中に浸漬された電極板３２に接続され、電極板３２がめっき液中においてアノードとしてはたらく。

以上の電気ニッケルめっき装置２０と電気金めっき装置２０’とを用いて、めっき対象物５２に金めっきの下地めっき皮膜としてニッケルめっき皮膜を形成し、ニッケルめっき皮膜の上に金めっき皮膜を形成して、以下の通り実施例を作成した。

（実施例１）
直径が６．４ｃｍ、厚みが０．３ｍｍの円形の銅板をめっき対象物として用いた。まず、めっき対象物の前処理として、アルカリ性溶液を用いて電解脱脂処理を行い、希硫酸を用いて酸活性化処理を行った。

次にめっき対象物５２に対して、上述の電気ニッケルめっき装置２０により電気ニッケルめっき処理を行った。ニッケルめっき液は、硫酸ニッケル６水和物を３２５ｇ／Ｌ、塩化ニッケル６水和物を５ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウムを１３８ｇ／Ｌ含有し、ｐＨを４．０に調整したものである。そして、浴温を５０℃とし、電流密度を２０Ａ／ｄｍ^２とし、モータ２８によってめっき対象物５２を１５０ｒｐｍの回転速度で回転させて電気ニッケルめっき処理を行った。ニッケルめっき皮膜は３．０μｍの厚みの皮膜を形成した。なお、回転速度１５０ｒｐｍでめっき対象物５２を回転させた場合、円板上の位置（回転中心からの位置）によってめっき対象物の移動速度は異なるが、５〜２５ｍ／ｍｉｎの移動速度（円板の中心位置側が５ｍ／ｍｉｎ程度、円板の円周付近が２５ｍ／ｍｉｎ程度）となり、通常のリールトゥリール方式の高速めっき法における一般的な移動速度である０．５〜１５．０ｍ／ｍｉｎと同程度以上の速度を実現できる。

次にニッケル皮膜が形成されためっき対象物５２を水洗し、電気金めっき装置２０’により電気金めっき処理を行った。金めっき液はシアン浴であり、シアン金カリウムを１３．５ｇ／Ｌ、クエン酸を７３．５ｇ／Ｌ、硫酸コバルト７水和物を０．３ｇ／Ｌ含有し、ｐＨを４．０に調整したものである。そして、浴温を５０℃とし、電流密度を２Ａ／ｄｍ^２とし、めっき対象物５２を１５０ｒｐｍの回転速度で回転させて電気金めっき処理を行い、０．０５μｍの厚みの金めっき皮膜を形成した。移動速度は上述の電気ニッケルめっき装置２０と同じ５〜２５ｍ／ｍｉｎとなる。そして、金めっき皮膜を形成しためっき対象物５２を水洗して、下地ニッケルめっき皮膜と金めっき皮膜が形成された実施例１の銅板を得た。なお、後述する耐食性試験の評価のために、同様の方法で０．５μｍの厚みで金めっき皮膜を形成したものも作成した。

（比較例１）
実施例１において、電気ニッケルめっき液をスルファミン酸浴としてニッケルめっき皮膜を形成した。用いたスルファミン酸浴は、スルファミン酸ニッケルを４００ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを５ｇ／Ｌ、ホウ酸を３０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨを４とした組成である。電気ニッケルめっき液をこのスルファミン酸浴に変更した以外は、実施例１と同様の手順、条件でニッケルめっき、金めっきを行い、比較例１のめっき処理された銅板を得た。

（比較例２）
実施例１において、電気ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル６水和物を２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ、クエン酸を３０ｇ／Ｌ含有するニッケルめっき液を用いて電気ニッケルめっき処理を行った。これ以外は実施例１と同様にしてニッケルめっき処理と金めっき処理を行い、比較例２のめっき処理された銅板を得た。

以上の実施例および比較例の浴組成を表１に示す。

（めっき皮膜の外観評価試験）
以上の実施例、比較例のめっき処理された銅板のめっき面の外観評価を行った。外観の評価は、各実施例、比較例の銅板にニッケルめっき皮膜を形成した時点と、ニッケルめっき皮膜の上に金めっき皮膜を形成した時点で、めっき皮膜表面を目視して、ピットやピンホール等の有無を確認することにより行った。評価は、外観不良がなければ二重丸（◎）、外観不良があっても問題ないレベルであれば丸（○）、電子部品等の製品に利用できないレベルの外観不良であればバツ（×）で評価した。評価結果を表２に示す。また、実施例と比較例のニッケルめっき時と金めっき時のそれぞれのめっき表面の写真を図３および図４に示す。

表２と図３、図４に示すように、実施例１はニッケルめっき皮膜および金めっき皮膜のいずれにもピット等の外観不良は生じず、極めて良好な外観のめっき皮膜が形成された。

一方比較例１は、ニッケルめっき皮膜と金めっき皮膜の両方にピットが発生しており、外観不良が生じた。また、比較例２は、ピットは発生しなかったものの、曇りが生じた。

以上の外観評価試験の結果より、本発明の実施例ではピット防止剤などの添加剤を加えなくても、外観が極めて良好なめっき皮膜が形成されたことが分かった。

（耐食性試験）
次に、ニッケルめっき皮膜の上に金めっき皮膜が形成された実施例および比較例について耐食性を評価するために行った試験について説明する。耐食性試験は、実施例、比較例の金めっき皮膜の表面に中性の塩水を噴霧して２４時間放置して、腐食の有無や状態を目視で確認し評価した。腐食が発生していないまたはほとんど発生していない状態を二重丸（◎）、腐食が一部確認できる状態を丸（○）、腐食が広範にわたってはっきりと確認できる状態を三角（△）、腐食が進み銅素地まで露出した状態をバツ（×）で評価した。なお、上述のように耐食性試験では、実施例および比較例の金めっきの皮膜の厚みを０．５μｍとしたものについても試験を行った。試験結果を表３に示す。また、実施例と比較例の試験前と２４時間経過後のめっき表面の写真を図５および図６に示す。

表３と図５、図６に示すように、実施例１は、金めっき皮膜の厚みが０．０５μｍのものは皮膜の荒れが確認されたが、問題ないレベルであった。金めっき厚みが０．５μｍのものは皮膜の荒れは、ほぼ発生しなかった。

一方比較例１は、金めっき皮膜の厚みが０．０５μｍのものも、０．５μｍのものも両方とも金めっきやニッケルめっきの剥がれ等が確認でき、赤色の銅素地まで露出してしまった状態となった。また、比較例２は、０．０５μｍのものはニッケル由来の白色および緑色腐食生成物および赤色の銅素地の露出が確認されたが、金めっきの厚みが０．５μｍのものは、皮膜の荒れが問題ないレベルであった。

以上の耐食性評価試験の結果より、本発明の実施例では非常に耐食性に優れた皮膜が形成されたことが分かった。

本発明のいくつかの実施形態・実施例を説明したが、これらの実施形態・実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態・実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態・実施例やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１ 高速めっき装置
５０ めっき対象物
２０ 電気ニッケルめっき装置
２０’ 電気金めっき装置

Claims (8)

1. 被めっき物にニッケル皮膜を形成するための電気ニッケルめっき液において、硫酸ニッケル６水和物を２５０ｇ／Ｌ以上４００ｇ／Ｌ以下、塩化ニッケル６水和物を１ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下、クエン酸３ナトリウムを１００ｇ／Ｌ以上２５０ｇ／Ｌ以下含み、ｐＨが３以上５以下であることを特徴とする電気ニッケルめっき液。
2. 被めっき物にニッケル皮膜を形成するための電気ニッケルめっき液の製造方法であって、硫酸ニッケル６水和物を２５０ｇ／Ｌ以上４００ｇ／Ｌ以下、塩化ニッケル６水和物を１ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下、クエン酸３ナトリウムを１００ｇ／Ｌ以上２５０ｇ／Ｌ以下の含有量で混合し、ｐＨを３以上５以下に調整したことを特徴とする電気ニッケルめっき液の製造方法。
3. 硫酸ニッケル６水和物を２５０ｇ／Ｌ以上４００ｇ／Ｌ以下、塩化ニッケル６水和物を１ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下、クエン酸３ナトリウムを１００ｇ／Ｌ以上２５０ｇ／Ｌ以下含み、ｐＨが３以上５以下の電気ニッケルめっき液を用いて電気ニッケルめっき処理を行い、被めっき物にニッケル皮膜を形成することを特徴とする電気めっき方法。
4. ４０℃以上６０℃以下の温度の前記電気ニッケルめっき液を用いて被めっき物にニッケル皮膜を形成することを特徴とする請求項３に記載の電気めっき方法。
5. １０Ａ／ｄｍ^２以上４０Ａ／ｄｍ^２以下の電流密度で前記電気ニッケルめっき処理を行うことを特徴とする請求項３または４に記載の電気めっき方法。
6. 前記被めっき物を前記電気ニッケルめっき液中において０．５ｍ／ｍｉｎ以上２５ｍ／ｍｉｎ以下の速度で移動させながらめっき処理を行うことを特徴とする請求項３から５のいずれか１つに記載の電気めっき方法。
7. 前記被めっき物が銅であることを特徴とする請求項３から６のいずれか１つに記載の電気めっき方法。
8. ニッケル皮膜が形成された前記被めっき物に対してさらに電気金めっき処理を行い、ニッケル皮膜の上に金皮膜を形成することを特徴とする請求項３から７のいずれか１つに記載の電気めっき方法。