JP2015003911A

JP2015003911A - シクロヘキセン−３，６−ジイル化合物、液晶組成物および液晶表示素子

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Publication number: JP2015003911A
Application number: JP2014145128A
Authority: JP
Inventors: 笹田　康幸; Yasuyuki Sasada; 康幸笹田
Original assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2010-10-21
Filing date: 2014-07-15
Publication date: 2015-01-08
Also published as: EP2669354B1; EP2669354A3; US20130270480A1; JP5817734B2; US9090825B2; EP2631225A1; EP2669354A2; JPWO2012053421A1; WO2012053421A1; EP2631225A4; EP2631225B1; US20130277612A1; US8956552B2

Abstract

【課題】高い透明点と低い結晶化温度を併せ持つことによって液晶相の広い温度範囲を有し、加えて他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する。さらに化合物に必要な一般的物性、熱、光などに対する安定性、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性を有する化合物を提供する。【解決手段】式（１）で表される化合物とする。例えば、ＲａおよびＲｂは炭素数１〜１０のアルキルであり；Ａ１、Ａ２、Ａ３、およびＡ４は１，４−フェニレンであり；Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、およびＺ４は、単結合または炭素数１〜４のアルキレンであり；ｍ、ｎ、ｑおよびｒは独立して、０、１、または２であり、ｍ、ｎ、ｑ、およびｒの和は、１、２、３、または４である。【選択図】なし

Description

本発明は液晶組成物、液晶性化合物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくはシクロヘキセン−３，６−ジイル化合物、これを含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物およびこの組成物を含有する液晶表示素子に関する。

液晶表示パネル、液晶表示モジュール等に代表される液晶表示素子は、液晶性化合物が有する光学異方性、誘電率異方性などを利用したものである。この液晶表示素子の動作モードとしては、ＰＣ（ｐｈａｓｅｃｈａｎｇｅ）モード、ＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（ｓｕｐｅｒｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＢＴＮ（ｂｉｓｔａｂｌｅｔｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＥＣＢ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＯＣＢ（ｏｐｔｉｃａｌｌｙｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄｂｅｎｄ）モード、ＩＰＳ（ｉｎ−ｐｌａｎｅｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒｓｕｓｔａｉｎｅｄａｌｉｇｎｍｅｎｔ）などの様々なモードが知られている。

この液晶表示素子には高温から低温までの温度領域での駆動が可能であることが求められている。しかしながら従来の組成物中の化合物にはシクロヘキサン環が多く用いられており、低温においてはシクロヘキサン環を有する化合物の相溶性が悪かった。その為、スメクチック相または結晶が析出しやすいので、特に低温での駆動は容易ではなかった。このような背景から、透明点が高く、結晶化温度が低く、相溶性が優れ、かつ化学的安定性に優れた液晶性化合物の開発が求められている。

例えば下記の化合物（Ａ）が報告されている（例えば、特許文献１）。しかしながら、この化合物（Ａ）は液晶性が著しく乏しく、所望の物性を有する液晶組成物を構成する液晶性化合物としては十分ではなかった。

また下記の化合物（Ｂ）が報告されている（例えば、非特許文献１）。しかしながら、この化合物（Ｂ）はエステル基やシアノ基など化学的安定性に問題がある部位を有しており、高い信頼性が求められる液晶表示素子へ用いる液晶組成物を構成する液晶性化合物として十分ではなかった。

従来の技術は下記のとおりである。さらに好ましい液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子が望まれている。

特開平４−３２７５４４号公報

Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．、１９８９，４（２），２０９−２１５

上述した各モードで動作する表示素子は液晶性化合物からなる液晶組成物から構成されている。この表示素子の特性をさらに向上させるためには、液晶性化合物が、以下（１）〜（８）で示す特性を有することが必要である。すなわち、
（１）化学的に安定であること、および物理的に安定であること
（２）高い透明点（液晶相−等方相の転移温度）を有すること
（３）液晶相（ネマチック相、スメクチック相等）の下限温度、特にネマチック相の下限温度が低いこと
（４）粘度が小さいこと
（５）適切な光学異方性を有すること
（６）各モードに合った適切な誘電率異方性を有すること
（７）各モードに合った適切な弾性定数を有すること
（８）他の液晶性化合物との相溶性に優れること
である。

（１）のように化学的、物理的に安定な液晶性化合物を含む組成物を表示素子に用いると、電圧保持率を大きくすることができる。
（２）および（３）のように、高い透明点、あるいは液晶相の低い下限温度を有する液晶性化合物を含む組成物では、ネマチック相の温度範囲を広げることが可能となり、幅広い温度領域で表示素子として使用することが可能となる。

（４）のように粘度の小さい化合物、および（７）のように適切な弾性定数を有する化合物を含む組成物を表示素子として用いると応答速度を向上することができ、（５）のように適切な光学異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合は、表示素子のコントラストの向上を図ることができる。

各モードに合った適切な誘電率異方性を有する場合には、この化合物を含む液晶組成物のしきい値電圧を低くすることができるので、表示素子の駆動電圧を低くし、消費電力も小さくすることができる。さらに（７）のように適切な弾性定数を有する化合物を含む組成物を表示素子として用いることで表示素子の駆動電圧を小さくすることができ、消費電力も小さくすることができる。

液晶性化合物は、単一の化合物では発揮することが困難な特性を発現させるために、他の多くの液晶性化合物と混合して調製した組成物として用いることが一般的である。したがって、表示素子に用いる液晶性化合物は、（８）のように、他の液晶性化合物等との相溶性が良好であることが好ましい。また、表示素子は、氷点下を含め幅広い温度範囲で使用することもあるので、低い温度で良好な相溶性を有す化合物であることが好ましい。

本発明の第一の目的は、熱、光などに対する安定性を有し、粘度が小さく、他の液晶性化合物との優れた相溶性を有し、広い温度範囲でネマチック相となり、適度な光学異方性、および適切な弾性定数を有する液晶性化合物を提供することである。

本発明の第二の目的は、この化合物を含有して、そして熱、光などに対して高い安定性を有し、粘度が低く、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、適切な弾性定数を有し、しきい値電圧が低く、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低い液晶組成物を提供することである。

本発明の第三の目的は、応答時間が速く、消費電力が小さく、駆動電圧が小さく、大きなコントラストを有し、広い温度範囲で使用可能である、上記組成物を含有する液晶表示素子を提供することである。

本発明者らはこれらの課題に鑑み鋭意研究を行った結果、１，４−シクロへキシレン基の２位に二重結合を有する化合物が、高い透明点と低い結晶化温度を併せ持つことによって広い液晶相温度範囲を有しながら他の液晶性化合物との優れた相溶性を有し、熱、光などに対する安定性を有し、粘度が小さく、適切な光学異方性および適切な弾性定数を有し、この化合物を含有する液晶組成物が、熱、光などに対する安定性を有し、粘度が小さく、適切な光学異方性、適切な弾性定数および適切な誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低いこと、この組成物を含有する液晶表示素子が、応答時間が速く、消費電力および駆動電圧が小さく、コントラスト比が大きく、広い温度範囲で使用可能であることを見いだし、本発明を完成するに到った。

本発明は、下記の項〔１〕〜〔３２〕などに記載された事項を有している。併せて化合物（１）における結合基に関して好ましい例も述べる。

［１］式（１）で表される化合物。

式（１）において、ＲａおよびＲｂは独立して、水素、ハロゲン、または炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく；Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、およびＡ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、シクロヘキセン−３，６−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において、一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そしてこれらの環において、任意の水素は、ハロゲン、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、または−ＯＣＨ_２Ｆで置き換えられてもよく；Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は独立して、単結合または炭素数１〜４のアルキレンであり、このアルキレンにおいて任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、そして任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく；ｍ、ｎ、ｑおよびｒは独立して、０、１、または２であり、ｍ、ｎ、ｑ、およびｒの和は、１、２、３、または４であり；ｍ、ｎ、ｑ、およびｒの和が１のとき、ＲａおよびＲｂは独立して、水素、ハロゲンまたは炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく；Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、およびＡ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、一つ以上の水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、シクロヘキセン−３，６−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において、一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そしてこれらの環において任意の水素は、ハロゲン、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、または−ＯＣＨ_２Ｆで置き換えられてもよく；Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は独立して、単結合または炭素数１〜４のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、そして任意の−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよい。

「アルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよい」の句の意味を一例で示す。Ｃ_４Ｈ_９−において任意の−ＣＨ_２−を−Ｏ−で置き換えられた基、または任意の−（ＣＨ_２）_２−を−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えた基の例は、Ｃ_３Ｈ_７Ｏ−、ＣＨ_３−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−、ＣＨ_３−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−、Ｈ_２Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−Ｏ−などである。このように「任意の」語は、「区別なく選択された少なくとも一つの」を意味する。化合物の安定性を考慮して、酸素と酸素とが隣接したＣＨ_３−Ｏ−Ｏ−ＣＨ_２−よりも、酸素と酸素とが隣接しないＣＨ_３−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−の方が好ましい。

好ましいＲ^１またはＲ^２は、塩素、フッ素、炭素数２〜１０のアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニルオキシ、ポリフルオロアルキル、ポリフルオロアルコキシ、およびポリフルオロアルケニルである。これらの基において分岐よりも直鎖の方が好ましい。Ｒ^１およびＲ^２が分岐の基であっても光学活性であるときは好ましい。より好ましいＲ^１またはＲ^２は、炭素数２〜１０のアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、またはアルケニルオキシである。最も好ましいＲ^１およびＲ^２は炭素数２〜１０のアルキル、アルコキシ、またはアルケニルである。

アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。

具体的なＲ^１またはＲ^２は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、エトキシメチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペントキシメチル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、２−ペンテニルオキシ、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３Ｆ、−（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＯＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、および−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＦ_２である。

より好ましいＲ^１またはＲ^２は、フッ素、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、エトキシメチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペントキシメチル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、および２−ペンテニルオキシである。最も好ましいＲ^１またはＲ^２は、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、および４−ペンテニルである。

Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、およびＡ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、シクロヘキセン−３，６−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイルまたはナフタレン−２，６−ジイルであるが、必ず一つ以上の１，４−フェニレンは一つ以上の水素がハロゲンで置換されており、これらの環において一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そしてこれらの環において一つの水素はハロゲン、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、または−ＯＣＨ_２Ｆで置き換えられてもよい。

好ましいＡ^１、Ａ^２、Ａ^３、およびＡ^４は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、シクロヘキセン−３，６−ジイル、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルである。より好ましいＡ^１、Ａ^２、Ａ^３、およびＡ^４は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、シクロヘキセン−３，６−ジイル、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレンおよび２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。最も好ましいＡ^１、Ａ^２、Ａ^３、またはＡ^４は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンおよび２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。

Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は独立して、単結合または炭素数１〜４のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよい。

好ましいＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−Ｏ（ＣＨ_２）_２Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２Ｏ−、および−ＯＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−である。−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２Ｏ−、および−ＯＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−のような結合基の二重結合に関する立体配置はシスよりもトランスが好ましい。

さらに好ましいＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、および−Ｃ≡Ｃ−である。最も好ましいＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、および−ＣＨ＝ＣＨ−である。

［２］式（１−１）〜式（１−８）で表される項１に記載の化合物。

式（１−１）〜式（１−８）において、ＲａおよびＲｂは独立して、水素、ハロゲンまたは炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく；Ａ^１１、Ａ^２１、Ａ^３２、Ａ^４１、Ａ^４２、およびＡ^４３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、シクロヘキセニレン−１，４−ジイル、１，４−フェニレン、シクロヘキン−２，５−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，５−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり、Ａ^３１は、１，４−シクロヘキシレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、一つ以上の水素がハロゲンで置換された１，４−フェニレン、シクロヘキセン−３，６−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において、一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そしてこれらの環において、一つの水素は、ハロゲン、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、または−ＯＣＨ_２Ｆで置き換えられてもよく；Ｚ^１１、Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、Ｚ^４１、Ｚ^４２、およびＺ^４３は独立して、単結合または炭素数１〜４のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、そして任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよい。

［３］項［２］に記載の式（１−１）〜式（１−８）において、ＲａおよびＲｂが独立して、フッ素、炭素数１から１０のアルキル、炭素数２から１０のアルケニル、炭素数１から９のアルコキシ、炭素数２から９のアルコキシアルキル、炭素数３から９のアルケニルオキシ、炭素数２から１０のポリフルオロアルキル、炭素数１から９のポリフルオロアルコキシ、または炭素数２から１０のポリフルオロアルケニルであり；Ａ^１１、Ａ^２１、Ａ^３２、Ａ^４１、Ａ^４２、およびＡ^４３が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、シクロヘキセン−３，６−ジイル、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり、Ａ^３１が、１，４−シクロヘキシレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、シクロヘキセン−３，６−ジイル、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり；Ｚ^１１、Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、Ｚ^４１、Ｚ^４２、およびＺ^４３が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−Ｏ（ＣＨ_２）_２Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−である項［２］に記載の化合物。

［４］項［２］に記載の式（１−１）〜式（１−５）において、ＲａおよびＲｂが独立して、フッ素、炭素数１〜８のアルキル、炭素数２〜８のアルケニル、炭素数１〜７のアルコキシ、炭素数２〜７のアルコキシアルキル、または炭素数３〜７のアルケニルオキシであり；Ａ^２１、Ａ^３２、Ａ^４１、およびＡ^４２が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、シクロヘキセン−３，６−ジイル、２−フルオロ−１，４−フェニレン、または３−フルオロ−１，４−フェニレンであり、Ａ^３１は、１，４−シクロヘキシレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、シクロヘキセン−３，６−ジイル、２−フルオロ−１，４−フェニレン、または３−フルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、Ｚ^４１、およびＺ^４２が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、または−Ｃ≡Ｃ−である項［２］に記載の化合物。

［５］式（１−１）〜式（１−３）において、ＲａおよびＲｂが独立して、炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニル、または炭素数１〜４のアルコキシであり；Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、およびＡ^４２が独立して、１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、およびＺ^４２が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−である項［２］に記載の化合物。

［６］式（１−１）〜式（１−３）において、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、およびＡ^４２は独立して、１，４−シクロヘキシレンであり、Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、およびＺ^４２が単結合である項［２］に記載の化合物。

［７］式（１−１）〜式（１−８）で表される項［１］に記載の化合物。

式（１−１）〜式（１−８）において、ＲａおよびＲｂは独立して、炭素数１から１０のアルキル、炭素数２から１０のアルケニル、炭素数１から９のアルコキシ、炭素数２から９のアルコキシアルキル、炭素数３から９のアルケニルオキシ、炭素数２から１０のポリフルオロアルキル、炭素数１から９のポリフルオロアルコキシ、または炭素数２から１０のポリフルオロアルケニルであり；Ａ^１１、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^４１、Ａ^４２、およびＡ^４３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、シクロヘキセン−３，６−ジイル、テトラヒドロピラン２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−（トリフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）−１，４−フェニレン、２−（ジフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−３−（ジフルオロメチル）−１，４−フェニレン、２−トリフルオロメチル−１，４−フェニレン、３−トリフルオロメチル−１，４−フェニレン、２−ジフルオロメチル−１，４−フェニレン、３−ジフルオロメチル−１，４−フェニレン、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイルまたはナフタレン−２，６−ジイルであるが、Ａ^１１、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^４１、Ａ^４２、およびＡ^４３の少なくとも一つは、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−（トリフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）−１，４−フェニレン、２−（ジフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−３−（ジフルオロメチル）−１，４−フェニレンであり；Ｚ^１１、Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、Ｚ^４１、Ｚ^４２、およびＺ^４３は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−である。

［８］式（１−１）〜式（１−５）において、ＲａおよびＲｂが独立して、フッ素、炭素数１〜８のアルキル、炭素数２〜８のアルケニル、炭素数１〜７のアルコキシ、炭素数２〜７のアルコキシアルキル、または炭素数３〜７のアルケニルオキシであり；Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^４１、およびＡ^４２が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−（トリフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）−１，４−フェニレン、２−（ジフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２−フルオロ−３−（ジフルオロメチル）−１，４−フェニレンであるが、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^４１、およびＡ^４２の少なくとも一つが、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−（トリフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）−１，４−フェニレン、２−（ジフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２−フルオロ−３−（ジフルオロメチル）−１，４−フェニレンであり；Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、Ｚ^４１、およびＺ^４２が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、または−Ｃ≡Ｃ−である項［７］に記載の化合物。

［９］式（１−１）〜式（１−５）において、ＲａおよびＲｂが独立して、炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニル、または炭素数１〜４のアルコキシであり；Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^４１、およびＡ^４２独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであるが、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^４１およびＡ^４２の少なくとも一つが、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、Ｚ^４１、およびＺ^４２が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−である項［７］に記載の化合物。

［１０］式（１−１）〜式（１−３）において、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、およびＡ^４２が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであるが、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２およびＡ^４２の少なくとも一つ、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり、Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、およびＺ^４２が、単結合、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＯＣＨ_２−である項［７］に記載の化合物。

［１１］式（１−１−１）〜式（１−１−２）、式（１−２−１）〜式（１−２−４）、式（１−３−１）〜式（１−３−３）、式（１−４−１）〜式（１−４−６）、および式（１−５−１）〜式（１−５−７）のいずれか１つで表される項［２］に記載の化合物。

式（１−１−１）、式（１−２−１）〜式（１−２−４）、式（１−３−１）〜式（１−３−３）、式（１−４−１）〜式（１−４−６）、および式（１−５−１）〜式（１−５−７）において、ＲａおよびＲｂは独立して、炭素数２〜１０のアルキル、炭素数１〜９のアルコキシ、または炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｚ^２１，Ｚ^３１，Ｚ^３２、Ｚ^４１、およびＺ^４２は独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２−であり；Ｘ^１２〜Ｘ^１４、Ｘ^２２〜Ｘ^２４、Ｘ^３２〜Ｘ^３４、およびＸ^４２〜Ｘ^４４は独立して、フッ素または水素であり；式（１−１−２）において、Ｒ^３およびＲ^４は独立して、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９のアルコキシ、炭素数２〜９のアルコキシアルキ、または炭素数２〜９のアルケニルオキシであり；Ｘ^１０、Ｘ^２０、Ｘ^３０、およびＸ^４０は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも１つはフッ素であり；Ｚ^３１は、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２−である。

［１２］式（１−１−１）、（１−２−１）および（１−３−１）のいずれか一つで表される項［２］に記載の化合物。

式（１−１−１）、式（１−２−１）、および（１−３−１）において、ＲａおよびＲｂは独立して、炭素数１〜８のアルキル、炭素数１〜７のアルコキシ、または炭素数２〜８のアルケニルであり；Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、およびＺ^４１が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−である。

［１３］式（１−１−１）、式（１−２−１）、および（１−３−１）において、ＲａおよびＲｂが炭素数１〜５のアルキルまたは炭素数２〜５のアルケニルであり；Ｚ^２１、Ｚ^３１，Ｚ^３２、およびＺ^４１が独立して、単結合または−ＣＨ＝ＣＨ−である項［１２］に記載の化合物。

［１４］式（１−１−１）、式（１−２−１）、および（１−３−１）において、ＲａおよびＲｂのどちらか一方が炭素数２〜５のアルケニルであり；Ｚ^２１、Ｚ^３１，Ｚ^３２、およびＺ^４１が独立して、単結合または−ＣＨ＝ＣＨ−である項［１２］に記載の化合物。

［１５］式（１−１−１）、式（１−２−１）、および（１−３−１）において、ＲａおよびＲｂが炭素数２〜５のアルケニルであり、Ｚ^２１、Ｚ^３１，Ｚ^３２、およびＺ^４１が独立して、単結合または−ＣＨ＝ＣＨ−である項［１２］に記載の化合物。

［１６］式（１−１−２）、式（１−２−２）〜式（１−２−４）、式（１−３−２）、式（１−３−３）、式（１−４−２）〜式（１−４−６）、および式（１−５−２）〜式（１−５−７）のいずれか１つで表される項［７］に記載の化合物。

式（１−１−２）、式（１−２−２）〜式（１−２−４）、式（１−３−２）〜式（１−３−３）、式（１−４−２）〜式（１−４−６）、および式（１−５−２）〜式（１−５−７）において、ＲａおよびＲｂは独立して、炭素数２〜１０のアルキル、炭素数１〜９のアルコキシ、または炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｘ^１０、Ｘ^２０、Ｘ^１２、Ｘ^２２、Ｘ^１３、Ｘ^２３、Ｘ^１４、およびＸ^２４は独立して、フッ素または水素であるが、Ｘ^１０とＸ^２０、Ｘ^１２とＸ^２２、Ｘ^１３とＸ^２３、Ｘ^１４とＸ^２４のうち、少なくとも一組は共にフッ素であり；Ｚ^２１，Ｚ^３１，Ｚ^３２、Ｚ^４１、およびＺ^４２は独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−である。
［１７］式（１−１−２）、（１−２−２）〜（１−２−４）、および（１−３−３）のいずれか一つで表される項［７］に記載の化合物。

式（１−１−２）、（１−２−２）〜（１−２−４）、および（１−３−３）において、ＲａおよびＲｂは独立して、炭素数１〜８のアルキル、炭素数１〜７のアルコキシ、または炭素数２〜８のアルケニルであり；Ｘ^１０、Ｘ^２０、Ｘ^１２、Ｘ^２２、Ｘ^１３、Ｘ^２３、Ｘ^１４、およびＸ^２４は独立して、フッ素または水素であるが、Ｘ^１０とＸ^２０、Ｘ^１２とＸ^２２、Ｘ^１３とＸ^２３、Ｘ^１４とＸ^２４のうち、少なくとも一組は共にフッ素であり；Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、およびＺ^４１は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−である。

［１８］式（１−１−２）、式（１−２−３）、および（１−２−４）において、ＲａおよびＲｂが、炭素数１〜５のアルキル、炭素数１〜５のアルコキシ、または炭素数２〜５のアルケニルであり；Ｘ^１０、Ｘ^２０、Ｘ^１４、およびＸ^２４は、フッ素であり、Ｘ^１３およびＸ^２３が独立して、フッ素または水素であり；Ｚ^２１、Ｚ^３１，Ｚ^３２、およびＺ^４１が独立して、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−である項［１７］に記載の化合物。

［１９］式（１−１−２）、式（１−２−３）、および（１−２−４）において、ＲａおよびＲｂが、炭素数１〜５のアルキル、炭素数１〜５のアルコキシ、または炭素数２〜５のアルケニルであり；Ｘ^１０、Ｘ^２０、Ｘ^１４、およびＸ^２４がフッ素であり、Ｘ^１３およびＸ^２３が独立して、フッ素または水素であり；Ｚ^２１、Ｚ^３１，Ｚ^３２、およびＺ^４１が独立して、単結合、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−である項［１７］に記載の化合物。

［２０］式（１−１−２）、式（１−２−３）、および（１−２−４）において、ＲａおよびＲｂが、炭素数１〜５のアルキル、炭素数１〜５のアルコキシ、または炭素数２〜５のアルケニルであり；Ｘ^１０、Ｘ^２０、Ｘ^１４およびＸ^２４がフッ素であり、Ｘ^１３およびＸ^２３が水素であり；Ｚ^２１、Ｚ^３１，Ｚ^３２、およびＺ^４１が独立して、単結合または−ＣＨ₂Ｏ−である項［１７］に記載の化合物。

［２１］項［１］〜項［２０］のいずれか１項に記載した少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物。

［２２］式（２）、（３）、および（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項［２１］に記載の液晶組成物。

式（２）〜（４）において、Ｒ^９は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
環Ｂ^１、環Ｂ^２、および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または３、５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；
Ｚ^７およびＺ^８は独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または単結合であり；
Ｌ^９およびＬ^１０は独立して、水素またはフッ素である。

［２３］式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項［２１］に記載の液晶組成物。

式（５）において、Ｒ^１０は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｃ^１、環Ｃ^２、および環Ｃ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^９は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または単結合であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素であり；
ｏは、０、１または２であり、ｐは０または１であり、ｏおよびｐの和は、０、１、２または３である。

［２４］式（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）、および（１１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項［２１］に記載の液晶組成物。

式（６）〜（１１）において、Ｒ^１１およびＲ^１２は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
環Ｄ^１、環Ｄ^２、環Ｄ^３、および環Ｄ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、６−テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロ−２，６−ナフタレンであり；
Ｚ^１０、Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＯＣＦ_２（ＣＨ₂）₂−、または単結合であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、フッ素または塩素であり；
ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、およびｖは独立して、０または１であり、ｒ、ｓ、ｔ、およびｕの和は、１または２である。

［２５］式（１２）、（１３）、および（１４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項［２１］に記載の液晶組成物。

式（１２）〜（１４）において、Ｒ^１３およびＲ^１４は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
環Ｅ^１、環Ｅ^２、および環Ｅ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ１，４−フェニレンであり；
Ｚ^１４およびＺ^１５は独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合である。

［２６］項［２３］に記載の式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項［２２］に記載の液晶組成物。

［２７］請求項２５記載の式（１２）、（１３）、および（１４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項［２２］に記載の液晶組成物。

［２８］項［２５］記載の式（１２）、（１３）、および（１４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項［２３］に記載の液晶組成物。

［２９］項［２５］記載の式（１２）、（１３）、および（１４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項［２４］に記載の液晶組成物。

［３０］少なくとも１つの光学活性化合物および／または重合可能な化合物をさらに含有する、項［２１］〜項［２９］のいずれか１項に記載の液晶組成物。

［３１］少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤をさらに含有する項［２１］〜項［３０］のいずれか１項に記載の液晶組成物。

［３２］項［２１］〜項［３１］いずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

本発明の化合物は、高い透明点と低い結晶化温度を併せ持つことによって広い液晶相の温度範囲を有し、他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する。化合物に必要な一般的物性、熱、光などに対する安定性、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性を有する。本発明の液晶組成物は、これらの化合物の少なくとも一つを含有し、そしてネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、低いしきい値電圧を有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を含有し、そして使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きなコントラスト比、低い駆動電圧を有する。

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。液晶性化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。ネマチック相の上限温度はネマチック相−等方相の相転移温度であり、そして単に上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を単に下限温度と略すことがある。式（１）で表わされる化合物を化合物（１）と略すことがある。この略記は式（２）などで表される化合物にも適用することがある。式（１）から式（１４）において、Ａ^１、Ａ^２、などの記号はそれぞれ環Ａ^１、環Ｂ^１、環Ｅ、環Ｍなどに対応する。成分または液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶性化合物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。以下に本発明をさらに説明する。

第一に、本発明の化合物（１）をさらに説明する。ナフタレン環などの縮合環は一環と数える。化合物（１）はシクロヘキセン−３，６−ジイル環を有する二環、三環、四環、および五環の化合物である。この化合物は、素子が通常使用される条件下において物理的および化学的に安定であり、そして他の液晶性化合物との相溶性がよい。この化合物を含有する組成物は素子が通常使用される条件下で安定である。この組成物を低い温度で保管しても、この化合物が結晶（またはスメクチック相）として析出することがない。この化合物は、化合物に必要な一般的物性、適切な光学異方性、そして適切な誘電率異方性を有する。

化合物（１）の末端基、環、および結合基を、適切に選択することによって、光学異方性などの物性を任意に調整することが可能である。末端基Ｒ^１およびＲ^２、環Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３およびＡ^４、結合基Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４の種類が、化合物（１）の物性に与える効果を以下に説明する。

ＲａまたはＲｂが直鎖であるときは液晶相の温度範囲が広くそして粘度が小さい。ＲａまたはＲｂが分岐鎖であるときは他の液晶性化合物との相溶性がよい。ＲａまたはＲｂが光学活性基である化合物は、キラルドーパントとして有用である。この化合物を組成物に添加することによって、素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（Reverse twisted domain）を防止することができる。ＲａまたはＲｂが光学活性基でない化合物は組成物の成分として有用である。ＲａまたはＲｂがアルケニルであるとき、好ましい立体配置は二重結合の位置に依存する。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 109およびMol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327に詳細な説明がある。

環Ａ^１〜Ａ^４が、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、または３−フルオロ−１，４−フェニレンであるときは光学異方性が大きい。環Ａ^１〜Ａ^４が、１，４−シクロヘキシレンであるときは光学異方性が小さい。

少なくとも二つの環が１，４−シクロヘキシレンであるときは、上限温度が高く、光学異方性が小さく、そして粘度が小さい。少なくとも一つの環が１，４−フェニレンのときは、光学異方性が比較的大きく、そして配向秩序パラメーター（orientational order parameter）が大きい。

環Ａ^１〜Ａ^４が、任意の水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイルまたは１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであるときは誘電率異方性が正に大きい。環Ａ^１〜Ａ^４が２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであるときは誘電率異方性が負に大きい。環Ａ^１〜Ａ^４が２−（トリフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）−１，４−フェニレン、２−（ジフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−３−（ジフルオロメチル）−１，４−フェニレンである時は誘電率異方性がさらに負に大きい。環Ａ^１〜Ａ^４が、任意の水素がハロゲンで置き換えられてもよい１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、またはピリダジン−３，６−ジイルであるときは光学異方性が大きい。環Ａ^１またはＡ^２が、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレンまたは１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであるときは光学異方性が小さい。

環Ａ^１〜Ａ^４が、シクロヘキセン−１，４−ジイル、シクロヘキセン−３，６−ジイル、であるときは融点が低い。特にシクロヘキセン−３，６−ジイルの場合は液晶相温度範囲が広く且つ結晶化温度が低い。またシクロヘキセン−１，４−ジイルと１，４−フェニレンを同時に有する時は光学異方性が大きい。

結合基Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、またはＺ^４が単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−−ＣＨ＝ＣＨ−、または−（ＣＨ₂）_４−であるときは粘度が小さい。結合基が単結合、−（ＣＨ₂）₂−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは粘度がさらに小さい。結合基が−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは液晶相の温度範囲が広く、そして弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド弾性定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）が大きい。結合基が−Ｃ≡Ｃ−のときは光学異方性が大きい。

化合物（１）が二環または三環を有するときは粘度が小さい。化合物（１）が三環または四環を有するときは上限温度が高い。以上のように、末端基、環および結合基の種類、環の数を適当に選択することにより目的の物性を有する化合物を得ることができる。したがって、化合物（１）はＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどの素子に用いられる組成物の成分として有用である。

化合物（１）の好ましい例は、本発明の項[２]に記載した化合物（１−１）〜（１−８）である。これらの化合物におけるＲａ、Ｒｂ、Ａ^１１、Ａ^２１、Ａ^３１〜Ａ^３２およびＡ^４１〜Ａ^４３、Ｚ^１１、Ｚ^２１、Ｚ^３１〜Ｚ^３２、およびＺ４^３１〜Ｚ^４３の記号の定義は、項［２］に記載した記号の定義と同一である。

化合物（１）は有機合成化学における手法を適切に組み合わせることにより合成する。出発物に目的の末端基、環および結合基を導入する方法は、オーガニックシンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc)、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載されている。

結合基Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、またはＺ^４を生成する方法の一例に関して、最初にスキームを示し、次に項（Ｉ）〜項（XI）でスキームを説明する。このスキームにおいて、ＭＳＧ^１またはＭＳＧ^２は少なくとも一つの環を有する１価の有機基である。複数のＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）が表す有機基は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）から（１Ｋ）は化合物（１）に相当する。

（Ｉ）単結合の生成
アリールホウ酸（２１）と公知の方法で合成される化合物（２２）とを、炭酸塩水溶液とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で反応させて化合物（１Ａ）を合成する。この化合物（１Ａ）は、公知の方法で合成される化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で化合物（２２）を反応させることによっても合成される。

（II）−ＣＯＯ−と−ＯＣＯ−の生成
化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸（２４）を得る。化合物（２４）と、公知の方法で合成されるフェノール（２５）とをＤＤＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）とＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｂ）を合成する。この方法によって−ＯＣＯ−を有する化合物も合成する。

（III）−ＣＦ_２Ｏ−と−ＯＣＦ_２−の生成
化合物（１Ｂ）をローソン試薬のような硫黄化剤で処理して化合物（２６）を得る。化合物（２６）をフッ化水素ピリジン錯体とＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）でフッ素化し、−ＣＦ_２Ｏ−を有する化合物（１Ｃ）を合成する。M. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992，827.を参照。化合物（１Ｃ）は化合物（２６）を（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化しても合成される。W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照。この方法によって−ＯＣＦ_２−を有する化合物も合成する。Peer. Kirsch et al., Angew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によってこれらの結合基を生成させることも可能である。

（IV）−ＣＨ＝ＣＨ−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などのホルムアミドと反応させてアルデヒド（２８）を得る。公知の方法で合成されるホスホニウム塩（２７）をカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドのような塩基で処理して発生させたリンイリドを、アルデヒド（２８）に反応させて化合物（１Ｄ）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

（V）−（ＣＨ_２）_２−の生成
化合物（１Ｄ）をパラジウム炭素のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｅ）を合成する。

（VI）−（ＣＨ_２）_４−の生成
ホスホニウム塩（２７）の代わりにホスホニウム塩（２９）を用い、項（IV）の方法に従って−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−を有する化合物を得る。これを接触水素化して化合物（１Ｆ）を合成する。

（VII）−Ｃ≡Ｃ−の生成
ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下で、化合物（２３）に２−メチル−３−ブチン−２−オールを反応させたのち、塩基性条件下で脱保護して化合物（３０）を得る。ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（３０）を化合物（２２）と反応させて、化合物（１Ｇ）を合成する。

（VIII）−ＣＦ＝ＣＦ−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理したあと、テトラフルオロエチレンを反応させて化合物（３１）を得る。化合物（２２）をｎ−ブチルリチウムで処理したあと化合物（３１）と反応させて化合物（１Ｈ）を合成する。

（IX）−ＣＨ_２Ｏ−または−ＯＣＨ_２−の生成
化合物（２８）を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元して化合物（３２）を得る。これを臭化水素酸などでハロゲン化して化合物（３３）を得る。炭酸カリウムなどの存在下で、化合物（３３）を化合物（２５）と反応させて化合物（１Ｊ）を合成する。

（X）−（ＣＨ₂）₃Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ₂）₃−の生成
化合物（３２）の代わりに化合物（２９）を用いて、項（IX）の方法に従って化合物（１Ｋ）を合成する。

（XI）−（ＣＦ₂）₂−の生成
J. Am. Chem. Soc., 2001, 123, 5414.に記載された方法に従い、ジケトン（−ＣＯＣＯ−）をフッ化水素触媒の存在下、四フッ化硫黄でフッ素化して−（ＣＦ₂）₂−を有する化合物を得る。

化合物（１）を合成する方法の一例を下記のスキームに示す。初めにシクロヘキセン−３，６−ジイルを有する合成中間体（３８）を合成するスキームを説明し、次いで（３８）を出発物質としたシクロヘキセン−３，６−ジイル化合物（４１）を合成する方法の一例を述べる。

化合物（３６）〜（３８）において、Ｑ^１は式（１）の構造単位である。構造単位はスキームに示した。これらの化合物におけるＲａ、Ａ^１、Ａ^２、ｍ、ｎ、Ｚ^１およびＺ^２の記号の定義は、項［１］に記載した記号の定義と同一である。

化合物（３７）は、化合物（３６）にＬＤＡを作用させエノラートとした後、トリメチルシリルクロライドを作用させ合成する。これらの反応は、好ましくはＴＨＦ等のエーテル溶媒中、ＬＤＡなど選択的に脱プロトン化をするようなかさ高い強塩基存在下、室温以下の低温にて反応を行う。化合物（３８）は、化合物（３７）に酢酸パラジウムと１，４−ベンゾキノンを作用させることにより合成する。別法として化合物（３６）を２−ヨードスルホン酸ナトリウムなどの２−ヨードスルホン酸誘導体を触媒とし、ＯＸＯＮＥ（登録商標）を用いた酸化反応によっても化合物（３８）を合成することができる。なお、出発物である化合物（３６）は有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。

次に、化合物（４１）に関する合成法の一例を示す。

化合物（３８）〜（４１）において、Ｑ^１またはＱ^２は式（１）の構造単位である。構造単位はスキームに示した。これらの化合物におけるＲａ、Ｒｂ、Ａ^１〜Ａ^４、Ｚ^２〜Ｚ^４、ｍ、ｎ、ｑ、ｒの記号の定義は、項［１］に記載した記号の定義と同一である。

化合物（４０）は、化合物（３８）と化合物（３９）との反応によって合成する。この反応は、好ましくはテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒中、５０℃〜３０℃の温度で行う。化合物（４１）は、化合物（４０）をジクロロメタンなどの溶媒中、トリエチルシランと三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体との存在下、−５０℃以下の温度で反応させることによって合成する。なお、化合物（３９）は有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。

次に、シクロヘキセン−３，６−ジイル化合物（４４）を合成する方法の一例を述べる。

化合物（３８）および（４２）〜（４４）において、Ｑ^１またはＱ^２は式（１）の構造単位である。構造単位はスキームに示した。これらの化合物におけるＲａ、Ｒｂ、Ａ^１〜Ａ^４、Ｚ^２〜Ｚ^４、ｍ、ｎ、ｑ、ｒの記号の定義は、項［１］に記載した記号の定義と同一である。

化合物（４２）は、化合物（３８）をＤＩＢＡＬ−Ｈなどで還元することにより得られる。この反応は、好ましくはトルエン等の溶媒中、−６０℃以下の温度で行う。化合物（４４）は、炭酸カリウムなどの存在下で、化合物（４２）を化合物（４３）と反応させることにより合成する。なお、化合物（４３）は有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。

〔液晶組成物〕
以下、本発明の液晶組成物について説明をする。この液晶組成物の成分は、少なくとも一つの化合物（１）を含むことを特徴とする。この組成物は、化合物（１）を２つ以上含んでいてもよく、化合物（１）のみから構成されていてもよい。また本発明の液晶組成物を調製するときには、例えば、化合物（１）の誘電率異方性を考慮して成分を選択することもできる。成分を選択した液晶組成物は、粘度が低く、適切な誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低い。

〔液晶組成物（１）〕
本発明の液晶組成物は、化合物（１）を成分Ａとして含む必要がある。この成分Ａのみの組成物、または成分Ａと本明細書中で特に成分名を示していないその他の成分との組成物でもよいが、この成分Ａに以下に示す成分Ｂ、Ｃ、Ｄ、およびＥから選ばれた成分を加えることにより種々の特性を有する液晶組成物が提供できる。

成分Ａに加える成分として、式（２）、（３）および（４）からなる群から選ばれた少なくとも１つの化合物からなる成分Ｂ、および／または式（５）からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物からなる成分Ｃ、および／または式（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）、および（１１）からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物からなる成分Ｄを混合したものが好ましい。さらに式（１２）、（１３）、および（１４）からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物からなる成分Ｅを混合することによりしきい値電圧、液晶相の温度範囲、屈折率異方性、誘電率異方性、粘度等を調整することができる。

また、本発明に使用される液晶組成物の各成分は、各元素の同位体元素からなる類縁体でもその物理特性に大きな差異がない。
上記成分Ｂのうち、式（２）で示される化合物の好適例として化合物（２−１）〜（２−１６）を挙げることができ、式（３）で示される化合物の好適例として化合物（３−１）〜（３−１１２）を挙げることができ、式（４）で示される化合物の好適例として化合物（４−１）〜（４−５４）を挙げることができる。

（式中、Ｒ^９およびＸ¹は前記と同じ定義である）
これらの式（２）〜（４）で示される化合物すなわち成分Ｂは、誘電率異方性が正であり、熱安定性や化学的安定性が非常に優れているので、ＴＦＴ用およびＰＳＡ用の液晶組成物を調製する場合に用いられる。本発明の液晶組成物における成分Ｂの含有量は、液晶組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。また式（１２）〜（１４）で表される化合物(成分Ｅ)をさらに含有させることにより粘度調整をすることができる。
式（５）で示される化合物すなわち成分Ｃのうちの好適例として、式（５−１）〜（５−６４）を挙げることができる。

（式中、Ｒ^１０およびＸ²は前記と同じ定義である）
式（５）において、ｏが２のとき、２つの環Ｃ^２は、同じであっても、異なっていてもよい。
これらの式（５）で示される化合物すなわち成分Ｃは、誘電率異方性が正でその値が非常に大きいのでＳＴＮ用、ＴＮ用またはＰＳＡ用の液晶組成物を調製する場合に主として用いられる。この成分Ｃを含有させることにより、組成物のしきい値電圧を小さくすることができる。また、粘度の調整、屈折率異方性の調整および液晶相の温度範囲を広げることができる。さらに急峻性の改良にも利用できる。

ＳＴＮまたはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合には、成分Ｃの含有量は０．１〜９９．９重量％の範囲が適用できるが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。また、後述の成分を混合することによりしきい値電圧、液晶相の温度範囲、屈折率異方性、誘電率異方性及び粘度などを調整できる。

式（６）〜（１１）からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物からなる成分Ｄは、垂直配向モ−ド（ＶＡモ−ド）、高分子支持配向モード（ＰＳＡモ−ド）などに用いられる誘電率異方性が負の液晶組成物を調製する場合に、好ましい成分である。
この式（６）〜（１１）で示される化合物（成分Ｄ）の好適例として、それぞれ式（６−１）〜（６−６）、（７−１）〜（７−１５）、（８−１）、（９−１）〜（９−３）、（１０−１）〜（１０−１１）、および（１１−１）〜（１１−１０）を挙げることができる。

（式中、Ｒ^１１およびＲ^１２は前記と同じ定義である）
これら成分Ｄの化合物は主として誘電率異方性が負であるＶＡモ−ド、ＰＳＡモード用の液晶組成物に用いられる。その含有量を増加させると組成物のしきい値電圧が低くなるが、粘度が大きくなるので、しきい値電圧の要求を満足している限り含有量を少なくすることが好ましい。しかしながら、誘電率異方性の絶対値が５程度であるので、充分な電圧駆動をさせるには、含有量が４０重量％以上であることが好ましい。

成分Ｄのうち式（６）で表される化合物は２環化合物であるので、主としてしきい値電圧の調整、粘度の調整または屈折率異方性の調整の効果がある。また、式（７）および式（８）で表される化合物は３環化合物であるので透明点を高くする、ネマチック相の温度範囲を広くする、しきい値電圧を低くする、屈折率異方性を大きくするなどの効果が得られる。また、式（９）、（１０）および（１１）はしきい値電圧を低くするなどの効果が得られる。

成分Ｄの含有量は、ＶＡモ−ド、ＰＳＡモード用の組成物を調製する場合には、組成物全量に対して好ましくは４０重量％以上、より好ましくは５０〜９５重量％である。また、成分Ｄを混合することにより、弾性定数をコントロ−ルし、組成物の電圧透過率曲線を制御することが可能となる。成分Ｄを誘電率異方性が正である組成物に混合する場合はその含有量が組成物全量に対して３０重量％以下が好ましい。

式（１２）、（１３）および（１４）で表わされる化合物（成分Ｅ）の好適例として、それぞれ式（１２−１）〜（１２−１１）、（１３−１）〜（１３−１９）、および（１４−１）〜（１４−６）を挙げることができる。

（式中、Ｒ^１３およびＲ^１４は前記と同じ定義である）
式（１２）〜（１４）で表される化合物（成分Ｅ）は、誘電率異方性の絶対値が小さく、中性に近い化合物である。式（１２）で表される化合物は主として粘度の調整または屈折率異方性を調整する効果があり、また式（１３）および（１４）で表される化合物は透明点を高くするなどのネマチック相の温度範囲を広げる効果、または屈折率異方性を調整する効果がある。

成分Ｅで表される化合物の含有量を増加させると液晶組成物のしきい値電圧が高くなり、粘度が低くなるので、液晶組成物のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが望ましい。ＴＦＴ用またはＰＳＡ用の液晶組成物を調製する場合に、成分Ｅの含有量は、組成物全量に対して好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。また、ＴＮ用、ＳＴＮ用またはＰＳＡ用の液晶組成物を調製する場合には、成分Ｅの含有量は、組成物全量に対して好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上である。

本発明の液晶組成物は、化合物（１）を少なくとも１つを０．１〜９９重量％の割合で含有することが、優良な特性を発現せしめるために好ましい。

本発明の液晶組成物の調製は、公知の方法、例えば必要な成分を高温度下で溶解させる方法などにより一般に調製される。また、用途に応じて当業者によく知られている添加物を添加して、例えばつぎに述べるような光学活性化合物、または重合可能な化合物、重合開始剤を含む液晶組成物、染料を添加したＧＨ型用液晶組成物を調製することができる。通常、添加物は当該業者によく知られており、文献などに詳細に記載されている。

本発明の液晶組成物は、さらに１つ以上の光学活性化合物を含有してもよい。光学活性化合物として、公知のキラルド−プ剤を添加する。このキラルド−プ剤は液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれを防ぐといった効果を有する。キラルド−プ剤の例として以下の光学活性化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１３）を挙げることができる。

本発明の液晶組成物は、これらの光学活性化合物を添加して、ねじれのピッチを調整することができる。ねじれのピッチはＴＦＴ用およびＴＮ用の液晶組成物であれば４０〜２００μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＳＴＮ用の液晶組成物であれば６〜２０μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、双安定ＴＮ（ＢｉｓｔａｂｌｅＴＮ）モ−ド用の場合は、１．５〜４μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、ピッチの温度依存性を調整する目的で２つ以上の光学活性化合物を添加してもよい。

本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系などの二色性色素を添加すれば、ＧＨ型用の液晶組成物として使用することもできる。

本発明の液晶組成物は、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰや、液晶中に三次元網目状高分子を形成して作製したポリマ−分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）例えばポリマ−ネットワ−ク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）用をはじめ、複屈折制御（ＥＣＢ）型やＤＳ型用の液晶組成物としても使用できる。

また、本発明の液晶組成物は重合可能な化合物を添加してＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒｓｕｓｔａｉｎｅｄａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型用の液晶組成物として使用することもできる。重合可能な化合物の例はアクリレート、メタクリレート、ビニル、ビニルオキシ、プロペニルエーテル、エポキシ、ビニルケトン、およびオキセタンなどの重合可能な基を有する化合物である。重合可能な化合物は、好ましくは光重合開始剤などの適切な開始剤存在下でＵＶ照射などにより重合する。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、および適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。例えば光重合開始剤であるＩｒｇａｃｕｒｅ６５１（登録商標）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４（登録商標）、またはＤａｒｏｃｕｒｅ１１７３（登録商標）（ＣｉｂａＪａｐａｎＫ．Ｋ．）がラジカル重合に対して適切である。

〔液晶組成物の製造方法〕
本発明に係る液晶組成物は、例えば、各成分を構成する化合物が液体の場合には、それぞれの化合物を混合することにより、また固体を含む場合には、それぞれの化合物を混合し、加熱溶解によってお互い液体にしてから振とうさせることにより調製することができる。また、本発明に係る液晶組成物はその他の公知の方法により調製することも可能である。

〔液晶組成物の特性〕
本発明に係る液晶組成物では、ネマチック相の上限温度を７０℃以上とすること、ネマチック相の下限温度は−２０℃以下とすることができ、ネマチック相の温度範囲が広い。したがって、この液晶組成物を含む液晶表示素子は広い温度領域で使用することが可能である。

本発明に係る液晶組成物では、組成等を適宜調整することで、例えば光学異方性を０．１０〜０．１３の範囲に調整する、或いは０．０５〜０．１８の範囲に調整するなど、任意の範囲に調整することができる。
また、本発明に係る液晶組成物では、通常、−５．０〜−２．０の範囲の誘電率異方性、好ましくは、−４．５〜−２．５の範囲の誘電率異方性を有する液晶組成物を得ることができる。−４．５〜−２．５の範囲の誘電率異方性を有する液晶組成物は、ＩＰＳモード、ＶＡモード、またはＰＳＡモードで動作する液晶表示素子として好適に使用することができる。

〔液晶表示素子〕
本発明に係る液晶組成物は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＰＳＡモード等の動作モードを有し、ＡＭ方式で駆動する液晶表示素子だけでなく、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＶＡモード、ＩＰＳモード等の動作モードを有しパッシブマトリクス（ＰＭ）方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。

これらＡＭ方式、およびＰＭ方式の液晶表示素子は、反射型、透過型、半透過型、いずれの液晶ディスプレイ等にも適用ができる。
また、本発明に係る液晶組成物は、導電剤を添加させた液晶組成物を用いたＤＳ（ｄｙｎａｍｉｃｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）モード素子や、液晶組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（ｎｅｍａｔｉｃｃｕｒｖｉｌｉｎｅａＲａｌｉｇｎｅｄｐｈａｓｅ）素子や、液晶組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（ｐｏｌｙｍｅｒｄｉｓｐｅｒｓｅｄ）素子、例えばＰＮ（ｐｏｌｙｍｅｒｎｅｔｗｏｒｋ）素子にも使用できる。

中でも本発明に係る液晶組成物では、上述のような特性を有するので、ＶＡモード、ＩＰＳモード、またはＰＳＡモードなどの負の誘電率異方性を有する液晶組成物を利用した動作モードで駆動するＡＭ方式の液晶表示素子に好適に用いることができ、特に、ＶＡモードで駆動するＡＭ方式の液晶表示素子に好適に用いることができる。

なお、ＴＮモード、ＶＡモード等で駆動する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して垂直である。一方、ＩＰＳモード等で駆動する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して平行である。なお、ＶＡモードで駆動する液晶表示素子の構造は、Ｋ．Ｏｈｍｕｒｏ，Ｓ．Ｋａｔａｏｋａ，Ｔ．ＳａｓａｋｉａｎｄＹ．Ｋｏｉｋｅ，ＳＩＤ ’９７ＤｉｇｅｓｔｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐｅｒｓ，２８，８４５（１９９７）に報告されており、ＩＰＳモードで駆動する液晶表示素子の構造は、国際公開９１／１０９３６号パンフレット（ファミリー：ＵＳ５５７６８６７）に報告されている。

〔化合物（１）の実施例〕
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例によっては制限されない。なお特に断りのない限り、「％」は「重量％」である。

得られた化合物は、^１Ｈ−ＮＭＲ分析で得られるスペクトルグラムなどにより同定したので、まず分析方法について説明をする。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析
測定装置は、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）社製）を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、ＣＤＣｌ_３等のサンプルが可溶な重水素化溶媒に溶解し、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数３２回の条件で行った。なお、得られた核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｂｒはブロードであることを意味する。また、化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としてはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。

〔測定試料〕
液晶性化合物の物性値を測定する試料としては、化合物そのものを試料とする場合、化合物を母液晶と混合して試料とする場合の２つの方法を用いた。

化合物を母液晶と混合した試料を用いる後者の場合には、以下の方法で測定を行った。まず、得られた液晶性化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を作製した。そして、得られた試料の測定値から、下記式に示す外挿法にしたがって、外挿値を計算した。この外挿値をこの化合物の物性値とした。

〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉
）／〈液晶性化合物の重量％〉
液晶性化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出する場合には、液晶性化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出しなくなった割合で試料の物性値を測定した。

母液晶は誘電率異方性が正である化合物のとき、母液晶ｉを用いた。誘電率異方性が負である化合物のとき、母液晶は母液晶ｉｉを用いた。母液晶ｉとｉｉの組成は、次のとおりである。

母液晶ｉ：

母液晶ｉｉ：

〔測定方法〕
物性値の測定は後述する方法で行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格（ＳｔａｎｄａｒｄｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎｏｆＪａｐａｎ）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。また、測定に用いたＴＮ素子またはＶＡ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

測定値のうち、液晶性化合物そのものを試料として得られた値と、液晶組成物そのものを試料として得られた値は、そのまま記載した。化合物を母液晶に混合し試料として得られた場合には、外挿法で得られた値を記載とした。

相構造および転移温度（℃）
以下（１）、および（２）の方法で測定を行った。
（１）偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。
（２）パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システム、またはＤｉａｍｏｎｄＤＳＣシステムを用いて、３℃／分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め（ｏｎｓｅｔ）、転移温度を決定した。

以下、結晶はＣと表した。結晶の区別がつく場合は、それぞれＣ_１またはＣ_２と表した。また、スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。液体（アイソトロピック）はＩと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＢ相、またはスメクチックＡ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_Ｂ、またはＳ_Ａと表した。転移温度の表記として、例えば、「Ｃ５０．０Ｎ１００．０Ｉ」とは、結晶からネマチック相への転移温度（ＣＮ）が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度（ＮＩ）が１００．０℃であることを示す。他の表記も同様である。

ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−８２型ホットステージ）に、試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を置き、１℃／分の速度で加熱しながら偏光顕微鏡を観察した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度をネマチック相の上限温度とした。以下、ネマチック相の上限温度を、単に「上限温度」と略すことがある。

低温相溶性
母液晶と液晶性化合物とを、液晶性化合物が、２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％、および１重量％の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れる。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相のドメインが発生しているかどうか観察をした。

粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定は、Ｅ型回転粘度計を用いた。

粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定はＭ．Ｉｍａｉｅｔａｌ．，ＭｏｌｅｃｕｌａｒＣｒｙｓｔａｌｓａｎｄＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ，Ｖｏｌ．２５９，３７（１９９５）に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れた。この素子に３０ボルトから５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（ｔｒａｎｓｉｅｎｔｃｕｒｒｅｎｔ）のピーク電流（ｐｅａｋｃｕｒｒｅｎｔ）とピーク時間（ｐｅａｋｔｉｍｅ）を測定した。これらの測定値とＭ．Ｉｍａｉらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。なお、この計算に必要な誘電率異方性は、下記誘電率異方性で測定した値を用いた。

光学異方性（屈折率異方性；２５℃で測定；Δｎ）
測定は、２５℃の温度下で、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥の式から計算した。

誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
誘電率異方性は以下の方法によって測定した。
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板から、間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子を組み立てた。

同様の方法で、ガラス基板にポリイミドの配向膜を調製した。得られたガラス基板の配向膜にラビング処理をした後、２枚のガラス基板の間隔が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子を組み立てた。

得られたＶＡ素子に試料（液晶組成物液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。

また、得られたＴＮ素子に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥の式から計算した。

電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃で測定；％）
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は６μｍである。この素子は試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を、高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率（％）で表現した。

弾性定数（Ｋ_１１、Ｋ_３３；２５℃で測定）
測定には株式会社東陽テクニカ製のＥＣ−１型弾性定数測定器を用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである垂直配向セルに試料を入れた。このセルに２０ボルトから０ボルト電荷を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。測定した静電容量（Ｃ）と印加電圧（Ｖ）の値を『液晶デバイスハンドブック』（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）、式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．１００）から弾性定数の値を得た。

[実施例１]
６−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）メトキシ−３−シクロヘキセンの合成［化合物（１−３−１−１８））

第１工程
窒素雰囲気下、４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−２−シクロヘキセン−１−オール（ｒ−１）２．４ｇをＴＨＦ５０ｍＬに溶解させ、氷冷下６０％水素化ナトリウム０．５２ｇを加え室温にて１時間撹拌した。そこへヨウ化ナトリウム２．３ｇとＴＨＦ３０ｍＬに溶解した（トランス４−ペンチルシクロヘキシル）ブロモメタン（ｒ−２）３．２ｇを加え加熱環流下８時間撹拌した。反応液を水中へ注ぎ込み、トルエンで抽出した。合わせた有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：トルエン＝１：１（容量比））により精製し、さらにヘプタン：ソルミックスＡ−１１（日本アルコール販売株式会社；登録商標）＝１：２（容量比）の混合溶媒からの再結晶により精製し、６−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）メトキシシクロヘキセン［化合物（１−３−１−１８）］０．１５ｇを得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３ δ［ｐｐｍ］）；５．７３（ｄｄ，２Ｈ），３．８７−３．８３（ｍ，１Ｈ），３．３３−３．２５（ｍ，２Ｈ），２．１０−２．０８（ｍ，１Ｈ），２．０２−１．９８（ｍ，１Ｈ），１．８３−１．６３（ｍ，１０Ｈ），１．５１−１．４１（ｍ，２Ｈ），１．３５−１．１５（ｍ，１６Ｈ），１．０３（ｍ，２Ｈ），０．９６−０．８３（ｔ，１３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とした。化合物（１−３−１−１８）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃｒ１６．２ＳｍＢ１２７Ｉｓｏ．

[実施例２]
３−（４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセンの合成［化合物（１−２−１−４）］

第１工程
窒素雰囲気下、４−（４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−シクロヘキセノン（ｒ−３）３．０ｇをＴＨＦ５０ｍＬに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドＴＨＦ溶液（１Ｍ／Ｌ）１１．４ｍＬを滴下し、５０℃で３０分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：酢酸エチル＝７：３（容量比））による分取操作で精製し、４−（４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ペンチル−２−シクロヘキセン−１−オール［化合物（ｒ−４）］２．６８ｇを得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（ｒ−４）２．６８ｇをジクロロメタン７０ｍＬとアセトニトリル７０ｍＬからなる混合溶媒へ溶解させそこへトリエチルシラン１．６５ｇを加えた後、−５０℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体１２．３ｇを滴下し−７８℃にて３０分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン）による分取操作で精製し、さらにヘプタン：ソルミックスＡ−１１（日本アルコール販売株式会社；登録商標）＝１：２（容量比）の混合溶媒からの再結晶により精製し、乾燥させ、３−（４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセン［化合物（１−２−１−４）］１．１１ｇを得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３ δ［ｐｐｍ］）；５．５８（ｄｄ，１Ｈ），５．３９（ｄ，１Ｈ），２．４５−１．９２（ｍ，６Ｈ），１．８３−１．７１（ｍ，１０Ｈ），１．４１−１．１４（ｍ，１０Ｈ），１．００−０．８５（ｍ，２０Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−２−１−４）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃｒ１４．４ＳｍＢ２１８．４Ｉｓｏ．
Ｔ_ＮＩ＝１５９．７ ℃，Δε＝０．４０，Δｎ＝０．０７７．

[実施例３]
３−（４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセンの合成［化合物（１−２−１−１）］

第１工程
窒素雰囲気下、４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−シクロヘキセノン（ｒ−４）４．０ｇをＴＨＦ５０ｍＬに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドＴＨＦ溶液（１Ｍ／Ｌ）１５．８ｍＬを滴下し、５０℃で３０分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：酢酸エチル＝７：３（容量比））による分取操作で精製し、４−（４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ペンチル−２−シクロヘキセン−１−オール［化合物（ｒ−６）］３．９５ｇを得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（ｒ−６）３．９５ｇをジクロロメタン７０ｍＬとアセトニトリル７０ｍＬとの混合溶媒へ溶解させそこへトリエチルシラン１．８３ｇを加えた後、−５０℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体１．９４ｇを滴下し−７８℃にて３０分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン）による分取操作で精製し、さらに酢酸エチルからの再結晶により精製し、乾燥させ、３−（４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセン［化合物（１−２−１−１）］１．４４ｇを得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３ δ［ｐｐｍ］）；５．５６（ｄｄ，１Ｈ），５．３９（ｄ，１Ｈ），２．０５−１．９２（ｍ，６Ｈ），１．８６−１．７１（ｍ，１０Ｈ），１．４３−１．１１（ｍ，１０Ｈ），１．０６−０．８５（ｍ，１８Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−２−１−１）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃｒ１６．１ＳｍＢ２１４．６Ｉｓｏ．
Ｔ_ＮＩ＝１６７．７ ℃，Δε＝−０．３０，Δｎ＝０．０７７．

[実施例４]
３−（４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセンの合成［化合物（１−２−１−６）］

第１工程
窒素雰囲気下、４−（４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−シクロヘキセノン（ｒ−７）４．０ｇをＴＨＦ５０ｍＬに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドＴＨＦ溶液（１Ｍ／Ｌ）１６．８ｍＬを滴下し、５０℃で３０分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：酢酸エチル＝７：３（容量比））による分取操作で精製し、４−（４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ペンチル−２−シクロヘキセン−１−オール［化合物（ｒ−６）］３．８３ｇを得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（ｒ−８）３．８３ｇをジクロロメタン７０ｍＬとアセトニトリル７０ｍＬとの混合溶媒へ溶解させそこへトリエチルシラン１．８５ｇを加えた後、−５０℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体１．８０ｇを滴下し−７８℃にて３０分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン）による分取操作で精製し、さらに酢酸エチルからの再結晶により精製し、乾燥させ、３−（４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセン［化合物（１−２−１−６）］１．４０ｇを得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３ δ［ｐｐｍ］）；５．５５（ｄｄ，１Ｈ），５．３６（ｄ，１Ｈ），２．０５−１．９２（ｍ，６Ｈ），１．８６−１．７１（ｍ，１０Ｈ），１．４３−１．１１（ｍ，１０Ｈ），１．０６−０．８５（ｍ，１６Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−２−１−６）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃｒ −１４．３ＳｍＢ１９４．５Ｉｓｏ．
Ｔ_ＮＩ＝１４５．７ ℃，Δε＝−０．３７，Δｎ＝０．０６４．

[実施例５]
３−（４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセンの合成［化合物（１−２−１−１０）］

第１工程
窒素雰囲気下、４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−シクロヘキセノン（ｒ−９）４．０ｇをＴＨＦ５０ｍＬに溶解させ、そこへ室温にてブチルマグネシウムブロミドＴＨＦ溶液（１Ｍ／Ｌ）１４．５ｍＬを滴下し、５０℃で３０分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：酢酸エチル＝７：３（容量比））による分取操作で精製し、４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブチル−２−シクロヘキセン−１−オール［化合物（ｒ−１０）］４．７０ｇを得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（ｒ−１０）４．７０ｇをジクロロメタン７０ｍＬとアセトニトリル７０ｍＬとの混合溶媒へ溶解させそこへトリエチルシラン２．１１ｇを加えた後、−５０℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体２．０６ｇを滴下し−７８℃にて３０分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン）による分取操作で精製し、さらに酢酸エチルからの再結晶により精製し、乾燥させ、３−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−６−ブチルシクロヘキセン［化合物（１−２−１−１０）］２．０４ｇを得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３ δ［ｐｐｍ］）；５．５５（ｄｄ，１Ｈ），５．３６（ｄ，１Ｈ），２．０２−１．９０（ｍ，６Ｈ），１．８３−１．６８（ｍ，１０Ｈ），１．３７−１．０８（ｍ，１０Ｈ），１．０３−０．７９（ｍ，２０Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−２−１−１０）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃｒ７．６ＳｍＢ２２３．４Ｉｓｏ．
Ｔ_ＮＩ＝１６０．７ ℃，Δε＝１．８０，Δｎ＝０．０６７．

[実施例６]
３−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセンの合成［化合物（１−１―１−３）］

第１工程
窒素雰囲気下、４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−２−シクロヘキセノン（ｒ−１１）５．０ｇをＴＨＦ５０ｍＬに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドＴＨＦ溶液（１Ｍ／Ｌ）２７．２ｍＬを滴下し、５０℃で３０分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：酢酸エチル＝７：３）による分取操作で精製し、４−（４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ペンチル−２−シクロヘキセン−１−オール［化合物（ｒ−１２）］６．５６ｇを得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（ｒ−１２）６．５６ｇをジクロロメタン１００ｍＬとアセトニトリル１００ｍＬとの混合溶媒へ溶解させ、そこへトリエチルシラン３．９１ｇを加えた後、−５０℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体４．１３ｇを滴下し−７８℃にて３０分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン）による分取操作で精製し、さらに酢酸エチルからの再結晶により精製し、乾燥させ、３−（４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセン［化合物（１−１−１−３）］１．１１ｇを得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３ δ［ｐｐｍ］）；５．５９（ｄｄ，１Ｈ），５．３９（ｄ，１Ｈ），２．４５−１．９２（ｍ，４Ｈ），１．８２−１．７４（ｍ，６Ｈ），１．４３−１．１４（ｍ，８Ｈ）、１．１２−１．０６（ｍ、２Ｈ）、１．０４−０．９７（ｍ、２Ｈ）０．９５−０．８５（ｍ，１２Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−１−１−３）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃｒ −１３．０ＳｍＢ２６．７Ｉｓｏ．
Ｔ_ＮＩ＝１３．０ ℃，Δε＝−２．０３，Δｎ＝０．０２４．

[実施例７]
３−（トランス−４−（４−メトキシフェニル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセンの合成［化合物（１−２―３−２）］

第１工程
窒素雰囲気下、４−（トランス−４−（メトキシフェニル）シクロヘキシル）−２−シクロヘキセノン（ｒ−１３）４．００ｇをＴＨＦ６０ｍＬに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドＴＨＦ溶液（１Ｍ／Ｌ）１７．０ｍＬを滴下し、５０℃で３０分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：酢酸エチル＝７：３）による分取操作で精製し、４−（トランス−４−（４−メトキシフェニル）シクロヘキシル）−１−ペンチル−２−シクロヘキセン−１−オール［化合物（ｒ−１４）］４．７３ｇを得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（ｒ−１４）４．７３ｇをジクロロメタン８０ｍＬとアセトニトリル８０ｍＬとの混合溶媒へ溶解させ、そこへトリエチルシラン２．４７ｇを加えた後、−５０℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体２．６０ｇを滴下し−７８℃にて３０分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：トルエン＝１：１）による分取操作で精製し、さらにヘプタン：ソルミックス＝１／２からの再結晶により精製し、乾燥させ、３−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニル）シクロヘキシル）−６−プロピルシクロヘキセンの合成［化合物（１−２―３−２）］０．９４ｇを得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３ δ［ｐｐｍ］）；７．１３（ｄ，２Ｈ），６．８３（ｄ，２Ｈ），５．５９（ｄｄ，１Ｈ），５．３９（ｄ，１Ｈ），３．７８（ｓ，３Ｈ），２．４１（ｔｔ，１Ｈ），２．０７−１．７６（ｍ，１０Ｈ），１．４５−１．０９（ｍ，１３Ｈ）、０．８９（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（１−２−３−２）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃｒ５３．８ＳｍＢ７９．８Ｎ１４３．７Ｉｓｏ．
Ｔ_ＮＩ＝１３４．４ ℃，Δε＝３．９０，Δｎ＝０．１１７．

[実施例８]
３−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニル）シクロヘキシル）−６−プロピルシクロヘキセンの合成［化合物（１−２―３−２５）］

第１工程
窒素雰囲気下、４−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニル）シクロヘキシル）−２−シクロヘキセノン（ｒ−１５）４．９７ｇをＴＨＦ６０ｍＬに溶解させ、そこへ室温にてプロピルマグネシウムブロミドＴＨＦ溶液（１Ｍ／Ｌ）１８．０ｍＬを滴下し、５０℃で３０分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：酢酸エチル＝６：４）による分取操作で精製し、４−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニル）シクロヘキシル）−１−プロピル−２−シクロヘキセン−１−オール［化合物（ｒ−１６）］３．７９ｇを得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（ｒ−１６）３．７９ｇをジクロロメタン７０ｍＬとアセトニトリル７０ｍＬとの混合溶媒へ溶解させ、そこへトリエチルシラン１．７９ｇを加えた後、−５０℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体１．８４ｇを滴下し−７８℃にて３０分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：トルエン＝７：３）による分取操作で精製し、さらにヘプタン：ソルミックス＝１／２からの再結晶により精製し、乾燥させ、３−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニル）シクロヘキシル）−６−プロピルシクロヘキセンの合成［化合物（１−２―３−２５）］１．２５ｇを得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３ δ［ｐｐｍ］）；６．８６（ｍ，１Ｈ），６．６９（ｍ，１Ｈ），５．６１（ｄｄ，１Ｈ），５．４１（ｄ，１Ｈ），４．１１（ｑ，２Ｈ），２．７６（ｔｔ，１Ｈ），２．１５−１．７８（ｍ，１０Ｈ），１．４５（ｔ，３Ｈ），１．４３−１．１４（ｍ，９Ｈ）、０．９０（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（１−２−３−２５）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃｒ６７．４Ｎ１２９．１Ｉｓｏ．
Ｔ_ＮＩ＝１１５．３ ℃，Δε＝−５．８９，Δｎ＝０．１１２．

[実施例９]
３−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセンの合成［化合物（１−２―３−２６）］

第１工程
窒素雰囲気下、４−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニル）シクロヘキシル）−２−シクロヘキセノン（ｒ−１５）４．００ｇをＴＨＦ６０ｍＬに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドＴＨＦ溶液（１Ｍ／Ｌ）１４．４ｍＬを滴下し、５０℃で３０分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：酢酸エチル＝６：４）による分取操作で精製し、４−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニル）シクロヘキシル）−１−ペンチル−２−シクロヘキセン−１−オール［化合物（ｒ−１７）］３．４５ｇを得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（ｒ−１７）３．４５ｇをジクロロメタン７０ｍＬとアセトニトリル７０ｍＬとの混合溶媒へ溶解させ、そこへトリエチルシラン１．５０ｇを加えた後、−５０℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体１．５７ｇを滴下し−７８℃にて３０分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：トルエン＝７：３）による分取操作で精製し、さらにヘプタン：ソルミックス＝１／２からの再結晶により精製し、乾燥させ、３−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセンの合成［化合物（１−２―３−２６）］１．１２ｇを得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３ δ［ｐｐｍ］）；６．８３（ｍ，１Ｈ），６．６６（ｍ，１Ｈ），５．５９（ｄｄ，１Ｈ），５．３８（ｄ，１Ｈ），４．０８（ｑ，２Ｈ），２．７４（ｔｔ，１Ｈ），２．０６−１．７６（ｍ，１０Ｈ），１．４４（ｔ，３Ｈ），１．４７−１．１１（ｍ，１３Ｈ）、０．９０（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（１−２−３−２６）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃｒ５２．２Ｎ１２６．５Ｉｓｏ．
Ｔ_ＮＩ＝１１３．３ ℃，Δε＝−５．６０，Δｎ＝０．１０５．

[実施例１０]
３−（トランス−４−（（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニルオキシ）メチル）シクロヘキシル）−６−プロピルシクロヘキセンの合成［化合物（１−２―３−４１）］

第１工程
窒素雰囲気下、３−（トランス−４−（（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニルオキシ）メチル）シクロヘキシル）−２−シクロヘキセノン（ｒ−１７）４．０ｇをＴＨＦ６０ｍＬに溶解させ、そこへ室温にてプロピルマグネシウムブロミドＴＨＦ溶液（１Ｍ／Ｌ）１３．０ｍＬを滴下し、５０℃で３０分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：酢酸エチル＝６：４）による分取操作で精製し、３−（トランス−４−（（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニルオキシ）メチル）シクロヘキシル）−６−プロピル−６−ヒドロキシシクロヘキセン［化合物（ｒ−１８）］３．１６ｇを得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（ｒ−１８）３．１６ｇをジクロロメタン７０ｍＬとアセトニトリル７０ｍＬとの混合溶媒へ溶解させ、そこへトリエチルシラン１．３５ｇを加えた後、−５０℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体１．４２ｇを滴下し−７８℃にて３０分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：トルエン＝６：４）による分取操作で精製し、さらにヘプタン：ソルミックス＝１／４からの再結晶により精製し、乾燥させ、３−（トランス−４−（（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニルオキシ）メチル）シクロヘキシル）−６−プロピルシクロヘキセン［化合物（１−２―３−４１）］１．０９ｇを得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３ δ［ｐｐｍ］）；６．６３（ｍ，２Ｈ），５．５９（ｄｄ，１Ｈ），５．３９（ｄ，１Ｈ），４．０７（ｑ，２Ｈ），３．７９（ｄ，２Ｈ），２．０７−１．７６（ｍ，１１Ｈ），１．４２（ｔ，３Ｈ），１．４１−１．０４（ｍ，９Ｈ）、０．９０（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（１−２−３−４１）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃｒ４６．１Ｎ１０８．１Ｉｓｏ．
Ｔ_ＮＩ＝１０３．９ ℃，Δε＝−７．４９，Δｎ＝０．１０５．

[実施例１１]
３−（トランス−４−（（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルオキシ）メチル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセンの合成［化合物（１−２―３−４２）］

第１工程
窒素雰囲気下、３−（トランス−４−（（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニルオキシ）メチル）シクロヘキシル）−２−シクロヘキセノン（ｒ−１７）４．００ｇをＴＨＦ６０ｍＬに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドＴＨＦ溶液（１Ｍ／Ｌ）１３．２ｍＬを滴下し、５０℃で３０分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：酢酸エチル＝６：４）による分取操作で精製し、３−（トランス−４−（（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニルオキシ）メチル）シクロヘキシル）−６−ペンチル−６−ヒドロキシシクロヘキセン［化合物（ｒ−１９）］１．９９ｇを得た。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（ｒ−１９）１．９９ｇをジクロロメタン７０ｍＬとアセトニトリル７０ｍＬとの混合溶媒へ溶解させ、そこへトリエチルシラン０．８０ｇを加えた後、−５０℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体０．８４ｇを滴下し−７８℃にて３０分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：トルエン＝７：３）による分取操作で精製し、さらにヘプタン：ソルミックス＝１／４からの再結晶により精製し、乾燥させ、３−（トランス−４−（（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルオキシ）メチル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセン［化合物（１−２―３−４２）］０．４５ｇを得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３ δ［ｐｐｍ］）；６．６０（ｍ，２Ｈ），５．５７（ｄｄ，１Ｈ），５．３７（ｄ，１Ｈ），４．０５（ｑ，２Ｈ），３．７６（ｄ，２Ｈ），２．０７−１．７６（ｍ，１１Ｈ），１．４２（ｔ，３Ｈ），１．４１−１．０４（ｍ，１３Ｈ）、０．９０（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉｉ）に混合した試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした、化合物（１−２−３−４２）の物性値は以下の通りであった。
転移温度：Ｃｒ_１２９．２Ｃｒ_２３２．１Ｎ１０７．２Ｉｓｏ．
Ｔ_ＮＩ＝９９．３ ℃，Δε＝−７．４６，Δｎ＝０．１０２．

[比較例１]
（低温相溶性）
比較化合物として、特開平９−１１０７３４に開示の化合物２５であるトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−ペンチルシクロヘキサン（Ｅｘ−１）を合成した。

前述した５つの化合物を混合し、ネマチック相を有する母液晶ｉを調製した。この母液晶ｉの物性は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝７１．７℃；粘度（η_２０）＝２７．０ｍＰａ・ｓ；光学異方性（Δｎ）＝０．１３７；誘電率異方性（Δε）＝１１。

この母液晶ｉを用い−２０℃、３０日間に冷却し、化合物（Ｅｘ−１）の低温相溶性を測定した。その結果、１重量％以上の濃度では結晶が析出しネマチック相を維持しなかった。

化合物（１−２−１−１０）の低温での相溶性
母液晶ｉを用い、実施例５で得られた３−（４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセン（化合物１−２−１−１０）を−２０℃、３０日間冷却し低温相溶性を測定した。その結果５重量％以下の濃度でネマチック相を維持していた。

このことから化合物（１−２−１−１０）は比較化合物（Ｅｘ−１）に比べ母液晶に対する低温での相溶性に優れ、液晶化合物として有用であることがわかった。

[比較例２]
（低温相溶性）
比較化合物として、特開平９−１１０７３４に開示の化合物１２であるトランス−４−（トランス−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−ペンチルシクロヘキサン（Ｅｘ−２）を合成した。

比較例１と同様にこの母液晶ｉを用い−２０℃、３０日間冷却し、化合物（Ｅｘ−２）の低温相溶性を測定した。その結果、１重量％の濃度であっても８日後には結晶が析出しネマチック相を維持しなかった。

化合物（１−２−１−６）の低温での相溶性
母液晶ｉを用い、実施例４で得られた３−（４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−６−ペンチルシクロヘキセン（化合物１−２−１−６）を−２０℃、３０日間冷却し、低温相溶性を測定した。その結果５重量％以下の濃度でネマチック相を維持していた。

このことから化合物（１−２−１−６）は、比較化合物（Ｅｘ−２）に比べ母液晶に対する低温での相溶性に優れ、液晶化合物として有用であることがわかった。

[比較例３]
（低温相溶性）
比較化合物として、トランス−４−プロピル−トランス−４’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’−ビシクロヘキシル（Ｅｘ−３）を合成した。

^１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４−プロピル−トランス−４’−（２，３−ジフルオロエトキシフェニル）−１，１’−ビシクロヘキシル（Ｅｘ−１）であることが同定できた。 ^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３ δ［ｐｐｍ］）；６．８２（ｄｄ，１Ｈ），６．６４（ｄｄ，１Ｈ），４．０６（ｑ，２Ｈ），２．７１（ｔｔ，１Ｈ），１．８９−１．７９（ｍ，４Ｈ），１．７９−１．６９（ｍ，４Ｈ），１．４５−１．２６（ｍ，１４Ｈ），１．２０−１．０４（ｍ，４Ｈ），０．９０−０．７９（ｔ，３Ｈ）．

化合物（Ｅｘ−１）の転移温度は以下の通りであった。
転移温度：Ｃ６６．９Ｓ_Ｂ７９．９Ｎ１８５．１Ｉｓｏ．

前述した５つの化合物を混合し、ネマチック相を有する母液晶ｉｉを調製した。この母液晶ｉｉの物性は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝７４．６℃；粘度（η_２０）＝１８．９ｍＰａ・ｓ；光学異方性（Δｎ）＝０．０８７；誘電率異方性（Δε）＝−１．３．

この母液晶ｉｉを用い−１０℃、３０日間での化合物Ｅｘ−１の低温相溶性を測定した。その結果、３重量％以上の濃度では結晶が析出しネマチック相を維持しなかった。

化合物（１−２−３−２５）の低温相溶性
母液晶ｉｉを用い、実施例８で得られた３−（トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エチルオキシフェニル）シクロヘキシル）−６−プロピルシクロヘキセン（化合物１−２−３−２５）の−１０℃、３０日間での低温相溶性を測定した。その結果１０重量％以下の濃度でネマチック相を維持していた。

このことから化合物（１−２−３−２５）は、比較化合物（Ｅｘ−３）に比べ母液晶に対する低温での相溶性に優れ、液晶化合物として有用であることがわかった。

実施例１〜１１に記載された合成方法と同様の方法により以下に示す、化合物（１−１−１−１）〜（１−１−１−２４）、（１−１−２−１）〜（１−１−２−４８）、（１−２−１−１）〜（１−２−１−２４）、（１−２−２−１）〜（１−２−２−４８）、（１−２−３−１）〜（１−２−３−４８）、（１−２−４−１）〜（１−２−４−４８）（１−３−１−１）〜（１−３−１−２４）、（１−３−２−１）〜（１−３−２−４８）、（１−３−３−１）〜（１−３−３−４８）、（１−４−１−１）〜（１−２−１−１７）、（１−４−２−１）〜（１−４−２−３４）、（１−４−３−１）〜（１−４−３−３４）、（１−４−４−１）〜（１−４−４−３４）、（１−４−５−１）〜（１−４−５−３４）、（１−４−６−１）〜（１−４−６−３４）、（１−５−１−１）〜（１−５−１−１７）、（１−５−２−１）〜（１−５−２−３４）、（１−５−３−１）〜（１−５−３−３４）、（１−５−４−１）〜（１−５−４−３４）、（１−５−５−１）〜（１−５−５−３４）、（１−５−６−１）〜（１−５−６−３４）、および（１−５−７−１）〜（１−５−７−３４）を合成することができる。付記したデータは前記した手法に従い、測定した値である。転移温度は化合物自体の測定値であり、上限温度（Ｔ_ＮＩ）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、化合物を母液晶（ｉ）または母液晶（ｉｉ）に混合した試料の測定値を、外挿法に従って換算した外挿値である。

〔液晶組成物の実施例〕
以下、本発明で得られる液晶組成物を実施例により詳細に説明する。なお、実施例で用いる液晶性化合物は、下記表の定義に基づいて記号により表す。なお、表中、１，４−シクロへキシレンの立体配置はトランス配置である。各化合物の割合（百分率）は、特に断りのない限り、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。各実施例の最後に得られた液晶組成物の特性値を示す。

化合物の記号による表記方法を以下に示す。なお、各実施例で使用する液晶性化合物の部分に記載した番号は、上述した成分Ａ〜Ｅの化合物番号に対応している。化合物番号を記載せずに、単に「−」と記載した場合には、この化合物はこれら成分には対応をしていないその他の化合物であることを意味している。

特性値の測定は以下の方法にしたがって行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格（ＳｔａｎｄａｒｄｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎｏｆＪａｐａｎ）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。

（１）ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。以下、ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略することがある。

（２）ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）
ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを≦−２０℃と記載した。以下、ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

（３）光学異方性（Δｎ；２５℃で測定）
波長が５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により測定した。まず、主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。そして、偏光の方向がラビングの方向と平行であるときの屈折率（ｎ‖）、および偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときの屈折率（ｎ⊥）を測定した。光学異方性の値（Δｎ）は、（Δｎ）＝（ｎ‖）−（ｎ⊥）の式から算出した。

（４）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
測定にはＥ型粘度計を用いた。

（５）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板から、間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子を組み立てた。

得られたＶＡ素子に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。

また、得られたＴＮ素子に試料（液晶組成物液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５Ｖ（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。
誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥の式から計算した。
この値が負である組成物が、負の誘電率異方性を有する組成物である。

（６）電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃と１００℃で測定；％）
ポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が６μｍであるセルに試料を入れてＴＮ素子を作製した。２５℃において、このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。ＴＮ素子に印加した電圧の波形を陰極線オシロスコープで観測し、単位周期（１６．７ミリ秒）における電圧曲線と横軸との間の面積を求めた。ＴＮ素子を取り除いたあと印加した電圧の波形から同様にして面積を求めた。電圧保持率（％）の値は、（電圧保持率）＝（ＴＮ素子がある場合の面積値）／（ＴＮ素子がない場合の面積値）×１００の値から算出した。

このようにして得られた電圧保持率を「ＶＨＲ−１」として示した。つぎに、このＴＮ素子を１００℃、２５０時間加熱した。このＴＮ素子を２５℃に戻したあと、上述した方法と同様の方法により電圧保持率を測定した。この加熱試験をした後に得た電圧保持率を「ＶＨＲ−２」として示した。なお、この加熱テストは促進試験であり、ＴＮ素子の長時間耐久試験に対応する試験として用いた。

［使用例１］
３−ＨＣｘ−５（１−１−１−３）６％
４−ＨＨＣｘ−５（１−２−１−４）３％
２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ（５−１４）５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ（５−１４）４％
４−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ（５−１４）６％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ（５−１５）１６％
３−ＨＢ−Ｏ２（１２−５）１０％
３−ＨＨ−４（１２−１）３％
３−ＨＨＢ−Ｆ（３−１）３％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１３−１）４％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ（３−３７）４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２（１３−１７）４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３（１３−１７）４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４（１３−１７）４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２（１３−１８）５％
ＮＩ＝８７．３℃；Δｎ＝０．１３４；Δε＝２５．６；Ｖｔｈ＝１．０６Ｖ．

［使用例２］
５−ＨＨＣｘ−３（１−２−１−２）３％
３−ＨＣｘＯ１Ｈ−５（１−３−１−１８）３％
２−ＨＢ−Ｃ（５−１）５％
３−ＨＢ−Ｃ（５−１）１２％
３−ＨＢ−Ｏ２（１２−５）１５％
２−ＢＴＢ−１（１２−１０）３％
３−ＨＨＢ−Ｆ（３−１）４％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１３−１）５％
３−ＨＨＢ−３（１３−１）１４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３）５％
ＮＩ＝１０２．５℃；Δｎ＝０．０９９；Δε＝４．３；Ｖｔｈ＝２．６６Ｖ；η＝１８．７ｍＰａ・ｓ．

［使用例３］
２−ＨＨＣｘ−３（１−２−１−５）３％
３−ＨＣｘＶＨ−５（１−３−１−１３）３％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ（５−１４）８％
３−ＨＢ−Ｃ（５−１）８％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ（５−１）８％
１Ｖ−ＨＢ−Ｃ（５−１）８％
３−ＨＢ−Ｏ２（１２−５）３％
３−ＨＨ−２Ｖ（１２−１）１４％
３−ＨＨ−２Ｖ１（１２−１）７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（１３−１）１２％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２（１３−１７）６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３（１３−１７）６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４（１３−１７）５％
ＮＩ＝９８．０℃；Δｎ＝０．１３０；Δε＝８．１；Ｖｔｈ＝２．２３Ｖ；η＝１５．６ｍＰａ・ｓ．
上記組成物１００部に光学活性化合物（Ｏｐ−５）を０．２５部添加したときのピッチは６０．２μｍであった。

［使用例４］
２−ＨＨＣｘ−５（１−２−１−６）３％
３−ＨＨＣｘ−５（１−２−１−１）３％
５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ（５−１４）４％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ（５−１）１１％
５−ＰｙＢ−Ｃ（５−９）６％
４−ＢＢ−３（１２−８）１１％
３−ＨＨ−２Ｖ（１２−１）１０％
５−ＨＨ−Ｖ（１２−１）１１％
Ｖ−ＨＨＢ−１（１３−１）７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（１３−１）１５％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）４％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２（１３−４）１０％
３−ＨＨＥＢＨ−３（１４−６）５％
ＮＩ＝９２．６℃；Δｎ＝０．１１４；Δε＝４．３；Ｖｔｈ＝２．５１Ｖ；η＝１５．５ｍＰａ・ｓ．

［使用例５］
１−ＢＨＣｘ−３（１−２−３−４）４％
３−ＣｘＨＶＨ−５（１−２−１−２０）４％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ（５−１５）３％
３−ＨＢ−Ｃ（５−１）１８％
２−ＢＴＢ−１（１２−１０）１０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ（−）３０％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１（−）３％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１（−）１１％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２（１３−１７）５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３（１３−１７）４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４（１３−１７）４％
ＮＩ＝９０．２℃；Δｎ＝０．１２９；Δε＝４．２；Ｖｔｈ＝２．７９Ｖ；η＝１１．８ｍＰａ・ｓ．

［使用例６］
３−ＨＣｘ−５（１−１−１−３）５％
３−ＨＨＣｘ−２Ｖ（１−２−１−９）３％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−１）１６％
３−ＨＨ−４（１２−１）１２％
３−ＨＨ−５（１２−１）４％
３−ＨＨＢ−Ｆ（３−１）４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（３−１）３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ（３−１）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）１０％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）５％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２３）４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５（１４−１）３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１５）３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１５）３％
ＮＩ＝１１１．９℃；Δｎ＝０．０８９；Δε＝３．２；Ｖｔｈ＝２．６９Ｖ；η＝１７．６ｍＰａ・ｓ．

［使用例７］
２−ＨＨＣｘ−３（１−２−１−５）３％
５−ＨＨＣｘ−３（１−２−１−２）３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３）９％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）８％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）２１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）２０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２７）７％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ（４−１７）２％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１５）３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４（１４−１）２％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５（１４−１）３％
ＮＩ＝９８．０℃；Δｎ＝０．１１１；Δε＝８．６；Ｖｔｈ＝１．８０Ｖ．

［使用例８］
４−ＨＨＣｘ−５（１−２−１−４）４％
３−ＨＣｘＯ１Ｈ−５（１−３−１−１８）４％
５−ＨＢ−Ｆ（２−１）１０％
６−ＨＢ−Ｆ（２−１）９％
７−ＨＢ−Ｆ（２−１）７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−１）７％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−１）７％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−１）７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−１）５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３（３−４）４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３（３−４）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ（３−３）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（３−３）５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ（３−５）３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２３）５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２３）１０％
５−ＨＢＢＨ−３（１４−１）２％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３（１４−２）３％
ＮＩ＝９１．８℃；Δｎ＝０．０９０；Δε＝３．９；Ｖｔｈ＝２．７０Ｖ；η＝１５．４ｍＰａ・ｓ．

［使用例９］
２−ＨＨＣｘ−５（１−２−１−６）３％
３−ＨＨＣｘ−５（１−２−１−１）３％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−２）１１％
３−ＨＨ−４（１２−１）８％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３）８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）２０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）１５％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）１０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３９）３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３９）４％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３９）３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％
ＮＩ＝７９．９℃；Δｎ＝０．０９９；Δε＝８．０；Ｖｔｈ＝１．５７Ｖ；η＝２１．２ｍＰａ・ｓ．

［使用例１０］
３−ＨＣｘＶＨ−５（１−３−１−１３）３％
１−ＢＨＣｘ−３（１−２−３−４）３％
３−ＨＢ−ＣＬ（２−２）２％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−２）４％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（３−２）５％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３（３−１３）５％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３（３−１９）１５％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）５％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）５％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（３−２１）８％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（３−２１）１０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）５％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２１）７％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２６）５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２６）８％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３９）５％
ＮＩ＝８０．２℃；Δｎ＝０．０９８；Δε＝８．０；Ｖｔｈ＝２．００Ｖ；η＝２６．９ｍＰａ・ｓ．

［使用例１１］
４−ＨＨＣｘ−５（１−２−１−４）２％
３−ＣｘＨＶＨ−５（１−２−１−２０）４％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−２）１７％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−４）３％
３−ＨＨ−４（１２−１）１０％
３−ＨＨ−５（１２−１）５％
３−ＨＢ−Ｏ２（１２−５）１５％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１３−１）５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３）６％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）２％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１５）２％
ＮＩ＝７９．３℃；Δｎ＝０．０７６；Δε＝２．３；Ｖｔｈ＝２．３９Ｖ；η＝１４．０ｍＰａ・ｓ．

［使用例１２］
３−ＣｘＨＶＨ−５（１−２−１−２０）３％
３−ＨＨＣｘ−２Ｖ（１−２−１−９）３％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−２）３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ（２−３）７％
３−ＨＨ−４（１２−１）９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ（１２−２）２０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）１０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０３）５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０３）６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０６）４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０６）５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０９）４％
ＮＩ＝８８．１℃；Δｎ＝０．０６６；Δε＝４．８；Ｖｔｈ＝１．８０Ｖ；η＝１９．１ｍＰａ・ｓ．

［使用例１３］
５−ＨＨＣｘ−３（１−２−１−２）３％
３−ＨＣｘＯ１Ｈ−５（１−３−１−１８）３％
３−ＨＢ−Ｏ２（１２−５）１０％
５−ＨＢ―ＣＬ（２−２）１３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２４）７％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ（２−１５）１０％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ（２−１５）１０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（３−８０）１０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（３−８０）１０％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（３−８０）１０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（１４−５）７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（１４−５）７％
ＮＩ＝９５．２℃；Δｎ＝０．１８０；Δε＝７．７；Ｖｔｈ＝１．９３Ｖ．

［使用例１４］
３−ＨＣｘ−５（１−１−１−３）４％
５−ＨＨＣｘ−３（１−２−１−２）３％
３−ＨＨ−Ｏ１（１２−１）８％
５−ＨＨ−Ｏ１（１２−１）４％
３−ＨＨ−４（１２−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−１）１２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−１）２１％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（７−１）５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（７−１）７％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−１）１１％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−１）２０％
ＮＩ＝６２．４℃；Δｎ＝０．０７４；η＝２１．６ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．９．

［使用例１５］
３−ＨＨＣｘ−５（１−２−１−１）５％
４−ＨＨＣｘ−５（１−２−１−４）３％
３−ＨＢ−Ｏ１（１２−５）１５％
３−ＨＨ−４（１２−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−１）１２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−１）１２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（７−１）１２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（７−１）１２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−１）８％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−１）１０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１３−１）６％
ＮＩ＝８６．９℃；Δｎ＝０．０８７；Δε＝−３．０．

［使用例１６］
３−ＣｘＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−３−２５）４％
５−ＣｘＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−３−２６）４％
３−ＨＢ−Ｏ１（１２−５）１５％
３−ＨＨ−４（１２−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−１）１２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−１）１２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（７−１）１２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（７−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−１）７％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−１）１３％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）６％
ＮＩ＝８３．６℃；Δｎ＝０．０９０；η＝３６．１ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．５．

［使用例１７］
３−ＣｘＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−３−２５）３％
５−ＣｘＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−３−２６）３％
３−ＨＨ−４（１２−１）８％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−４）２２％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−４）２２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（７−１２）３％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（７−１２）２％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−７）７％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−７）９％
Ｖ−ＨＨＢ−１（１３−１）６％
３−ＨＨＢ−３（１３−１）６％
３−ＨＨＥＢＨ−３（１４−６）３％
３−ＨＨＥＢＨ−４（１４−６）３％
３−ＨＨＥＢＨ−５（１４−６）３％
ＮＩ＝８９．９℃；Δｎ＝０．０９９；η＝２８．３ｍＰａ・ｓ；Δε＝−４．１．
上記組成物１００部にＯｐ−０５を０．２５部添加したときのピッチは６０．３μｍであった。

［使用例１８］
３−ＨＣｘ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−３−２−４０）３％
５−ＨＣｘ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−３−２−３９）３％
３−ＨＢ−Ｏ１（１２−５）１５％
３−ＨＨ−４（１２−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−１）１２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−１）１２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（７−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（７−１）１２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−１）９％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−１）１３％
６−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−１）６％

［使用例１９］
３−ＨＣｘＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−３−２−２５）３％
５−ＨＣｘＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−３−２−２６）３％
２−ＨＨ−５（１２−１）３％
３−ＨＨ−４（１２−１）１５％
３−ＨＨ−５（１２−１）４％
３−ＨＢ−Ｏ２（１２−５）１２％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−４）１５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−４）１５％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（７−１２）３％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−７）３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−７）５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−７）９％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）３％
３−ＨＨＢ−３（１３−１）４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１３−１）３％

［使用例２０］
３−ＣｘＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−３−４１）３％
５−ＣｘＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−３−４２）３％
３−ＨＢ−Ｏ１（１２−５）１５％
３−ＨＨ−４（１２−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−１）１２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（６−１）１２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（７−１）１２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（７−１）１０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−１）９％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（７−１）１３％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）６％

［使用例２１］
３−ＣｘＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−１−２−２５）３％
５−ＣｘＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−２−２６）３％
２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ（５−１４）３％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ（５−１４）４％
４−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ（５−１４）８％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ（５−１５）１６％
３−ＨＢ−Ｏ２（１２−５）１０％
３−ＨＨ−４（１２−１）３％
３−ＨＨＢ−Ｆ（３−１）３％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１３−１）４％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ（３−３７）４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２（１３−１７）４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３（１３−１７）４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４（１３−１７）４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２（１３−１８）５％

［使用例２２］
３−ＨＣｘ１ＯＢ（２ＣＦ３，３Ｆ）−Ｏ２
（１−３−２−４４）３％
５−ＨＣｘ１ＯＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２
（１−３−２−４６）３％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ（５−１５）５％
３−ＨＢ−Ｃ（５−１）１８％
２−ＢＴＢ−１（１２−１０）１０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ（１２−１）３０％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１（１３−１）８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１（１３−１）６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２（１３−１７）５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３（１３−１７）４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４（１３−１７）４％

［使用例２３］
３−ＣｘＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−３−２５）３％
５−ＣｘＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−３−２６）３％
２−ＨＢ−Ｃ（５−１）５％
３−ＨＢ−Ｃ（５−１）１２％
３−ＨＢ−Ｏ２（１２−５）１５％
２−ＢＴＢ−１（１２−１０）３％
３−ＨＨＢ−Ｆ（３−１）４％
３−ＨＨＢ−１（１３−１）８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１３−１）５％
３−ＨＨＢ−３（１３−１）１４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）４％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−３）５％

［使用例２４］
３−ＣｘＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−３−２５）３％
３−ＨＣｘ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−３−２−４０）３％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−２）１６％
３−ＨＨ−４（１２−１）１２％
３−ＨＨ−５（１２−１）４％
３−ＨＨＢ−Ｆ（３−１）４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（３−１）３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ（３−１）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）５％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）９％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２）８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（３−２３）３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５（１４−１）３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−６）３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１５）３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−１５）３％

［使用例２５］
５−ＨＣｘ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−３−２−３９）３％
３−ＨＣｘＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−３−２−２５）３％
５−ＨＢ−ＣＬ（２−２）３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ（２−３）７％
３−ＨＨ−４（１２−１）９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ（１２−２）２３％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ（３−１０）８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）６％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１２）３％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０３）５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０３）６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０６）４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０６）５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１０９）７％

本発明の化合物は、高い透明点と低い結晶化温度を併せ持つことによって液晶相の広い温度範囲を有し、加えて他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する。さらに化合物に必要な一般的物性、熱、光などに対する安定性、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性を有する。本発明の液晶組成物は、これらの化合物の少なくとも一つを含有し、そしてネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、低いしきい値電圧を有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を含有し、そして使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きなコントラスト比、低い駆動電圧を有するので、液晶プロジェクター、液晶テレビなどに用いることができる。

Claims

式（１−１）〜式（１−８）で表される化合物。

式（１−１）〜式（１−８）において、ＲａおよびＲｂは独立して、炭素数１から１０のアルキル、炭素数２から１０のアルケニル、炭素数１から９のアルコキシ、炭素数２から９のアルコキシアルキル、炭素数３から９のアルケニルオキシ、炭素数２から１０のポリフルオロアルキル、炭素数１から９のポリフルオロアルコキシ、または炭素数２から１０のポリフルオロアルケニルであり；Ａ^１１、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^４１、Ａ^４２、およびＡ^４３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、シクロヘキセン−３，６−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−（トリフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）−１，４−フェニレン、２−（ジフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−３−（ジフルオロメチル）−１，４−フェニレン、２−トリフルオロメチル−１，４−フェニレン、３−トリフルオロメチル−１，４−フェニレン、２−ジフルオロメチル−１，４−フェニレン、３−ジフルオロメチル−１，４−フェニレン、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイルまたはナフタレン−２，６−ジイルであるが、Ａ^１１、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^４１、Ａ^４２、およびＡ^４３の少なくとも一つは２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−（トリフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）−１，４−フェニレン、２−（ジフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−３−（ジフルオロメチル）−１，４−フェニレンであり；Ｚ^１１、Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、Ｚ^４１、Ｚ^４２、およびＺ^４３は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＯＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−である。
式（１−１）〜式（１−５）において、ＲａおよびＲｂが独立して、フッ素、炭素数１〜８のアルキル、炭素数２〜８のアルケニル、炭素数１〜７のアルコキシ、炭素数２〜７のアルコキシアルキル、または炭素数３〜７のアルケニルオキシであり；Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^４１、およびＡ^４２が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−（トリフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）−１，４−フェニレン、２−（ジフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−３−（ジフルオロメチル）−１，４−フェニレンであるが、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^４１、およびＡ^４２の少なくとも一つが、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−（トリフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）−１，４−フェニレン、２−（ジフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２−フルオロ−３−（ジフルオロメチル）−１，４−フェニレンであり；Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、Ｚ^４１、およびＺ^４２が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、または−Ｃ≡Ｃ−である請求項１に記載の化合物。
式（１−１）〜式（１−５）において、ＲａおよびＲｂが独立して、炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニル、または炭素数１〜４のアルコキシであり；Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^４１、およびＡ^４２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであるが、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、Ａ^４１、およびＡ^４２の少なくとも一つが、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、Ｚ^４１、およびＺ^４２が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、または−ＣＨ＝ＣＨ−である請求項１に記載の化合物。
式（１−１）〜式（１−３）において、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、およびＡ^４２が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであるが、Ａ^２１、Ａ^３１、Ａ^３２、およびＡ^４２の少なくとも一つが、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり、Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、およびＺ^４２が、単結合、−ＣＨ_２Ｏ−または−ＯＣＨ_２−である請求項１に記載の化合物。
式（１−１−２）、式（１−２−２）〜式（１−２−４）、式（１−３−２）、式（１−３−３）、式（１−４−２）〜式（１−４−６）、および式（１−５−２）〜式（１−５−７）のいずれか１つで表される請求項１に記載の化合物。

式（１−１−２）、式（１−２−２）〜式（１−２−４）、式（１−３−２）〜式（１−３−３）、式（１−４−２）〜式（１−４−６）、および式（１−５−２）〜式（１−５−７）において、ＲａおよびＲｂは独立して、炭素数２〜１０のアルキル、炭素数１〜９のアルコキシ、または炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ｘ^１０、Ｘ^２０、Ｘ^１２、Ｘ^２２、Ｘ^１３、Ｘ^２３、Ｘ^１４、およびＸ^２４は独立して、フッ素または水素であるが、Ｘ^１０とＸ^２０、Ｘ^１２とＸ^２２、Ｘ^１３とＸ^２３、Ｘ^１４とＸ^２４のうちの、少なくとも一組は共にフッ素であり；Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、Ｚ^４１、およびＺ^４２は独立して、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−である。
式（１−１−２）、（１−２−２）〜（１−２−４）、および（１−３−３）のいずれか一つで表される請求項１に記載の化合物。

式（１−１−２）、（１−２−２）〜（１−２−４）、および（１−３−３）において、ＲａおよびＲｂは独立して、炭素数１〜８のアルキル、炭素数１〜７のアルコキシ、または炭素数２〜８のアルケニルであり；Ｘ^１０、Ｘ^２０、Ｘ^１２、Ｘ^２２、Ｘ^１３、Ｘ^２３、Ｘ^１４、およびＸ^２４は独立して、フッ素または水素であるが、Ｘ^１０とＸ^２０、Ｘ^１２とＸ^２２、Ｘ^１３とＸ^２３、Ｘ^１４とＸ^２４のうちの、少なくとも一組は共にフッ素であり；Ｚ^２１、Ｚ^３１、Ｚ^３２、およびＺ^４１が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−である。
式（１−１−２）、式（１−２−３）、および（１−２−４）において、ＲａおよびＲｂが、炭素数１〜５のアルキル、炭素数１〜５のアルコキシ、または炭素数２〜５のアルケニルであり；Ｘ^１０、Ｘ^２０、Ｘ^１４、およびＸ^２４が、フッ素であり、Ｘ^１３およびＸ^２３が独立して、フッ素または水素であり；Ｚ^２１、Ｚ^３１，Ｚ^３２、およびＺ^４１が独立して、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−である請求項６に記載の化合物。
式（１−１−２）、式（１−２−３）、および（１−２−４）において、ＲａおよびＲｂが、炭素数１〜５のアルキル、炭素数１〜５のアルコキシ、または炭素数２〜５のアルケニルであり；Ｘ^１０、Ｘ^２０、Ｘ^１４、およびＸ^２４が、フッ素であり、Ｘ^１３およびＸ^２３が独立して、フッ素または水素であり；Ｚ^２１、Ｚ^３１，Ｚ^３２、およびＺ^４１が独立して、単結合、−ＣＨ₂Ｏ−、または−ＯＣＨ₂−である請求項６に記載の化合物。
式（１−１−２）、式（１−２−３）、および（１−２−４）において、ＲａおよびＲｂが、炭素数１〜５のアルキル、炭素数１〜５のアルコキシ、または炭素数２〜５のアルケニルであり；Ｘ^１０、Ｘ^２０、Ｘ^１４、およびＸ^２４が、フッ素であり、Ｘ^１３およびＸ^２３が水素であり；Ｚ^２１、Ｚ^３１，Ｚ^３２、およびＺ^４１が独立して、単結合または−ＣＨ₂Ｏ−である請求項６に記載の化合物。
請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載した少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物。
式（２）、（３）、および（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する請求項１０に記載の液晶組成物。

式（２）〜（４）において、Ｒ^９は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
環Ｂ^１、環Ｂ^２、および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１−テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または３、５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；
Ｚ^７およびＺ^８は独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または単結合であり；
Ｌ^９およびＬ^１０は独立して、水素またはフッ素である。
式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１０または請求項１１に記載の液晶組成物。

式（５）において、Ｒ^１０は、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ^２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｃ^１、環Ｃ^２、および環Ｃ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１−テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^９は、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−、または単結合であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２は独立して、水素またはフッ素であり；
ｏは、０、１または２であり、ｐは０または１であり、ｏおよびｐの和は、０、１、２または３である。
式（６）、（７）、（８）、（９）、（１０）、および（１１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１０〜請求項１２のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（６）〜（１１）において、Ｒ^１１およびＲ^１２は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
環Ｄ^１、環Ｄ^２、環Ｄ^３、および環Ｄ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、６−テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロ−２，６−ナフタレンであり；
Ｚ^１０、Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３は独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＯＣＦ_２（ＣＨ₂）₂−、または単結合であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４は独立して、フッ素または塩素であり；
ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、およびｖは独立して、０または１であり、ｒ、ｓ、ｔ、およびｕの和は、１または２である。
式（１２）、（１３）、および（１４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１０〜請求項１３のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（１２）〜（１４）において、Ｒ^１３およびＲ^１４は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
環Ｅ^１、環Ｅ^２、および環Ｅ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ１，４−フェニレンであり；
Ｚ^１４およびＺ^１５は独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合である。
少なくとも１つの光学活性化合物および／または重合可能な化合物をさらに含有する、請求項１０〜請求項１４のいずれか１項に記載の液晶組成物。
少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤をさらに含有する請求項１０〜請求項１５のいずれか１項に記載の液晶組成物。
請求項１０〜請求項１６のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。