JPWO2012053421A1 - シクロヘキセン−3,6−ジイル化合物、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)化学的に安定であること、および物理的に安定であること
(2)高い透明点(液晶相−等方相の転移温度)を有すること
(3)液晶相(ネマチック相、スメクチック相等)の下限温度、特にネマチック相の下限温度が低いこと
(4)粘度が小さいこと
(5)適切な光学異方性を有すること
(6)各モードに合った適切な誘電率異方性を有すること
(7)各モードに合った適切な弾性定数を有すること
(8)他の液晶性化合物との相溶性に優れること
である。
(2)および(3)のように、高い透明点、あるいは液晶相の低い下限温度を有する液晶性化合物を含む組成物では、ネマチック相の温度範囲を広げることが可能となり、幅広い温度領域で表示素子として使用することが可能となる。
式(1)において、RaおよびRbは独立して、水素、ハロゲン、または炭素数1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−CH2−は、−O−、−S−、−CO−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく;A1、A2、A3、およびA4は独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、シクロヘキセン−3,6−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル、またはナフタレン−2,6−ジイルであり、これらの環において、一つの−CH2−は、−O−、−S−、−CO−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は−CH=CH−で置き換えられてもよく、そしてこれらの環において、任意の水素は、ハロゲン、−CF3、−CHF2、−CH2F、−OCF3、−OCHF2、または−OCH2Fで置き換えられてもよく;Z1、Z2、Z3、およびZ4は独立して、単結合または炭素数1〜4のアルキレンであり、このアルキレンにおいて任意の−CH2−は−O−、−S−または−SiH2−で置き換えられてもよく、そして任意の−(CH2)2−は−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく;m、n、qおよびrは独立して、0、1、または2であり、m、n、q、およびrの和は、1、2、3、または4であり;m、n、q、およびrの和が1のとき、RaおよびRbは独立して、水素、ハロゲンまたは炭素数1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−CH2−は、−O−、−S−、−CO−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は−CH=CH−、または−C≡C−で置き換えられてもよく;A1、A2、A3、およびA4は独立して、1,4−シクロヘキシレン、一つ以上の水素がハロゲンで置き換えられた1,4−フェニレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、シクロヘキセン−3,6−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル、またはナフタレン−2,6−ジイルであり、これらの環において、一つの−CH2−は、−O−、−S−、−CO−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は−CH=CH−で置き換えられてもよく、そしてこれらの環において任意の水素は、ハロゲン、−CF3、−CHF2、−CH2F、−OCF3、−OCHF2、または−OCH2Fで置き換えられてもよく;Z1、Z2、Z3、およびZ4は独立して、単結合または炭素数1〜4のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、任意の−CH2−は、−O−、−S−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、そして任意の−(CH2)2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよい。
式(1−1)〜式(1−8)において、RaおよびRbは独立して、水素、ハロゲンまたは炭素数1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて、任意の−CH2−は、−O−、−S−、−CO−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく;A11、A21、A32、A41、A42、およびA43は独立して、1,4−シクロヘキシレン、シクロヘキセニレン−1,4−ジイル、1,4−フェニレン、シクロヘキン−2,5−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,5−ジイル、またはナフタレン−2,6−ジイルであり、A31は、1,4−シクロヘキシレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、一つ以上の水素がハロゲンで置換された1,4−フェニレン、シクロヘキセン−3,6−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル、またはナフタレン−2,6−ジイルであり、これらの環において、一つの−CH2−は、−O−、−S−、−CO−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は、−CH=CH−で置き換えられてもよく、そしてこれらの環において、一つの水素は、ハロゲン、−CF3、−CHF2、−CH2F、−OCF3、−OCHF2、または−OCH2Fで置き換えられてもよく;Z11、Z21、Z31、Z32、Z41、Z42、およびZ43は独立して、単結合または炭素数1〜4のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、任意の−CH2−は、−O−、−S−または−SiH2−で置き換えられてもよく、そして任意の−(CH2)2−は−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよい。
式(1−1)〜式(1−8)において、RaおよびRbは独立して、炭素数1から10のアルキル、炭素数2から10のアルケニル、炭素数1から9のアルコキシ、炭素数2から9のアルコキシアルキル、炭素数3から9のアルケニルオキシ、炭素数2から10のポリフルオロアルキル、炭素数1から9のポリフルオロアルコキシ、または炭素数2から10のポリフルオロアルケニルであり;A11、A21、A31、A32、A41、A42、およびA43は独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、シクロヘキセン−3,6−ジイル、テトラヒドロピラン2,5−ジイル、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン、2−(トリフルオロメチル)−3−フルオロ−1,4−フェニレン、2−フルオロ−3−(トリフルオロメチル)−1,4−フェニレン、2−(ジフルオロメチル)−3−フルオロ−1,4−フェニレン、2−フルオロ−3−(ジフルオロメチル)−1,4−フェニレン、2−トリフルオロメチル−1,4−フェニレン、3−トリフルオロメチル−1,4−フェニレン、2−ジフルオロメチル−1,4−フェニレン、3−ジフルオロメチル−1,4−フェニレン、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイルまたはナフタレン−2,6−ジイルであるが、A11、A21、A31、A32、A41、A42、およびA43の少なくとも一つは、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン、2−(トリフルオロメチル)−3−フルオロ−1,4−フェニレン、2−フルオロ−3−(トリフルオロメチル)−1,4−フェニレン、2−(ジフルオロメチル)−3−フルオロ−1,4−フェニレンまたは2−フルオロ−3−(ジフルオロメチル)−1,4−フェニレンであり;Z11、Z21、Z31、Z32、Z41、Z42、およびZ43は独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、−OCH2−、−(CH2)4−、−C≡C−、−CH2SiH2−、−SiH2CH2−、−CH=CH−CH2O−、または−OCH2−CH=CH−である。
式(1−1−1)、式(1−2−1)〜式(1−2−4)、式(1−3−1)〜式(1−3−3)、式(1−4−1)〜式(1−4−6)、および式(1−5−1)〜式(1−5−7)において、RaおよびRbは独立して、炭素数2〜10のアルキル、炭素数1〜9のアルコキシ、または炭素数2〜10のアルケニルであり;Z21,Z31,Z32、Z41、およびZ42は独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、−OCH2−、−CF2O−、または−OCF2−であり;X12〜X14、X22〜X24、X32〜X34、およびX42〜X44は独立して、フッ素または水素であり;式(1−1−2)において、R3およびR4は独立して、炭素数1〜10のアルキル、炭素数2〜10のアルケニル、炭素数1〜9のアルコキシ、炭素数2〜9のアルコキシアルキ、または炭素数2〜9のアルケニルオキシであり;X10、X20、X30、およびX40は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも1つはフッ素であり;Z31は、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、−OCH2−、−CF2O−、または−OCF2−である。
式(1−1−1)、式(1−2−1)、および(1−3−1)において、RaおよびRbは独立して、炭素数1〜8のアルキル、炭素数1〜7のアルコキシ、または炭素数2〜8のアルケニルであり;Z21、Z31、Z32、およびZ41が独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、または−OCH2−である。
式(1−1−2)、式(1−2−2)〜式(1−2−4)、式(1−3−2)〜式(1−3−3)、式(1−4−2)〜式(1−4−6)、および式(1−5−2)〜式(1−5−7)において、RaおよびRbは独立して、炭素数2〜10のアルキル、炭素数1〜9のアルコキシ、または炭素数2〜10のアルケニルであり;X10、X20、X12、X22、X13、X23、X14、およびX24は独立して、フッ素または水素であるが、X10とX20、X12とX22、X13とX23、X14とX24のうち、少なくとも一組は共にフッ素であり;Z21,Z31,Z32、Z41、およびZ42は独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、または−OCH2−である。
[17]式(1−1−2)、(1−2−2)〜(1−2−4)、および(1−3−3)のいずれか一つで表される項[7]に記載の化合物。
式(1−1−2)、(1−2−2)〜(1−2−4)、および(1−3−3)において、RaおよびRbは独立して、炭素数1〜8のアルキル、炭素数1〜7のアルコキシ、または炭素数2〜8のアルケニルであり;X10、X20、X12、X22、X13、X23、X14、およびX24は独立して、フッ素または水素であるが、X10とX20、X12とX22、X13とX23、X14とX24のうち、少なくとも一組は共にフッ素であり;Z21、Z31、Z32、およびZ41は独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、または−OCH2−である。
式(2)〜(4)において、R9は独立して、炭素数1〜10のアルキルまたは炭素数2〜10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−CH2−は−O−で置き換えられてもよく;
X1は、フッ素、塩素、−OCF3、−OCHF2、−CF3、−CHF2、−CH2F、−OCF2CHF2、または−OCF2CHFCF3であり;
環B1、環B2、および環B3は独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または3、5−ジフルオロ−1,4−フェニレンであり;
Z7およびZ8は独立して、−(CH2)2−、−(CH2)4−、−COO−、−CF2O−、−OCF2−、−CH=CH−、−C≡C−、−CH2O−、または単結合であり;
L9およびL10は独立して、水素またはフッ素である。
式(5)において、R10は、炭素数1〜10のアルキルまたは炭素数2〜10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−CH2−は−O−で置き換えられてもよく;
X2は−C≡Nまたは−C≡C−C≡Nであり;
環C1、環C2、および環C3は独立して、1,4−シクロヘキシレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4−フェニレン、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、またはピリミジン−2,5−ジイルであり;
Z9は、−(CH2)2−、−COO−、−CF2O−、−OCF2−、−C≡C−、−CH2O−、または単結合であり;
L11およびL12は独立して、水素またはフッ素であり;
oは、0、1または2であり、pは0または1であり、oおよびpの和は、0、1、2または3である。
式(6)〜(11)において、R11およびR12は独立して、炭素数1〜10のアルキルまたは炭素数2〜10のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−CH2−は−O−で置き換えられてもよく;
環D1、環D2、環D3、および環D4は独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4−フェニレン、6−テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、またはデカヒドロ−2,6−ナフタレンであり;
Z10、Z11、Z12、およびZ13は独立して、−(CH2)2−、−COO−、−CH2O−、−OCF2−、−OCF2(CH2)2−、または単結合であり;
L13およびL14は独立して、フッ素または塩素であり;
q、r、s、t、u、およびvは独立して、0または1であり、r、s、t、およびuの和は、1または2である。
式(12)〜(14)において、R13およびR14は独立して、炭素数1〜10のアルキルまたは炭素数2〜10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、任意の−CH2−は−O−で置き換えられてもよく;
環E1、環E2、および環E3は独立して、1,4−シクロヘキシレン、ピリミジン−2,5−ジイル、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,5−ジフルオロ1,4−フェニレンであり;
Z14およびZ15は独立して、−C≡C−、−COO−、−(CH2)2−、−CH=CH−、または単結合である。
アリールホウ酸(21)と公知の方法で合成される化合物(22)とを、炭酸塩水溶液とテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムのような触媒の存在下で反応させて化合物(1A)を合成する。この化合物(1A)は、公知の方法で合成される化合物(23)にn−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムのような触媒の存在下で化合物(22)を反応させることによっても合成される。
化合物(23)にn−ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸(24)を得る。化合物(24)と、公知の方法で合成されるフェノール(25)とをDDC(1,3−ジシクロヘキシルカルボジイミド)とDMAP(4−ジメチルアミノピリジン)の存在下で脱水させて−COO−を有する化合物(1B)を合成する。この方法によって−OCO−を有する化合物も合成する。
化合物(1B)をローソン試薬のような硫黄化剤で処理して化合物(26)を得る。化合物(26)をフッ化水素ピリジン錯体とNBS(N−ブロモスクシンイミド)でフッ素化し、−CF2O−を有する化合物(1C)を合成する。M. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992,827.を参照。化合物(1C)は化合物(26)を(ジエチルアミノ)サルファートリフルオリド(DAST)でフッ素化しても合成される。W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照。この方法によって−OCF2−を有する化合物も合成する。Peer. Kirsch et al., Angew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によってこれらの結合基を生成させることも可能である。
化合物(23)をn−ブチルリチウムで処理した後、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)などのホルムアミドと反応させてアルデヒド(28)を得る。公知の方法で合成されるホスホニウム塩(27)をカリウムtert−ブトキシドのような塩基で処理して発生させたリンイリドを、アルデヒド(28)に反応させて化合物(1D)を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。
化合物(1D)をパラジウム炭素のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物(1E)を合成する。
ホスホニウム塩(27)の代わりにホスホニウム塩(29)を用い、項(IV)の方法に従って−(CH2)2−CH=CH−を有する化合物を得る。これを接触水素化して化合物(1F)を合成する。
ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下で、化合物(23)に2−メチル−3−ブチン−2−オールを反応させたのち、塩基性条件下で脱保護して化合物(30)を得る。ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下、化合物(30)を化合物(22)と反応させて、化合物(1G)を合成する。
化合物(23)をn−ブチルリチウムで処理したあと、テトラフルオロエチレンを反応させて化合物(31)を得る。化合物(22)をn−ブチルリチウムで処理したあと化合物(31)と反応させて化合物(1H)を合成する。
化合物(28)を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元して化合物(32)を得る。これを臭化水素酸などでハロゲン化して化合物(33)を得る。炭酸カリウムなどの存在下で、化合物(33)を化合物(25)と反応させて化合物(1J)を合成する。
化合物(32)の代わりに化合物(29)を用いて、項(IX)の方法に従って化合物(1K)を合成する。
J. Am. Chem. Soc., 2001, 123, 5414.に記載された方法に従い、ジケトン(−COCO−)をフッ化水素触媒の存在下、四フッ化硫黄でフッ素化して−(CF2)2−を有する化合物を得る。
化合物(38)〜(41)において、Q1またはQ2は式(1)の構造単位である。構造単位はスキームに示した。これらの化合物におけるRa、Rb、A1〜A4、Z2〜Z4、m、n、q、rの記号の定義は、項[1]に記載した記号の定義と同一である。
化合物(38)および(42)〜(44)において、Q1またはQ2は式(1)の構造単位である。構造単位はスキームに示した。これらの化合物におけるRa、Rb、A1〜A4、Z2〜Z4、m、n、q、rの記号の定義は、項[1]に記載した記号の定義と同一である。
以下、本発明の液晶組成物について説明をする。この液晶組成物の成分は、少なくとも一つの化合物(1)を含むことを特徴とする。この組成物は、化合物(1)を2つ以上含んでいてもよく、化合物(1)のみから構成されていてもよい。また本発明の液晶組成物を調製するときには、例えば、化合物(1)の誘電率異方性を考慮して成分を選択することもできる。成分を選択した液晶組成物は、粘度が低く、適切な誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低い。
本発明の液晶組成物は、化合物(1)を成分Aとして含む必要がある。この成分Aのみの組成物、または成分Aと本明細書中で特に成分名を示していないその他の成分との組成物でもよいが、この成分Aに以下に示す成分B、C、D、およびEから選ばれた成分を加えることにより種々の特性を有する液晶組成物が提供できる。
上記成分Bのうち、式(2)で示される化合物の好適例として化合物(2−1)〜(2−16)を挙げることができ、式(3)で示される化合物の好適例として化合物(3−1)〜(3−112)を挙げることができ、式(4)で示される化合物の好適例として化合物(4−1)〜(4−54)を挙げることができる。
これらの式(2)〜(4)で示される化合物すなわち成分Bは、誘電率異方性が正であり、熱安定性や化学的安定性が非常に優れているので、TFT用およびPSA用の液晶組成物を調製する場合に用いられる。本発明の液晶組成物における成分Bの含有量は、液晶組成物の全重量に対して1〜99重量%の範囲が適するが、好ましくは10〜97重量%、より好ましくは40〜95重量%である。また式(12)〜(14)で表される化合物(成分E)をさらに含有させることにより粘度調整をすることができる。
式(5)で示される化合物すなわち成分Cのうちの好適例として、式(5−1)〜(5−64)を挙げることができる。
式(5)において、oが2のとき、2つの環C2は、同じであっても、異なっていてもよい。
これらの式(5)で示される化合物すなわち成分Cは、誘電率異方性が正でその値が非常に大きいのでSTN用、TN用またはPSA用の液晶組成物を調製する場合に主として用いられる。この成分Cを含有させることにより、組成物のしきい値電圧を小さくすることができる。また、粘度の調整、屈折率異方性の調整および液晶相の温度範囲を広げることができる。さらに急峻性の改良にも利用できる。
この式(6)〜(11)で示される化合物(成分D)の好適例として、それぞれ式(6−1)〜(6−6)、(7−1)〜(7−15)、(8−1)、(9−1)〜(9−3)、(10−1)〜(10−11)、および(11−1)〜(11−10)を挙げることができる。
これら成分Dの化合物は主として誘電率異方性が負であるVAモ−ド、PSAモード用の液晶組成物に用いられる。その含有量を増加させると組成物のしきい値電圧が低くなるが、粘度が大きくなるので、しきい値電圧の要求を満足している限り含有量を少なくすることが好ましい。しかしながら、誘電率異方性の絶対値が5程度であるので、充分な電圧駆動をさせるには、含有量が40重量%以上であることが好ましい。
式(12)〜(14)で表される化合物(成分E)は、誘電率異方性の絶対値が小さく、中性に近い化合物である。式(12)で表される化合物は主として粘度の調整または屈折率異方性を調整する効果があり、また式(13)および(14)で表される化合物は透明点を高くするなどのネマチック相の温度範囲を広げる効果、または屈折率異方性を調整する効果がある。
本発明に係る液晶組成物は、例えば、各成分を構成する化合物が液体の場合には、それぞれの化合物を混合することにより、また固体を含む場合には、それぞれの化合物を混合し、加熱溶解によってお互い液体にしてから振とうさせることにより調製することができる。また、本発明に係る液晶組成物はその他の公知の方法により調製することも可能である。
本発明に係る液晶組成物では、ネマチック相の上限温度を70℃以上とすること、ネマチック相の下限温度は−20℃以下とすることができ、ネマチック相の温度範囲が広い。したがって、この液晶組成物を含む液晶表示素子は広い温度領域で使用することが可能である。
また、本発明に係る液晶組成物では、通常、−5.0〜−2.0の範囲の誘電率異方性、好ましくは、−4.5〜−2.5の範囲の誘電率異方性を有する液晶組成物を得ることができる。−4.5〜−2.5の範囲の誘電率異方性を有する液晶組成物は、IPSモード、VAモード、またはPSAモードで動作する液晶表示素子として好適に使用することができる。
本発明に係る液晶組成物は、PCモード、TNモード、STNモード、OCBモード、PSAモード等の動作モードを有し、AM方式で駆動する液晶表示素子だけでなく、PCモード、TNモード、STNモード、OCBモード、VAモード、IPSモード等の動作モードを有しパッシブマトリクス(PM)方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。
また、本発明に係る液晶組成物は、導電剤を添加させた液晶組成物を用いたDS(dynamic scattering)モード素子や、液晶組成物をマイクロカプセル化して作製したNCAP(nematic curvilineaRaligned phase)素子や、液晶組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたPD(polymer dispersed)素子、例えばPN(polymer network)素子にも使用できる。
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例によっては制限されない。なお特に断りのない限り、「%」は「重量%」である。
測定装置は、DRX−500(ブルカーバイオスピン(株)社製)を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、CDCl3等のサンプルが可溶な重水素化溶媒に溶解し、室温で、500MHz、積算回数32回の条件で行った。なお、得られた核磁気共鳴スペクトルの説明において、sはシングレット、dはダブレット、tはトリプレット、qはカルテット、quinはクインテット、sexはセクステット、mはマルチプレット、brはブロードであることを意味する。また、化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としてはテトラメチルシラン(TMS)を用いた。
液晶性化合物の物性値を測定する試料としては、化合物そのものを試料とする場合、化合物を母液晶と混合して試料とする場合の2つの方法を用いた。
)/〈液晶性化合物の重量%〉
液晶性化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、スメクチック相、または結晶が25℃で析出する場合には、液晶性化合物と母液晶との割合を10重量%:90重量%、5重量%:95重量%、1重量%:99重量%の順に変更をしていき、スメクチック相、または結晶が25℃で析出しなくなった割合で試料の物性値を測定した。
物性値の測定は後述する方法で行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格(Standard of Electric Industries Association of Japan)EIAJ・ED−2521Aに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。また、測定に用いたTN素子またはVA素子には、TFTを取り付けなかった。
以下(1)、および(2)の方法で測定を行った。
(1)偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート(メトラー社FP−52型ホットステージ)に試料を置き、3℃/分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。
(2)パーキンエルマー社製走査熱量計DSC−7システム、またはDiamond DSCシステムを用いて、3℃/分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め(on set)、転移温度を決定した。
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート(メトラー社FP−82型ホットステージ)に、試料(液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物)を置き、1℃/分の速度で加熱しながら偏光顕微鏡を観察した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度をネマチック相の上限温度とした。以下、ネマチック相の上限温度を、単に「上限温度」と略すことがある。
母液晶と液晶性化合物とを、液晶性化合物が、20重量%、15重量%、10重量%、5重量%、3重量%、および1重量%の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れる。このガラス瓶を、−10℃または−20℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相のドメインが発生しているかどうか観察をした。
測定は、E型回転粘度計を用いた。
測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が20μmのVA素子に試料(液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物)を入れた。この素子に30ボルトから50ボルトの範囲で1ボルト毎に段階的に印加した。0.2秒の無印加のあと、ただ1つの矩形波(矩形パルス;0.2秒)と無印加(2秒)の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流(transient current)のピーク電流(peak current)とピーク時間(peak time)を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、40頁の計算式(8)とから回転粘度の値を得た。なお、この計算に必要な誘電率異方性は、下記誘電率異方性で測定した値を用いた。
測定は、25℃の温度下で、波長589nmの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料(液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物)を主プリズムに滴下した。屈折率(n‖)は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率(n⊥)は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性(Δn)の値は、Δn=n‖−n⊥の式から計算した。
誘電率異方性は以下の方法によって測定した。
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン(0.16mL)のエタノール(20mL)溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、150℃で1時間加熱した。2枚のガラス基板から、間隔(セルギャップ)が20μmであるVA素子を組み立てた。
測定に用いたTN素子はポリイミド配向膜を有し、そして2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)は6μmである。この素子は試料(液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物)を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このTN素子にパルス電圧(5Vで60マイクロ秒)を印加して充電した。減衰する電圧を、高速電圧計で16.7ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Aを求めた。面積Bは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Bに対する面積Aの百分率(%)で表現した。
測定には株式会社東陽テクニカ製のEC−1型弾性定数測定器を用いた。2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が20μmである垂直配向セルに試料を入れた。このセルに20ボルトから0ボルト電荷を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。測定した静電容量(C)と印加電圧(V)の値を『液晶デバイスハンドブック』(日刊工業新聞社)、75頁にある式(2.98)、式(2.101)を用いてフィッティングし、式(2.100)から弾性定数の値を得た。
窒素雰囲気下、4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−シクロヘキセン−1−オール(r−1) 2.4gをTHF50mLに溶解させ、氷冷下60%水素化ナトリウム0.52gを加え室温にて1時間撹拌した。そこへヨウ化ナトリウム2.3gとTHF30mLに溶解した(トランス4−ペンチルシクロヘキシル)ブロモメタン(r−2)3.2gを加え加熱環流下8時間撹拌した。反応液を水中へ注ぎ込み、トルエンで抽出した。合わせた有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:トルエン=1:1(容量比))により精製し、さらにヘプタン:ソルミックスA−11(日本アルコール販売株式会社;登録商標)=1:2(容量比)の混合溶媒からの再結晶により精製し、6−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−3−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)メトキシシクロヘキセン[化合物(1−3−1−18)] 0.15gを得た。
転移温度 :Cr 16.2 SmB 127 Iso.
窒素雰囲気下、4−(4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−2−シクロヘキセノン(r−3) 3.0gをTHF50mLに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドTHF溶液(1M/L)11.4mLを滴下し、50℃で30分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:酢酸エチル=7:3(容量比))による分取操作で精製し、4−(4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−2−シクロヘキセン−1−オール[化合物(r−4)] 2.68gを得た。
窒素雰囲気下、化合物(r−4)2.68gをジクロロメタン70mLとアセトニトリル70mLからなる混合溶媒へ溶解させそこへトリエチルシラン1.65gを加えた後、−50℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体 12.3gを滴下し−78℃にて30分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン)による分取操作で精製し、さらにヘプタン:ソルミックスA−11(日本アルコール販売株式会社;登録商標)=1:2(容量比)の混合溶媒からの再結晶により精製し、乾燥させ、3−(4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−6−ペンチルシクロヘキセン[化合物(1−2−1−4)] 1.11gを得た。
転移温度 :Cr 14.4 SmB 218.4 Iso.
TNI=159.7 ℃,Δε=0.40,Δn=0.077.
窒素雰囲気下、4−(4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−2−シクロヘキセノン(r−4) 4.0gをTHF50mLに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドTHF溶液(1M/L)15.8mLを滴下し、50℃で30分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:酢酸エチル=7:3(容量比))による分取操作で精製し、4−(4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−2−シクロヘキセン−1−オール[化合物(r−6)] 3.95gを得た。
窒素雰囲気下、化合物(r−6)3.95gをジクロロメタン70mLとアセトニトリル70mLとの混合溶媒へ溶解させそこへトリエチルシラン1.83gを加えた後、−50℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体 1.94gを滴下し−78℃にて30分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン)による分取操作で精製し、さらに酢酸エチルからの再結晶により精製し、乾燥させ、3−(4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−6−ペンチルシクロヘキセン[化合物(1−2−1−1)] 1.44gを得た。
転移温度 :Cr 16.1 SmB 214.6 Iso.
TNI=167.7 ℃,Δε=−0.30,Δn=0.077.
窒素雰囲気下、4−(4−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−2−シクロヘキセノン(r−7) 4.0gをTHF50mLに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドTHF溶液(1M/L)16.8mLを滴下し、50℃で30分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:酢酸エチル=7:3(容量比))による分取操作で精製し、4−(4−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−2−シクロヘキセン−1−オール[化合物(r−6)] 3.83gを得た。
窒素雰囲気下、化合物(r−8)3.83gをジクロロメタン70mLとアセトニトリル70mLとの混合溶媒へ溶解させそこへトリエチルシラン1.85gを加えた後、−50℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体 1.80gを滴下し−78℃にて30分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン)による分取操作で精製し、さらに酢酸エチルからの再結晶により精製し、乾燥させ、3−(4−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−6−ペンチルシクロヘキセン[化合物(1−2−1−6)] 1.40gを得た。
転移温度 :Cr −14.3 SmB 194.5 Iso.
TNI=145.7 ℃,Δε=−0.37,Δn=0.064.
窒素雰囲気下、4−(4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−2−シクロヘキセノン(r−9) 4.0gをTHF50mLに溶解させ、そこへ室温にてブチルマグネシウムブロミドTHF溶液(1M/L)14.5mLを滴下し、50℃で30分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:酢酸エチル=7:3(容量比))による分取操作で精製し、4−(4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ブチル−2−シクロヘキセン−1−オール[化合物(r−10)] 4.70gを得た。
窒素雰囲気下、化合物(r−10)4.70gをジクロロメタン70mLとアセトニトリル70mLとの混合溶媒へ溶解させそこへトリエチルシラン2.11gを加えた後、−50℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体 2.06gを滴下し−78℃にて30分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン)による分取操作で精製し、さらに酢酸エチルからの再結晶により精製し、乾燥させ、3−(4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−6−ブチルシクロヘキセン[化合物(1−2−1−10)] 2.04gを得た。
転移温度 :Cr 7.6 SmB 223.4 Iso.
TNI=160.7 ℃,Δε=1.80,Δn=0.067.
窒素雰囲気下、4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−シクロヘキセノン(r−11) 5.0gをTHF50mLに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドTHF溶液(1M/L)27.2mLを滴下し、50℃で30分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:酢酸エチル=7:3)による分取操作で精製し、4−(4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−2−シクロヘキセン−1−オール[化合物(r−12)] 6.56gを得た。
窒素雰囲気下、化合物(r−12)6.56gをジクロロメタン100mLとアセトニトリル100mLとの混合溶媒へ溶解させ、そこへトリエチルシラン3.91gを加えた後、−50℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体 4.13gを滴下し−78℃にて30分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン)による分取操作で精製し、さらに酢酸エチルからの再結晶により精製し、乾燥させ、3−(4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−6−ペンチルシクロヘキセン[化合物(1−1−1−3)] 1.11gを得た。
転移温度 :Cr −13.0 SmB 26.7 Iso.
TNI=13.0 ℃,Δε=−2.03,Δn=0.024.
窒素雰囲気下、4−(トランス−4−(メトキシフェニル)シクロヘキシル)−2−シクロヘキセノン(r−13) 4.00gをTHF60mLに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドTHF溶液(1M/L)17.0mLを滴下し、50℃で30分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:酢酸エチル=7:3)による分取操作で精製し、4−(トランス−4−(4−メトキシフェニル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−2−シクロヘキセン−1−オール[化合物(r−14)] 4.73gを得た。
窒素雰囲気下、化合物(r−14)4.73gをジクロロメタン80mLとアセトニトリル80mLとの混合溶媒へ溶解させ、そこへトリエチルシラン2.47gを加えた後、−50℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体 2.60gを滴下し−78℃にて30分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:トルエン=1:1)による分取操作で精製し、さらにヘプタン:ソルミックス=1/2からの再結晶により精製し、乾燥させ、3−(トランス−4−(2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニル)シクロヘキシル)−6−プロピルシクロヘキセンの合成[化合物(1−2―3−2)] 0.94gを得た。
転移温度 :Cr 53.8 SmB 79.8 N 143.7 Iso.
TNI=134.4 ℃,Δε=3.90,Δn=0.117.
窒素雰囲気下、4−(トランス−4−(2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニル)シクロヘキシル)−2−シクロヘキセノン(r−15) 4.97gをTHF60mLに溶解させ、そこへ室温にてプロピルマグネシウムブロミドTHF溶液(1M/L)18.0mLを滴下し、50℃で30分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:酢酸エチル=6:4)による分取操作で精製し、4−(トランス−4−(2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニル)シクロヘキシル)−1−プロピル−2−シクロヘキセン−1−オール[化合物(r−16)] 3.79gを得た。
窒素雰囲気下、化合物(r−16)3.79gをジクロロメタン70mLとアセトニトリル70mLとの混合溶媒へ溶解させ、そこへトリエチルシラン1.79gを加えた後、−50℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体 1.84gを滴下し−78℃にて30分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:トルエン=7:3)による分取操作で精製し、さらにヘプタン:ソルミックス=1/2からの再結晶により精製し、乾燥させ、3−(トランス−4−(2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニル)シクロヘキシル)−6−プロピルシクロヘキセンの合成[化合物(1−2―3−25)] 1.25gを得た。
転移温度 :Cr 67.4 N 129.1 Iso.
TNI=115.3 ℃,Δε=−5.89,Δn=0.112.
窒素雰囲気下、4−(トランス−4−(2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニル)シクロヘキシル)−2−シクロヘキセノン(r−15) 4.00gをTHF60mLに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドTHF溶液(1M/L)14.4mLを滴下し、50℃で30分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:酢酸エチル=6:4)による分取操作で精製し、4−(トランス−4−(2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニル)シクロヘキシル)−1−ペンチル−2−シクロヘキセン−1−オール[化合物(r−17)] 3.45gを得た。
窒素雰囲気下、化合物(r−17)3.45gをジクロロメタン70mLとアセトニトリル70mLとの混合溶媒へ溶解させ、そこへトリエチルシラン1.50gを加えた後、−50℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体 1.57gを滴下し−78℃にて30分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:トルエン=7:3)による分取操作で精製し、さらにヘプタン:ソルミックス=1/2からの再結晶により精製し、乾燥させ、3−(トランス−4−(2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニル)シクロヘキシル)−6−ペンチルシクロヘキセンの合成[化合物(1−2―3−26)] 1.12gを得た。
転移温度 :Cr 52.2 N 126.5 Iso.
TNI=113.3 ℃,Δε=−5.60,Δn=0.105.
窒素雰囲気下、3−(トランス−4−((2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニルオキシ)メチル)シクロヘキシル)−2−シクロヘキセノン(r−17) 4.0gをTHF60mLに溶解させ、そこへ室温にてプロピルマグネシウムブロミドTHF溶液(1M/L)13.0mLを滴下し、50℃で30分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:酢酸エチル=6:4)による分取操作で精製し、3−(トランス−4−((2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニルオキシ)メチル)シクロヘキシル)−6−プロピル−6−ヒドロキシシクロヘキセン[化合物(r−18)] 3.16gを得た。
窒素雰囲気下、化合物(r−18)3.16gをジクロロメタン70mLとアセトニトリル70mLとの混合溶媒へ溶解させ、そこへトリエチルシラン1.35gを加えた後、−50℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体 1.42gを滴下し−78℃にて30分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:トルエン=6:4)による分取操作で精製し、さらにヘプタン:ソルミックス=1/4からの再結晶により精製し、乾燥させ、3−(トランス−4−((2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニルオキシ)メチル)シクロヘキシル)−6−プロピルシクロヘキセン[化合物(1−2―3−41)] 1.09gを得た。
転移温度 :Cr 46.1 N 108.1 Iso.
TNI=103.9 ℃,Δε=−7.49,Δn=0.105.
窒素雰囲気下、3−(トランス−4−((2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニルオキシ)メチル)シクロヘキシル)−2−シクロヘキセノン(r−17) 4.00gをTHF60mLに溶解させ、そこへ室温にてペンチルマグネシウムブロミドTHF溶液(1M/L)13.2mLを滴下し、50℃で30分撹拌した後、室温にて終夜撹拌した。氷冷下飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下し、酢酸エチルで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:酢酸エチル=6:4)による分取操作で精製し、3−(トランス−4−((2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニルオキシ)メチル)シクロヘキシル)−6−ペンチル−6−ヒドロキシシクロヘキセン[化合物(r−19)] 1.99gを得た。
窒素雰囲気下、化合物(r−19)1.99gをジクロロメタン70mLとアセトニトリル70mLとの混合溶媒へ溶解させ、そこへトリエチルシラン0.80gを加えた後、−50℃にてトリフルオロボラン−ジエチルエーテル錯体 0.84gを滴下し−78℃にて30分撹拌した後室温にて一時間撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を滴下し反応を停止し、ジクロロメタンで抽出後有機層を合わせ、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水にて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧流去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘプタン:トルエン=7:3)による分取操作で精製し、さらにヘプタン:ソルミックス=1/4からの再結晶により精製し、乾燥させ、3−(トランス−4−((2,3−ジフルオロ−4−エトキシフェニルオキシ)メチル)シクロヘキシル)−6−ペンチルシクロヘキセン[化合物(1−2―3−42)] 0.45gを得た。
転移温度 :Cr1 29.2 Cr2 32.1 N 107.2 Iso.
TNI=99.3 ℃,Δε=−7.46,Δn=0.102.
(低温相溶性)
比較化合物として、特開平9−110734に開示の化合物25であるトランス−4−(トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−ペンチルシクロヘキサン(Ex−1)を合成した。
上限温度(TNI)=71.7℃;粘度(η20)=27.0mPa・s;光学異方性(Δn)=0.137;誘電率異方性(Δε)=11。
母液晶iを用い、実施例5で得られた3−(4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−6−ペンチルシクロヘキセン(化合物1−2−1−10)を−20℃、30日間冷却し低温相溶性を測定した。その結果5重量%以下の濃度でネマチック相を維持していた。
(低温相溶性)
比較化合物として、特開平9−110734に開示の化合物12であるトランス−4−(トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−ペンチルシクロヘキサン(Ex−2)を合成した。
母液晶iを用い、実施例4で得られた3−(4−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)シクロヘキシル)−6−ペンチルシクロヘキセン(化合物1−2−1−6)を−20℃、30日間冷却し、低温相溶性を測定した。その結果5重量%以下の濃度でネマチック相を維持していた。
転移温度 :C 66.9 SB 79.9 N 185.1 Iso.
上限温度(TNI)=74.6℃;粘度(η20)=18.9mPa・s;光学異方性(Δn)=0.087;誘電率異方性(Δε)=−1.3.
母液晶iiを用い、実施例8で得られた3−(トランス−4−(2,3−ジフルオロ−4−エチルオキシフェニル)シクロヘキシル)−6−プロピルシクロヘキセン(化合物1−2−3−25)の−10℃、30日間での低温相溶性を測定した。その結果10重量%以下の濃度でネマチック相を維持していた。
以下、本発明で得られる液晶組成物を実施例により詳細に説明する。なお、実施例で用いる液晶性化合物は、下記表の定義に基づいて記号により表す。なお、表中、1,4−シクロへキシレンの立体配置はトランス配置である。各化合物の割合(百分率)は、特に断りのない限り、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率(重量%)である。各実施例の最後に得られた液晶組成物の特性値を示す。
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、1℃/分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。以下、ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略することがある。
ネマチック相を有する試料を0℃、−10℃、−20℃、−30℃、および−40℃のフリーザー中に10日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−20℃ではネマチック相のままであり、−30℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、TCを≦−20℃と記載した。以下、ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
波長が589nmの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により測定した。まず、主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。そして、偏光の方向がラビングの方向と平行であるときの屈折率(n‖)、および偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときの屈折率(n⊥)を測定した。光学異方性の値(Δn)は、(Δn)=(n‖)−(n⊥)の式から算出した。
測定にはE型粘度計を用いた。
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン(0.16mL)のエタノール(20mL)溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、150℃で1時間加熱した。2枚のガラス基板から、間隔(セルギャップ)が20μmであるVA素子を組み立てた。
誘電率異方性の値は、Δε=ε‖−ε⊥の式から計算した。
この値が負である組成物が、負の誘電率異方性を有する組成物である。
ポリイミド配向膜を有し、そして2枚のガラス基板の間隔(セルギャップ)が6μmであるセルに試料を入れてTN素子を作製した。25℃において、このTN素子にパルス電圧(5Vで60マイクロ秒)を印加して充電した。TN素子に印加した電圧の波形を陰極線オシロスコープで観測し、単位周期(16.7ミリ秒)における電圧曲線と横軸との間の面積を求めた。TN素子を取り除いたあと印加した電圧の波形から同様にして面積を求めた。電圧保持率(%)の値は、(電圧保持率)=(TN素子がある場合の面積値)/(TN素子がない場合の面積値)×100の値から算出した。
3−HCx−5 (1−1−1−3) 6%
4−HHCx−5 (1−2−1−4) 3%
2−BEB(F)−C (5−14) 5%
3−BEB(F)−C (5−14) 4%
4−BEB(F)−C (5−14) 6%
1V2−BEB(F,F)−C (5−15) 16%
3−HB−O2 (12−5) 10%
3−HH−4 (12−1) 3%
3−HHB−F (3−1) 3%
3−HHB−1 (13−1) 8%
3−HHB−O1 (13−1) 4%
3−HBEB−F (3−37) 4%
3−HHEB−F (3−10) 7%
5−HHEB−F (3−10) 4%
3−H2BTB−2 (13−17) 4%
3−H2BTB−3 (13−17) 4%
3−H2BTB−4 (13−17) 4%
3−HB(F)TB−2 (13−18) 5%
NI=87.3℃;Δn=0.134;Δε=25.6;Vth=1.06V.
5−HHCx−3 (1−2−1−2) 3%
3−HCxO1H−5 (1−3−1−18) 3%
2−HB−C (5−1) 5%
3−HB−C (5−1) 12%
3−HB−O2 (12−5) 15%
2−BTB−1 (12−10) 3%
3−HHB−F (3−1) 4%
3−HHB−1 (13−1) 4%
3−HHB−O1 (13−1) 5%
3−HHB−3 (13−1) 14%
3−HHEB−F (3−10) 4%
5−HHEB−F (3−10) 4%
2−HHB(F)−F (3−2) 5%
3−HHB(F)−F (3−2) 7%
5−HHB(F)−F (3−2) 7%
3−HHB(F,F)−F (3−3) 5%
NI=102.5℃;Δn=0.099;Δε=4.3;Vth=2.66V;η=18.7mPa・s.
2−HHCx−3 (1−2−1−5) 3%
3−HCxVH−5 (1−3−1−13) 3%
3−BEB(F)−C (5−14) 8%
3−HB−C (5−1) 8%
V−HB−C (5−1) 8%
1V−HB−C (5−1) 8%
3−HB−O2 (12−5) 3%
3−HH−2V (12−1) 14%
3−HH−2V1 (12−1) 7%
V2−HHB−1 (13−1) 12%
3−HHB−1 (13−1) 5%
3−HHEB−F (3−10) 4%
3−H2BTB−2 (13−17) 6%
3−H2BTB−3 (13−17) 6%
3−H2BTB−4 (13−17) 5%
NI=98.0℃;Δn=0.130;Δε=8.1;Vth=2.23V;η=15.6mPa・s.
上記組成物100部に光学活性化合物(Op−5)を0.25部添加したときのピッチは60.2μmであった。
2−HHCx−5 (1−2−1−6) 3%
3−HHCx−5 (1−2−1−1) 3%
5−BEB(F)−C (5−14) 4%
V−HB−C (5−1) 11%
5−PyB−C (5−9) 6%
4−BB−3 (12−8) 11%
3−HH−2V (12−1) 10%
5−HH−V (12−1) 11%
V−HHB−1 (13−1) 7%
V2−HHB−1 (13−1) 15%
3−HHB−1 (13−1) 4%
1V2−HBB−2 (13−4) 10%
3−HHEBH−3 (14−6) 5%
NI=92.6℃;Δn=0.114;Δε=4.3;Vth=2.51V;η=15.5mPa・s.
1−BHCx−3 (1−2−3−4) 4%
3−CxHVH−5 (1−2−1−20) 4%
1V2−BEB(F,F)−C (5−15) 3%
3−HB−C (5−1) 18%
2−BTB−1 (12−10) 10%
5−HH−VFF (−) 30%
3−HHB−1 (13−1) 4%
VFF−HHB−1 (−) 3%
VFF2−HHB−1 (−) 11%
3−H2BTB−2 (13−17) 5%
3−H2BTB−3 (13−17) 4%
3−H2BTB−4 (13−17) 4%
NI=90.2℃;Δn=0.129;Δε=4.2;Vth=2.79V;η=11.8mPa・s.
3−HCx−5 (1−1−1−3) 5%
3−HHCx−2V (1−2−1−9) 3%
5−HB−CL (2−1) 16%
3−HH−4 (12−1) 12%
3−HH−5 (12−1) 4%
3−HHB−F (3−1) 4%
3−HHB−CL (3−1) 3%
4−HHB−CL (3−1) 4%
3−HHB(F)−F (3−2) 10%
4−HHB(F)−F (3−2) 9%
5−HHB(F)−F (3−2) 5%
7−HHB(F)−F (3−2) 4%
5−HBB(F)−F (3−23) 4%
1O1−HBBH−5 (14−1) 3%
3−HHBB(F,F)−F (4−6) 2%
4−HHBB(F,F)−F (4−6) 3%
5−HHBB(F,F)−F (4−6) 3%
3−HH2BB(F,F)−F (4−15) 3%
4−HH2BB(F,F)−F (4−15) 3%
NI=111.9℃;Δn=0.089;Δε=3.2;Vth=2.69V;η=17.6mPa・s.
2−HHCx−3 (1−2−1−5) 3%
5−HHCx−3 (1−2−1−2) 3%
3−HHB(F,F)−F (3−3) 9%
3−H2HB(F,F)−F (3−15) 8%
4−H2HB(F,F)−F (3−15) 8%
5−H2HB(F,F)−F (3−15) 8%
3−HBB(F,F)−F (3−24) 21%
5−HBB(F,F)−F (3−24) 20%
3−H2BB(F,F)−F (3−27) 7%
5−HHBB(F,F)−F (4−6) 3%
5−HHEBB−F (4−17) 2%
3−HH2BB(F,F)−F (4−15) 3%
1O1−HBBH−4 (14−1) 2%
1O1−HBBH−5 (14−1) 3%
NI=98.0℃;Δn=0.111;Δε=8.6;Vth=1.80V.
4−HHCx−5 (1−2−1−4) 4%
3−HCxO1H−5 (1−3−1−18) 4%
5−HB−F (2−1) 10%
6−HB−F (2−1) 9%
7−HB−F (2−1) 7%
2−HHB−OCF3 (3−1) 7%
3−HHB−OCF3 (3−1) 7%
4−HHB−OCF3 (3−1) 7%
5−HHB−OCF3 (3−1) 5%
3−HH2B−OCF3 (3−4) 4%
5−HH2B−OCF3 (3−4) 4%
3−HHB(F,F)−OCF2H (3−3) 4%
3−HHB(F,F)−OCF3 (3−3) 5%
3−HH2B(F)−F (3−5) 3%
3−HBB(F)−F (3−23) 5%
5−HBB(F)−F (3−23) 10%
5−HBBH−3 (14−1) 2%
3−HB(F)BH−3 (14−2) 3%
NI=91.8℃;Δn=0.090;Δε=3.9;Vth=2.70V;η=15.4mPa・s.
2−HHCx−5 (1−2−1−6) 3%
3−HHCx−5 (1−2−1−1) 3%
5−HB−CL (2−2) 11%
3−HH−4 (12−1) 8%
3−HHB−1 (13−1) 3%
3−HHB(F,F)−F (3−3) 8%
3−HBB(F,F)−F (3−24) 20%
5−HBB(F,F)−F (3−24) 15%
3−HHEB(F,F)−F (3−12) 10%
4−HHEB(F,F)−F (3−12) 3%
5−HHEB(F,F)−F (3−12) 3%
2−HBEB(F,F)−F (3−39) 3%
3−HBEB(F,F)−F (3−39) 4%
5−HBEB(F,F)−F (3−39) 3%
3−HHBB(F,F)−F (4−6) 3%
NI=79.9℃;Δn=0.099;Δε=8.0;Vth=1.57V;η=21.2mPa・s.
3−HCxVH−5 (1−3−1−13) 3%
1−BHCx−3 (1−2−3−4) 3%
3−HB−CL (2−2) 2%
5−HB−CL (2−2) 4%
3−HHB−OCF3 (3−2) 5%
3−H2HB−OCF3 (3−13) 5%
5−H4HB−OCF3 (3−19) 15%
V−HHB(F)−F (3−2) 5%
3−HHB(F)−F (3−2) 5%
5−HHB(F)−F (3−2) 5%
3−H4HB(F,F)−CF3 (3−21) 8%
5−H4HB(F,F)−CF3 (3−21) 10%
5−H2HB(F,F)−F (3−15) 5%
5−H4HB(F,F)−F (3−21) 7%
2−H2BB(F)−F (3−26) 5%
3−H2BB(F)−F (3−26) 8%
3−HBEB(F,F)−F (3−39) 5%
NI=80.2℃;Δn=0.098;Δε=8.0;Vth=2.00V;η=26.9mPa・s.
4−HHCx−5 (1−2−1−4) 2%
3−CxHVH−5 (1−2−1−20) 4%
5−HB−CL (2−2) 17%
7−HB(F,F)−F (2−4) 3%
3−HH−4 (12−1) 10%
3−HH−5 (12−1) 5%
3−HB−O2 (12−5) 15%
3−HHB−1 (13−1) 8%
3−HHB−O1 (13−1) 5%
2−HHB(F)−F (3−2) 7%
3−HHB(F)−F (3−2) 7%
5−HHB(F)−F (3−2) 7%
3−HHB(F,F)−F (3−3) 6%
3−H2HB(F,F)−F (3−15) 2%
4−H2HB(F,F)−F (3−15) 2%
NI=79.3℃;Δn=0.076;Δε=2.3;Vth=2.39V;η=14.0mPa・s.
3−CxHVH−5 (1−2−1−20) 3%
3−HHCx−2V (1−2−1−9) 3%
5−HB−CL (2−2) 3%
7−HB(F)−F (2−3) 7%
3−HH−4 (12−1) 9%
3−HH−EMe (12−2) 20%
3−HHEB−F (3−10) 8%
5−HHEB−F (3−10) 8%
3−HHEB(F,F)−F (3−12) 10%
4−HHEB(F,F)−F (3−12) 5%
4−HGB(F,F)−F (3−103) 5%
5−HGB(F,F)−F (3−103) 6%
2−H2GB(F,F)−F (3−106) 4%
3−H2GB(F,F)−F (3−106) 5%
5−GHB(F,F)−F (3−109) 4%
NI=88.1℃;Δn=0.066;Δε=4.8;Vth=1.80V;η=19.1mPa・s.
5−HHCx−3 (1−2−1−2) 3%
3−HCxO1H−5 (1−3−1−18) 3%
3−HB−O2 (12−5) 10%
5−HB―CL (2−2) 13%
3−HBB(F,F)−F (3−24) 7%
3−PyB(F)−F (2−15) 10%
5−PyB(F)−F (2−15) 10%
3−PyBB−F (3−80) 10%
4−PyBB−F (3−80) 10%
5−PyBB−F (3−80) 10%
5−HBB(F)B−2 (14−5) 7%
5−HBB(F)B−3 (14−5) 7%
NI=95.2℃;Δn=0.180;Δε=7.7;Vth=1.93V.
3−HCx−5 (1−1−1−3) 4%
5−HHCx−3 (1−2−1−2) 3%
3−HH−O1 (12−1) 8%
5−HH−O1 (12−1) 4%
3−HH−4 (12−1) 5%
3−HB(2F,3F)−O2 (6−1) 12%
5−HB(2F,3F)−O2 (6−1) 21%
2−HHB(2F,3F)−1 (7−1) 5%
3−HHB(2F,3F)−1 (7−1) 7%
3−HHB(2F,3F)−O2 (7−1) 11%
5−HHB(2F,3F)−O2 (7−1) 20%
NI=62.4℃;Δn=0.074;η=21.6mPa・s;Δε=−3.9.
3−HHCx−5 (1−2−1−1) 5%
4−HHCx−5 (1−2−1−4) 3%
3−HB−O1 (12−5) 15%
3−HH−4 (12−1) 5%
3−HB(2F,3F)−O2 (6−1) 12%
5−HB(2F,3F)−O2 (6−1) 12%
2−HHB(2F,3F)−1 (7−1) 12%
3−HHB(2F,3F)−1 (7−1) 12%
3−HHB(2F,3F)−O2 (7−1) 8%
5−HHB(2F,3F)−O2 (7−1) 10%
3−HHB−O1 (13−1) 6%
NI=86.9℃;Δn=0.087;Δε=−3.0.
3−CxHB(2F,3F)−O2 (1−2−3−25) 4%
5−CxHB(2F,3F)−O2 (1−2−3−26) 4%
3−HB−O1 (12−5) 15%
3−HH−4 (12−1) 5%
3−HB(2F,3F)−O2 (6−1) 12%
5−HB(2F,3F)−O2 (6−1) 12%
2−HHB(2F,3F)−1 (7−1) 12%
3−HHB(2F,3F)−1 (7−1) 10%
3−HHB(2F,3F)−O2 (7−1) 7%
5−HHB(2F,3F)−O2 (7−1) 13%
3−HHB−1 (13−1) 6%
NI=83.6℃;Δn=0.090;η=36.1mPa・s;Δε=−3.5.
3−CxHB(2F,3F)−O2 (1−2−3−25) 3%
5−CxHB(2F,3F)−O2 (1−2−3−26) 3%
3−HH−4 (12−1) 8%
3−H2B(2F,3F)−O2 (6−4) 22%
5−H2B(2F,3F)−O2 (6−4) 22%
3−HHB(2F,3CL)−O2 (7−12) 3%
5−HHB(2F,3CL)−O2 (7−12) 2%
3−HBB(2F,3F)−O2 (7−7) 7%
5−HBB(2F,3F)−O2 (7−7) 9%
V−HHB−1 (13−1) 6%
3−HHB−3 (13−1) 6%
3−HHEBH−3 (14−6) 3%
3−HHEBH−4 (14−6) 3%
3−HHEBH−5 (14−6) 3%
NI=89.9℃;Δn=0.099;η=28.3mPa・s;Δε=−4.1.
上記組成物100部にOp−05を0.25部添加したときのピッチは60.3μmであった。
3−HCx1OB(2F,3F)−O2 (1−3−2−40) 3%
5−HCx1OB(2F,3F)−O2 (1−3−2−39) 3%
3−HB−O1 (12−5) 15%
3−HH−4 (12−1) 5%
3−HB(2F,3F)−O2 (6−1) 12%
5−HB(2F,3F)−O2 (6−1) 12%
2−HHB(2F,3F)−1 (7−1) 10%
3−HHB(2F,3F)−1 (7−1) 12%
3−HHB(2F,3F)−O2 (7−1) 9%
5−HHB(2F,3F)−O2 (7−1) 13%
6−HEB(2F,3F)−O2 (7−1) 6%
3−HCxB(2F,3F)−O2 (1−3−2−25) 3%
5−HCxB(2F,3F)−O2 (1−3−2−26) 3%
2−HH−5 (12−1) 3%
3−HH−4 (12−1) 15%
3−HH−5 (12−1) 4%
3−HB−O2 (12−5) 12%
3−H2B(2F,3F)−O2 (6−4) 15%
5−H2B(2F,3F)−O2 (6−4) 15%
3−HHB(2F,3CL)−O2 (7−12) 3%
2−HBB(2F,3F)−O2 (7−7) 3%
3−HBB(2F,3F)−O2 (7−7) 5%
5−HBB(2F,3F)−O2 (7−7) 9%
3−HHB−1 (13−1) 3%
3−HHB−3 (13−1) 4%
3−HHB−O1 (13−1) 3%
3−CxH1OB(2F,3F)−O2 (1−2−3−41) 3%
5−CxH1OB(2F,3F)−O2 (1−2−3−42) 3%
3−HB−O1 (12−5) 15%
3−HH−4 (12−1) 5%
3−HB(2F,3F)−O2 (6−1) 12%
5−HB(2F,3F)−O2 (6−1) 12%
2−HHB(2F,3F)−1 (7−1) 12%
3−HHB(2F,3F)−1 (7−1) 10%
3−HHB(2F,3F)−O2 (7−1) 9%
5−HHB(2F,3F)−O2 (7−1) 13%
3−HHB−1 (13−1) 6%
3−CxB(2F,3F)−O2 (1−1−2−25) 3%
5−CxB(2F,3F)−O2 (1−2−2−26) 3%
2−BEB(F)−C (5−14) 3%
3−BEB(F)−C (5−14) 4%
4−BEB(F)−C (5−14) 8%
1V2−BEB(F,F)−C (5−15) 16%
3−HB−O2 (12−5) 10%
3−HH−4 (12−1) 3%
3−HHB−F (3−1) 3%
3−HHB−1 (13−1) 8%
3−HHB−O1 (13−1) 4%
3−HBEB−F (3−37) 4%
3−HHEB−F (3−10) 7%
5−HHEB−F (3−10) 7%
3−H2BTB−2 (13−17) 4%
3−H2BTB−3 (13−17) 4%
3−H2BTB−4 (13−17) 4%
3−HB(F)TB−2 (13−18) 5%
3−HCx1OB(2CF3,3F)−O2
(1−3−2−44) 3%
5−HCx1OB(2CF2H,3F)−O2
(1−3−2−46) 3%
1V2−BEB(F,F)−C (5−15) 5%
3−HB−C (5−1) 18%
2−BTB−1 (12−10) 10%
5−HH−VFF (12−1) 30%
3−HHB−1 (13−1) 4%
VFF−HHB−1 (13−1) 8%
VFF2−HHB−1 (13−1) 6%
3−H2BTB−2 (13−17) 5%
3−H2BTB−3 (13−17) 4%
3−H2BTB−4 (13−17) 4%
3−CxHB(2F,3F)−O2 (1−2−3−25) 3%
5−CxHB(2F,3F)−O2 (1−2−3−26) 3%
2−HB−C (5−1) 5%
3−HB−C (5−1) 12%
3−HB−O2 (12−5) 15%
2−BTB−1 (12−10) 3%
3−HHB−F (3−1) 4%
3−HHB−1 (13−1) 8%
3−HHB−O1 (13−1) 5%
3−HHB−3 (13−1) 14%
3−HHEB−F (3−10) 4%
5−HHEB−F (3−10) 4%
2−HHB(F)−F (3−2) 4%
3−HHB(F)−F (3−2) 4%
5−HHB(F)−F (3−2) 7%
3−HHB(F,F)−F (3−3) 5%
3−CxHB(2F,3F)−O2 (1−2−3−25) 3%
3−HCx1OB(2F,3F)−O2 (1−3−2−40) 3%
5−HB−CL (2−2) 16%
3−HH−4 (12−1) 12%
3−HH−5 (12−1) 4%
3−HHB−F (3−1) 4%
3−HHB−CL (3−1) 3%
4−HHB−CL (3−1) 4%
3−HHB(F)−F (3−2) 5%
4−HHB(F)−F (3−2) 9%
5−HHB(F)−F (3−2) 9%
7−HHB(F)−F (3−2) 8%
5−HBB(F)−F (3−23) 3%
1O1−HBBH−5 (14−1) 3%
3−HHBB(F,F)−F (4−6) 2%
4−HHBB(F,F)−F (4−6) 3%
5−HHBB(F,F)−F (4−6) 3%
3−HH2BB(F,F)−F (4−15) 3%
4−HH2BB(F,F)−F (4−15) 3%
5−HCx1OB(2F,3F)−O2 (1−3−2−39) 3%
3−HCxB(2F,3F)−O2 (1−3−2−25) 3%
5−HB−CL (2−2) 3%
7−HB(F)−F (2−3) 7%
3−HH−4 (12−1) 9%
3−HH−EMe (12−2) 23%
3−HHEB−F (3−10) 8%
5−HHEB−F (3−10) 8%
3−HHEB(F,F)−F (3−12) 6%
4−HHEB(F,F)−F (3−12) 3%
4−HGB(F,F)−F (3−103) 5%
5−HGB(F,F)−F (3−103) 6%
2−H2GB(F,F)−F (3−106) 4%
3−H2GB(F,F)−F (3−106) 5%
5−GHB(F,F)−F (3−109) 7%
Claims (32)
- 式(1)で表される化合物。
式(1)において、RaおよびRbは独立して、水素、ハロゲン、または炭素数1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−CH2−は、−O−、−S−、−CO−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく;A1、A2、A3、およびA4は独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、シクロヘキセン−3,6−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル、またはナフタレン−2,6−ジイルであり、これらの環において、一つの−CH2−は、−O−、−S−、−CO−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は−CH=CH−で置き換えられてもよく、そしてこれらの環において、任意の水素は、ハロゲン、−CF3、−CHF2、−CH2F、−OCF3、−OCHF2、または−OCH2Fで置き換えられてもよく;Z1、Z2、Z3、およびZ4は独立して、単結合または炭素数1〜4のアルキレンであり、このアルキレンにおいて任意の−CH2−は−O−、−S−または−SiH2−で置き換えられてもよく、そして任意の−(CH2)2−は−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく;m、n、qおよびrは独立して、0、1、または2であり、m、n、q、およびrの和は、1、2、3、または4であり;m、n、q、およびrの和が1のとき、RaおよびRbは独立して、水素、ハロゲンまたは炭素数1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−CH2−は、−O−、−S−、−CO−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は−CH=CH−、または−C≡C−で置き換えられてもよく;A1、A2、A3、およびA4は独立して、1,4−シクロヘキシレン、一つ以上の水素がハロゲンで置き換えられた1,4−フェニレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、シクロヘキセン−3,6−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル、またはナフタレン−2,6−ジイルであり、これらの環において、一つの−CH2−は、−O−、−S−、−CO−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は−CH=CH−で置き換えられてもよく、そしてこれらの環において任意の水素は、ハロゲン、−CF3、−CHF2、−CH2F、−OCF3、−OCHF2、または−OCH2Fで置き換えられてもよく;Z1、Z2、Z3、およびZ4は独立して、単結合または炭素数1〜4のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、任意の−CH2−は、−O−、−S−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、そして任意の−(CH2)2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよい。 - 式(1−1)〜式(1−8)で表される請求項1に記載の化合物。
式(1−1)〜式(1−8)において、RaおよびRbは独立して水素、ハロゲンまたは炭素数1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて、任意の−CH2−は、−O−、−S−、−CO−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく;A11、A21、A32、A41、A42、およびA43は独立して、1,4−シクロヘキシレン、シクロヘキセニレン−1,4−ジイル、1,4−フェニレン、シクロヘキン−2,5−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,5−ジイル、またはナフタレン−2,6−ジイルであり、A31は、1,4−シクロヘキシレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、一つ以上の水素がハロゲンで置換された1,4−フェニレン、シクロヘキセン−3,6−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル、またはナフタレン−2,6−ジイルであり、これらの環において、一つの−CH2−は、−O−、−S−、−CO−、または−SiH2−で置き換えられてもよく、任意の−(CH2)2−は、−CH=CH−で置き換えられてもよく、そしてこれらの環において、一つの水素は、ハロゲン、−CF3、−CHF2、−CH2F、−OCF3、−OCHF2、または−OCH2Fで置き換えられてもよく;Z11、Z21、Z31、Z32、Z41、Z42、およびZ43は独立して、単結合または炭素数1〜4のアルキレンであり、このアルキレンにおいて、任意の−CH2−は、−O−、−S−または−SiH2−で置き換えられてもよく、そして任意の−(CH2)2−は−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよい。 - 請求項2に記載の式(1−1)〜式(1−8)において、RaおよびRbが独立して、フッ素、炭素数1から10のアルキル、炭素数2から10のアルケニル、炭素数1から9のアルコキシ、炭素数2から9のアルコキシアルキル、炭素数3から9のアルケニルオキシ、炭素数2から10のポリフルオロアルキル、炭素数1から9のポリフルオロアルコキシ、または炭素数2から10のポリフルオロアルケニルであり;A11、A21、A32、A41、A42、およびA43が独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、シクロヘキセン−3,6−ジイル、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル、またはナフタレン−2,6−ジイルであり、A31が、1,4−シクロヘキシレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、シクロヘキセン−3,6−ジイル、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル、またはナフタレン−2,6−ジイルであり;Z11、Z21、Z31、Z32、Z41、Z42、およびZ43が独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、−OCH2−、−(CH2)4−、−C≡C−、−CH2SiH2−、−SiH2CH2−、−O(CH2)2O−、−CH=CH−CH2O−、または−OCH2−CH=CH−である請求項2に記載の化合物。
- 請求項2に記載の式(1−1)〜式(1−5)において、RaおよびRbが独立して、フッ素、炭素数1〜8のアルキル、炭素数2〜8のアルケニル、炭素数1〜7のアルコキシ、炭素数2〜7のアルコキシアルキル、または炭素数3〜7のアルケニルオキシであり;A21、A32、A41、およびA42が独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、シクロヘキセン−3,6−ジイル、2−フルオロ−1,4−フェニレン、または3−フルオロ−1,4−フェニレンであり、A31が、1,4−シクロヘキシレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、シクロヘキセン−3,6−ジイル、2−フルオロ−1,4−フェニレン、または3−フルオロ−1,4−フェニレンであり;Z21、Z31、Z32、Z41、およびZ42が独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、−OCH2−、−(CH2)4−、または−C≡C−である請求項2に記載の化合物。
- 式(1−1)〜式(1−3)において、RaおよびRbが独立して、炭素数1〜5のアルキル、炭素数2〜5のアルケニル、または炭素数1〜4のアルコキシであり;A21、A31、A32、およびA42が独立して、1,4−シクロヘキシレンであり;Z21、Z31、Z32、およびZ42が独立して、単結合、−(CH2)2−、または−CH=CH−である請求項2に記載の化合物。
- 式(1−1)〜式(1−3)において、A21、A31、A32、およびA42は独立して1,4−シクロヘキシレンであり、Z21、Z31、Z32、およびZ42が単結合である請求項2に記載の化合物。
- 式(1−1)〜式(1−8)で表される請求項1に記載の化合物。
式(1−1)〜式(1−8)において、RaおよびRbは独立して、炭素数1から10のアルキル、炭素数2から10のアルケニル、炭素数1から9のアルコキシ、炭素数2から9のアルコキシアルキル、炭素数3から9のアルケニルオキシ、炭素数2から10のポリフルオロアルキル、炭素数1から9のポリフルオロアルコキシ、または炭素数2から10のポリフルオロアルケニルであり;A11、A21、A31、A32、A41、A42、およびA43は独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、シクロヘキセン−3,6−ジイル、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン、2−(トリフルオロメチル)−3−フルオロ−1,4−フェニレン、2−フルオロ−3−(トリフルオロメチル)−1,4−フェニレン、2−(ジフルオロメチル)−3−フルオロ−1,4−フェニレン、2−フルオロ−3−(ジフルオロメチル)−1,4−フェニレン、2−トリフルオロメチル−1,4−フェニレン、3−トリフルオロメチル−1,4−フェニレン、2−ジフルオロメチル−1,4−フェニレン、3−ジフルオロメチル−1,4−フェニレン、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイルまたはナフタレン−2,6−ジイルであるが、A11、A21、A31、A32、A41、A42、およびA43の少なくとも一つは2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン、2−(トリフルオロメチル)−3−フルオロ−1,4−フェニレン、2−フルオロ−3−(トリフルオロメチル)−1,4−フェニレン、2−(ジフルオロメチル)−3−フルオロ−1,4−フェニレンまたは2−フルオロ−3−(ジフルオロメチル)−1,4−フェニレンであり;Z11、Z21、Z31、Z32、Z41、Z42、およびZ43は独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、−OCH2−、−(CH2)4−、−C≡C−、−CH2SiH2−、−SiH2CH2−、−CH=CH−CH2O−、または−OCH2−CH=CH−である。 - 式(1−1)〜式(1−5)において、RaおよびRbが独立して、フッ素、炭素数1〜8のアルキル、炭素数2〜8のアルケニル、炭素数1〜7のアルコキシ、炭素数2〜7のアルコキシアルキル、または炭素数3〜7のアルケニルオキシであり;A21、A31、A32、A41、およびA42が独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、シクロヘキセン−1,4−ジイル、テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン、2−(トリフルオロメチル)−3−フルオロ−1,4−フェニレン、2−フルオロ−3−(トリフルオロメチル)−1,4−フェニレン、2−(ジフルオロメチル)−3−フルオロ−1,4−フェニレンまたは2−フルオロ−3−(ジフルオロメチル)−1,4−フェニレンであるが、A21、A31、A32、A41、およびA42の少なくとも一つが、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン、2−(トリフルオロメチル)−3−フルオロ−1,4−フェニレン、2−フルオロ−3−(トリフルオロメチル)−1,4−フェニレン、2−(ジフルオロメチル)−3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2−フルオロ−3−(ジフルオロメチル)−1,4−フェニレンであり;Z21、Z31、Z32、Z41、およびZ42が独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、−OCH2−、−(CH2)4−、または−C≡C−である請求項7に記載の化合物。
- 式(1−1)〜式(1−5)において、RaおよびRbが独立して、炭素数1〜5のアルキル、炭素数2〜5のアルケニル、または炭素数1〜4のアルコキシであり;A21、A31、A32、A41、およびA42は独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンであるが、A21、A31、A32、A41、およびA42の少なくとも一つが、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンであり;Z21、Z31、Z32、Z41、およびZ42が独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH2O−、−OCH2−、または−CH=CH−である請求項7に記載の化合物。
- 式(1−1)〜式(1−3)において、A21、A31、A32、およびA42が独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレン、または2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンであるが、A21、A31、A32、およびA42の少なくとも一つが、2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレンであり、Z21、Z31、Z32、およびZ42が、単結合、−CH2O−または−OCH2−である請求項7に記載の化合物。
- 式(1−1−1)〜式(1−1−2)、式(1−2−1)〜式(1−2−4)、式(1−3−1)〜式(1−3−3)、式(1−4−1)〜式(1−4−6)、および式(1−5−1)〜式(1−5−7)のいずれか1つで表される請求項2に記載の化合物。
式(1−1−1)、式(1−2−1)〜式(1−2−4)、式(1−3−1)〜式(1−3−3)、式(1−4−1)〜式(1−4−6)、および式(1−5−1)〜式(1−5−7)において、RaおよびRbは独立して、炭素数2〜10のアルキル、炭素数1〜9のアルコキシ、または炭素数2〜10のアルケニルであり;Z21、Z31、Z32、Z41、およびZ42は独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、−OCH2−、−CF2O−、または−OCF2−であり;X12〜X14、X22〜X24、X32〜X34、およびX42〜X44は独立して、フッ素または水素であり;式(1−1−2)において、R3およびR4は独立して、炭素数1〜10のアルキル、炭素数2〜10のアルケニル、炭素数1〜9のアルコキシ、炭素数2〜9のアルコキシアルキ、または炭素数2〜9のアルケニルオキシであり;X10、X20、X30、およびX40は独立して、水素またはフッ素であり、これらのうち少なくとも1つはフッ素であり;Z31は、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、−OCH2−、−CF2O−、または−OCF2−である。 - 式(1−1−1)、式(1−2−1)、および(1−3−1)において、RaおよびRbが炭素数1〜5のアルキルまたは炭素数2〜5のアルケニルであり;Z21、Z31、Z32、およびZ41が独立して、単結合または−CH=CH−である請求項12に記載の化合物。
- 式(1−1−1)、式(1−2−1)、および(1−3−1)において、RaおよびRbのどちらか一方が炭素数2〜5のアルケニルであり;Z21、Z31,Z32、およびZ41が独立して、単結合または−CH=CH−である請求項12に記載の化合物。
- 式(1−1−1)、式(1−2−1)、および(1−3−1)において、RaおよびRbが炭素数2〜5のアルケニルであり、Z21、Z31、Z32、およびZ41が独立して、単結合または−CH=CH−である請求項12に記載の化合物。
- 式(1−1−2)、式(1−2−2)〜式(1−2−4)、式(1−3−2)、式(1−3−3)、式(1−4−2)〜式(1−4−6)、および式(1−5−2)〜式(1−5−7)のいずれか1つで表される請求項7に記載の化合物。
式(1−1−2)、式(1−2−2)〜式(1−2−4)、式(1−3−2)〜式(1−3−3)、式(1−4−2)〜式(1−4−6)、および式(1−5−2)〜式(1−5−7)において、RaおよびRbは独立して、炭素数2〜10のアルキル、炭素数1〜9のアルコキシ、または炭素数2〜10のアルケニルであり;X10、X20、X12、X22、X13、X23、X14、およびX24は独立して、フッ素または水素であるが、X10とX20、X12とX22、X13とX23、X14とX24のうちの、少なくとも一組は共にフッ素であり;Z21、Z31、Z32、Z41、およびZ42は独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、または−OCH2−である。 - 式(1−1−2)、(1−2−2)〜(1−2−4)、および(1−3−3)のいずれか一つで表される請求項7に記載の化合物。
式(1−1−2)、(1−2−2)〜(1−2−4)、および(1−3−3)において、RaおよびRbは独立して、炭素数1〜8のアルキル、炭素数1〜7のアルコキシ、または炭素数2〜8のアルケニルであり;X10、X20、X12、X22、X13、X23、X14、およびX24は独立して、フッ素または水素であるが、X10とX20、X12とX22、X13とX23、X14とX24のうちの、少なくとも一組は共にフッ素であり;Z21、Z31、Z32、およびZ41が独立して、単結合、−(CH2)2−、−CH=CH−、−CH2O−、または−OCH2−である。 - 式(1−1−2)、式(1−2−3)、および(1−2−4)において、RaおよびRbが、炭素数1〜5のアルキル、炭素数1〜5のアルコキシ、または炭素数2〜5のアルケニルであり;X10、X20、X14、およびX24が、フッ素であり、X13およびX23が独立して、フッ素または水素であり;Z21、Z31,Z32、およびZ41が独立して、単結合、−CH=CH−、−CH2O−、または−OCH2−である請求項17に記載の化合物。
- 式(1−1−2)、式(1−2−3)、および(1−2−4)において、RaおよびRbが、炭素数1〜5のアルキル、炭素数1〜5のアルコキシ、または炭素数2〜5のアルケニルであり;X10、X20、X14、およびX24が、フッ素であり、X13およびX23が独立して、フッ素または水素であり;Z21、Z31,Z32、およびZ41が独立して、単結合、−CH2O−、または−OCH2−である請求項17に記載の化合物。
- 式(1−1−2)、式(1−2−3)、および(1−2−4)において、RaおよびRbが、炭素数1〜5のアルキル、炭素数1〜5のアルコキシ、または炭素数2〜5のアルケニルであり;X10、X20、X14、およびX24が、フッ素であり、X13およびX23が水素であり;Z21、Z31,Z32、およびZ41が独立して、単結合または−CH2O−である請求項17に記載の化合物。
- 請求項1〜請求項20のいずれか1項に記載した少なくとも1つの化合物を含有する液晶組成物。
- 式(2)、(3)、および(4)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する請求項21に記載の液晶組成物。
式(2)〜(4)において、R9は独立して、炭素数1〜10のアルキルまたは炭素数2〜10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−CH2−は−O−で置き換えられてもよく;
X1は、フッ素、塩素、−OCF3、−OCHF2、−CF3、−CHF2、−CH2F、−OCF2CHF2、または−OCF2CHFCF3であり;
環B1、環B2、および環B3は独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、1−テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または3、5−ジフルオロ−1,4−フェニレンであり;
Z7およびZ8は独立して、−(CH2)2−、−(CH2)4−、−COO−、−CF2O−、−OCF2−、−CH=CH−、−C≡C−、−CH2O−、または単結合であり;
L9およびL10は独立して、水素またはフッ素である。 - 式(5)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、請求項21に記載の液晶組成物。
式(5)において、R10は、炭素数1〜10のアルキルまたは炭素数2〜10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−CH2−は−O−で置き換えられてもよく;
X2は−C≡Nまたは−C≡C−C≡Nであり;
環C1、環C2、および環C3は独立して、1,4−シクロヘキシレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4−フェニレン、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、1−テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、またはピリミジン−2,5−ジイルであり;
Z9は、−(CH2)2−、−COO−、−CF2O−、−OCF2−、−C≡C−、−CH2O−、または単結合であり;
L11およびL12は独立して、水素またはフッ素であり;
oは、0、1または2であり、pは0または1であり、oおよびpの和は、0、1、2または3である。 - 式(6)、(7)、(8)、(9)、(10)、および(11)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、請求項21に記載の液晶組成物。
式(6)〜(11)において、R11およびR12は独立して、炭素数1〜10のアルキルまたは炭素数2〜10のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−CH2−は−O−で置き換えられてもよく;
環D1、環D2、環D3、および環D4は独立して、1,4−シクロヘキシレン、1,4−シクロヘキセニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい1,4−フェニレン、6−テトラヒドロピラン−2,5−ジイル、またはデカヒドロ−2,6−ナフタレンであり;
Z10、Z11、Z12、およびZ13は独立して、−(CH2)2−、−COO−、−CH2O−、−OCF2−、−OCF2(CH2)2−、または単結合であり;
L13およびL14は独立して、フッ素または塩素であり;
q、r、s、t、u、およびvは独立して、0または1であり、r、s、t、およびuの和は、1または2である。 - 式(12)、(13)、および(14)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、請求項21に記載の液晶組成物。
式(12)〜(14)において、R13およびR14は独立して、炭素数1〜10のアルキルまたは炭素数2〜10のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、任意の−CH2−は−O−で置き換えられてもよく;
環E1、環E2、および環E3は独立して、1,4−シクロヘキシレン、ピリミジン−2,5−ジイル、1,4−フェニレン、2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン、または2,5−ジフルオロ1,4−フェニレンであり;
Z14およびZ15は独立して、−C≡C−、−COO−、−(CH2)2−、−CH=CH−、または単結合である。 - 請求項23に記載の式(5)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、請求項22に記載の液晶組成物。
- 請求項25記載の式(12)、(13)、および(14)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、請求項22に記載の液晶組成物。
- 請求項25記載の式(12)、(13)、および(14)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、請求項23に記載の液晶組成物。
- 請求項25記載の式(12)、(13)、および(14)で表される化合物の群から選択される少なくとも1つの化合物をさらに含有する、請求項24に記載の液晶組成物。
- 少なくとも1つの光学活性化合物および/または重合可能な化合物をさらに含有する、請求項21〜請求項29のいずれか1項に記載の液晶組成物。
- 少なくとも1つの酸化防止剤および/または紫外線吸収剤をさらに含有する請求項21〜請求項30のいずれか1項に記載の液晶組成物。
- 請求項21〜請求項31のいずれか1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
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