JP2014529513A - Memsデバイス用の結合脚及びセミフレキシブルなアンカリング - Google Patents
Memsデバイス用の結合脚及びセミフレキシブルなアンカリング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014529513A JP2014529513A JP2014528697A JP2014528697A JP2014529513A JP 2014529513 A JP2014529513 A JP 2014529513A JP 2014528697 A JP2014528697 A JP 2014528697A JP 2014528697 A JP2014528697 A JP 2014528697A JP 2014529513 A JP2014529513 A JP 2014529513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mems device
- cantilever
- leg
- anchor area
- length
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 title description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 34
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/04—Networks or arrays of similar microstructural devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0097—Devices comprising flexible or deformable elements not provided for in groups B81B3/0002 - B81B3/0094
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/01—Switches
- B81B2201/012—Switches characterised by the shape
- B81B2201/018—Switches not provided for in B81B2201/014 - B81B2201/016
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0109—Bridges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0118—Cantilevers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0145—Flexible holders
- B81B2203/0172—Flexible holders not provided for in B81B2203/0154 - B81B2203/0163
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/03—Static structures
- B81B2203/0307—Anchors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Description
[発明の要約]
図3A及び図3Bは、一定で均一な圧力が作用した場合の、膜のゆがみのシミュレーション結果を示す(図3A及び図3Bは、単に膜の中心に沿った対称境界条件を使用してシミュレートされた半分のみのモデルを示す)。図3Aでは、補剛(stiffening)スタブはなく、膜のエンドセクションは中央セクションよりも大きくゆがむ。図3Bでは、スタブが加えられ、それらの寸法は、均一なゆがみを得るためにシミュレーションによって最適化した。異なるセミフレキシブルなアンカー機構が、スタブの異なる配置及び寸法によって使用することができる。以下の各実施の記述内にオプションを示す。
セミフレキシブルなアンカーを生成するために、アンカーに平行したスロットが図4に示される実施において使用される。スロットの使用によって剛性が減じられ(充満幅(full-width)アンカーと比較して)、スロット/ビーム/リンクの数及び寸法を変更して、それを調整することができる。図4は、また膜結合の実施も示しており、この場合、膜結合は高周波電極の上部に位置する。結合リンクの幅が広いほど、デバイスはより均一に作動すべきであり、応力の問題は存在しないと考えられる。
これは、図4に示す実施に類似するが、より低い剛性、及びよってより低い動作電圧を得るために、より長いリンクする棒(linking bar)(二重円の内部に示される)を有する。その後の犠牲層の蒸着(sacrificial depositions)の平坦度を改善するために、リンクを拡張することにより生成された隙間は、ダミーのピース(pieces)で満たされる。この場合、膜結合が、RFの上部以外の場所で起こる。この場合、隣接セクションが互いをさらに機械的に助けるので、ホットスイッチ電圧はさらに改善され、また、高周波電極における電圧により、高周波電極に接触する領域が減るので、それぞれのセクションを引き下げる静電力は減じられる。膜リンクの場所及び寸法は、膜の長さ方向において考えられる応力問題を考慮して最良の機械的性能を得るために変更可能である。膜の端部での機械的なリンクにおける補剛スタブがまた図6に示されており、これは最後のリンクを残りのリンク(破線円に2つのみが示されている)よりも幅を広く(より硬い)している。エンドセクションスタブに関する他の可能な形態が図7に示されている。これらのスタブは、個々にあるいは組み合わされて使用可能である。
さらに低い剛性を有するセミフレキシブルなアンカリング機構の異なる実施が図8に示されている。この設計は、図4に示されるものに基づき、ここでは柔軟なセクションが柔軟なアンカー設計(二重円で示される)に加えられる。これらの特別なリンクは、膜がゆがんだときに曲がり、低下された機械的剛性を生成する。この形態は、実施1及び実施2で示すものよりも応力の問題に、より敏感である。図8に示される実施では、そのように加えられたものにリンクする膜はなく、膜セクション間のリンクは、脚の両側におけるセクションの膜に接続する追加の「脚」である。膜の端での機械的なリンクにおける補剛スタブがまた図8に示されている(破線円)。エンドセクションスタブに関する他の可能な形態が図9に示されている。これらのスタブは、個々にあるいは組み合わされて使用可能である。
図10に示される実施は実施2の改訂であり、ここでダミーの金属充填は別のスロットで取り替えられる。このことは、動作電圧を低下させる。図11は、区域でマークされた、実施4に関する補剛(stiffening)エンドスタブの可能な場所を示す。
Claims (20)
- 第1片持ばりと、
第2片持ばりと、
第1片持ばり及び第2片持ばりの両方に連結された一もしくは複数の脚と、ここで一もしくは複数の脚は、また、第1片持ばり及び第2片持ばりの両方から間隔をあけたアンカーエリアに連結される、
を備えたMEMSデバイス。 - 第1片持ばり及び第2片持ばりの両方は、高周波電極及び一もしくは複数の第2電極の上方に配置される、請求項1に記載のMEMSデバイス。
- 一もしくは複数の脚は、高周波電極に垂直に延在する、請求項2に記載のMEMSデバイス。
- 一もしくは複数の脚は、第1片持ばりと第2片持ばりとの間に延在する第1脚と、第1脚からアンカーエリアへ延在する第2脚とを備え、第1脚は、高周波電極に平行であり、第2脚は、高周波電極に垂直である、請求項3に記載のMEMSデバイス。
- 上記アンカーエリアは、それを通って延在する複数のスロットを有する、請求項4に記載のMEMSデバイス。
- アンカーエリアは、対応するスロットに隣接する一もしくは複数のリンクを備える、請求項5に記載のMEMSデバイス。
- アンカーエリアは、一もしくは複数の補剛エンドスタブをさらに備える、請求項6に記載のMEMSデバイス。
- 上記補剛エンドスタブは、第1脚と平行に延在し、リンクよりも大きな長さを有する、請求項7に記載のMEMSデバイス。
- リンクは、第2脚と平行な方向に延在する第1長さを有し、アンカーエリアは、第2脚と平行な方向に延在し第1長さよりも大きな第2長さを有する一もしくは複数の拡張リンクをさらに備える、請求項8に記載のMEMSデバイス。
- スロットは、隣接する補剛エンドスタブ間に存在する、請求項9に記載のMEMSデバイス。
- 第1脚は、高周波電極の上方に配置される、請求項10に記載のMEMSデバイス。
- 第1脚は、一もしくは複数の第2電極の上方に配置される、請求項10に記載のMEMSデバイス。
- 一もしくは複数の脚は、第1片持ばりと第2片持ばりとの間に延在する第1脚と、第1脚からアンカーエリアへ延在する第2脚とを備える、請求項1に記載のMEMSデバイス。
- 上記アンカーエリアは、それを通って延在する複数のスロットを有する、請求項13に記載のMEMSデバイス。
- アンカーエリアは、対応のスロットに隣接する一もしくは複数のリンクを備える、請求項14に記載のMEMSデバイス。
- アンカーエリアは、一もしくは複数の補剛エンドスタブをさらに備える、請求項15に記載のMEMSデバイス。
- 上記補剛エンドスタブは、第1脚と平行に延在しリンクよりも大きな長さを有する、請求項16に記載のMEMSデバイス。
- 上記リンクは、第2脚と平行な方向に延在する第1長さを有し、アンカーエリアは、第2脚と平行な方向に延在し第1長さよりも大きな第2長さを有する一もしくは複数の拡張リンクをさらに備える、請求項17に記載のMEMSデバイス。
- スロットは、隣接する補剛エンドスタブ間に存在する、請求項18に記載のMEMSデバイス。
- アンカーエリアは、第1長さを有する複数のリンクをさらに備え、複数のエンドスタブは第1長さよりも大きな第2長さを有する、請求項1に記載のMEMSデバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161530533P | 2011-09-02 | 2011-09-02 | |
US61/530,533 | 2011-09-02 | ||
PCT/US2012/053699 WO2013033722A1 (en) | 2011-09-02 | 2012-09-04 | Merged legs and semi-flexible anchoring for mems device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014529513A true JP2014529513A (ja) | 2014-11-13 |
JP6084974B2 JP6084974B2 (ja) | 2017-02-22 |
Family
ID=47756960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014528697A Active JP6084974B2 (ja) | 2011-09-02 | 2012-09-04 | Memsデバイス用の結合脚及びセミフレキシブルなアンカリング |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10224164B2 (ja) |
EP (1) | EP2751837B1 (ja) |
JP (1) | JP6084974B2 (ja) |
KR (1) | KR102005808B1 (ja) |
CN (1) | CN103828050B (ja) |
WO (1) | WO2013033722A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11456234B2 (en) | 2018-08-10 | 2022-09-27 | Frore Systems Inc. | Chamber architecture for cooling devices |
US11705298B2 (en) * | 2019-06-22 | 2023-07-18 | Qorvo Us, Inc. | Flexible MEMS device having hinged sections |
US11746002B2 (en) | 2019-06-22 | 2023-09-05 | Qorvo Us, Inc. | Stable landing above RF conductor in MEMS device |
US11667516B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-06-06 | Qorvo Us, Inc. | MEMS device having uniform contacts |
CN114586479A (zh) | 2019-10-30 | 2022-06-03 | 福珞尔系统公司 | 基于mems的气流系统 |
US11510341B2 (en) * | 2019-12-06 | 2022-11-22 | Frore Systems Inc. | Engineered actuators usable in MEMs active cooling devices |
US11796262B2 (en) | 2019-12-06 | 2023-10-24 | Frore Systems Inc. | Top chamber cavities for center-pinned actuators |
JP2023544160A (ja) | 2020-10-02 | 2023-10-20 | フロー・システムズ・インコーポレーテッド | アクティブヒートシンク |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040050675A1 (en) * | 2002-09-17 | 2004-03-18 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | High cycle cantilever MEMS devices |
US7321275B2 (en) * | 2005-06-23 | 2008-01-22 | Intel Corporation | Ultra-low voltage capable zipper switch |
US20090256297A1 (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Spring member for use in a microelectromechanical systems sensor |
US20100116632A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Charles Gordon Smith | Method of using a plurality of smaller mems devices to replace a larger mems device |
US20100187076A1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-07-29 | Analog Devices, Inc. | Micro-electro-mechanical switch beam construction with minimized beam distortion and method for constructing |
JP2010172190A (ja) * | 2002-12-27 | 2010-08-05 | Nippon Signal Co Ltd:The | プレーナ型電磁アクチュエータ |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4893048A (en) * | 1988-10-03 | 1990-01-09 | General Electric Company | Multi-gap switch |
US5235225A (en) * | 1990-08-31 | 1993-08-10 | Northwestern University | Linear electrostatic actuator with means for concatenation |
MY108274A (en) * | 1991-06-18 | 1996-09-30 | Fujitsu Ltd | Seesaw balance type microminiature electromagnetic relay and method of producing the same. |
JPH07254340A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Omron Corp | 電磁継電器 |
US6000280A (en) * | 1995-07-20 | 1999-12-14 | Cornell Research Foundation, Inc. | Drive electrodes for microfabricated torsional cantilevers |
US5856722A (en) * | 1996-01-02 | 1999-01-05 | Cornell Research Foundation, Inc. | Microelectromechanics-based frequency signature sensor |
JPH09231896A (ja) * | 1996-02-20 | 1997-09-05 | Nec Corp | シーソー式電磁継電器 |
CN1108619C (zh) * | 1997-03-07 | 2003-05-14 | 欧姆龙公司 | 电磁继电器 |
US6115231A (en) * | 1997-11-25 | 2000-09-05 | Tdk Corporation | Electrostatic relay |
US6153839A (en) * | 1998-10-22 | 2000-11-28 | Northeastern University | Micromechanical switching devices |
KR100738064B1 (ko) * | 2001-02-27 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 비선형적 복원력의 스프링을 가지는 mems 소자 |
DE60203765T2 (de) * | 2001-08-10 | 2006-01-19 | Tyco Electronics Amp Gmbh | Schaltrelais mit verbesserter Ankerfeder |
JP3651671B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2005-05-25 | 株式会社東芝 | マイクロメカニカルスイッチ及びその製造方法 |
US6531668B1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-11 | Intel Corporation | High-speed MEMS switch with high-resonance-frequency beam |
US6788175B1 (en) | 2001-10-04 | 2004-09-07 | Superconductor Technologies, Inc. | Anchors for micro-electro-mechanical systems (MEMS) devices |
KR100517496B1 (ko) * | 2002-01-04 | 2005-09-28 | 삼성전자주식회사 | 스텝-업 구조를 갖는 외팔보 및 그 제조방법 |
KR100439423B1 (ko) * | 2002-01-16 | 2004-07-09 | 한국전자통신연구원 | 마이크로전자기계 액튜에이터 |
KR100419233B1 (ko) * | 2002-03-11 | 2004-02-21 | 삼성전자주식회사 | 멤스소자 및 그의 제작방법 |
US6686820B1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-02-03 | Intel Corporation | Microelectromechanical (MEMS) switching apparatus |
US7053736B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-05-30 | Teravicta Technologies, Inc. | Microelectromechanical device having an active opening switch |
JP4435691B2 (ja) * | 2002-11-06 | 2010-03-24 | パナソニック株式会社 | 変位検出機能を備えたマイクロアクチュエータ、および当該マイクロアクチュエータを備えた可変形ミラー |
JP4066928B2 (ja) * | 2002-12-12 | 2008-03-26 | 株式会社村田製作所 | Rfmemsスイッチ |
KR100513696B1 (ko) * | 2003-06-10 | 2005-09-09 | 삼성전자주식회사 | 시이소오형 rf용 mems 스위치 및 그 제조방법 |
JP4109182B2 (ja) * | 2003-11-10 | 2008-07-02 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 高周波memsスイッチ |
US8729770B1 (en) * | 2003-12-02 | 2014-05-20 | Adriatic Research Institute | MEMS actuators with combined force and bi-directional rotation |
FR2868591B1 (fr) * | 2004-04-06 | 2006-06-09 | Commissariat Energie Atomique | Microcommutateur a faible tension d'actionnement et faible consommation |
DE102004026654B4 (de) * | 2004-06-01 | 2009-07-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromechanisches HF-Schaltelement sowie Verfahren zur Herstellung |
FR2876995B1 (fr) * | 2004-10-26 | 2007-05-04 | Commissariat Energie Atomique | Microsysteme comportant un pont deformable |
US7312678B2 (en) * | 2005-01-05 | 2007-12-25 | Norcada Inc. | Micro-electromechanical relay |
KR20060092424A (ko) * | 2005-02-17 | 2006-08-23 | 삼성전자주식회사 | 스위치패드 및 그것을 구비한 마이크로 스위치 |
CN1716492A (zh) * | 2005-06-07 | 2006-01-04 | 北京邮电大学 | 集成方式的rf mems开关 |
US7355258B2 (en) * | 2005-08-02 | 2008-04-08 | President And Fellows Of Harvard College | Method and apparatus for bending electrostatic switch |
KR20070053515A (ko) * | 2005-11-21 | 2007-05-25 | 삼성전자주식회사 | Rf 멤스 스위치 및 그 제조방법 |
EP1850360A1 (en) * | 2006-04-26 | 2007-10-31 | Seiko Epson Corporation | Microswitch with a first actuated portion and a second contact portion |
US20080190748A1 (en) * | 2007-02-13 | 2008-08-14 | Stephen Daley Arthur | Power overlay structure for mems devices and method for making power overlay structure for mems devices |
JP4334581B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2009-09-30 | 株式会社東芝 | 静電型アクチュエータ |
WO2009048468A1 (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Sand 9, Inc. | Signal amplification by hierarchal resonating structures |
US8274200B2 (en) * | 2007-11-19 | 2012-09-25 | Xcom Wireless, Inc. | Microfabricated cantilever slider with asymmetric spring constant |
US8294539B2 (en) * | 2008-12-18 | 2012-10-23 | Analog Devices, Inc. | Micro-electro-mechanical switch beam construction with minimized beam distortion and method for constructing |
JP4816762B2 (ja) * | 2009-05-20 | 2011-11-16 | オムロン株式会社 | バネの構造および当該バネを用いたアクチュエータ |
FR2952048B1 (fr) * | 2009-11-03 | 2011-11-18 | Thales Sa | Micro-commutateur capacitif comportant un drain de charges a base de nanotubes orientes sur l'electrode basse et procede de fabrication |
JP4871389B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2012-02-08 | 株式会社東芝 | 静電アクチュエータ |
KR101871522B1 (ko) * | 2010-09-21 | 2018-06-26 | 카벤디시 키네틱스, 인크. | 풀업 전극 및 와플형 마이크로구조 |
US9748048B2 (en) * | 2014-04-25 | 2017-08-29 | Analog Devices Global | MEMS switch |
US9583294B2 (en) * | 2014-04-25 | 2017-02-28 | Analog Devices Global | MEMS swtich with internal conductive path |
US20150355457A1 (en) * | 2014-06-05 | 2015-12-10 | Pixtronix, Inc. | Compact anchor for ems display elements |
US9821340B2 (en) * | 2014-07-28 | 2017-11-21 | Kolo Medical Ltd. | High displacement ultrasonic transducer |
US9602077B2 (en) * | 2014-11-12 | 2017-03-21 | Elwha Llc | Surface acoustic wave device having selectable electrode elements |
-
2012
- 2012-09-04 WO PCT/US2012/053699 patent/WO2013033722A1/en active Application Filing
- 2012-09-04 KR KR1020147007885A patent/KR102005808B1/ko active IP Right Grant
- 2012-09-04 JP JP2014528697A patent/JP6084974B2/ja active Active
- 2012-09-04 EP EP12827352.1A patent/EP2751837B1/en active Active
- 2012-09-04 US US14/240,670 patent/US10224164B2/en active Active
- 2012-09-04 CN CN201280042848.XA patent/CN103828050B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040050675A1 (en) * | 2002-09-17 | 2004-03-18 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | High cycle cantilever MEMS devices |
JP2010172190A (ja) * | 2002-12-27 | 2010-08-05 | Nippon Signal Co Ltd:The | プレーナ型電磁アクチュエータ |
US7321275B2 (en) * | 2005-06-23 | 2008-01-22 | Intel Corporation | Ultra-low voltage capable zipper switch |
US20090256297A1 (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Spring member for use in a microelectromechanical systems sensor |
US20100116632A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Charles Gordon Smith | Method of using a plurality of smaller mems devices to replace a larger mems device |
US20100187076A1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-07-29 | Analog Devices, Inc. | Micro-electro-mechanical switch beam construction with minimized beam distortion and method for constructing |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140069031A (ko) | 2014-06-09 |
JP6084974B2 (ja) | 2017-02-22 |
CN103828050A (zh) | 2014-05-28 |
WO2013033722A1 (en) | 2013-03-07 |
EP2751837A4 (en) | 2015-04-08 |
EP2751837A1 (en) | 2014-07-09 |
EP2751837B1 (en) | 2020-07-22 |
US10224164B2 (en) | 2019-03-05 |
US20140238828A1 (en) | 2014-08-28 |
CN103828050B (zh) | 2016-08-17 |
KR102005808B1 (ko) | 2019-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6084974B2 (ja) | Memsデバイス用の結合脚及びセミフレキシブルなアンカリング | |
JP4334581B2 (ja) | 静電型アクチュエータ | |
US20050270128A1 (en) | Switch | |
US8659373B2 (en) | Micro-electro-mechanical switch beam construction with minimized beam distortion and method for constructing | |
US9263973B2 (en) | MEMS electrostatic actuator | |
JP2022525960A (ja) | 大きな流体的に効果的な表面を有するmems | |
JP4231062B2 (ja) | Mems素子 | |
EP2556014B1 (en) | Micro-electro-mechanical switch beam construction with minimized beam distortion and method for constructing | |
JP5774779B2 (ja) | 静電アクチュエーターおよび可変容量デバイス | |
TWI576883B (zh) | Rf微機電系統(mems)電容式開關 | |
JP2007294452A (ja) | 第1の被作動部と第2の接触部とを備えたマイクロスイッチ | |
JP6038362B2 (ja) | 静電アクチュエーターおよび可変容量デバイス | |
CN105359237A (zh) | 在mems数字可变电容器(dvc)加工期间的应力控制 | |
JP5869694B2 (ja) | 静電アクチュエーター、可変容量デバイスおよび静電アクチュエーターの駆動方法 | |
JPWO2014080444A1 (ja) | 静電アクチュエーターおよび可変容量デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160810 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6084974 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |