JP2014521215A - 電子デバイス - Google Patents

Abstract

本発明は少なくとも１つの機能素子（１０１）を有するデバイス（１００）に関する。機能素子（１０１）は、セラミック基体（１１）を備え、このセラミック基体には、２つの対向する側面（２１，２２）に、第１および第２の電気的接触層（３１，３２）が取付けられている。さらにこの機能素子は、第１および第２の柵状接触電極（４１，４２）の間に配設されている。第１および第２の柵状接触電極（４１，４２）はそれぞれ複数の接触ピン（４１１，４２１）を備え、第１の接触層（３１）は、第１の柵状接触電極（４１）の少なくとも１つの接触ピン（４１１）と電気的な接触状態にあり、第２の接触層（３２）は、第２の柵状接触電極（４２）の少なくとも１つの接触ピン（４２１）と電気的な接触状態にある。
【選択図】 図１ｂ

Description

本発明は電子デバイスに関する。

電子デバイスとして知られているものには、たとえばコンデンサがあり、これには、たとえば電解コンデンサ、フィルムコンデンサまたはセラミックコンデンサがある。またたとえばサーミスタがあり、これにはＰＴＣサーミスタ（Kaltleiter）、あるいはＮＴＣサーミスタ（Heisleiter）、あるいはバリスタがある。このような電子デバイスの電子回路基板（ＰＣＢ、Printed Circuit Board）への電気的および機械的接続は、いわゆる表面実装デバイス（ＳＭＤ、Surface Mounted Device）においては通常、はんだ付けを用いて行われている。しかしながら電子デバイスが大きくなると、はんだ工程による問題が生ずる。
たとえば、いわゆるヒートショック（Lotschock）が発生する可能性があり、これははんだ工程により熱的に引き起こされる機械的応力を発生する。この応力は、これによりさらにこれらのデバイスの障害をもたらす。

本発明の課題は、少なくともいくつかの実施形態で、電子デバイスを提供することである。

これらの課題は、以下に記載の内容のものにより解決される。本発明の有利な実施形態および改善発明は、従属項および以下の記載と図から示される。

１つの実施形態によれば、電子デバイスは少なくとも１つの機能素子を備える。

もう１つの別の実施形態によれば、この機能素子はセラミック基体（Keramikkorper）を備える。このセラミック基体は、誘電体の特性を備えてよい。この際、この機能素子は、たとえばコンデンサ素子として構成されてよい。さらに、このセラミック基体は、半導体の特性を有してよい。さらに、このセラミック基体は、たとえばサーミスタ素子として、たとえばＰＴＣサーミスタ素子あるいはＮＴＣサーミスタ素子として、またはバリスタ素子として設けられてよい。

１つの好ましい実施形態によれば、少なくとも１つの機能素子は、コンデンサ素子として作製され、この際このコンデンサ素子のセラミック基体は互いに重なって配設されたセラミック層と、これらの間に配設された第１および第２の電極層と、を有する積層体を備えてよい。セラミック層は、たとえば、鉛−ジルコン酸塩−チタン酸塩を含んでよい。電極層は、たとえば、銀、パラジウムおよび／または白金を含んでよい。電極層は、好ましくはセラミック基体の２つの対向した側面から積層体の中へ延伸している。追加として、このセラミック基体の内部にさらなる電極層が配設されてよく、この電極層はセラミック基体のどの側面にも到達していない。

好ましくは、このセラミック基体は、２つの対向する側面を備え、これらの２つの対向する側面の１つの側面には第１の電気的接触層（elektrische Kontaktschicht）が取付けられ、他方の側面には第２の電気的接触層が取付けられている。これらの第１および第２の電気的接触層は、１つ以上の単層、たとえば１つ以上の金属層を含んでよい。これらの金属層は、たとえばクロム、銅および／または金であってよい。この少なくとも１つの機能素子が、第１および第２の電極層を有するコンデンサ素子としてセラミック基体に形成されていると、第１の電極層は第１の電気的接触層に接触し、第２の電極層は第２の電気的接触層に接触することができる。

他のもう１つの実施形態によれば、この機能素子は、第１および第２の柵状接触電極（Kontaktleiste）の間に配設される。これらの第１および第２の柵状接触電極（Kontaktleiste）は、それぞれ少なくとも１つの接触ピン（Kontaktstift）を含む。第１および第２の柵状接触電極は、好ましくはそれぞれ複数の接触ピンを備える。柵状接触電極毎に複数の接触ピンを用いることにより、一方では、回路基板から機能素子の接触層までに生じる配線インダクタンス（Zuleitungsinduktivitat）を改善することができ、他方では、電流定格を大きくすることができ、電流をこの接触層から、少なくともいくつかの実施形態で設けられている、セラミック基体内の内部電極に均等に分散することができる。

他のもう１つの実施形態によれば、これらの接触ピンは導電性のピンである。好ましくは、これらの接触ピンは金属を含み、あるいは金属から作製されている。これらの接触ピンのそれぞれは、たとえば長尺のピン形状体あるいは棒形状体（stabformigen Korper）となっている。このピン形状体（stiftformigen Korper）の長手方向の断面は、丸くなっていてよく、たとえば円形であっても、あるいはたとえば四角形のような多角形状であってもよい。他のもう１つの実施形態によれば、機能素子の第１の接触層は、柵状接触電極の少なくとも１つの接触ピンと電気的に接触した状態となっている。好ましくは、この機能素子の第２の接触層は、第２の柵状接触電極の少なくとも１つの接触ピンと電気的に接触した状態となっている。これらの柵状接触電極の接触ピンは、とりわけ機能素子と接触するのに適している。機能素子はこれらの柵状接触電極の間に、とりわけこの機能素子の第１の電気的接触層が第１の柵状接触電極に対向し、この機能素子の第２の電気的接触層が第２の柵状接触電極に対向するように配設されている。これらの柵状接触電極の接触ピンは、それぞれに対向したこの機能素子の電気的接触層に直接接触している。さらに、また少なくとも１つ以上の中間層が、接触ピンとそれぞれに対向する機能素子の電気的接触層との間に設けられてよい。

他のもう１つの実施形態によれば、電子デバイスの製造方法において、セラミック基体を有する機能素子は、２つの対向する側面に第１および第２の電気的接触層が取付けられている、セラミック基体を有する機能素子が準備され、続く処理工程において、第１および第２の柵状接触電極の間に、それぞれの柵状接触電極がそれぞれ機能素子の接触層と電気的接触状態となるように配設される。

以下で記載される特徴および実施形態は、電子デバイスおよびこの製造方法について同様に適用される。

他のもう１つの実施形態によれば、この電子デバイスは機能素子および柵状接触電極を覆って配設されるキャップ（Kappe）を備える。このキャップは、たとえば直方体形状の外形を備えてよく、この直方体の１つの側面は開放されている。この開放された側面は、以下ではキャップの開口部とも称する。好ましくは、このキャップは電気的に絶縁性の材質であり、たとえばプラスチック材質である。

他のもう１つの実施形態によれば、機能素子および柵状接触電極を覆って配設されるキャップは、２つの柵状接触電極に直接接触している。他のもう１つの実施形態によれば、このキャップはこれら２つの柵状接触電極と機械的に直接接触している。このようにして、機能素子の柵状接触電極への電気的接触は、キャップと組み合わせて行われる。

ここに記載する構造により、電子デバイスが、たとえばヒートショックの結果、熱的に生じる機械的応力によって損傷されないという利点が得られる。

他のもう１つの実施形態によれば、この機能素子は、第１および第２の柵状接触電極の間にキャップによってクランプされる。このキャップを用いたクランプによって、柵状接触電極および機能素子の機械的接触が達成されてよい。したがって、このキャップは以下ではクランプキャップ（Klemmkappe）とも称する。

他のもう１つの実施形態によれば、それぞれの柵状接触電極は、接触ピンが固定される支持バー（Tragerleiste)を備える。支持バーは、たとえば長尺の直方体であってよい。さらに、これらの支持バーは金属および／またはプラスチックを含んでよい。接触ピンは、好ましくはそれぞれの支持バーを貫通し、これらの接触ピンが支持バーの２つの対向する面に突立し、これら２つの面でこの支持バーから突出するように取付けられている。さらに、これらの接触ピンは、好ましくはそれぞれの支持バーに等間隔に配設されている。これにより、これらの支持バーおよび接触ピンを備える柵状接触電極は、柵状の外形を備える。

他のもう１つの実施形態によれば、キャップは、機能素子および柵状接触電極の支持バーを覆っている。この際、これらの接触ピンは、少なくとも部分的にキャップに覆われた空間、とりわけキャップの開口部から突出している。

他のもう１つの実施形態によれば、このキャップは、２つの対向する内面にテーパー状の部分を備える。これらのテーパー状の部分は、好ましくは２つの対向する内面に沿って延在し、たとえばキャップがこれらの内面に開口部に接する部分でこの開口部から離れた部分より薄い壁部を有するような形態となるようにされてよい。好ましくは、支持バーはこのテーパー状の部分に配設される。このキャップのテーパー状の部分を用いて、機能素子および接触ピンを極めて効率よくクランプすることができる。キャップを用いて、とりわけ接触ピンの接触層へのクランプを行うことができる。接触ピンは機械的にプリストレス（vorgespannt）が与えられバネのように機能してよい。これにより、たとえば発生する軸方向の長さ変化を吸収することができる。この軸方向の長さ変化は、たとえばデバイスにおける温度の変化によって生じる。さらに、柵状接触電極への垂直方向の荷重が、デバイスへの剪断応力あるいは曲げ荷重となることがないという利点がある。

他のもう１つの実施形態によれば、このデバイスは、第１および第２の柵状接触電極の間に配設された複数の機能素子を備える。この際、異なる機能素子が同時に実装されてよい。また、個々の機能素子がその構造および／または機能に関して互いに異なるようにすることもできる。

他のもう１つの実施形態によれば、少なくとも２つの機能素子が隣接して、第１および第２の柵状接触電極に沿って配設される。このような構造においては、これらの隣接して柵状接触電極に沿って配設された機能素子は、両方とも第１および第２の柵状接触電極を用いて接触されている。

他のもう１つの実施形態によれば、少なくとも２つの機能素子が互いに重なって接触ピンに沿って配設される。この際、好ましくは、これらの接触ピンは、互いに重なって配設された機能素子すべてに接触できるようにされている。たとえば、これらの接触ピンは、２つの互いに重なって設置された機能素子に接触できるような長さを備えてよい。

他のもう１つの実施形態によれば、少なくとも１つの機能素子は、正確に第１の柵状接触電極の接触ピンと第２の柵状接触電極の接触ピンとを接触させる。電子デバイスの全ての機能素子がそれぞれ正確に、第１の柵状接触電極の接触ピンと第２の柵状接触電極の接触ピンによって接触されることも可能である。

他のもう１つの実施形態によれば、少なくとも他のもう１つの機能素子および第３の柵状接触電極が設けられている。好ましくは、この他のもう１つの機能素子は第２および第３の柵状接触電極の間に配設されている。第２の柵状接触電極の接触ピンは、第１および第２の柵状接触電極の間に配設された機能素子にも、また第２および第３の柵状接触電極の間に配設された機能素子にも直接電気的に接触した状態とすることができる。

他のもう１つの実施形態によれば、電子デバイスの全ての機能素子はコンデンサ素子として、上述のように実装される。電子デバイスへの要求条件に合わせて、この電子デバイスに設けられる機能素子の数は調整されてよい。このように、このデバイスは、たとえば、大容量のコンデンサが必要な場合は、複数のコンデンサ素子を備える。

他のもう１つの実施形態によれば、少なくとも１つの機能素子は、バリスタ素子として実装される。たとえば、電子デバイスはコンデンサ素子として実装された複数の機能素子と１つの組み込まれた低インダクタンスのバリスタ素子とを備える。

他のもう１つの実施形態によれば、少なくとも１つの機能素子および柵状接触電極の接触ピン、あるいは複数の機能素子の場合は、１平面に配設された全ての機能素子および柵状接触電極の接触ピンが一緒に１つの薄膜または薄膜テープで包み込まれている。これにより、上述の１平面に設けられた少なくとも１つ以上の機能素子および接触素子を容易に結合することができる。薄膜あるいは薄膜テープにより、上述のキャップについて説明したようなクランプ作用（Klemmwirkung）を得ることができる。

本発明の電子デバイスの実施形態は、とりわけ低コストの構造、高信頼性の動作特性および非常に大きな電流定格（Strombelastbarkeit）を特徴としている。
さらに、本発明のデバイスは、少なくともいくつかの実施形態では、非常に小さなインダクタンスの接続とすることができる。

本発明のデバイスのさらなる有利点および有利な実施形態を、図１ａ〜７ｂに記載した実施形態を参照して、以下に示す。
図１ａおよび１ｂは、１つの実施例による電子デバイスの製造方法を示す。 図２ａ〜２ｃは、他のもう１つの実施例による柵状接触電極を異なる方向から見た図である。 図３ａ〜３ｃは、他のもう１つの実施例による電子デバイスの製造方法を示す。 図４ａ〜４ｃは、他のもう１つの実施例によるキャップを異なる方向から見た図である。 図５ａ〜５ｃは、他のもう１つの実施例による電子デバイスを示す。 図６ａ、６ｂは、それぞれ他のもう１つの実施例による電子デバイスを示す。 図７ａ、７ｂは、それぞれ他のもう１つの実施例による電子デバイスを示す。

これらの実施例および図では、同等もしくは同等の機能の部分はそれぞれ同じ参照番号が付けられている。図示された要素およびこれらの大きさの関係はそれぞれ、正確な寸法を示すものでなく、むしろたとえば層、部品および領域などの個々の要素をより見易くするため、および／またはより理解し易くするために誇張した厚さまたは大きさの寸法で示してある。

図１ａおよび１ｂには、電子デバイスの製造方法の一実施例が示されている。

第１の製造ステップでは、図１ａに示すように、ここでは１つの機能素子が準備され、この機能素子は、矢印９０で示す次の製造ステップで、第１および第２の柵状接触電極４１，４２の間に配設される。

機能素子１０１は、直方体形状のセラミック基体１１を備える。ここに示す実施例でのセラミック基体はコンデンサ素子として実装されており、鉛−ジルコン酸塩−チタン酸塩からなるセラミックを備えている。代替として、この機能素子１０１は、他のセラミック材質であってよく、あるいはたとえばバリスタ素子またはサーミスタ素子として実装されてよく、これに対応するような適合したセラミック材質からなるセラミック基体を備えてよい。

このセラミック基体１１のセラミック材質は複数のセラミック層を備え、これらのセラミック層の間に第１および第２の電極層が配設されている（不図示）。

このセラミック基体１１は、さらに、第１の電気的接触層３１が取り付けられている側面２１を備える。さらに、このセラミック基体１１は、側面２１に対向する、第２の電気的接触層３２が取り付けられている側面２２を備える。この第１および第２の接触層３１，３２は、それぞれセラミック基体１１の内部にある第１および第２の電極層と結合されており、これらの電極層の接触部として機能する。

第１および第２の柵状接触電極４１，４２は、それぞれ１つの支持バー４５１，４５２を備える。さらに、これら第１および第２の柵状接触電極４１，４２は、それぞれ複数の接触ピン４１１，４２１を備え、これらの接触ピンは支持バー４５１，４５２に固定されており、これらの接触ピン４１１，４２１はそれぞれの支持バー４５１，４５２に貫入（durchragen）している。柵状接触電極４１，４２は、ここに示す実施例では、同じように実装されている。代替として、これらの柵状接触電極４１，４２は、たとえば各々の接触ピン４１１，４１２の長さおよび／または数に関して互いに異なっていてもよい。

図２ａ〜２ｃには、例として、これらの接触ピン４１の正面図、側面図および上面図が示されている。これらの接触ピン４１１は、導電性で棒状のピンとして実装されており、これらはそれぞれ支持バー４５１の２つの面から突出している。ここの示す実施例では、柵状接触電極４１の互いに隣接した接触ピン４１１は、互いに等間隔で離間している。
代替として、これらの互いに隣接した接触ピン４１１，４１２は、互いに異なる間隔を有していてもよい。

接触ピン４１，４２の間に機能素子１０１を設置すると、図１ｂに示すような電子デバイス１００が作製される。第１の柵状接触電極４１の第１の接触層３１および第２の接触層４２の第２の接触層３２は対向しており、これらの２つの接触層３１，３２は、それぞれの柵状接触電極４１，４２と電気的な接触が成されている。この際、実施例に示されているように、接触層３１，３２およびそれぞれの接触短ピン（Kontaktstab）４１１，４２１の間で直接に圧接接触（Presskontakt）されてよい。代替として、１つ以上の導電性の中間層を機能素子１０１と柵状接触電極４１，４２の間に配置することも可能である。
さらに、機能素子１０１および柵状接触電極４１，４２の接触ピン４１１，４２１を薄膜または薄膜テープで包み（不図示）、これらの柵状接触電極４１，４２および機能素子を互いに固定するようにしてよい。

図３ａ〜３ｃには、他のもう１つの電子デバイス２００の製造方法である、他のもう１つの実施例が示されている。

ここでの１つの製造工程では、図１ａおよび１ｂで説明したように機能素子１０１は２つの柵状接触電極４１，４２の間に配設されている。

図３ａに示されているように、さらにキャップ５０が準備され、このキャップは矢印９１で示す次の製造ステップで、機能素子１０１および柵状接触電極４１，４２を覆って配設される。これにより、この機能素子１０１が、キャップ５０によって、第１および第２の柵状接触電極４１，４２の間にクランプされるという利点が得られる。このクランプによって、柵状接触電極４１，４２および機能素子１０１の間の良好な機械的および電気的接触を同時に行うことができる。

図３ｂには、このようにして作製された、キャップ５０が上に取り付けられた電子デバイス２００が示されている。ここで、接触ピン４１１，４２１は、キャップ５０の開放された側から少なくとも部分的に突出していることが分かる。このような構成により、デバイス１００および／または機能素子１０１に作用する、軸方向に生じる力は、セラミック基体１１への圧力のみとなる。接線方向、垂直方向の力および引っ張り力は発生しないので有利である。曲げ力は、接触ピン４１１，４２１から、軸方向の力のみのように作用する。

図４ａ〜４ｃには、キャップ５０が異なる方向から見た図で示されており、これらは、下から見た図、すなわちキャップ５０の開口部から見た図、図４ａにＡ−Ａで示す断面、および側面図である。キャップ５０は、２つの対向する内面５０１，５０２にテーパー状の部分５１１，５１２を有し、これらはキャップの開口部に接し、キャップはこれらの部分で薄肉の壁部をテーパー状の部分に接する部分として有している。

図３ｃは、図３ｂに示す電子デバイス２００の側面図を示す。ここで柵状接触電極４１，４２の支持バー４５１，４５２が、キャップ５０の内面５０１，５０２のテーパー状の部分５１１，５１２に配置されていることが分かる。このテーパー状の部分５１１，５１２を用いて、接触ピン４１１，４２１を接触層３１，３２へのクランプが行われる。これらの接触ピン４１１，４２１は、とりわけ機械的にプリストレスが与えられてよい。これにより、たとえば温度変化によって生じ得る軸方向の長さ変化を吸収することができる。柵状接触電極への垂直方向の荷重は、機能素子１０１および／またはデバイス２００への剪断張力あるいは曲げ荷重にはならない。

図５ａ，５ｂには、電子デバイス３００の製造方法の実施例が示されている。ここでは、デバイス２００は、図１ａおよび１ｂに示す方法と比較して、複数の機能素子１０１を備え、これらは互いに隣接して第１および第２の柵状接触電極４１，４２に沿って配設されている。

ここで矢印９２で示す１つの製造ステップにおいて、互いに隣接して並べられている個々の機能素子１０１は、準備された２つの柵状接触電極４１，４２の間に配設されている。ここに示す実施例では、機能素子１０１の各々は、それぞれ第１の柵状接触電極４１の１つの接触ピン４１１および第２の柵状接触電極４２の１つの接触ピン４２１によって接触されている。代替として、１つ以上の機能素子１０１は、第１および／または第２の柵状接触電極４１，４２の複数の接触ピン４１１，４２１によって接触されてもよい。

図５ｃには、電子デバイス４００の実施例が示されている。ここでは、図５ｂの電子デバイス３００と異なり、バリスタ素子として実装される少なくとも1つの機能素子１０２が設けられている。他の全ての機能素子１０１は、上述の実施例でのように、コンデンサ素子として実装されている。代替として、電子デバイス４００の２つ以上の機能素子をバリスタ素子として実装することもできる。

図５ｂおよび５ｃに示す電子デバイス３００および４００は、図１ｂを参照して説明したように、さらに巻き付けられた薄膜を備えてもよく、および／または図３ａ〜４ｃを参照して示したようにキャップを備えてもよい。

図６ａ〜７ｂには、電子デバイスのさらに他の実施例が示されており、これらはそれぞれ互いに隣接してライン状におよび／または互いに重なって配設された複数の機能素子を備える。上述の実施例による製造方法は、以下に説明する実施例の製造にも適宜拡張して用いることができる。さらに、図６ａ〜７ｂに示すこれらの電子デバイスは、図１ｂを参照して説明したように、巻き付けられた薄膜を備えてもよく、および／または、図３ａ〜４ｃを参照して示したように、キャップを備えてもよく、これらは複数の機能素子および柵状接触電極を互いに固定し、たとえば圧接接触（Klemmkontaktierung）を可能とする。

図６ａは、さらなる柵状接触電極を備えた電子デバイス５００を示す。ここでは、柵状接触電極４１，４２，４３の間にライン状にそれぞれ機能素子１０１が配設されている。

図６ｂは、複数の柵状接触電極４１，４２，４３および複数の機能素子１０１を備えた電子デバイス６００を示す。ここでは、複数の機能素子１０１は、柵状接触電極４１，４２，４３に沿うと共に、柵状接触電極４１，４２，４３のそれぞれの２つの柵状接触電極の間にライン状に配設されている。とりわけここに示す実施例では、それぞれの機能素子１０１は、２つの異なる柵状接触電極４１，４２，４３の２つの接触ピン４１１，４２１によって正確に接触されている。

図７ａには、他のもう１つの実施例である電子デバイス７００が示されている。このデバイス７００は、複数の機能素子１０１を備え、これらはそれぞれ２つの機能素子１０１が互いに重なって柵状接触電極４１，４２，４３の接触ピン４１１，４２１，４３１に沿って配設されている。これらの接触ピン４１１，４２１，４３１は、上述の実施例と比較して長く実装されており、全ての互いに重なって配設された機能素子１０１が接触され得るようになっている。ここに示した実施例の代替として、２つ以上の機能素子１０１が互いに重なって配設されてもよい。

図７ｂは、他のもう１つの実施例による電子デバイス８００を示す。ここでは、上述の実施例と比較して、複数の機能素子１０１が同様に柵状接触電極４１，４２，４３に沿って配設されている。

以上に示した実施例は、公知の電子デバイスと比較して、とりわけ低コストの構造および高い電流定格となっている。さらに、本発明の電子デバイスは、とりわけ柵状接触電極および／または接触ピンを交互に配線することにより、極めて低インダクタンスの接続を可能とする。

本発明は、これらの実施形態例を参照した記載によって、これらに限定されず、あらゆる新たな特徴およびこれらの特徴のあらゆる組み合わせを包含するものである。
これはとりわけ請求項における特徴のあらゆる組み合わせを含んでいる。また、特徴またはこれらの組み合わせ自体が請求項または実施例に顕わに示されていない場合も含んでいる。

１０１、１０２ ： 機能素子
１１ ： セラミック基体
２１，２２ ： 側面
３１ ： 第１の電気的接触層
３２ ： 第２の電気的接触層
４１ ： 第１の柵状接触電極
４２ ： 第２の柵状接触電極
４３ ： 第３の柵状接触電極
４１１，４２１，４３１ ： 接触ピン
４５１、４５２ ： 支持バー
５０ ： キャップ
５０１，５０２ ： 内面
５１１，５１２ ： テーパー状の部分
９０，９１，９２ ： 矢印
１００，２００，３００，４００： 電子デバイス
５００，６００，７００，８００： 電子デバイス

Claims (15)

1. セラミック基体（１１）を備えた機能素子（１０１）を少なくとも１つ備える電子デバイス（１００）であって、
   前記セラミック基体の２つの対向する側面（２１，２２）には、第１および第２の電気的接触層（３１，３２）が取付けられており、
   前記セラミック基体は、第１および第２の柵状接触電極（４１，４２）の間に配設され、当該第１および第２の柵状接触電極（４１，４２）はそれぞれ複数の接触ピン（４１１，４２１）を備え、
   前記第１の接触層（３１）は、前記第１の柵状接触電極（４１）の少なくとも１つの接触ピン（４１１）と電気的な接触状態にあり、前記第２の接触層（３２）は、前記第２の柵状接触電極（４２）の少なくとも１つの接触ピン（４２１）と電気的な接触状態にあることを特徴とする電子デバイス。
2. 請求項１に記載のデバイスにおいて、
   前記機能素子（１０１）および前記柵状接触電極（４１，４２）を覆って配設されるキャップ（５０）をさらに備えることを特徴とするデバイス。
3. 請求項２に記載のデバイスにおいて、前記機能素子（１０１）は、キャップ（５０）によって、第１および第２の柵状接触電極（４１，４２）の間にクランプされていることを特徴とするデバイス。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載のデバイスにおいて、
   前記柵状接触電極（４１，４２）の各々は、接触ピン（４１１，４２１）が固着された支持バー（４５１，４５２）をさらに備えることを特徴とするデバイス。
5. 請求項４に記載のデバイスにおいて、
   前記支持バー（４５１，４５２）は、金属および／またはプラスチックを含むことを特徴とするデバイス。
6. 請求項４または５に記載のデバイスにおいて、
   前記柵状接触電極（４１，４２）の前記接触ピン（４１１，４２１）は、互いに等間隔で、それぞれの前記支持バー（４５１，４５２）に貫入していることを特徴とするデバイス。
7. 請求項２または３を参照する請求項４乃至６のいずれか１項に記載のデバイスにおいて、
   前記キャップ（５０）は、前記機能素子（１０１）および前記柵状接触電極（４１，４２）の前記支持バー（４５１，４５２）を覆うことを特徴とするデバイス。
8. 請求項４乃至７のいずれか１項に記載のデバイスにおいて、
   前記キャップ（５０）は、２つの対向する内面（５０１，５０２）にテーパー状の部分（５１１，５１２）を備え、当該テーパー状の部分に前記支持バー（４５１，４５２）が配設されることを特徴とするデバイス。
9. 請求項１乃至８のいずれか１項に記載のデバイスにおいて、
   前記第１の柵状接触電極（４１）および前記第２の柵状接触電極（４２）の間に配設された複数の機能素子（１０１）を備えることを特徴とするデバイス。
10. 請求項９に記載のデバイスにおいて、
    前記複数の機能素子（１０１）の少なくとも２つは、前記柵状接触電極（４１，４２）に沿って互いに隣接して配設されていることを特徴とするデバイス。
11. 請求項９または１０に記載のデバイスにおいて、
    前記複数の機能素子（１０１，１０２）の少なくとも２つは、前記接触ピン（４１１，４２１）に沿って、互いに重なって配設されていることを特徴とするデバイス。
12. 請求項９乃至１１のいずれか１項に記載のデバイスにおいて、
    前記複数の機能素子（１０１）の少なくとも１つは、正確に前記第１の柵状接触電極（４１）の接触ピン（４１１）および前記第２の柵状接触電極（４２）の接触ピン（４２１）に接触していることを特徴とするデバイス。
13. 請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のデバイスにおいて、
    少なくとも他のもう１つの機能素子（１０３）および第３の柵状接触電極の（４３）が設けられ、前記少なくとも他のもう１つの機能素子（１０３）は、前記第２の柵状接触電極（４２）と前記第３の柵状接触電極（４３）との間に配設されていることを特徴とするデバイス。
14. 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のデバイスにおいて、
    少なくとも１つの前記機能素子（１０１）は、コンデンサ素子として実装され、
    当該コンデンサ素子において、前記セラミック基体（１１）は、重なって配設されたセラミック層の積層体と、これらのセラミック層の間に配設された第１および第２の電極層とを備え、
    前記電極層は、前記セラミック基体（１１）の前記２つの対向する側面（２１，２２）から前記積層体の中に延伸していることを特徴とするデバイス。
15. 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のデバイスにおいて、
    前記機能素子（１０１）は、バリスタ素子、ＰＴＣサーミスタ素子（Kaltleiterelement）またはＮＴＣサーミスタ素子（Heisleiterelement）であることを特徴とするデバイス。

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