JP2014520054A - 新規な化合物半導体及びその活用 - Google Patents
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Abstract
Description
試薬として、In、Co、及びSbを用意し、これらを乳鉢(mortar)を利用してよく混合してIn0.25Co4Sb12組成と、In0.25Co4Sb10.5組成の混合物をペレットの形態で製作した。そして、H2(1.94%)及びN2ガスを流しながら500℃で15時間加熱し、このとき昇温時間は1時間30分にした。
試薬として、In、Co、及びSbを用意し、これらを乳鉢を利用してよく混合してIn0.25Co4Sb12組成と、In0.25Co4Sb10.5組成の混合物をペレットの形態で製作した。そして、H2(1.94%)及びN2ガスを流しながら500℃で15時間加熱し、このとき昇温時間は1時間30分にした。
試薬として、In、Co、及びSbを用意し、これらを乳鉢を利用してよく混合してIn0.25Co4Sb12組成の混合物をペレットの形態で製作した。そして、H2(1.94%)及びN2ガスを流しながら500℃で15時間加熱し、このとき昇温時間は1時間30分にした。
ここで、σは電気伝導度、Sはゼーベック係数、Tは温度、κは熱伝導度を示す。
Claims (9)
- 前記化学式1のxは、0<x≦0.4であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体。
- 前記化学式1のxは、0<x≦0.25であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体。
- 前記化学式1のzは、0.4≦z≦2であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体。
- In、Co、Sb及びSeを含む混合物を形成するステップと、
前記混合物を熱処理するステップと、
を含む請求項1に記載の化合物半導体の製造方法。 - 前記熱処理ステップは、400℃ないし800℃で行われることを特徴とする請求項5に記載の化合物半導体の製造方法。
- 前記熱処理ステップは、2つ以上の熱処理段階を含むことを特徴とする請求項5に記載の化合物半導体の製造方法。
- 請求項1ないし4のうちいずれか1項に記載の化合物半導体を含む熱電変換素子。
- 請求項1ないし4のうちいずれか1項に記載の化合物半導体を含む太陽電池。
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