JP2014517422A - Dqsゲーティングのためのシステムおよび方法 - Google Patents
Dqsゲーティングのためのシステムおよび方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014517422A JP2014517422A JP2014515863A JP2014515863A JP2014517422A JP 2014517422 A JP2014517422 A JP 2014517422A JP 2014515863 A JP2014515863 A JP 2014515863A JP 2014515863 A JP2014515863 A JP 2014515863A JP 2014517422 A JP2014517422 A JP 2014517422A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- timing
- signal
- control signal
- circuit
- timing signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 53
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000008713 feedback mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
- G06F13/1668—Details of memory controller
- G06F13/1689—Synchronisation and timing concerns
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/02—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding parasitic signals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/04—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1066—Output synchronization
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
Abstract
【選択図】図1
Description
本願は、「Gateon Open Detect and Track」なる名称の2011年6月14日出願の米国仮特許出願第61/496,965号と、「Gateon Window Close Detect and Track」なる名称の2011年9月28日出願の米国仮特許出願第61/540,142号の優先権を主張しており、両方の文献の開示の全体を、参照により本明細書に組み込む。
Claims (22)
- メモリデバイスとの間の読み出しオペレーションのタイミングをとるシステムであって、
制御信号に基づいてゲーティングウィンドウを生成して、前記メモリデバイスからタイミング信号を受信して、前記ゲーティングウィンドウ中に、フィルタリングされたタイミング信号として前記タイミング信号を通す、ゲーティング回路と、
メモリコントローラからの読み出し要求を受信した後で前記制御信号を生成し、前記メモリデバイスからの前記タイミング信号の時間的ばらつきを吸収するべく前記制御信号を調節するタイミング制御回路と
を備える、システム。 - フィードバック回路をさらに備え、
前記フィードバック回路は、
前記タイミング制御回路と、
前記フィルタリングされたタイミング信号と前記制御信号とを入力として受信して、前記タイミング制御回路に位相検知出力値を送信する、位相検知回路と
を有する、請求項1に記載のシステム。 - 前記フィードバック回路は、前記タイミング信号の立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジのタイミングを追跡することで、前記制御信号のタイミングを自動的に調節する閉ループの自己調節システムである、請求項2に記載のシステム。
- 前記タイミング信号の前記立ち上がりエッジまたは前記立ち下がりエッジに前記制御信号のタイミングが位置合わせされるよう、前記制御信号の前記タイミングが調節される、請求項3に記載のシステム。
- 前記タイミング信号はDQSストローブ信号である、請求項1から4のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記制御信号は、前記ゲーティングウィンドウをそれぞれ開かせ、閉じさせる開信号または閉信号であり、
前記ゲーティングウィンドウは、前記フィルタリングされたタイミング信号における前記DQSストローブ信号のトライステート領域を削除する、請求項5に記載のシステム。 - 前記タイミング制御回路は、
前記読み出し要求を受信した後に前記制御信号を生成する信号生成器と、
カウンタが保持している遅延値に基づいて前記制御信号のタイミングを制御する遅延モジュールと
を有し、
前記カウンタは、前記位相検知回路から受信した前記位相検知出力値に基づいて、前記遅延値をインクリメントまたはデクリメントする、請求項2に記載のシステム。 - 前記位相検知回路は、Dタイプのフリップフロップを含む、請求項2に記載のシステム。
- 前記ゲーティング回路は、
前記制御信号を受信して、前記制御信号のタイミングに基づいて前記ゲーティングウィンドウを出力するDタイプのフリップフロップと、
前記ゲーティングウィンドウと前記タイミング信号とを入力として受信して、前記フィルタリングされたタイミング信号を出力する「AND」ゲートと
を有する、請求項1から8のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記タイミング信号の前記時間的ばらつきは、前記システムの温度もしくは電圧の変化またはクロックのジッタに基づいている、請求項1から9のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記信号生成器は、パルス生成器であり、
前記制御信号は、パルス信号である、請求項7に記載のシステム。 - メモリデバイスとの間の読み出しオペレーションのタイミングをとる方法であって、
ゲーティング回路で、前記メモリデバイスからのタイミング信号を受信する段階と、
メモリコントローラから読み出し要求を受信した後に、タイミング制御回路で制御信号を生成して、前記タイミング制御回路が、前記タイミング信号の時間的ばらつきを吸収するべく前記制御信号を調節する段階と、
前記ゲーティング回路で前記制御信号に基づいて生成されるゲーティングウィンドウ中に、フィルタリングされたタイミング信号として前記タイミング信号を通す段階と
を備える、方法。 - 位相検知回路で、前記フィルタリングされたタイミング信号と前記制御信号とを入力として受信する段階と、
前記入力に基づいて、前記位相検知回路からの位相検知出力値を前記タイミング制御回路に送信する段階と
をさらに備え、
前記位相検知回路および前記タイミング制御回路は、フィードバック回路に含まれる、請求項12に記載の方法。 - 前記タイミング信号の立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジのタイミングを追跡することで、前記フィードバック回路で、前記制御信号のタイミングを調節する段階をさらに備え、
前記フィードバック回路は、閉ループの自己調節システムを含む、請求項13に記載の方法。 - 前記調節する段階は、
前記タイミング信号の前記立ち上がりエッジまたは前記立ち下がりエッジに前記制御信号のタイミングを位置合わせする段階を有する、請求項14に記載の方法。 - 前記タイミング信号はDQSストローブ信号である、請求項12から15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記制御信号は、前記ゲーティングウィンドウをそれぞれ開かせ、閉じさせる開信号および閉信号であり、
前記ゲーティングウィンドウは、前記フィルタリングされたタイミング信号の前記DQSストローブ信号のトライステート領域を削除する、請求項16に記載の方法。 - 前記タイミング制御回路の信号生成部で、前記読み出し要求を受信すると、前記制御信号を生成する段階と、
前記位相検知回路から受信した前記位相検知出力値に基づいて、カウンタが保持している遅延値をインクリメントまたはデクリメントする段階と、
前記遅延値に基づいて、前記タイミング制御回路の遅延モジュール部が前記制御信号のタイミングを制御する段階と
をさらに備える、請求項13に記載の方法。 - 前記位相検知回路は、Dタイプのフリップフロップを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記ゲーティング回路のDタイプのフリップフロップ部で前記制御信号を受信して、前記フリップフロップ部が、前記制御信号のタイミングに基づいて前記ゲーティングウィンドウを出力する段階と、
前記ゲーティング回路の「AND」ゲート部で「AND」演算を実行して、前記フィルタリングされたタイミング信号を出力する段階であって、前記「AND」ゲート部は、前記「AND」演算のための入力として前記タイミング信号と前記ゲーティングウィンドウとを受信する段階と
をさらに備える、請求項12から19のいずれか一項に記載の方法。 - 前記タイミング信号の前記時間的ばらつきは、前記メモリデバイスの温度または電圧の変化またはクロックのジッタに基づいている、請求項12から20のいずれか一項に記載の方法。
- 前記信号生成部は、パルス生成器であり、
前記制御信号は、パルス信号である、請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161496965P | 2011-06-14 | 2011-06-14 | |
US61/496,965 | 2011-06-14 | ||
US201161540142P | 2011-09-28 | 2011-09-28 | |
US61/540,142 | 2011-09-28 | ||
PCT/US2012/040710 WO2012173807A1 (en) | 2011-06-14 | 2012-06-04 | System and method for dqs gating |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014517422A true JP2014517422A (ja) | 2014-07-17 |
JP6057438B2 JP6057438B2 (ja) | 2017-01-11 |
Family
ID=46276015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014515863A Active JP6057438B2 (ja) | 2011-06-14 | 2012-06-04 | システムおよび方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9001599B2 (ja) |
EP (1) | EP2721500B1 (ja) |
JP (1) | JP6057438B2 (ja) |
KR (1) | KR101903718B1 (ja) |
CN (1) | CN103608793B (ja) |
WO (1) | WO2012173807A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11082048B1 (en) | 2020-03-19 | 2021-08-03 | Kioxia Corporation | Semiconductor integrated circuit, receiving device, and control method of receiving device |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104272283B (zh) * | 2012-05-01 | 2017-08-04 | 马维尔国际贸易有限公司 | 用于dqs选通的系统和方法 |
US9431089B2 (en) * | 2012-06-12 | 2016-08-30 | Rambus Inc. | Optimizing power in a memory device |
US9524255B2 (en) | 2013-05-28 | 2016-12-20 | Marvell World Trade Ltd. | System and method for automatic DQS gating based on counter signal |
US9368172B2 (en) * | 2014-02-03 | 2016-06-14 | Rambus Inc. | Read strobe gating mechanism |
US9627031B1 (en) * | 2016-03-11 | 2017-04-18 | Mediatek Inc. | Control methods and memory systems using the same |
GB2550854B (en) * | 2016-05-25 | 2019-06-26 | Ge Aviat Systems Ltd | Aircraft time synchronization system |
JP6395919B1 (ja) | 2017-12-13 | 2018-09-26 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
US10176862B1 (en) | 2018-01-26 | 2019-01-08 | Micron Technology, Inc. | Data strobe gating |
CN108416176B (zh) * | 2018-04-28 | 2023-09-08 | 珠海一微半导体股份有限公司 | 一种dram控制器的抗干扰方法和电路及芯片 |
CN108899057B (zh) * | 2018-06-12 | 2020-09-18 | 豪威科技(上海)有限公司 | 读dqs信号门选通训练方法、装置以及数据传输系统 |
CN110648703B (zh) * | 2018-06-26 | 2021-06-15 | 龙芯中科技术股份有限公司 | 数据采集电路、读数据窗口的控制方法及装置 |
CN115116530A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-09-27 | 腾讯科技(深圳)有限公司 | 存储器的校验管脚处理方法、装置、设备和存储介质 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002158566A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Nec Corp | 固定長遅延生成回路 |
JP2005276396A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Nec Corp | メモリインターフェイス制御回路 |
JP2005292947A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hitachi Ltd | データ処理装置、遅延回路及び遅延素子 |
JP2008103013A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Nec Electronics Corp | メモリリード制御回路およびその制御方法 |
JP2008293279A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 信号マスキング方法、信号マスキング回路、及び、その回路を搭載した半導体集積回路 |
JP2009009621A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Sony Corp | メモリインタフェース回路 |
US7911857B1 (en) * | 2009-06-10 | 2011-03-22 | Juniper Networks, Inc. | Preamble detection and postamble closure for a memory interface controller |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6085345A (en) * | 1997-12-24 | 2000-07-04 | Intel Corporation | Timing control for input/output testability |
TWI228259B (en) * | 2000-05-22 | 2005-02-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Method and circuit for inputting and outputting data, and system using semiconductor memory device including the same |
US6600681B1 (en) | 2002-06-10 | 2003-07-29 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for calibrating DQS qualification in a memory controller |
US7089509B2 (en) * | 2002-12-23 | 2006-08-08 | Sun Microsystems, Inc. | Controlling the propagation of a control signal by means of variable I/O delay compensation using a programmable delay circuit and detection sequence |
US7299306B2 (en) * | 2003-06-20 | 2007-11-20 | Broadcom Corporation | Dual numerically controlled delay logic for DQS gating |
US7215584B2 (en) | 2005-07-01 | 2007-05-08 | Lsi Logic Corporation | Method and/or apparatus for training DQS strobe gating |
CN100527267C (zh) * | 2006-02-28 | 2009-08-12 | 中国科学院计算技术研究所 | Ddr和ddr2内存控制器的读数据采样方法及装置 |
US7698589B2 (en) * | 2006-03-21 | 2010-04-13 | Mediatek Inc. | Memory controller and device with data strobe calibration |
US7685393B2 (en) * | 2006-06-30 | 2010-03-23 | Mosaid Technologies Incorporated | Synchronous memory read data capture |
US7590025B2 (en) * | 2007-12-19 | 2009-09-15 | Integrated Device Technology, Inc. | Systems and methods for clean DQS signal generation in source-synchronous DDR2 interface design |
-
2012
- 2012-06-04 JP JP2014515863A patent/JP6057438B2/ja active Active
- 2012-06-04 CN CN201280029420.1A patent/CN103608793B/zh active Active
- 2012-06-04 US US13/487,737 patent/US9001599B2/en active Active
- 2012-06-04 WO PCT/US2012/040710 patent/WO2012173807A1/en active Application Filing
- 2012-06-04 KR KR1020137033243A patent/KR101903718B1/ko active IP Right Grant
- 2012-06-04 EP EP12727523.8A patent/EP2721500B1/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002158566A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Nec Corp | 固定長遅延生成回路 |
JP2005276396A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Nec Corp | メモリインターフェイス制御回路 |
JP2005292947A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hitachi Ltd | データ処理装置、遅延回路及び遅延素子 |
JP2008103013A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Nec Electronics Corp | メモリリード制御回路およびその制御方法 |
JP2008293279A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 信号マスキング方法、信号マスキング回路、及び、その回路を搭載した半導体集積回路 |
JP2009009621A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Sony Corp | メモリインタフェース回路 |
US7911857B1 (en) * | 2009-06-10 | 2011-03-22 | Juniper Networks, Inc. | Preamble detection and postamble closure for a memory interface controller |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11082048B1 (en) | 2020-03-19 | 2021-08-03 | Kioxia Corporation | Semiconductor integrated circuit, receiving device, and control method of receiving device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103608793A (zh) | 2014-02-26 |
US20120324193A1 (en) | 2012-12-20 |
KR101903718B1 (ko) | 2018-10-04 |
CN103608793B (zh) | 2016-10-26 |
US9001599B2 (en) | 2015-04-07 |
WO2012173807A1 (en) | 2012-12-20 |
KR20140043390A (ko) | 2014-04-09 |
JP6057438B2 (ja) | 2017-01-11 |
EP2721500B1 (en) | 2015-08-12 |
EP2721500A1 (en) | 2014-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6057438B2 (ja) | システムおよび方法 | |
US7786752B2 (en) | Memory systems, on-die termination (ODT) circuits, and method of ODT control | |
JP4795032B2 (ja) | タイミング調整回路及び半導体装置 | |
KR100403635B1 (ko) | 동기식 반도체 메모리 장치의 데이터 입력 회로 및 데이터입력 방법 | |
US6889336B2 (en) | Apparatus for improving output skew for synchronous integrate circuits has delay circuit for generating unique clock signal by applying programmable delay to delayed clock signal | |
TWI267870B (en) | Semiconductor memory device for controlling output timing of data depending on frequency variation | |
US7385861B1 (en) | Synchronization circuit for DDR IO interface | |
JP4747621B2 (ja) | メモリインターフェイス制御回路 | |
JP4817348B2 (ja) | 半導体メモリ装置で用いられる遅延固定ループ | |
JP3913553B2 (ja) | レイテンシ制御回路及び制御方法並びにこれを備える同期式半導体メモリ装置 | |
TWI433150B (zh) | 應用於同步動態隨機存取記憶體介面之資料截取及時序漂移偵測的裝置及方法 | |
US7084680B2 (en) | Method and apparatus for timing domain crossing | |
JP2000187522A (ja) | Ddrタイミングのためのデ―タクロック待ち時間補償回路及び方法 | |
EP1903446A1 (en) | Apparatus and method for controlling a memory interface | |
KR100871704B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 온다이 터미네이션 회로, 그의 제어방법 및 odt 동기 버퍼 | |
US10096349B2 (en) | Apparatus for source-synchronous information transfer and associated methods | |
US8422319B2 (en) | System and method for gate training in a memory system | |
KR20140026179A (ko) | 반도체 장치의 도메인 크로싱 회로 | |
US9324409B1 (en) | Method and apparatus for gating a strobe signal from a memory and subsequent tracking of the strobe signal over time | |
KR102061343B1 (ko) | 반도체 장치 | |
KR101008991B1 (ko) | 리드종료신호 생성회로 및 이를 이용한 내부클럭발생회로 | |
JP2007507937A (ja) | クロック信号を同期化する際に使用する装置、および、クロック信号同期化方法 | |
KR20120068323A (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그의 동작 방법 | |
KR20010045220A (ko) | 라이트 레이턴시 제어 회로 | |
KR20020057689A (ko) | 프리챠지 제어 회로를 구비한 반도체 메모리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160720 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6057438 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |