JP2014513426A - キャリア基板を外すための屈曲可能なキャリア台、デバイス、および方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は製品基板(11)からキャリア基板(13)を外す際にキャリア基板(13)を保持するための屈曲可能なキャリア台(1)に関し、基板(13)を曲げている間に基板(11)を外すための解決策(1,28)が提供される。さらに本発明は外し方向(L)において製品基板(11)からキャリア基板(13)を外すためのデバイスであって、基板(13)を保持するために外し方向(L)に曲げられ得るキャリア台(1)と、基板(11)を保持するための基板ホルダ(18)と、基板(13)を曲げている間に基板(11)から基板(13)を外すための解決策(1,15,15',16,28)とを備えるデバイスに関する。また本発明は外し方向(L)において製品基板からキャリア基板を外すための方法であって、基板ホルダにより製品基板を保持し、外し方向(L)に曲げられ得るキャリア台によりキャリア基板を保持するステップと、製品基板を曲げている間に製品基板からキャリア基板を外すステップとを含む方法に関する。

Description

本発明は、請求項1に記載の可撓性のキャリア台と、請求項2に記載の1つの取外し方向Lへと製品基板からキャリア基板を剥離するためのデバイスと、請求項9に記載の対応する方法と、請求項10に記載の製品基板からのキャリア基板の剥離においてキャリア基板を取り付けるための可撓性のキャリア台の使用とに関する。
半導体産業においては、しばしば、構造ウェーハまたは製品ウェーハが、キャリアウェーハまたはキャリア基板の取り扱いを可能にするために、キャリアウェーハまたはキャリア基板に対して一時的に接合される。これらの製品基板の処理後には、製品基板は、可能な限り容易に、即座に、経済的に、かつ清浄に、キャリア基板から取り外されるべきである。キャリアウェーハ上に製品ウェーハを接合するための最も頻繁に利用される方法は、これらの2つの基板の一方(または両方の基板)に対して接着層を塗布し、圧力下において接触させることである。剥離の際には、キャリアウェーハは、セメントの接着力を低減した後に(温度、UV放射、等々)、例えばウェーハ同士を相互に平行シフトすることなどによって、製品ウェーハから剥離される。これらのウェーハは、いわゆるチャックにより負圧によって保持される。
剥離の際には、複数の重要な因子が考慮されなければならず、その最重要の因子は、前処理により非常に高価である脆弱な製品ウェーハが可能な限り低い応力にさらされるようにし、この製品ウェーハが損傷を被ることのないようにすることである。他方において、キャリア基板は、可能な限り低いエネルギー消費量で、経済的かつ即座に剥離されるべきである。複数の公知の剥離プロセスにおいては、特にウェーハ間の接着層の接着特性を消滅させるために、セメントに固有の温度にまでキャリアウェーハおよび構造ウェーハ/製品ウェーハのスタックを加熱することが、必要となる。
したがって、本発明の目的は、慎重であると同時に、はるかにより迅速な剥離が可能になるように、キャリア基板を剥離するための一般的なデバイスおよび方法を開発することである。それと同時に、エネルギー消費量が、低減されることとなる。
この目的は、請求項1，2，9，および10に記載の特徴により実現される。本発明の有利な発展例は、従属請求項に提示される。また、明細書、特許請求の範囲、および/または図面に提示される特徴の中の少なくとも2つのあらゆる組合せが、本発明の枠組みの範囲内に含まれる。所与の値域において、同一の限度値内の値は、境界値としても開示されることとなり、任意の組合せにおいて特許請求されることとなる。
本発明の基本概念は、製品基板からキャリア基板を剥離する際にキャリア基板を取り付けるためのキャリア台を、このキャリア台がキャリア基板を曲げ得るようにされるように設計することである。本発明において特許請求されるように、キャリア台は、特にキャリア基板のエッジからの引き上げにより、製品基板からキャリア基板を剥離するための剥離力を生じさせるのに十分な曲げ剛性を有する。
本発明において特許請求されるように、特に<45°の、好ましくは<40°の、より好ましくは<30°の、特に好ましくは<20°の、さらにより好ましくは<10°の、最も好ましくは<5°の曲げ角度である若干のみの反りが生じるべきである。このようにすることで、キャリア台と同様のある曲げ剛性をやはり有するキャリア基板と、上記の全ての製品基板が、損傷から保護される。曲げにより、特にキャリア基板のエッジから中心の方向に移動する移動剥離最前部において剥離力の殆どが生じる。
したがって、本発明の中心は、製品基板からキャリア基板を剥離する際にキャリア基板を取り付けるための可撓性のキャリア台であり、剥離手段が、キャリア台の上のキャリア基板を曲げることにより製品基板を剥離するように設けられる。
したがって、本発明において特許請求されるように、特にある弾性または曲げ強度を有するポリマーからなるキャリア台のブランケットの非環状変例もまた予期される。これらは、キャリア基板を固定および保持するために、真空通路を有する。これに関連して、特に保持力の増大に加えて、キャリア基板をキャリア台の上に静電固定することが可能である。
また、キャリア台は、少なくとも部分的には、金属、セラミック、または複合材料から構成され得る。使用される材料は、本発明において特許請求されるような機能のみを許容することが必要である。
さらに、独立した発明は、1つの剥離方向Lにおいて製品基板からキャリア基板を剥離するためのデバイスであって、
- キャリア基板を取り付けるための、剥離方向Lにおいて可撓性を有するキャリア台と、
- 製品基板を取り付けるための基板台と、
- キャリア基板を曲げることにより製品基板からキャリア基板を剥離するための剥離手段と
を備える、デバイスである。
本発明において特許請求されるように、剥離方向Lは、実質的には、特に厳密には、キャリア基板および/または製品基板の表面に対して垂直である。キャリア台のおよび/またはキャリア台により保持されたキャリア基板の曲げの1つの曲げ軸は、剥離方向Lに対して垂直である。この曲げ軸は、特に、製品基板のおよび/またはキャリア基板の表面に対して平行である。
1つの有利な変例においては、本発明において特許請求されるように、デバイスは、有利には、キャリア台上の負圧を用いて固定されているキャリア基板をこのキャリア台に対してさらに強力に固定するために、超過気圧にさらされ得る圧力チャンバを備えることが可能である。チャンバ内の圧力は、>1バール、好ましくは>2バール、さらにより好ましくは>5バール、さらにより好ましくは>10バール、特に100バール未満であることが可能である。
本発明の有利な一実施形態によれば、キャリア台が、剥離方向Lにおいて弾性変形可能であるようになされる。本発明において特許請求されるように、キャリア台の弾性により、移動剥離最前部に対して剥離力が集中し、引張力は、キャリア基板の外周部にのみ印加されることが可能である。
本発明の別の有利な変例においては、基板台の外周部に対して作用する少なくとも1つの引張力および引張力に対抗してキャリア台の外周部に対して作用する少なくとも1つの対抗力が、剥離手段により印加されて、1つの剥離最前部に沿って剥離モーメントを生成し得るようになされる。このようにすることで、特に剥離の開始時における総負荷が軽減され得る。このようにすることで、キャリア基板のおよび製品基板のより高い保護が得られる。特に、これらの引張力が、基板台の外周部に対する引張力の均一な印加により、基板台の中心において結果的に得られる引張力をもたらし、対抗力が、キャリア台の1つのエッジに対して結果的に得られる対抗力と、移動剥離最前部に対する対応する剥離モーメントとをもたらすようになされる。したがって、このキャリア台は、基板台に対して傾斜される。
特に非常に影響を被りやすいまたは非常に高価な製品基板について、製品基板をより良好に保護するために、本発明において特許請求されるように、基板台は、製品基板をその全表面にわたって保持する剛性レシーバとして作製されるようになされる。
本発明の別の有利な実施形態によれば、キャリア台は、調節可能な内径Diを有する特に開リングとして作製されるようになされる。その曲げ剛性は、リング形状により、またリングジオメトリ、特にリング幅B対リング直径Da、および/または対リングの高さHにより、キャリア基板に対して最適に調節され得る。さらに、このリング形状により、結果的に、リング開口の領域におけるキャリア基板のより高い自由度の運動が可能となり、それにより、キャリア台の曲げ剛性とキャリア基板の曲げ剛性との間の相互作用が実現される。この場合に、キャリア台の曲げ剛性は、特に、少なくともキャリア基板の曲げ剛性以上である。
本発明において特許請求されるように、有利には、キャリア台の曲げ剛性は、キャリア基板の曲げ剛性の1/20〜20倍、特に1/10〜10倍、好ましくは1/5〜5倍、さらにより好ましくは1/2〜2倍の範囲内となるように選択される。キャリア基板は、特に、500μm〜750μm、好ましくは600μmの厚さdを有するシリコンウェーハである。このキャリア基板は、200mmまたは300mmの直径Dtを有することが可能である。
この場合に、特に跳ね返りを有する外周ショルダの形態の、特にリング外周部全体にわたって延びる保持手段を提供することが、特に有利である。したがって、経済的に作製可能な単純なジオメトリ形状を用いることにより、剥離力が、特にキャリア基板の外周部全体においてキャリア基板に対して印加され得ると共に、特に剥離の開始における剥離最前部の重要な開始が、キャリア基板の外周部上の1つまたは複数の部位に集中され得る。
1つの発展例においては、本発明において特許請求されるように、キャリア台は、基本的に完全に、特に外周部の少なくとも98%まで、好ましくは少なくとも99%まで、さらにより好ましくは少なくとも99.5%まで、キャリア基板を横方向において囲むように作製されるようになされる。このようにすることで、キャリア基板は、全外周部にわたってある程度支持される。キャリア台は、特に、好ましくは外周部の少なくとも最大で98%まで、さらにより好ましくは少なくとも99%まで、さらにより好ましくは少なくとも99.5%まで、周囲が閉じられたリングとして作製される。また、リングは、個々のセクションから構成され得る。
有利な一実施形態によれば、剥離手段は、剥離方向Lにおいてキャリア台の少なくとも1つの外周セクションの並進移動を生じさせるための並進駆動手段を有する。
独立した発明は、1つの剥離方向Lにおいて製品基板からキャリア基板を剥離するための方法であって、
- 基板台を用いて製品基板を取り付け、剥離方向Lにおいて可撓性を有するキャリア台を用いてキャリア基板を取り付けるステップと、
- キャリア基板を曲げることにより製品基板からキャリア基板を剥離するステップと
を、特に上記の順序で含む、方法である。
さらに、本発明において特許請求されるように、キャリア基板が製品基板から剥離される際に、キャリア基板を取り付けるために可撓性のキャリア台を使用する方法がある。
本発明の有利な一実施形態においては、剥離は、<200℃、好ましくは<100℃、さらにより好ましくは<50℃の温度、理想的には周囲温度にて、特にブランケット加熱手段を用いずに行われるようになされる。
本発明において特許請求されるように、特に剥離最前部において、剥離手段の作用により、特に分離手段により、局所的に剥離最前部において、剥離を加速させることが予期される。この分離手段は、機械分離および/または局所加熱を、好ましくは指向性高温空気流を含むことが可能である。具体的には、分離ウェッジ、分離ブレード、分離ワイヤ、または好ましくは剥離最前部に送られる高温圧縮空気ジェットが、個別にまたは組み合わせて提供され得る。
分離ウェッジは、好ましくはV字型プロファイルを有する工具として定義される。分離ブレードは、極度に鋭いエッジを有する工具として定義される。分離ワイヤは、対応する装置により、引っ張られた状態において、中間層の面内をこの中間層の方向に移動される、非常に細い、好ましくは高強度のワイヤである。この分離ワイヤは、特に加熱されるワイヤとして作製され、したがって加熱され得る。
また、本発明において特許請求されるように、一実施形態は、剥離最前部が、製品基板の外周部に沿った剥離の際に、内部の方向に中心に向かってある程度はらせん状に進むことが予期される。これは、外周部に対して作用している剥離力が外周部の周囲を進むように上昇されることによって実現される。
既述の特徴は、本発明において特許請求されるようなデバイス、および本発明において特許請求されるような方法、および本発明において特許請求されるような使用に対しても、同様に該当する。
好ましい例示的な実施形態の以下の説明から、および図面を利用することにより、本発明の他の利点、特徴、および詳細が明らかになろう。
切断ラインA-Aを有する、本発明において特許請求される1つのキャリア台の平面図である。 図1の切断ラインA-Aに沿ったキャリア台の断面図である。 図1によるキャリア台の底面図である。 図2の細部Eの詳細図である。 キャリア基板、相互連結層、および製品基板から構成されるスタックの側面図である。 キャリア基板、相互連結層、および製品基板から構成されるスタックの平面図である。 キャリア台の第1の実施形態に関する、図4に類似の詳細図である。 キャリア台の第2の実施形態に関する、図4に類似の詳細図である。 膜フレーム上に固定されたスタックを示す図である。 本発明において特許請求される4つの方法ステップの1つに関する、本発明において特許請求されるデバイスの第1の実施形態を示す図である。 本発明において特許請求される4つの方法ステップの1つに関する、本発明において特許請求されるデバイスの第1の実施形態を示す図である。 本発明において特許請求される4つの方法ステップの1つに関する、本発明において特許請求されるデバイスの第1の実施形態を示す図である。 本発明において特許請求される4つの方法ステップの1つに関する、本発明において特許請求されるデバイスの第1の実施形態を示す図である。 4つの方法ステップの1つに関する、本発明において特許請求されるデバイスの第2の実施形態を示す図である。 4つの方法ステップの1つに関する、本発明において特許請求されるデバイスの第2の実施形態を示す図である。 4つの方法ステップの1つに関する、本発明において特許請求されるデバイスの第2の実施形態を示す図である。 4つの方法ステップの1つに関する、本発明において特許請求されるデバイスの第2の実施形態を示す図である。
同一の構成要素または同一の機能を有する構成要素は、これらの図面において同一の参照数字により特定される。
図1は、半自動的に使用することが可能であり、キャリア基板13を手動により保持する、キャリア台1を示す。キャリア台1は、相互連結層12によりキャリア基板13に対して連結された製品基板11から、キャリア基板13を剥離するために使用される。
キャリア台1は、1つの外周セクション26上に配置された保持ハンドル2と、保持ハンドル2の対向側において開かれるリング3とから構成される。リング3の開放部3oには、端部24,24'の間の間隔Aを調節するための離間手段25が、リング3の対向し合う端部24,24'上に存在する。リング3の内径Diおよび外径Daは、間隔Aを調節することにより調節され得る。この例示の実施形態における離間手段25は、レバー4,5から構成され、レバー4は、端部24上に装着され、レバー5は、端部24'上に装着される。レバー4,5は、ここでは手動により操作することが可能な位置決め要素14によって貫通される。本発明において特許請求されるように、上述の手動による運動学的作用の自動的な再位置決めが予期される。
保持ハンドル2は、固定要素10、特にねじにより、リング3に対して装着される。本発明において特許請求されるように、所与のジオメトリ(リング高さH、リング幅B、外径Da、内径Di)に対するリング3の材料は、リング3が、その曲げ剛性により生じる力に対抗する離間手段25によって弾性的に曲げられ得るように、選択されるべきである。
リング3は、リングショルダ6から離れるように突出する外周ショルダ7と、ステップ9とを有する。ステップ9は、リングの中間部の方向に向いた45°<I<90°、特に<80°、好ましくは<70°の内角を有するZ形状で延在し、したがって、鋭角の内方エッジ8で終端する特に外周方向に延在する壁斜面17を形成する。この内方エッジ8は、同時に、外周ショルダ7の対面表面7sの一構成要素であり、この対面表面7sは、リングショルダ6に対して平行に延在する。対面表面7sは、リングショルダ6に対して、距離Mを有して等距離である。本発明において特許請求されるように、この距離Mは、キャリア基板13の1つの厚さd(図7を参照)よりも、最大でも若干さらに大きくなるように、特に最大でも相互連結層12の厚さの分だけさらに大きくなるように、選択される。好ましくは、距離Mは、図6に示すように、キャリア基板13の厚さdよりも小さくなるように選択される。好ましくは、距離Mは、キャリア基板13の厚さdの少なくとも半分の大きさである。
キャリア基板13を保持するための、および内方エッジ8により形成される、内径Diと外径Daとの間に位置する直径Dkは、キャリア基板13が内方エッジ8により形成された開口(直径Dk)を通りリングショルダ6まで挿入され得るまで、離間手段25により拡張され得る。次いで、直径Dkは、キャリア基板13の一方の外周エッジ13uが、外周ショルダ7の斜面17に接触し、この斜面17により固定されるまで、離間手段25によって再び縮小され得る。したがって、キャリア基板13は、可撓性のキャリア台1により保持される。この取付けは、ある程度は、クランプ締めにより、および/または成形嵌めにより行われる。斜面17上にキャリア基板13をクランプ締めするために、特に位置決め手段14上に、クランプ締めを制御するための検力計手段が存在し得る。
製品基板11は、相互連結層12を介してキャリア台に対して装着されるに過ぎない。キャリア台1と製品基板11との間に、直接的な接触はない。キャリア台1と製品基板11との間の接触が回避されることにより、製品基板11は最大度に保護され、汚染または損傷が実質的に排除される。
相互連結層12およびキャリア基板13を有する製品基板11は、スタック19(キャリア基板-製品基板の組合せ)を形成する。同様に、本発明は、相互連結層の介在を伴わないキャリア基板と製品基板との組合せにも、特に、ウェーハ同士が特にファンデルワールス力により相互に対して接着する、いわゆる事前接合にも適する。
図7に示す実施形態においてキャリア台1の上にスタック19を固定する場合に、鋭角内方エッジ8は、同時に分離手段としても、すなわち、相互連結層12の外周エッジ上の内方エッジ8の先端部が相互連結層12内に貫入するのを開始させるためにも、使用される。
キャリア台1は、リング開放部3oを除いて、キャリア基板13をほぼ完全に囲む。
図8は、膜フレーム23上のスタック19を示す。製品基板11は、膜フレーム23に対して接合された膜21に対して連結される。スタック19、膜フレーム23、および膜21は、膜フレームコンビネーション20を形成する。
キャリア基板13は、保持ハンドル2により、および製品基板11のまたは膜フレーム23の固定により、製品基板11から引き離され得る。引張力が、片側構成の保持ハンドル2により、キャリア基板13に対して、したがって外周セクション26に対して横方向に印加される。相互連結層12中への内方エッジ8の貫入により開始されると、キャリア基板13のおよびリング3の(曲げ剛性により生じるその力に対抗する)変形により、キャリア基板13は、ゆっくりと剥離され、これが、外周セクション26から対向側へと進む。この場合に、剥離最前部は、相互連結層12により外周セクション26からキャリア基板13の対向側まで移動する。したがって、保持ハンドル2からの剥離最前部の距離と、保持ハンドル2に対して印加される剥離力とに応じて、規定されたトルクが、剥離最前部に沿って作用する。
これは、図9a〜図9dの第1の実施形態で、および図10a〜図10dの第2の実施形態で、自動化された形態で示される。次にこれらを説明する。
自動化に適した形態におけるキャリア基板13を取り付けるための上述のキャリア台1の使用は、これらの2つの実施形態において共通である。
本発明の重要な一態様は、剥離の開始時に、したがって剥離が開始される際に、特に外周部上またはそのエッジ上の相互連結層の機械的剥離の実施により、特に慎重な取り扱いを実現することからなる。
図9および図10はそれぞれ、1つのベース27と、安定的なベース構造をもたらすためにベース27の上に取り付けられ、本発明において特許請求されるようなデバイスの以下で説明される他の構成要素を装着するための、1つのラック22とを示す。フレーム22またはベース27の上には、特にラック22のカバー22dとベース27により形成される底部27bとの間において、キャリア台1のまたはキャリア台1の外周セクションの並進移動(特に駆動された)用の駆動手段15'と、スタック19または膜フレームコンビネーション20を保持する基板台18(レシーバ)の並進移動(特に駆動された)用の駆動手段15とが存在する。駆動手段15'は、特に可動軸受により形成された、並進方向に移動自在な機構を有することが可能である。
図9および図10に示すような2つの実施形態における基板台18は、1つの剥離方向Lへと、したがって図面の平面内において、並進方向に上下移動され得る。したがって、基板台18を駆動するための駆動手段15は、特に同期的に移動され、好ましくは中央制御デバイスにより制御されるモータ、特にステップモータにより駆動され得る。
図9に示すような実施形態においては、キャリア台1に対して、外周セクション26の対向側のキャリア台1の側に駆動手段15'が1つのみ存在する一方で、外周セクション26上には1つのロッカ支承16が存在し、これにより、キャリア台は、ロッカ支承16を中心として枢動され得るようになるが、剥離方向Lにおいては固定される。したがって、本方法の順序は、以下の通りとなる。
図9aに示す方法ステップにおいては、膜フレームコンビネーション20に、特にキャリア基板13に適したキャリア台1が、上方駆動手段15'およびロッカ支承16に対して装着される。それと同時に、事前にまたはその後に、膜フレームコンビネーション20は、特に真空印加によって、基板台18上に固定される。基板台18は、駆動手段15により剥離方向Lへと移動され得る。
本発明において特許請求されるように、代替的には、キャリア台1の外周部上に、複数の、特に2つの駆動手段15'が一方の側に、および複数の、特に2つのロッカ支承16が対向側に存在することが、予期される。
キャリア台1は、駆動手段15'およびロッカ支承16上のリング外周部3u上に配置された保持手段28によって固定され得る。基板台18は、駆動手段15上の保持手段29によって固定され得る。
次いで、基板台18は、キャリア基板13の頂面13oがリングショルダ6に接触するまで、駆動手段15が基板台18の同期的な並進移動を遂行することにより、図9bに図示する位置へと(したがって剥離方向Lにおいてキャリア台1の方向に)移動される。制御は、中央制御デバイスを介して行われ、キャリア基板13がリングショルダ6に衝突したことの検出は、特に基板台18と一体化された力変換器により行われ得る。好ましくは、基板台18の外周部上に、n個の力変換器が、360°/nの角度距離で分布する。
キャリア基板13が、キャリア台1内に保持され得るように、直径Dkは、これにしたがって事前にリング3の内方エッジ8に対して合致されなければならない。これにより、キャリア基板13の外部輪郭(特に直径Dtを有する円形の)が、キャリア台1内に受けられ得るようになる。キャリア基板13が受けられる際には、内径Diは、キャリア基板13がすり抜けることのないように、キャリア基板13の直径Dtよりも小さい。図9bに示す位置に到達し次第、内径Diは、キャリア基板13がキャリア台1内に固定され(図6および図7を参照)、したがって壁斜面17に接触するまで、縮小され得る。
図9bに図示する位置に到達し次第、上方の可撓性駆動手段15'は、剥離方向Lにおける自由度を有するように解除され、駆動手段15'に対して装着されたキャリア台1の側部は、剥離方向Lにおいて自由に移動することが可能になる。この実施形態においては、駆動手段15'は、駆動装置を有さない。しかし、この場合には、本発明において特許請求されるように、駆動手段15'が受動的なもの(好ましい実施形態におけるような)ではなく能動的なものとなるように、中央デバイスにより運動制御することもまた予期される。
次いで、基板台18の上の両側に設けられた2つの駆動手段15において、キャリア台1から離れるように向けられた1つの駆動力F1(引張力)と、特に駆動力F1と同一である1つの駆動力F2(引張力)とが、キャリア台1上に固定されたキャリア基板13を製品基板11から剥離するために、基板台18に対して特に同期的に印加される。
駆動力F1およびF2に対抗して、特にこれらの駆動力F1およびF2に対して平行に作用する、対抗力G(または、複数のロッカ支承16が存在する場合には複数の対抗力G)が、ロッカ支承16に対して印加される。
このようにすることで、内方エッジ8から開始された剥離プロセスが継続され、キャリア台1のおよびキャリア基板13の曲げが増大して、剥離最前部がロッカ支承16からキャリア台1の対向側へと進む。駆動力F1およびF2ならびに対抗力G(相互連結層12の相互連結力により生じる)の均衡状態においては、トルクが、剥離最前部に沿って最小限に分布する剥離モーメントK1〜Knとして、剥離最前部に沿って作用する。
図9cに示す位置においては、キャリア基板13は、キャリア基板13およびさらにキャリア台1の両方の変形(キャリア台1のおよびキャリア基板13の曲げ強度に対抗する)により生じる剥離において、半分を超える分だけ剥離される。
図9dに示す位置においては、キャリア基板13は、製品基板11から完全に剥離される。この図の相互連結層12は、製品基板11に対して接着するが、キャリア基板13に対しても部分的にまたは完全に接着し得る。
剥離の際に、キャリア台1およびキャリア基板13は、1°<W<45°、特にW<35°、この場合には約6°の曲げ角度(平均の、特に製品基板11からキャリア基板13が半分剥離された時点で測定された曲げ角度)の分だけ曲がる。
図10a〜図10dに図示するような第2の実施形態においては、駆動手段15'の代わりに、ロッカ支承16が、キャリア台1の上に存在し、それにより、外周セクション26および対向側の外周セクション26'の上のキャリア台1(したがってロッカ支承16がキャリア台1の保持手段28に対して装着される)が、剥離方向Lにおいて固定される(本発明において特許請求されるように、キャリア台1の外周部上に複数のロッカ支承16が存在し得る)。外周セクション26同士の間のセクションにおいては、キャリア台1は、曲げ剛性に対して柔軟性を有する範囲内において可動となる。したがって、駆動力が、10cによる方法ステップにおいて印加されると、剥離最前部が、相互連結層12の外周部から実質的に(波紋)同心状に、相互連結層12の中間部まで進む。この場合に、キャリア台の内方エッジ8による開始は、相互連結層12の初期相互連結力の克服にとって重要な役割を果たす。
図10a〜図10dに図示するような実施形態においては、剥離モーメントK1〜Knは、剥離最前部が進むにつれて、剥離最前部に沿った1つの(波紋)円形セクションに対してそれぞれ優先的に作用する。図9cによる曲げ角度Wは、ロッカ支承の対向側の側部エッジに対して測定されたものであるが、曲げ角度W'は、キャリア基板13の中心からエッジまで、全ての側部から外周部に対して作用する剥離力Kにより測定され、キャリア台1の材料およびキャリア基板13の材料ならびにそれらの寸法が通常ならば同一である限りにおいては、曲げ角度W'は、この場合、距離がより短くなることにより、対応してより小さくなる。リング幅Bおよび/またはリング高さHを縮小することにより、曲げ角度W'が拡張されるように、リング3の曲げ剛性を低下させることが可能となる。
1 キャリア台
2 保持ハンドル
3 リング
3o 開放部
3u リング外周部
4 レバー
5 レバー
6 リングショルダ
7 外周ショルダ
7s 対面表面
8 内方エッジ
9 ステップ
10 固定手段
11 製品基板
12 相互連結層
13 キャリア基板
13o 頂部
13u 外周エッジ
14 位置決め要素
15,15' 駆動手段
16 ロッカ支承
17 斜面
18 基板台
19 スタック
20 膜フレームコンビネーション
21 ホイル
22 ラック
22d カバー
23 膜フレーム
24,24' 端部
25 離間手段
26 外周セクション
27 ベース
27b 底部
28 保持手段
29 保持手段
A 間隔
B リング幅
Di 内径
Da 外径
Dk 直径
H リング高さ
M 距離
L 剥離方向
I 内角
d 厚さ
F1,F2,Fn 駆動力(引張力)
G 対抗力
K1,K2,Kn 剥離モーメント
W,W' 曲げ角度

Claims (10)

  1. キャリア基板(13)が製品基板(11)から剥離される際に前記キャリア基板(13)を取り付けるための可撓性のキャリア台(1)であって、前記キャリア基板(13)を曲げることにより前記製品基板(11)を剥離するために剥離手段(1、28)が設けられたキャリア台(1)。
  2. 1つの剥離方向(L)において製品基板(11)からキャリア基板(13)を剥離するためのデバイスであって、
    前記キャリア基板(13)を取り付けるための、前記剥離方向(L)に撓曲可能であるキャリア台(1)と、
    前記製品基板(11)を取り付けるための基板台(18)と、
    前記キャリア基板(13)を曲げることにより前記製品基板(11)から前記キャリア基板(13)を剥離するための剥離手段(1,15,15',16,28)と
    を備える、デバイス。
  3. 前記キャリア台(1)は、前記剥離方向(L)に弾性変形可能である、請求項2に記載のデバイス。
  4. 前記基板台(18)の特に外周部に対して作用する少なくとも1つの引張力(F1,F2,Fn)および前記引張力(F1,F2,Fn)に対抗して前記キャリア台の特に外周部に対して作用する少なくとも1つの対抗力(G)が、前記剥離手段(1,15,15',16,28)により印加されて、1つの剥離最前部に沿って剥離モーメント(L1,L2,Ln)を生成し得る、請求項2または3に記載のデバイス。
  5. 前記基板台(18)は、前記製品基板(11)を全表面にわたって受ける剛性の基板台(18)として作製される、請求項2から4のいずれか一項に記載のデバイス。
  6. 前記キャリア台(1)は、調節可能な直径(Dk)を有する特に開リング(3)として作製される、請求項1に記載のキャリア台。
  7. 跳ね返りを有する外周ショルダ(7)を特に有する特にリング外周部(3u)全体にわたって延びる保持手段(9)を有する、請求項1または6のいずれか一項に記載のキャリア台。
  8. 前記キャリア基板(13)を基本的に完全に横方向において囲むように作製された、請求項1,6,または7のいずれか一項に記載のキャリア台。
  9. 1つの剥離方向(L)において製品基板からキャリア基板を剥離するための方法であって、
    基板台を用いて前記製品基板を取り付け、前記剥離方向(L)において可撓性を有するキャリア台を用いて前記キャリア基板を取り付けるステップと、
    前記製品基板を曲げることにより前記製品基板から前記キャリア基板を剥離するステップと
    を、特に上記の順序で含む、方法。
  10. キャリア基板が製品基板から剥離される際に、前記キャリア基板を取り付けるために可撓性のキャリア台を使用する方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017094484A (ja) * 2015-10-22 2017-06-01 浙江中▲納▼晶微▲電▼子科技有限公司Ｚｈｅｊｉａｎｇ Ｍｉｃｒｏｔｅｃｈ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． ワークピースの加工手順およびその手順を実施するための剥離装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150108428A (ko) 2011-04-11 2015-09-25 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 가요성의 캐리어 마운트 및 캐리어 기판을 분리하기 위한 장치 및 방법
JP2013033925A (ja) * 2011-07-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム
WO2013091714A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Ev Group E. Thallner Gmbh Biegsame substrathalterung, vorrichtung und verfahren zum lösen eines ersten substrats
KR102007042B1 (ko) * 2012-09-19 2019-08-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 박리 장치
JP6014477B2 (ja) * 2012-12-04 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP5993731B2 (ja) * 2012-12-04 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
US10103048B2 (en) * 2013-08-28 2018-10-16 Brewer Science, Inc. Dual-layer bonding material process for temporary bonding of microelectronic substrates to carrier substrates
BR112016016826B1 (pt) 2014-01-28 2022-01-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sistema e método de produção de uma estrutura de fluxo de cabeça de impressão
DE112014005278B4 (de) * 2014-01-28 2021-09-16 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Lösen eines Trägerwafers
CN106716615B (zh) 2014-06-27 2020-07-10 埃里希·塔尔纳 用于分离第一衬底的试样固持器，装置和方法
US9991150B2 (en) 2014-12-12 2018-06-05 Micro Materials Inc. Procedure of processing a workpiece and an apparatus designed for the procedure
CN104485294A (zh) 2014-12-12 2015-04-01 浙江中纳晶微电子科技有限公司 一种晶圆临时键合及分离方法
CN104979262B (zh) * 2015-05-14 2020-09-22 浙江中纳晶微电子科技有限公司 一种晶圆分离的方法
CN106710442B (zh) * 2015-10-21 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 背光源分离设备
CN106739424B (zh) * 2015-11-20 2020-02-14 财团法人工业技术研究院 取下贴合装置及应用此装置的取下方法与贴合方法
CN114300347A (zh) 2016-02-16 2022-04-08 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于接合衬底的方法
JP2018043377A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 剥離装置および剥離方法
US10456008B2 (en) * 2016-11-29 2019-10-29 Whirlpool Corporation Learning dispensing system for water inlet hose
US10272661B2 (en) 2017-04-17 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pad removal device and method
TWI648213B (zh) * 2017-11-30 2019-01-21 景碩科技股份有限公司 撕箔機構
CN108195501B (zh) * 2018-02-12 2019-12-20 哈尔滨市高新技术检测研究院 一种滑雪板固定器脱离力矩的检测方法
US11022791B2 (en) 2018-05-18 2021-06-01 Facebook Technologies, Llc Assemblies of anisotropic optical elements and methods of making
US20240047414A1 (en) * 2019-11-08 2024-02-08 Ev Group E. Thallner Gmbh Device and method for joining substrates
JP7471862B2 (ja) 2020-02-27 2024-04-22 キオクシア株式会社 貼合装置および貼合方法
JP7339905B2 (ja) 2020-03-13 2023-09-06 キオクシア株式会社 貼合装置および貼合方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012004522A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Brewer Science Inc 逆に装着されたデバイスウェーハーをキャリヤー基板から分離する方法および装置

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06268051A (ja) 1993-03-10 1994-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウエハ剥し装置
US5932048A (en) 1995-04-06 1999-08-03 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method of fabricating direct-bonded semiconductor wafers
JPH1159895A (ja) 1997-08-27 1999-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板取り離し装置およびそれを用いた基板取り離し方法
US5768980A (en) * 1997-08-29 1998-06-23 Degen; Monika Baking form assembly
FR2783970B1 (fr) 1998-09-25 2000-11-03 Commissariat Energie Atomique Dispositif autorisant le traitement d'un substrat dans une machine prevue pour traiter de plus grands substrats et systeme de montage d'un substrat dans ce dispositif
US6423613B1 (en) 1998-11-10 2002-07-23 Micron Technology, Inc. Low temperature silicon wafer bond process with bulk material bond strength
US6431623B1 (en) * 1999-06-11 2002-08-13 Honeywell International Inc. Vacuum device for peeling off thin sheets
US6221740B1 (en) * 1999-08-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving tool and method
US7378332B2 (en) 2002-05-20 2008-05-27 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Laminated substrate, method of manufacturing the substrate, and wafer outer periphery pressing jigs used for the method
US6760985B2 (en) * 2002-09-03 2004-07-13 David A. Wilson Craft hoop clamping method and apparatus
US7187162B2 (en) 2002-12-16 2007-03-06 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
US20050150597A1 (en) * 2004-01-09 2005-07-14 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for controlled cleaving
JP2006059861A (ja) 2004-08-17 2006-03-02 Lintec Corp 脆質部材の転着装置
US7381628B2 (en) 2004-08-20 2008-06-03 Integrated Sensing Systems, Inc. Process of making a microtube and microfluidic devices formed therewith
DE602005027102D1 (de) * 2004-10-21 2011-05-05 Fujifilm Dimatix Inc Ätzverfahren mit Verwendung eines Opfersubstrats
JP4668659B2 (ja) 2005-03-30 2011-04-13 大日本印刷株式会社 接合部材と接合部材の作製方法
US20070013014A1 (en) 2005-05-03 2007-01-18 Shuwen Guo High temperature resistant solid state pressure sensor
US20080032501A1 (en) 2006-07-21 2008-02-07 Honeywell International Inc. Silicon on metal for mems devices
FR2906933B1 (fr) 2006-10-06 2009-02-13 Commissariat Energie Atomique Dispositif de separation d'une structure empilee et procede associe
JP4729003B2 (ja) 2007-06-08 2011-07-20 リンテック株式会社 脆質部材の処理方法
KR100891384B1 (ko) * 2007-06-14 2009-04-02 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 기판 접합 및 탈착장치
US20090017248A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body
US7682933B1 (en) 2007-09-26 2010-03-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Wafer alignment and bonding
FR2926671B1 (fr) 2008-01-17 2010-04-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement de defauts lors de collage de plaques
US9111981B2 (en) * 2008-01-24 2015-08-18 Brewer Science Inc. Method for reversibly mounting a device wafer to a carrier substrate
US8459779B2 (en) 2008-04-11 2013-06-11 Lexmark International, Inc. Heater chips with silicon die bonded on silicon substrate, including offset wire bonding
DE102008018536B4 (de) * 2008-04-12 2020-08-13 Erich Thallner Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen und/oder Ablösen eines Wafers auf einen/von einem Träger
US7749884B2 (en) 2008-05-06 2010-07-06 Astrowatt, Inc. Method of forming an electronic device using a separation-enhancing species
JP2010010207A (ja) 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
JP2010135682A (ja) 2008-12-08 2010-06-17 Sumco Corp 貼り合わせシリコンウェーハの製造方法および製造装置
SG163481A1 (en) 2009-01-21 2010-08-30 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing soi substrate and semiconductor device
TWI410329B (zh) * 2009-03-09 2013-10-01 Ind Tech Res Inst 可撓式裝置的取下設備及其取下方法
KR20120027237A (ko) 2009-04-16 2012-03-21 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 웨이퍼 가접합 및 분리를 위한 개선된 장치
US8950459B2 (en) 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
US8366873B2 (en) 2010-04-15 2013-02-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers
US20100279435A1 (en) 2009-04-30 2010-11-04 Applied Materials, Inc. Temperature control of chemical mechanical polishing
US8772627B2 (en) * 2009-08-07 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
JP5155454B2 (ja) * 2009-08-31 2013-03-06 旭硝子株式会社 剥離装置
EP2706561B1 (de) 2009-09-01 2017-04-05 EV Group GmbH Verfahren zum konzentrischen Ablösen eines Produktsubstrats (z.B. eines Halbleiterwafers) von einem Trägersubstrat durch Verformung eines auf einem Filmrahmen montierten flexiblen Films
KR20150108428A (ko) 2011-04-11 2015-09-25 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 가요성의 캐리어 마운트 및 캐리어 기판을 분리하기 위한 장치 및 방법
WO2013091714A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Ev Group E. Thallner Gmbh Biegsame substrathalterung, vorrichtung und verfahren zum lösen eines ersten substrats

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012004522A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Brewer Science Inc 逆に装着されたデバイスウェーハーをキャリヤー基板から分離する方法および装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017094484A (ja) * 2015-10-22 2017-06-01 浙江中▲納▼晶微▲電▼子科技有限公司Ｚｈｅｊｉａｎｇ Ｍｉｃｒｏｔｅｃｈ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． ワークピースの加工手順およびその手順を実施するための剥離装置

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