JP2014512703A5 - - Google Patents
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Description
本願開示の一つの態様は、ＩＩＩ族の材料を堆積させることと、前記ＩＩＩ属の材料の堆積後にＶ族の材料を堆積させることとを含む、太陽電池構造におけるトンネル接合を形成する方法である。
本願開示の他の態様は、太陽電池構造へのＩＩＩ族の材料の堆積およびＶ族の材料の堆積を交互に行うことを含む、前記太陽電池構造にトンネル接合を形成する方法である。
有利には、前記ＩＩＩ属の材料の堆積およびＶ属の材料の堆積を交互に行うことが、前記太陽電池構造上へＩＩＩ属の材料を堆積させることと、
前記ＩＩＩ属の材料の堆積後にＶ属の材料を堆積させることと
をさらに含む。
有利には、前記方法は、前記太陽電池構造の第１の太陽電池上へ前記ＩＩＩ族の材料を堆積させることをさらに含む。
有利には、前記方法は、前記太陽電池構造の前記第１の太陽電池上へ前記Ｖ族の材料を堆積させることをさらに含む。
有利には、前記ＩＩＩ族の材料および前記Ｖ族の材料の堆積の比を制御することをさらに含む。
有利には、前記ＩＩＩ族の材料の堆積を交互に行うことが、約１〜１０００秒にわたって前記ＩＩＩ族および前記Ｖ族の材料を堆積させることをさらに含む。
有利には、前記ＩＩＩ属の材料が、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、およびタリウム（Ｔｌ）のうちの少なくとも１つを含む。
有利には、前記Ｖ属の材料が、チッ素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびビスマス（Ｂｉ）のうちの少なくとも１つを含む。
有利には、前記ＩＩＩ属の材料の堆積およびＶ属の材料の堆積を交互に行うことが、前記太陽電池構造上へＩＩＩ属の材料を堆積させることと、
前記ＩＩＩ属の材料の堆積後にＶ属の材料を堆積させることと
をさらに含む。
有利には、前記方法は、前記太陽電池構造の第１の太陽電池上へ前記ＩＩＩ族の材料を堆積させることをさらに含む。
有利には、前記方法は、前記太陽電池構造の前記第１の太陽電池上へ前記Ｖ族の材料を堆積させることをさらに含む。
有利には、前記ＩＩＩ族の材料および前記Ｖ族の材料の堆積の比を制御することをさらに含む。
有利には、前記ＩＩＩ族の材料の堆積を交互に行うことが、約１〜１０００秒にわたって前記ＩＩＩ族および前記Ｖ族の材料を堆積させることをさらに含む。
有利には、前記ＩＩＩ属の材料が、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、およびタリウム（Ｔｌ）のうちの少なくとも１つを含む。
有利には、前記Ｖ属の材料が、チッ素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびビスマス（Ｂｉ）のうちの少なくとも１つを含む。
光起電デバイスが、基板を有する。第１の太陽電池デバイスが、基板の上方に配置される。コンタクトが、第１の太陽電池の上方に配置される。トンネル接合が、第１の太陽電池とコンタクトとの間に形成される。トンネル接合は、マイグレーション・エンハンスト・エピタキシャル（ＭＥＥ）によって形成される。
有利には、前記トンネル接合が、ＩＩＩ属およびＶ属の材料の堆積を交互に行うことからなる前記ＭＥＥ法によって形成される。
有利には、前記ＩＩＩ族の材料が、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、およびタリウム（Ｔｌ）のうちの少なくとも１つを含む。
有利には、前記Ｖ族の材料が、チッ素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびビスマス（Ｂｉ）のうちの少なくとも１つを含む。
有利には、前記デバイスが、前記基板と前記第１の太陽電池との間に位置するバッファ層をさらに備える。
有利には、前記デバイスが、前記バッファ層と前記基板との間に位置する核生成層をさらに備える。
有利には、前記デバイスが、前記第１の太陽電池と前記コンタクトとの間に位置する第２の太陽電池をさらに備える。
有利には、前記トンネル接合が、ＩＩＩ属およびＶ属の材料の堆積を交互に行うことからなる前記ＭＥＥ法によって形成される。
有利には、前記ＩＩＩ族の材料が、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、およびタリウム（Ｔｌ）のうちの少なくとも１つを含む。
有利には、前記Ｖ族の材料が、チッ素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、およびビスマス（Ｂｉ）のうちの少なくとも１つを含む。
有利には、前記デバイスが、前記基板と前記第１の太陽電池との間に位置するバッファ層をさらに備える。
有利には、前記デバイスが、前記バッファ層と前記基板との間に位置する核生成層をさらに備える。
有利には、前記デバイスが、前記第１の太陽電池と前記コンタクトとの間に位置する第２の太陽電池をさらに備える。
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