JPH1012905A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池及びその製造方法Info
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- JPH1012905A JPH1012905A JP8167496A JP16749696A JPH1012905A JP H1012905 A JPH1012905 A JP H1012905A JP 8167496 A JP8167496 A JP 8167496A JP 16749696 A JP16749696 A JP 16749696A JP H1012905 A JPH1012905 A JP H1012905A
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高効率かつ低コストの太陽電池を提供する。
【解決手段】 太陽電池の、半導体基板、ｐ型半導体層
及びｎ型半導体層のうちの少なくとも１つをIII−Ｖ族
混晶半導体に窒素を含有せしめた半導体を用いて形成す
る。これにより、基板に対して格子整合性が良く幅広い
禁制帯幅を利用できる、高効率の太陽電池を実現でき
る。
及びｎ型半導体層のうちの少なくとも１つをIII−Ｖ族
混晶半導体に窒素を含有せしめた半導体を用いて形成す
る。これにより、基板に対して格子整合性が良く幅広い
禁制帯幅を利用できる、高効率の太陽電池を実現でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池及びその製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池は、各種の電子機器、自動車等
の幅広い用途に用いられる電源として期待されている
が、発電コストが高い点がネックとなり、普及が阻害さ
れる例が往々にして見られた。この発電コストを下げる
ために、太陽電池の変換効率を高くすることや、コスト
の低い材料を用いることが試みられている。禁制帯幅の
異なる材料により構成される複数の太陽電池を積層した
タンデム型太陽電池が、このような高効率低コストの太
陽電池として注目されている。タンデム型太陽電池で
は、およそ３００ｎｍから２μｍにも及ぶ広い波長分布
を有する太陽光を多段階で吸収し効率よく出力として取
り出せるため、高い変換効率を実現できる。
の幅広い用途に用いられる電源として期待されている
が、発電コストが高い点がネックとなり、普及が阻害さ
れる例が往々にして見られた。この発電コストを下げる
ために、太陽電池の変換効率を高くすることや、コスト
の低い材料を用いることが試みられている。禁制帯幅の
異なる材料により構成される複数の太陽電池を積層した
タンデム型太陽電池が、このような高効率低コストの太
陽電池として注目されている。タンデム型太陽電池で
は、およそ３００ｎｍから２μｍにも及ぶ広い波長分布
を有する太陽光を多段階で吸収し効率よく出力として取
り出せるため、高い変換効率を実現できる。
【０００３】１６ｔｈ ＰＶＳＣ Ｓｃａｎ Ｄｉｅｇ
ｏ． ＣＡ． ｐｇ．６９２（１９８２）におけるＪ．
Ｃ．Ｃ．Ｆａｎらの報告によれば、３層タンデム型太陽
電池に用いる材料の禁制帯幅の組合せが、１．９ｅＶ，
１．４ｅＶ，１．０ｅＶのときに、最高の約４０％の変
換効率が実現されるとしている（但し、エア・マス（Ａ
Ｍ）１．０の条件下で、各層を直列接続した場合）。例
えば、最も禁制帯幅の広い材料を用いるトップセルとし
てインジウム（Ｉｎ）の組成比が約０．５のガリウムイ
ンジウム燐（ＧａＩｎＰ：禁制帯幅約１．９ｅＶ）を用
い、ミドルセルとして砒化ガリウム（ＧａＡｓ：禁制帯
幅約１．４ｅＶ）を用い、ボトムセルとして珪素（Ｓ
ｉ：禁制帯幅約１．１ｅＶ）を用いた３層タンデム型太
陽電池が提案されており、この太陽電池の各セルの禁制
帯幅は、上述の理想的な組み合わせに極めて近いもので
ある。
ｏ． ＣＡ． ｐｇ．６９２（１９８２）におけるＪ．
Ｃ．Ｃ．Ｆａｎらの報告によれば、３層タンデム型太陽
電池に用いる材料の禁制帯幅の組合せが、１．９ｅＶ，
１．４ｅＶ，１．０ｅＶのときに、最高の約４０％の変
換効率が実現されるとしている（但し、エア・マス（Ａ
Ｍ）１．０の条件下で、各層を直列接続した場合）。例
えば、最も禁制帯幅の広い材料を用いるトップセルとし
てインジウム（Ｉｎ）の組成比が約０．５のガリウムイ
ンジウム燐（ＧａＩｎＰ：禁制帯幅約１．９ｅＶ）を用
い、ミドルセルとして砒化ガリウム（ＧａＡｓ：禁制帯
幅約１．４ｅＶ）を用い、ボトムセルとして珪素（Ｓ
ｉ：禁制帯幅約１．１ｅＶ）を用いた３層タンデム型太
陽電池が提案されており、この太陽電池の各セルの禁制
帯幅は、上述の理想的な組み合わせに極めて近いもので
ある。
【０００４】トップセル材料のＧａＩｎＰは、ミドルセ
ル材料のＧａＡｓと同一の格子定数を有するような組成
比（Ｉｎ組成が約０．５）に形成することが可能であ
り、そのように形成した場合には、トップセルとミドル
セルの材料間で格子定数の差がなく、活性層として数ミ
クロンもの厚さが必要となる太陽電池形成の際に良好な
結晶性を保つことができる。また、太陽電池間にトンネ
ル接合を用いることができるため、太陽電池間の電気的
接続を含めて一括して結晶成長を行うことが可能とな
る。これらの利点から、ＧａＡｓ基板上に作製されたＧ
ａＩｎＰとＧａＡｓとの２層タンデム型太陽電池におい
ては、既に３０％近い変換効率が報告されている。
ル材料のＧａＡｓと同一の格子定数を有するような組成
比（Ｉｎ組成が約０．５）に形成することが可能であ
り、そのように形成した場合には、トップセルとミドル
セルの材料間で格子定数の差がなく、活性層として数ミ
クロンもの厚さが必要となる太陽電池形成の際に良好な
結晶性を保つことができる。また、太陽電池間にトンネ
ル接合を用いることができるため、太陽電池間の電気的
接続を含めて一括して結晶成長を行うことが可能とな
る。これらの利点から、ＧａＡｓ基板上に作製されたＧ
ａＩｎＰとＧａＡｓとの２層タンデム型太陽電池におい
ては、既に３０％近い変換効率が報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の３層タンデム型
太陽電池のボトムセルはＳｉ基板中に形成されており、
Ｓｉ基板はＧａＡｓ基板に比べて安価で、材料面からの
コスト低減効果が得られる。しかし、Ｓｉは、格子定数
及び熱膨張係数がＧａＡｓのそれらと大きく異なってお
り、両者間に大きな不整合性が存在する。さらに、単一
元素半導体であるため無極性であり、イオン結合性の高
いＧａＡｓ等の有極性半導体と結合形態が異なる。した
がって、ボトムセルとして用いるＳｉ上へのＧａＡｓ膜
のエピタキシャル成長は非常な困難を伴う。実際に、Ｓ
ｉ基板上に作製された３層タンデム型太陽電池の効率
は、上述したＧａＩｎＰとＧａＡｓとにより構成される
２層タンデム型太陽電池の効率より逆に低下してしまう
という欠点があった。
太陽電池のボトムセルはＳｉ基板中に形成されており、
Ｓｉ基板はＧａＡｓ基板に比べて安価で、材料面からの
コスト低減効果が得られる。しかし、Ｓｉは、格子定数
及び熱膨張係数がＧａＡｓのそれらと大きく異なってお
り、両者間に大きな不整合性が存在する。さらに、単一
元素半導体であるため無極性であり、イオン結合性の高
いＧａＡｓ等の有極性半導体と結合形態が異なる。した
がって、ボトムセルとして用いるＳｉ上へのＧａＡｓ膜
のエピタキシャル成長は非常な困難を伴う。実際に、Ｓ
ｉ基板上に作製された３層タンデム型太陽電池の効率
は、上述したＧａＩｎＰとＧａＡｓとにより構成される
２層タンデム型太陽電池の効率より逆に低下してしまう
という欠点があった。
【０００６】本発明はこのような従来の太陽電池の欠点
を解消するためになされたものであり、ＧａＡｓに格子
整合しかつ良好な結晶成長が可能な材料を用いた高い変
換効率の実現できる太陽電池及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
を解消するためになされたものであり、ＧａＡｓに格子
整合しかつ良好な結晶成長が可能な材料を用いた高い変
換効率の実現できる太陽電池及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００７】また、Ｓｉに格子整合し、かつＳｉより禁
制帯幅が広く、安価なＳｉ基板上に形成可能な材料を用
いた高効率太陽電池とその製造方法を提供することを目
的とする。
制帯幅が広く、安価なＳｉ基板上に形成可能な材料を用
いた高効率太陽電池とその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の太陽電池は、半
導体基板、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のうちの少な
くとも１つをIII−Ｖ族混晶半導体に窒素（Ｎ）を含有
せしめた半導体を用いて形成したものである。Ｎを含有
せしめたIII−Ｖ族混晶半導体は、III族元素の組成を一
定としてＮの組成を増加させたときに、格子定数は減少
するにも拘らず、その禁制帯幅は一旦減少してから再び
増加する特異な変化を示す。そこで、III族元素の組成
比及びＶ族元素の組成比を適正に設定すれば、ＧａＡｓ
あるいはＳｉに格子整合した状態で従来得られなかった
禁制帯幅を有する半導体層を得られることとなる。図２
に一例としてＩｎ組成をｘ、Ｎ組成をｙとしたときのＧ
ａ(1-x)Ｉｎ(x)Ｎ(y)Ａｓ(1-y)の禁制帯幅とＧａＡｓに
対する格子不整合の度合いとの関係図を示す。図の太線
がＧａＡｓに格子整合するｘ及びｙの組合せであり、そ
の禁制帯幅はボトムセルとして最適な１ｅＶ前後を網羅
していることが判る。
導体基板、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のうちの少な
くとも１つをIII−Ｖ族混晶半導体に窒素（Ｎ）を含有
せしめた半導体を用いて形成したものである。Ｎを含有
せしめたIII−Ｖ族混晶半導体は、III族元素の組成を一
定としてＮの組成を増加させたときに、格子定数は減少
するにも拘らず、その禁制帯幅は一旦減少してから再び
増加する特異な変化を示す。そこで、III族元素の組成
比及びＶ族元素の組成比を適正に設定すれば、ＧａＡｓ
あるいはＳｉに格子整合した状態で従来得られなかった
禁制帯幅を有する半導体層を得られることとなる。図２
に一例としてＩｎ組成をｘ、Ｎ組成をｙとしたときのＧ
ａ(1-x)Ｉｎ(x)Ｎ(y)Ａｓ(1-y)の禁制帯幅とＧａＡｓに
対する格子不整合の度合いとの関係図を示す。図の太線
がＧａＡｓに格子整合するｘ及びｙの組合せであり、そ
の禁制帯幅はボトムセルとして最適な１ｅＶ前後を網羅
していることが判る。
【０００９】また、本発明の太陽電池は、ｐ型半導体層
若しくはｎ型半導体層又はその両者を形成するIII−Ｖ
族混晶半導体に窒素を含有せしめた半導体が、ガリウム
インジウム窒素砒素（ＧａＩｎＮＡｓ），ガリウムイン
ジウム窒素燐（ＧａＩｎＮＰ），アルミニュウムインジ
ウム窒素燐（ＡｌＩｎＮＰ），ガリウム窒素砒素アンチ
モン（ＧａＮＡｓＳｂ）の内の１つであるものである。
これらの材料は、ＧａＡｓ基板に格子整合し、それより
狭い禁制帯幅を有する。
若しくはｎ型半導体層又はその両者を形成するIII−Ｖ
族混晶半導体に窒素を含有せしめた半導体が、ガリウム
インジウム窒素砒素（ＧａＩｎＮＡｓ），ガリウムイン
ジウム窒素燐（ＧａＩｎＮＰ），アルミニュウムインジ
ウム窒素燐（ＡｌＩｎＮＰ），ガリウム窒素砒素アンチ
モン（ＧａＮＡｓＳｂ）の内の１つであるものである。
これらの材料は、ＧａＡｓ基板に格子整合し、それより
狭い禁制帯幅を有する。
【００１０】また、本発明の太陽電池は、ｐ型半導体層
若しくはｎ型半導体層又はその両者を形成するIII−Ｖ
族混晶半導体に窒素を含有せしめた半導体が、ガリウム
窒素燐（ＧａＮＰ）、アルミニウム窒素燐（ＡｌＮ
Ｐ）、ＧａＩｎＮＰ、ＡｌＩｎＮＰ、ガリウム窒素燐砒
素（ＧａＮＰＡｓ）の内の１つであるものである。これ
らの材料は、適正な組成比において、Ｓｉ基板に格子整
合する。特に、Ｓｉより禁制帯幅を広く設定すれば、Ｓ
ｉ基板内にボトムセルとして太陽電池を形成し、その上
に上記材料から成る太陽電池を形成することにより、タ
ンデム型太陽電池を作製できる。
若しくはｎ型半導体層又はその両者を形成するIII−Ｖ
族混晶半導体に窒素を含有せしめた半導体が、ガリウム
窒素燐（ＧａＮＰ）、アルミニウム窒素燐（ＡｌＮ
Ｐ）、ＧａＩｎＮＰ、ＡｌＩｎＮＰ、ガリウム窒素燐砒
素（ＧａＮＰＡｓ）の内の１つであるものである。これ
らの材料は、適正な組成比において、Ｓｉ基板に格子整
合する。特に、Ｓｉより禁制帯幅を広く設定すれば、Ｓ
ｉ基板内にボトムセルとして太陽電池を形成し、その上
に上記材料から成る太陽電池を形成することにより、タ
ンデム型太陽電池を作製できる。
【００１１】本発明の太陽電池の製造方法は、チャンバ
ー中に半導体基板を載置し、このチャンバー中にIII族
及びＶ族の元素を導入すると共に、ＲＦプラズマ励起さ
れたＮを導入し、半導体基板上にIII−Ｖ族混晶半導体
に窒素を含有せしめた半導体層を形成するものである。
これにより、半導体基板上にIII−Ｖ族混晶半導体に窒
素を含有せしめた半導体層を形成できる。
ー中に半導体基板を載置し、このチャンバー中にIII族
及びＶ族の元素を導入すると共に、ＲＦプラズマ励起さ
れたＮを導入し、半導体基板上にIII−Ｖ族混晶半導体
に窒素を含有せしめた半導体層を形成するものである。
これにより、半導体基板上にIII−Ｖ族混晶半導体に窒
素を含有せしめた半導体層を形成できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１３】《実施の形態１》図１は、本発明の第１の
実施の形態の太陽電池の構成を示す断面図である。本実
施の形態においては、III−Ｖ族混晶半導体としてガリ
ウムインジウム窒素砒素（Ｇａ(1-x)Ｉｎ(x)Ｎ(y)Ａｓ
(1-y)において、組成比ｘ＝０．０７，ｙ＝０．０２５
のもの。以下、ＧａＩｎＮＡｓと表記する。）を用いて
単層の太陽電池を形成している。この組成比のＧａＩｎ
ＮＡｓは、ＧａＡｓの格子定数と同一の格子定数を有す
るため、良好な結晶性を保ったままＧａＡｓ基板上に結
晶成長させることが可能である。以下、この太陽電池の
製造方法について説明する。
実施の形態の太陽電池の構成を示す断面図である。本実
施の形態においては、III−Ｖ族混晶半導体としてガリ
ウムインジウム窒素砒素（Ｇａ(1-x)Ｉｎ(x)Ｎ(y)Ａｓ
(1-y)において、組成比ｘ＝０．０７，ｙ＝０．０２５
のもの。以下、ＧａＩｎＮＡｓと表記する。）を用いて
単層の太陽電池を形成している。この組成比のＧａＩｎ
ＮＡｓは、ＧａＡｓの格子定数と同一の格子定数を有す
るため、良好な結晶性を保ったままＧａＡｓ基板上に結
晶成長させることが可能である。以下、この太陽電池の
製造方法について説明する。
【００１４】結晶の成長方法としてはガスソース分子線
エピタキシー（ＭＢＥ）法を用いた。この方法はＶ族の
元素の供給に気体原料を用いる方法である。また、この
方法によれば、この種の半導体素子の作成に要求される
精密な膜圧制御や材料の瞬時の切り替えが可能で、Ｎの
導入に適した非平衡状態での成長を行うことができる。
本実施の形態においては、Ｖ族元素の供給源として、砒
素（Ａｓ）に関してはアルシン（ＡｓＨ3）、燐（Ｐ）
に関してはフォスフィン（ＰＨ3）を用いた。また、Ｎ
に関してはＮ2ガスを高周波（ＲＦ）プラズマ励起して
導入した。
エピタキシー（ＭＢＥ）法を用いた。この方法はＶ族の
元素の供給に気体原料を用いる方法である。また、この
方法によれば、この種の半導体素子の作成に要求される
精密な膜圧制御や材料の瞬時の切り替えが可能で、Ｎの
導入に適した非平衡状態での成長を行うことができる。
本実施の形態においては、Ｖ族元素の供給源として、砒
素（Ａｓ）に関してはアルシン（ＡｓＨ3）、燐（Ｐ）
に関してはフォスフィン（ＰＨ3）を用いた。また、Ｎ
に関してはＮ2ガスを高周波（ＲＦ）プラズマ励起して
導入した。
【００１５】半導体基板１としてはｐ型のＧａＡｓ（１
００）基板を用いた。ＡｓＨ3供給下のＡｓ雰囲気にお
いて、半導体基板１の表面の酸化膜を１０分間の熱クリ
ーニングにより除去した後、半導体基板１上にバッファ
層としてベリリウム（Ｂｅ）をドープしたｐ型ＧａＡｓ
層２（ドープ濃度７×１０18／ｃｍ3）を０．３μｍの
厚さに成長させた。
００）基板を用いた。ＡｓＨ3供給下のＡｓ雰囲気にお
いて、半導体基板１の表面の酸化膜を１０分間の熱クリ
ーニングにより除去した後、半導体基板１上にバッファ
層としてベリリウム（Ｂｅ）をドープしたｐ型ＧａＡｓ
層２（ドープ濃度７×１０18／ｃｍ3）を０．３μｍの
厚さに成長させた。
【００１６】この後、前述のごとくＮ2ガスをＲＦプラ
ズマ励起して導入し添加し、ｐ型ＧａＩｎＮＡｓベース
層３（ドープ濃度２×１０17／ｃｍ3）をｐ型ＧａＡｓ
層２の上に３μｍの厚さに成長させた。この後、Ｂｅを
チャンバー中に供給するためのシャッターを閉じ、同時
にＳｉをチャンバー中に供給するためのシャッターを開
いてｎ型ＧａＩｎＮＡｓエミッタ層４（ドープ濃度２×
１０18／ｃｍ3）をｐ型ＧａＩｎＮＡｓベース層３の上
に０．５μｍの厚さに成長させ太陽電池セルを形成し
た。
ズマ励起して導入し添加し、ｐ型ＧａＩｎＮＡｓベース
層３（ドープ濃度２×１０17／ｃｍ3）をｐ型ＧａＡｓ
層２の上に３μｍの厚さに成長させた。この後、Ｂｅを
チャンバー中に供給するためのシャッターを閉じ、同時
にＳｉをチャンバー中に供給するためのシャッターを開
いてｎ型ＧａＩｎＮＡｓエミッタ層４（ドープ濃度２×
１０18／ｃｍ3）をｐ型ＧａＩｎＮＡｓベース層３の上
に０．５μｍの厚さに成長させ太陽電池セルを形成し
た。
【００１７】続いて、ＧａとＮとをそれぞれチャンバー
中に供給するためのシャッターをそれぞれ閉じ、アルミ
ニュウム（Ａｌ）をチャンバー中に供給するためのシャ
ッターを開き、ＰＨ3のバルブを開いて、窓層として、
ｎ型ＡｌＩｎＰ層５（ドープ濃度４×１０18／ｃｍ3）
をｎ型ＧａＩｎＮＡｓエミッタ層４の上に０．０３μｍ
の厚さに成長させた。最後に、Ｇａのシャッターを開
き、Ｉｎ，Ａｌのシャッターをそれぞれ閉じ、ＡｓＨ3
のバルブを開き、ＰＨ3のバルブを閉じて、電極材料と
の良好な電気的コンタクトを取るためのｎ型ＧａＡｓキ
ャップ層６（ドープ濃度４×１０18／ｃｍ3）をｎ型Ａ
ｌＩｎＰ層５の上に０．５μｍの厚さに成長させた。
中に供給するためのシャッターをそれぞれ閉じ、アルミ
ニュウム（Ａｌ）をチャンバー中に供給するためのシャ
ッターを開き、ＰＨ3のバルブを開いて、窓層として、
ｎ型ＡｌＩｎＰ層５（ドープ濃度４×１０18／ｃｍ3）
をｎ型ＧａＩｎＮＡｓエミッタ層４の上に０．０３μｍ
の厚さに成長させた。最後に、Ｇａのシャッターを開
き、Ｉｎ，Ａｌのシャッターをそれぞれ閉じ、ＡｓＨ3
のバルブを開き、ＰＨ3のバルブを閉じて、電極材料と
の良好な電気的コンタクトを取るためのｎ型ＧａＡｓキ
ャップ層６（ドープ濃度４×１０18／ｃｍ3）をｎ型Ａ
ｌＩｎＰ層５の上に０．５μｍの厚さに成長させた。
【００１８】このようにして多層膜を形成した基板を、
キャップ層６のエッチング処理、反射防止膜７の形成、
金属電極８，９の取付け等の太陽電池形成プロセス工程
を経て素子として完成させた。この太陽電池の効率は２
３％であった。
キャップ層６のエッチング処理、反射防止膜７の形成、
金属電極８，９の取付け等の太陽電池形成プロセス工程
を経て素子として完成させた。この太陽電池の効率は２
３％であった。
【００１９】なお、同様の太陽電池構造は、ＧａＩｎＮ
Ａｓの替わりにＧａＩｎＮＰ，ＡｌＩｎＮＰ，ＧａＮＡ
ｓＳｂを用いても作製可能である。さらに、有機金属化
学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等の、精密な膜厚の制御や
材料の瞬時の切り替えが可能で、かつ非平衡状態でＮを
チャンバー中に導入し結晶成長させることのできる他の
結晶成長法を用いてもよい。
Ａｓの替わりにＧａＩｎＮＰ，ＡｌＩｎＮＰ，ＧａＮＡ
ｓＳｂを用いても作製可能である。さらに、有機金属化
学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等の、精密な膜厚の制御や
材料の瞬時の切り替えが可能で、かつ非平衡状態でＮを
チャンバー中に導入し結晶成長させることのできる他の
結晶成長法を用いてもよい。
【００２０】《実施の形態２》図３の（１）は、ＧａＩ
ｎＮＡｓ太陽電池をボトムセルとして用いた本発明の第
２の実施の形態のタンデム型太陽電池を示す断面図であ
る。また、図３の（２）は、図３の（１）の各結晶層を
形成するときに各元素をチャンバー中に供給するための
シャッター及びバルブの各結晶層ごとの開閉状態を示す
図であり、〇印は開状態を×印は閉状態を示す。
ｎＮＡｓ太陽電池をボトムセルとして用いた本発明の第
２の実施の形態のタンデム型太陽電池を示す断面図であ
る。また、図３の（２）は、図３の（１）の各結晶層を
形成するときに各元素をチャンバー中に供給するための
シャッター及びバルブの各結晶層ごとの開閉状態を示す
図であり、〇印は開状態を×印は閉状態を示す。
【００２１】図３の（１）において、各太陽電池セル間
はトンネル接合により接続されており、各結晶層はＧａ
Ａｓの格子定数に整合し、良好な結晶性を保ったままＧ
ａＡｓ基板上に一括して成長させた。結晶の成長方法と
しては、第１の実施の形態で用いたのと同じガスソース
ＭＢＥ法を用いた。
はトンネル接合により接続されており、各結晶層はＧａ
Ａｓの格子定数に整合し、良好な結晶性を保ったままＧ
ａＡｓ基板上に一括して成長させた。結晶の成長方法と
しては、第１の実施の形態で用いたのと同じガスソース
ＭＢＥ法を用いた。
【００２２】半導体基板１１としてｐ型のＧａＡｓ（１
００）基板を用い、ＡｓＨ3供給下のＡｓ雰囲気中にお
いて半導体基板１１の表面の酸化膜を１０分間熱クリー
ニングして除去した後、ＧａとＢｅのシャッターを開い
て、半導体基板１１上にバッファ層としてＢｅをドープ
したｐ型ＧａＡｓ層１２（ドープ濃度７×１０18／ｃｍ
3）を０．３μｍの厚さに成長させた。続いて、Ｉｎの
シャッターとＮのシャッターとを開き、ｐ型ＧａＩｎＮ
Ａｓベース層１３（ドープ濃度２×１０17／ｃｍ3）を
ｐ型ＧａＡｓ層１２の上に１μｍの厚さに成長させた。
さらに、Ｂｅのシャッターを閉じ、同時にＳｉのシャッ
ターを開いて、ｎ型ＧａＩｎＮＡｓエミッタ層１４（ド
ープ濃度２×１０18／ｃｍ3）をｐ型ＧａＩｎＮＡｓベ
ース層１３の上に０．１μｍの厚さに成長させてボトム
セルを作製した。
００）基板を用い、ＡｓＨ3供給下のＡｓ雰囲気中にお
いて半導体基板１１の表面の酸化膜を１０分間熱クリー
ニングして除去した後、ＧａとＢｅのシャッターを開い
て、半導体基板１１上にバッファ層としてＢｅをドープ
したｐ型ＧａＡｓ層１２（ドープ濃度７×１０18／ｃｍ
3）を０．３μｍの厚さに成長させた。続いて、Ｉｎの
シャッターとＮのシャッターとを開き、ｐ型ＧａＩｎＮ
Ａｓベース層１３（ドープ濃度２×１０17／ｃｍ3）を
ｐ型ＧａＡｓ層１２の上に１μｍの厚さに成長させた。
さらに、Ｂｅのシャッターを閉じ、同時にＳｉのシャッ
ターを開いて、ｎ型ＧａＩｎＮＡｓエミッタ層１４（ド
ープ濃度２×１０18／ｃｍ3）をｐ型ＧａＩｎＮＡｓベ
ース層１３の上に０．１μｍの厚さに成長させてボトム
セルを作製した。
【００２３】この後、ボトムセルとミドルセルとの間の
トンネル接合を作製するため、ＩｎとＮのシャッターを
閉じ、Ｓｉの温度を上げ、ｎ型ＧａＡｓ層１５（ドープ
濃度４×１０18／ｃｍ3）をｎ型ＧａＩｎＮＡｓエミッ
タ層１４の上に０．０５μｍの厚さに成長させた。続い
て、Ｂｅのシャッターを開き、Ｓｉのシャッターを閉じ
てＳｉとＢｅの切り替えを行い、ｐ型ＧａＡｓ層１６
（ドープ濃度５×１０19／ｃｍ3）をｎ型ＧａＡｓ層１
５の上に０．０５μｍの厚さに成長させた。
トンネル接合を作製するため、ＩｎとＮのシャッターを
閉じ、Ｓｉの温度を上げ、ｎ型ＧａＡｓ層１５（ドープ
濃度４×１０18／ｃｍ3）をｎ型ＧａＩｎＮＡｓエミッ
タ層１４の上に０．０５μｍの厚さに成長させた。続い
て、Ｂｅのシャッターを開き、Ｓｉのシャッターを閉じ
てＳｉとＢｅの切り替えを行い、ｐ型ＧａＡｓ層１６
（ドープ濃度５×１０19／ｃｍ3）をｎ型ＧａＡｓ層１
５の上に０．０５μｍの厚さに成長させた。
【００２４】次にドープ濃度を変えて、ｐ型のＧａＡｓ
ベース層１７（ドープ濃度２×１０17／ｃｍ3）をｐ型
ＧａＡｓ層１６の上に１μｍの厚さに成長させた。この
後、ＢｅとＳｉのシャッターを切り替え、ｎ型ＧａＡｓ
エミッタ層１８（ドープ濃度４×１０18／ｃｍ3）をｐ
型のＧａＡｓベース層１７の上に０．１μｍの厚さに成
長させ、ミドルセルを作製した。さらに、この後、前述
したのと同様にして、ｎ型ＧａＡｓ層１９（ドープ濃度
４×１０18／ｃｍ3、厚さ０．０５μｍ3）とｐ型ＧａＡ
ｓ層２０（ドープ濃度５×１０19／ｃｍ3、厚さ０．０
５μｍ）から成るトンネル接合をｎ型ＧａＡｓエミッタ
層１８の上に作製した。このトンネル接合作製の後、Ａ
ｓＨ3のバルブを閉じＰＨ3のバルブを開いて、Ａｓ雰囲
気からＰ雰囲気に切り替えた。
ベース層１７（ドープ濃度２×１０17／ｃｍ3）をｐ型
ＧａＡｓ層１６の上に１μｍの厚さに成長させた。この
後、ＢｅとＳｉのシャッターを切り替え、ｎ型ＧａＡｓ
エミッタ層１８（ドープ濃度４×１０18／ｃｍ3）をｐ
型のＧａＡｓベース層１７の上に０．１μｍの厚さに成
長させ、ミドルセルを作製した。さらに、この後、前述
したのと同様にして、ｎ型ＧａＡｓ層１９（ドープ濃度
４×１０18／ｃｍ3、厚さ０．０５μｍ3）とｐ型ＧａＡ
ｓ層２０（ドープ濃度５×１０19／ｃｍ3、厚さ０．０
５μｍ）から成るトンネル接合をｎ型ＧａＡｓエミッタ
層１８の上に作製した。このトンネル接合作製の後、Ａ
ｓＨ3のバルブを閉じＰＨ3のバルブを開いて、Ａｓ雰囲
気からＰ雰囲気に切り替えた。
【００２５】続いて、Ｉｎシャッターを開いてｐ型Ｇａ
ＩｎＰベース層２１（ドープ濃度２×１０17／ｃｍ3）
をｐ型ＧａＡｓ層２０の上に０．５μｍの厚さに成長さ
せた。さらに、ＢｅシャッターとＳｉシャッターとの切
り替えを行い、ｎ型ＧａＩｎＰエミッタ層２２（ドープ
濃度４×１０18／ｃｍ3）をｐ型ＧａＩｎＰベース層２
１の上に０．０５μｍの厚さに成長させてトップセルを
作製した。
ＩｎＰベース層２１（ドープ濃度２×１０17／ｃｍ3）
をｐ型ＧａＡｓ層２０の上に０．５μｍの厚さに成長さ
せた。さらに、ＢｅシャッターとＳｉシャッターとの切
り替えを行い、ｎ型ＧａＩｎＰエミッタ層２２（ドープ
濃度４×１０18／ｃｍ3）をｐ型ＧａＩｎＰベース層２
１の上に０．０５μｍの厚さに成長させてトップセルを
作製した。
【００２６】この後、Ｇａシャッターを閉じＡｌシャッ
ターを開いて、窓層としてｎ型ＡｌＩｎＰ層２３（ドー
プ濃度４×１０18／ｃｍ3）をｎ型ＧａＩｎＰエミッタ
層２２の上に０．０３μｍの厚さに成長させた。最後
に、電極材料との良好なコンタクトを得るため、再びＧ
ａシャッターを開き、ＩｎシャッターとＡｌシャッター
とを閉じ、ＡｓＨ3のバルブとＰＨ3のバルブとを切り替
えて、ドープ濃度４×１０18／ｃｍ3のｎ型ＧａＡｓキ
ャップ層２４をｎ型ＡｌＩｎＰ層２３の上に０．５μｍ
の厚さに成長させた。
ターを開いて、窓層としてｎ型ＡｌＩｎＰ層２３（ドー
プ濃度４×１０18／ｃｍ3）をｎ型ＧａＩｎＰエミッタ
層２２の上に０．０３μｍの厚さに成長させた。最後
に、電極材料との良好なコンタクトを得るため、再びＧ
ａシャッターを開き、ＩｎシャッターとＡｌシャッター
とを閉じ、ＡｓＨ3のバルブとＰＨ3のバルブとを切り替
えて、ドープ濃度４×１０18／ｃｍ3のｎ型ＧａＡｓキ
ャップ層２４をｎ型ＡｌＩｎＰ層２３の上に０．５μｍ
の厚さに成長させた。
【００２７】このようにして多層膜を形成した基板を、
キャップ層２４のエッチング処理、反射防止膜２５の形
成、金属電極２６，２７の取付け等の太陽電池形成プロ
セス工程を経て素子として完成させた。かくして、一回
の一連の結晶成長操作により、トップセルからボトムセ
ルまでトンネル接合によって電気的に接続され、かつ良
好な結晶性を有する３層タンデム型太陽電池を作製し
た。この太陽電池は３４％という非常に高い効率を示し
た。
キャップ層２４のエッチング処理、反射防止膜２５の形
成、金属電極２６，２７の取付け等の太陽電池形成プロ
セス工程を経て素子として完成させた。かくして、一回
の一連の結晶成長操作により、トップセルからボトムセ
ルまでトンネル接合によって電気的に接続され、かつ良
好な結晶性を有する３層タンデム型太陽電池を作製し
た。この太陽電池は３４％という非常に高い効率を示し
た。
【００２８】なお、同様の太陽電池構造は、ＧａＩｎＮ
Ａｓの替わりにＧａＩｎＮＰ，ＡｌＩｎＮＰ，ＧａＮＡ
ｓＳｂを用いても作製可能である。さらに、ＭＯＣＶＤ
法等の他の結晶成長法を用いてもよい。
Ａｓの替わりにＧａＩｎＮＰ，ＡｌＩｎＮＰ，ＧａＮＡ
ｓＳｂを用いても作製可能である。さらに、ＭＯＣＶＤ
法等の他の結晶成長法を用いてもよい。
【００２９】《実施の形態３》図４は、Ｓｉ基板４１上
に形成した本発明の第３の実施の形態のＧａＮ(y)Ｐ(1-
y)（Ｎの組成ｙ＝０．０３：以下、ＧａＮＰと表記す
る）太陽電池の断面図である。ＧａＮＰは、Ｓｉの格子
定数に整合した格子定数を有しており、良好な結晶性を
保ったままＳｉ基板４１上に結晶成長させることが可能
である。
に形成した本発明の第３の実施の形態のＧａＮ(y)Ｐ(1-
y)（Ｎの組成ｙ＝０．０３：以下、ＧａＮＰと表記す
る）太陽電池の断面図である。ＧａＮＰは、Ｓｉの格子
定数に整合した格子定数を有しており、良好な結晶性を
保ったままＳｉ基板４１上に結晶成長させることが可能
である。
【００３０】以下、この太陽電池の製造方法について説
明する。結晶の成長方法としては、第１，第２の実施の
形態と同様に、ガスソース分子線エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）法を用いた。
明する。結晶の成長方法としては、第１，第２の実施の
形態と同様に、ガスソース分子線エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）法を用いた。
【００３１】半導体基板としてｐ型のＳｉ（１００）基
板４１を用い、このＳｉ基板４１の表面の酸化膜を熱ク
リーニングにより除去した後、Ｇａ，Ｂｅ及びＮのシャ
ッターをそれぞれ開き、ＰＨ3のバルブを開いて、ｐ型
ＧａＮＰベース層４２（ドープ濃度２×１０17／ｃ
ｍ3）をＳｉ基板４１の上に３．０μｍの厚さに成長さ
せた。
板４１を用い、このＳｉ基板４１の表面の酸化膜を熱ク
リーニングにより除去した後、Ｇａ，Ｂｅ及びＮのシャ
ッターをそれぞれ開き、ＰＨ3のバルブを開いて、ｐ型
ＧａＮＰベース層４２（ドープ濃度２×１０17／ｃ
ｍ3）をＳｉ基板４１の上に３．０μｍの厚さに成長さ
せた。
【００３２】この後、Ｂｅのシャッターを閉じ、同時に
Ｓｉのシャッターを開いてｎ型ＧａＮＰエミッタ層４３
（ドープ濃度２×１０18／ｃｍ3）をｐ型ＧａＮＰベー
ス層４２の上に０．１μｍの厚さに成長させ、太陽電池
セルを構成した。
Ｓｉのシャッターを開いてｎ型ＧａＮＰエミッタ層４３
（ドープ濃度２×１０18／ｃｍ3）をｐ型ＧａＮＰベー
ス層４２の上に０．１μｍの厚さに成長させ、太陽電池
セルを構成した。
【００３３】次に、Ａｌのシャッターを開いて、窓層と
して、ｎ型ＡｌＮＰ層４４（ドープ濃度４×１０18／ｃ
ｍ3）をｎ型ＧａＮＰエミッタ層４３の上に０．０３μ
ｍの厚さに成長させた。最後に、電極材料との良好なコ
ンタクトを得るため、ＧａシャッターとＮシャッターと
を開き、Ａｌシャッターを閉じ、ＡｓＨ3のバルブとＰ
Ｈ3のバルブとを切り替えて、ドープ濃度４×１０18／
ｃｍ3のｎ型ＧａＮＰキャップ層４５をｎ型ＡｌＮＰ層
４４の上に０．５μｍの厚さに成長させた。
して、ｎ型ＡｌＮＰ層４４（ドープ濃度４×１０18／ｃ
ｍ3）をｎ型ＧａＮＰエミッタ層４３の上に０．０３μ
ｍの厚さに成長させた。最後に、電極材料との良好なコ
ンタクトを得るため、ＧａシャッターとＮシャッターと
を開き、Ａｌシャッターを閉じ、ＡｓＨ3のバルブとＰ
Ｈ3のバルブとを切り替えて、ドープ濃度４×１０18／
ｃｍ3のｎ型ＧａＮＰキャップ層４５をｎ型ＡｌＮＰ層
４４の上に０．５μｍの厚さに成長させた。
【００３４】このようにして多層膜を形成したＳｉ基板
４１を、キャップ層４５のエッチング処理、反射防止膜
４６の形成、金属電極４７，４８の取付け等の太陽電池
形成プロセス工程を経て素子として完成させた。かくし
て、一回の一連の結晶成長操作により、良好な結晶性を
有する太陽電池を作製した。
４１を、キャップ層４５のエッチング処理、反射防止膜
４６の形成、金属電極４７，４８の取付け等の太陽電池
形成プロセス工程を経て素子として完成させた。かくし
て、一回の一連の結晶成長操作により、良好な結晶性を
有する太陽電池を作製した。
【００３５】なお、同様の太陽電池構造は、ＧａＮＰの
替わりにＡｌＮＰ，ＧａＩｎＮＰ，ＡｌＩｎＮＰ，Ｇａ
ＮＰＡｓを用いても作製可能である。さらに、ＭＯＣＶ
Ｄ法等の他の結晶成長法を用いてもよい。
替わりにＡｌＮＰ，ＧａＩｎＮＰ，ＡｌＩｎＮＰ，Ｇａ
ＮＰＡｓを用いても作製可能である。さらに、ＭＯＣＶ
Ｄ法等の他の結晶成長法を用いてもよい。
【００３６】また、図５に示すように、Ｓｉ基板として
内部に太陽電池セルを形成したＳｉ基板５１を用いれ
ば、上述した方法により、ＧａＮＰ太陽電池セル５２と
Ｓｉ太陽電池セル５１との２層タンデム型太陽電池を容
易に作製することができる。このようにして作製した２
層タンデム型太陽電池の各セルの禁制帯幅は１．９ｅＶ
と１．１ｅＶとなる。
内部に太陽電池セルを形成したＳｉ基板５１を用いれ
ば、上述した方法により、ＧａＮＰ太陽電池セル５２と
Ｓｉ太陽電池セル５１との２層タンデム型太陽電池を容
易に作製することができる。このようにして作製した２
層タンデム型太陽電池の各セルの禁制帯幅は１．９ｅＶ
と１．１ｅＶとなる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、太陽電池の半導体基
板、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のうちの少なくとも
１つをIII−Ｖ族混晶半導体に窒素を含有せしめた半導
体を用いて形成したので、基板に対して格子整合性が良
く幅広い禁制帯幅を利用できる、高効率の太陽電池を実
現できる。
板、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のうちの少なくとも
１つをIII−Ｖ族混晶半導体に窒素を含有せしめた半導
体を用いて形成したので、基板に対して格子整合性が良
く幅広い禁制帯幅を利用できる、高効率の太陽電池を実
現できる。
【００３８】また、半導体基板上に形成される半導体層
の格子定数が半導体基板の格子定数と等しく、かつ半導
体層の禁制帯幅が半導体基板の禁制帯幅と異なるように
したので、高効率のタンデム型太陽電池を実現できる。
の格子定数が半導体基板の格子定数と等しく、かつ半導
体層の禁制帯幅が半導体基板の禁制帯幅と異なるように
したので、高効率のタンデム型太陽電池を実現できる。
【００３９】さらに、珪素基板にも格子整合するIII−
Ｖ族混晶半導体に窒素を含有せしめた半導体を用いて太
陽電池セル層を形成したので、安価で高効率の太陽電池
を実現できる。
Ｖ族混晶半導体に窒素を含有せしめた半導体を用いて太
陽電池セル層を形成したので、安価で高効率の太陽電池
を実現できる。
【００４０】また、本発明によれば、チャンバー中に半
導体基板を載置し、チャンバー中にIII族及びＶ族の元
素を導入すると共に、ＲＦプラズマ励起された窒素を導
入し、半導体基板上にIII−Ｖ族混晶半導体に窒素を含
有せしめた半導体層を形成するようにしたので、正確で
効率良く窒素をドーピングしたIII−Ｖ族混晶半導体太
陽電池セルを得ることができる。
導体基板を載置し、チャンバー中にIII族及びＶ族の元
素を導入すると共に、ＲＦプラズマ励起された窒素を導
入し、半導体基板上にIII−Ｖ族混晶半導体に窒素を含
有せしめた半導体層を形成するようにしたので、正確で
効率良く窒素をドーピングしたIII−Ｖ族混晶半導体太
陽電池セルを得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の太陽電池の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】Ｇａ(1-x)Ｉｎ(x)Ｎ(y)Ａｓ(1-y)の禁制帯幅と
ＧａＡｓに対する格子不整合の度合いとの関係を示す関
係図である。
ＧａＡｓに対する格子不整合の度合いとの関係を示す関
係図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の太陽電池の構成を
示す断面図とその各層を形成する際のシャッター及びバ
ルブの開閉状態を示す表である。
示す断面図とその各層を形成する際のシャッター及びバ
ルブの開閉状態を示す表である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の太陽電池の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】図４の太陽電池をタンデム型太陽電池として構
成した場合の断面を示す断面図である。
成した場合の断面を示す断面図である。
１，１１ ＧａＡｓ基板 ３，１３ ＧａＩｎＮＡｓベース層 ４，１４ ＧａＩｎＮＡｓエミッタ層 １７ ＧａＡｓベース層 １８ ＧａＡｓエミッタ層 ２１ ＧａＩｎＰベース層 ２２ ＧａＩｎＰエミッタ層 ４１ Ｓｉ基板 ４２ ＧａＮＰベース層 ４３ ＧａＮＰエミッタ層 ５１ Ｓｉ太陽電池セル ５２ ＧａＮＰ太陽電池セル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 綿引 誠次 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 田村 克 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 峯邑 純子 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板と、該半導体基板上に形成し
た少なくとも各１層ずつのｐ型半導体層とｎ型半導体層
とを備えた太陽電池において、前記半導体基板、前記ｐ
型半導体層及び前記ｎ型半導体層のうちの少なくとも１
つをIII−Ｖ族混晶半導体に窒素を含有せしめた半導体
を用いて形成したことを特徴とする太陽電池。 - 【請求項２】 前記半導体基板上に形成される前記半導
体層の格子定数が前記半導体基板の格子定数と等しく、
かつ該半導体層の禁制帯幅が前記半導体基板の禁制帯幅
と異なることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。 - 【請求項３】 前記半導体基板上に前記ｐ型半導体層及
び前記ｎ型半導体層から成る太陽電池セルを複数段積層
せしめタンデム型太陽電池として構成したことを特徴と
する請求項２記載の太陽電池。 - 【請求項４】 前記半導体基板が砒化ガリウム基板であ
ることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。 - 【請求項５】 前記ｐ型半導体層若しくは前記ｎ型半導
体層又はその両者を形成するIII−Ｖ族混晶半導体に窒
素を含有せしめた半導体が、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎ
ＮＰ、ＡｌＩｎＮＰ、ＧａＮＡｓＳｂの内の１つである
ことを特徴とする請求項４記載の太陽電池。 - 【請求項６】 前記半導体基板が珪素基板であることを
特徴とする請求項１記載の太陽電池。 - 【請求項７】 前記ｐ型半導体層若しくは前記ｎ型半導
体層又はその両者を形成するIII−Ｖ族混晶半導体に窒
素を含有せしめた半導体が、ＧａＮＰ、ＡｌＮＰ、Ｇａ
ＩｎＮＰ、ＡｌＩｎＮＰ、ＧａＮＰＡｓの内の１つであ
ることを特徴とする請求項６記載の太陽電池。 - 【請求項８】 チャンバー中に半導体基板を載置し、該
チャンバー中にIII族及びＶ族の元素を導入すると共
に、ＲＦプラズマ励起された窒素を導入し、前記半導体
基板上にIII−Ｖ族混晶半導体に窒素を含有せしめた半
導体層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8167496A JPH1012905A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8167496A JPH1012905A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 太陽電池及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012905A true JPH1012905A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15850765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8167496A Pending JPH1012905A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012905A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013541224A (ja) * | 2010-10-28 | 2013-11-07 | ソーラー・ジャンクション・コーポレイション | 傾斜ドーピングを有する希薄窒化物サブセルを備えた多接合型太陽電池 |
| JP2014512703A (ja) * | 2011-04-29 | 2014-05-22 | ザ・ボーイング・カンパニー | 太陽電池構造におけるトンネル接合の品質を改善するための方法 |
| US8962991B2 (en) | 2011-02-25 | 2015-02-24 | Solar Junction Corporation | Pseudomorphic window layer for multijunction solar cells |
| US8962993B2 (en) | 2011-11-15 | 2015-02-24 | Solar Junction Corporation | High efficiency multijunction solar cells |
| US9018522B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-04-28 | Solar Junction Corporation | Lattice matchable alloy for solar cells |
| JP2015518283A (ja) * | 2012-04-23 | 2015-06-25 | ナンヤン テクノロジカル ユニヴァーシティー | セル配列 |
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| US11271122B2 (en) | 2017-09-27 | 2022-03-08 | Array Photonics, Inc. | Short wavelength infrared optoelectronic devices having a dilute nitride layer |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP8167496A patent/JPH1012905A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US11233166B2 (en) | 2014-02-05 | 2022-01-25 | Array Photonics, Inc. | Monolithic multijunction power converter |
| US10916675B2 (en) | 2015-10-19 | 2021-02-09 | Array Photonics, Inc. | High efficiency multijunction photovoltaic cells |
| US10930808B2 (en) | 2017-07-06 | 2021-02-23 | Array Photonics, Inc. | Hybrid MOCVD/MBE epitaxial growth of high-efficiency lattice-matched multijunction solar cells |
| US11271122B2 (en) | 2017-09-27 | 2022-03-08 | Array Photonics, Inc. | Short wavelength infrared optoelectronic devices having a dilute nitride layer |
| JP2021527939A (ja) * | 2018-06-18 | 2021-10-14 | アルタ デバイセズ, インコーポレイテッドAlta Devices, Inc. | 単一の格子整合希薄窒化物接合を組み込んだ薄膜フレキシブル光電子デバイスおよびその製造方法 |
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