JP2014503124A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 基板と反対側に上面を持ち、前記上面においてアクセス可能な少なくとも第１及び第２の電極を含む発光構造を前記基板上に形成するステップと、
   前記少なくとも第１及び第２の電極に接触するための少なくとも第１及び第２の開口を具備する第１の絶縁層を前記少なくとも第１及び第２の電極の上にそれぞれ形成するステップと、
   前記少なくとも第１及び第２の開口間を絶縁する絶縁壁を前記第１の絶縁層の上に形成するステップと、
   前記少なくとも第１及び第２の電極に接触するために前記少なくとも第１及び第２の開口内に延在する導電性材料で、前記絶縁壁の間の空間の少なくとも一部を満たすステップと、を有し、
   前記絶縁壁及び前記導電性材料は、前記基板に頼らない構造的支持を発光素子に供給する、発光装置の製造方法。
2. 前記基板の一部又は全てを除去するステップを含む、請求項１記載の方法。
3. 前記導電性材料の少なくとも一部に接触するための少なくとも１つの更なる開口を具備する第２の絶縁層を前記導電性材料の上に形成するステップと、
   前記少なくとも１つの更なる開口を通じて前記導電性材料の前記少なくとも一部に結合される少なくとも１つの導電性コンタクトを形成するステップと、を含む、請求項１記載の方法。
4. 第２の絶縁層を前記第１の絶縁層の上の第２の表面とは反対側の前記導電性材料の第１の表面上に形成するステップと、
   前記導電性材料から電気的に絶縁されている少なくとも１つの熱コンタクトを前記導電性材料の前記第１の表面の上の第２の表面とは反対側の前記第２の絶縁層の第１の表面上に形成するステップと、を含む、請求項１記載の方法。
5. 前記導電性材料の少なくとも一部が、前記発光装置の少なくとも１つの外縁まで延在している、請求項１記載の方法。
6. 前記絶縁壁は、少なくとも１００ミクロンの高さを有する樹脂壁である、請求項１記載の方法。
7. 前記発光構造は、複数の発光素子を含む、請求項１記載の方法。
8. 前記絶縁壁を形成するステップは、前記複数の発光素子の電極間に電気的な絶縁を供給するステップを含む、請求項７記載の方法。
9. 複数の発光装置が、前記基板上に形成され、前記方法は、前記複数の発光装置を単一化するステップを含む、請求項１記載の方法。
10. 前記第１の絶縁層とは反対の方向において、前記発光構造を越えて波長変換層を形成するステップを含む、請求項１記載の方法。
11. 前記発光構造を越えてレンズ素子を形成するステップを含む、請求項１記載の方法。
12. 少なくとも第１及び第２の電極を含む発光構造と、
    所望の光出力方向とは反対の方向において、それぞれ、前記少なくとも第１及び第２の電極に接触するための少なくとも第１及び第２の開口を具備する、前記第１及び第２の電極の上の第１の絶縁層と、
    壁内部の空間を形成し、各空間及び周囲の壁が、前記少なくとも第１及び第２の電極に接触するために前記少なくとも第１及び第２の開口へ延在する導電性シード層を含み、且つ、前記少なくとも第１及び第２の開口間を絶縁する、前記絶縁層の上の複数の絶縁壁と、
    前記少なくとも第１及び第２の電極に電気的な接触を供給する、前記導電性シード層上に配置された導電性材料と、を有し、
    前記絶縁壁及び前記導電性材料は、構造的支持を発光素子に供給する、発光装置。
13. 前記導電性材料の少なくとも一部に接触するための少なくとも１つの更なる開口を具備する、前記導電性材料の上の第２の絶縁層と、
    前記少なくとも１つの更なる開口を通じて前記導電性材料の前記少なくとも一部に結合される少なくとも１つの導電性コンタクトと、を含む、請求項１２記載の装置。
14. 前記第１の絶縁層の上の第２の表面とは反対側の前記導電性材料の第１の表面上の第２の絶縁層と、
    前記導電性材料から電気的に絶縁されている、前記導電性材料の前記第１の表面の上の第２の表面とは反対側の前記第２の絶縁層の第１の表面上の少なくとも１つの熱コンタクトと、を含む、請求項１２記載の装置。
15. 前記導電性材料の少なくとも一部が、前記発光装置の少なくとも１つの外縁まで延在している、請求項１２記載の装置。
16. 前記絶縁壁は、少なくとも１００ミクロンの高さを有する、請求項１２記載の装置。
17. 前記発光構造は、複数の発光素子を含む、請求項１２記載の装置。
18. 前記複数の発光素子の電極間に電気的な絶縁を含む、請求項１７記載の装置。
19. 波長変換層を含む、請求項１２記載の装置。
20. レンズ素子を含む、請求項１２記載の装置。
21. 前記絶縁層の上のベース表面と前記ベース表面の反対側の上面とを持つ前記絶縁壁の形成後に、前記絶縁壁の前記上面を超えて延在するシード層を形成し、
    前記絶縁壁間の空間の少なくとも一部を導電性材料で満たした後、前記絶縁壁の前記上面から前記シード層を除去する、請求項１記載の方法。