JP2014240173A - 基板、基板の製造方法、及び電子装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 138
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 175
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 170
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 80
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 54
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical group Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 238000000171 gas-source molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
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- Laminated Bodies (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
原料ガス:トリメチルアルミニウム(TMA)、アンモニア(NH3)
成長温度:1100℃
成長圧力:100Torr(133hPa)
膜厚 :140nm〜300nm
原料ガス:TMA、NH3
成長温度:1100℃
成長圧力:100Torr(133hPa)
膜厚 :250nm
原料ガス:モノメチルシラン(MMS:CH3SiH3)
成長温度:800℃〜1050℃
成長圧力:2.5×10−2Pa、4.0×10−2Pa
膜厚 :100nm
原料ガス MMS
成長温度 800℃〜1050℃
成長圧力 2.5×10−2Pa
膜厚 100nm
原料ガス:TMA、NH3
成長温度:1100℃
成長圧力:100Torr(133hPa)
膜厚 :100nm〜700nm
原料ガス:MMS
成長温度:800℃〜1050℃
成長圧力:2.5×10−2Pa〜4.0×10−2Pa
膜厚 :50nm〜500nm
原料ガス:TMA、NH3
成長温度:1100℃
成長圧力:100Torr(133hPa)
膜厚 :150nm
原料ガス:MMS
成長温度:1050℃
成長圧力:2.5×10−2Pa
膜厚 :100nm
SiC+2NaOH+2O2→Na2SiO5+CO2+H2O
SiC+4H2→SiH4+CH4
図8のように、SiH4とCH4の一部は蒸発するが(図8中の破線矢印)、他の一部はSiC層14の上面を流動する(図8中の実線矢印)と考えられる。SiC層14の上面を流動するSiH4とCH4によって、SiC層14の上面に形成された結晶同士の間隙が埋められ、その結果、RMS粗さが改善したものと考えられる。
12 窒化物半導体層
14 SiC層
16 グラフェン層
20 ゲート絶縁膜
22 ゲート電極
24 ソース電極
26 ドレイン電極
28 チャネル
30 ソースパッド
32 ドレインパッド
100 基板
200 電子装置
Claims (12)
- シリコン基板上に、炭化シリコン層を形成する工程と、
前記炭化シリコン層の上面に対して水素を含むガスを用いた熱処理を行う工程と、
前記熱処理を行った後、前記炭化シリコン層の上面にグラフェン層を形成する工程と、を備えることを特徴とする基板の製造方法。 - 前記炭化シリコンの上面に対してCMP処理を行う工程を備え、
前記CMP処理を行った後、前記炭化シリコンの上面に対して前記熱処理を行うことを特徴とする請求項1記載の基板の製造方法。 - 前記水素を含むガスは、水素ガスと不活性ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項1または2記載の基板の製造方法。
- 前記熱処理を、500℃以上且つ1000℃以下の温度で行うことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の基板の製造方法。
- 前記炭化シリコン層の上面に対して熱処理を施すことによって、前記グラフェン層を形成することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の基板の製造方法。
- 前記シリコン基板の上面に、窒化物半導体層を形成する工程を備え、
前記炭化シリコン層を、前記窒化物半導体層の上面に形成することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の基板の製造方法。 - 前記窒化物半導体層は、窒化アルミニウム層であることを特徴とする請求項6記載の基板の製造方法。
- シリコン基板上に設けられた炭化シリコン層と、
前記炭化シリコン層の上面に設けられたグラフェン層と、を備え、
前記グラフェン層に対するラマン分光法におけるGバンドに対するDバンドの強度比(D/G)の値が0.9以下であることを特徴とする基板。 - 前記シリコン基板の上面に窒化物半導体層が設けられ、
前記炭化シリコン層は、前記窒化物半導体層の上面に設けられていることを特徴とする請求項8記載の基板。 - 前記窒化物半導体層は、窒化アルミニウム層であることを特徴とする請求項9記載の基板。
- 請求項8から10のいずれか一項記載の基板を備えることを特徴とする電子装置。
- 前記グラフェン層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極を挟んで設けられたソース電極およびドレイン電極と、を備え、
前記ゲート電極下の前記グラフェン層にチャネルが形成されることを特徴とする請求項11記載の電子装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2013124110A JP6163024B2 (ja) | 2013-06-12 | 2013-06-12 | 基板の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014240173A true JP2014240173A (ja) | 2014-12-25 |
JP6163024B2 JP6163024B2 (ja) | 2017-07-12 |
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---|---|
JP (1) | JP6163024B2 (ja) |
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