JP2014239146A - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)第1の導電型を有する第1の層(ドリフト層2)と、第1の層(ドリフト層2)上に設けられ第2の導電型を有する第2の層(ボディ領域3)と、第2の層(ボディ領域3)上に設けられ第1の導電型を有する第3の層(ソース領域4)とを含む炭化珪素基板(エピタキシャル基板100)を備える。炭化珪素基板(エピタキシャル基板100)には、第3の層(ソース領域4)および第2の層(ボディ領域3)を貫通して第1の層(ドリフト層2)に至る側壁を有するトレンチが設けられており、側壁(側壁面SW)は、面方位{0−33−8}を有する第1の面(面S1)を含む。第1の面は絶縁膜(ゲート絶縁膜8)に覆われており、側壁(側壁面SW)の第1の面において絶縁膜(ゲート絶縁膜8)と接触し、第3の層(ソース領域4)から第1の層(ドリフト層2)に至る第1の導電型を有する第1の不純物注入領域(n型チャネル領域7)をさらに備える。
まず、図1を参照して、本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の構造を説明する。本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置200は、縦型MOSFETとして構成されている。図1に示した炭化珪素半導体装置は、エピタキシャル基板100と、ゲート絶縁膜8と、ゲート電極9と、層間絶縁膜10と、ソース電極12と、ソース配線層13と、ドレイン電極14と、裏面保護電極15とを備える。エピタキシャル基板100は、ベース基板1と、ドリフト層2と、ボディ領域3(ボディ領域3)と、ソース領域4と、コンタクト領域5と、n型チャネル領域7とを備える。エピタキシャル基板100の上面の面方位は{0001}に対して0度よりも大きく8度よりも小さいオフ角を有している。
Claims (8)
- 第1の導電型を有する第1の層と、前記第1の層上に設けられ第2の導電型を有する第2の層と、前記第2の層上に設けられ第1の導電型を有する第3の層とを含む炭化珪素基板を備え、
前記炭化珪素基板には、前記第3の層および前記第2の層を貫通して前記第1の層に至る側壁を有するトレンチが設けられており、
前記側壁は、面方位{0−33−8}を有する第1の面を含み、前記第1の面は絶縁膜に覆われており、
前記側壁の前記第1の面において前記絶縁膜に接触し、前記第3の層から前記第1の層に至る第1の導電型を有する第1の不純物注入領域をさらに備える、炭化珪素半導体装置。 - 前記第1の不純物注入領域の不純物濃度は、前記第1の面に沿う方向において変化している、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第1の不純物注入領域の不純物濃度は、前記第3の層側よりも前記第1の層側の方が低い、請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記絶縁膜と前記第3の層とが直接接触している、請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 第1の導電型を有する第1の層と、前記第1の層上に設けられ第2の導電型を有する第2の層と、前記第2の層上に設けられ第1の導電型を有する第3の層とを含む炭化珪素基板を準備する工程と、
前記炭化珪素基板に前記第3の層および前記第2の層を貫通して前記第1の層に至る側壁を有するトレンチを形成する工程とを備え、
前記側壁は面方位{0−33−8}を有する第1の面を含み、
前記トレンチを形成する工程では、前記側壁の前記第1の面において表出する前記第3の層から前記第1の層に至る第1の導電型を有する第1の不純物注入領域が形成されている、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第1の不純物注入領域の不純物濃度を前記第1の面に沿う方向において変化させる、請求項5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第1の不純物注入領域は、前記トレンチよりも先に形成されている、請求項5または6に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第1の不純物注入領域は、前記トレンチよりも後に形成されている、請求項5または6に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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