JP2014236062A - 小型化半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
Description
13・・・パッド電極、14・・・チップ側面、15・・・リッド(蓋)、
16・・・突出電極、17・・・スルーホール配線、18・・・外部電極、
19・・・凹部、20・・・ゲッター膜、21・・・リッド凹部側面、
22・・・気密空間、23・・・窓部、24・・・接合部
Claims (14)
- 半導体チップの表面上に空間を介してリッドを有し、前記半導体チップおよび前記リッドから構成される半導体パッケージにおいて、前記リッドは裏面側に前記半導体チップを納める凹部を有し、前記リッド凹部の側面と前記半導体チップの側面を接着して前記リッドに前記半導体チップを固定するとともに、この固定により前記空間は気密空間となっていることを特徴とする半導体パッケージ。
- 前記半導体チップ側面は裏面側が広くなるように傾斜し、前記リッド凹部側面も前記半導体チップ側面に対応して前記凹部の底部が広がるように傾斜していることを特徴とする、請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記接着は、前記半導体チップ側面および/または前記リッド基板凹部側面に接着材を付着させることによる接着か、あるいは前記半導体チップ側面および前記リッド凹部側面が陽極接合による接着であることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体パッケージ。
- 半導体チップの裏面側または前記リッドの表面側に外部機器と接続する外部電極を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 前記気密空間において、前記リッド裏面にゲッター膜が形成されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 前記半導体チップは、前記気密空間における表面側に光センサを有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 前記光センサは表面照射型または裏面照射型であることを特徴とする、請求項6に記載の半導体パッケージ。
- 半導体チップおよび前記半導体チップをカバーするリッドを有する半導体パッケージであって、
複数の半導体チップを含む半導体基板の表面側において、半導体チップおよびこれと隣接する半導体チップの境界に前記半導体チップを取り囲むように溝部が形成されており、
複数のリッドを含むリッド基板の裏面側において、リッドおよびこれと隣接するリッドの境界に前記リッドを取り囲むように突状体が形成されており、
前記半導体基板および前記リッド基板は、前記半導体基板の溝部に前記リッド基板の突状体が入り込み、前記半導体基板の溝部側面と前記リッド基板の突状体側面が接着することによって、前記半導体基板と前記リッド基板が貼り合わされるとともに、
前記半導体チップ表面と前記リッド裏面との間に気密空間が形成されることを特徴とし、
接着された前記半導体基板の溝部および前記リッド基板の突状体で切断されることによって形成されることを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記半導体基板の凹部はV溝であり、前記リッド基板の突状体の先端部は前記V溝に適合する逆三角形状であることを特徴とする、請求項8に記載の半導体パッケージ。
- 前記接着は、前記半導体基板の溝部側面および/または前記リッド基板の突状体側面に接着材を付着させることによる接着か、あるいは前記半導体基板の溝部側面および前記リッド基板の突状体側面が陽極接合による接着であることを特徴とする、請求項8または9に記載の半導体パッケージ。
- 外部機器と接続する半導体パッケージの外部電極は、リッド基板表面に形成されているか、または半導体基板裏面に形成されていることを特徴とする、請求項8〜10のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 前記気密空間において、前記リッド裏面にゲッター膜が形成されていることを特徴とする、請求項8〜11のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 前記半導体チップは、表面側に光センサを有することを特徴とする、請求項8〜12のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 前記光センサは表面照射型または裏面照射型であることを特徴とする、請求項13に記載の半導体パッケージ。
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