JP2014232877A - 半導体被加工物を加工する装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1チャンバであって、第1プラズマ生成源及び第1チャンバ内にガスの供給を導入する第1ガス供給源を有する第1チャンバと、第2チャンバであって、第2プラズマ生成源及び第2チャンバ内にガスの供給を導入する第2ガス供給源を有し、第2ガス供給源は、第1ガス供給源とは独立的に制御可能である、第2チャンバと、第2チャンバ内において位置決めされた被加工物支持部と、被加工物支持部上において位置決めされた際に被加工物の近傍においてガス流路を構成する複数のガス流路構成要素であって、ウエハのエッジ及び/又はウエハのエッジの外側周辺の領域を保護する少なくとも1つのウエハエッジ領域保護要素と、ガス流路を構成するためにウエハエッジ領域保護要素から離隔した少なくとも1つの補助要素と、を含むガス流路構成要素と、を含む。
【選択図】図1
Description
第1チャンバであって、第1プラズマ生成源、及び、第1チャンバにガスの供給を導入する第1ガス供給源を有する第1チャンバと、
第2チャンバであって、第2プラズマ生成源、及び、第2チャンバにガスの供給を導入する第2ガス供給源を有し、第2ガス供給源は、第1ガス供給点とは独立的に制御可能である、第2チャンバと、
第2チャンバ内において位置決めされた被加工物支持部と、
被加工物支持部上において位置決めされた際に、被加工物の近傍においてガス流路を構成する複数のガス流路構成要素であって、ウエハのエッジ、及び/又は、ウエハのエッジの外側周辺の領域を保護する少なくとも1つのウエハエッジ領域保護要素と、ガス流路を構成するためにウエハエッジ領域保護要素から離隔した少なくとも1つの補助要素と、を含むガス流路構成要素と、
を含む。
第1チャンバであって、第1チャンバ内において誘導されたプラズマを維持するために第1チャンバ内にエネルギーを結合する要素を含む第1プラズマ生成源と、第1チャンバ内にガスの供給を導入する第1ガス供給源と、を有する第1チャンバと、
第2チャンバであって、第2チャンバ内において誘導されたプラズマを維持するために第1チャンバ内にエネルギーを結合する要素を含む第2プラズマ生成源と、第2チャンバ内にガスの供給を導入する第2ガス供給源と、を有し、第2ガス供給源は、第1ガス供給源とは独立的に制御可能である、第2チャンバと、
第2チャンバ内において位置決めされた被加工物支持部と、
を含み、
第1プラズマ生成源の要素は、第1チャンバ内において誘導されたプラズマを第2チャンバ内において誘導されたプラズマから結合解除するように、第2プラズマ生成源の要素から離隔している。
壁を有するチャンバと、
チャンバ内において位置決めされた被加工物支持部と、
少なくとも1つのプラズマ生成源と、
被加工物支持部上において位置決めされた際に被加工物の近傍においてガス流路を構成する複数のガス流路構成要素であって、ウエハのエッジ及び/又はウエハのエッジの外側周辺の領域を保護する少なくとも1つのウエハエッジ領域保護要素と、ガス流路を構成するためにウエハエッジ領域保護要素から離隔した少なくとも1つの補助要素と、を有するガス流路構成要素と、
を含む。
本発明の第1又は第2の態様による半導体被加工物を加工する装置を提供するステップと、
第1及び/又は第2チャンバ内において浄化プラズマを生成するステップと、
プラズマを使用して装置の特定のエリアを選択的に浄化するステップと、
を含む。
図3A、Bは、本発明の装置を使用した図3Aの第1チャンバ14のプラズマ浄化と、図3Bの第1チャンバ22のプラズマ浄化を示している。図3A、Bに示されている装置は、基本的に、図1に示されている装置と同一であり、且つ、同一の参照符号を使用して共通要素を表記している。図3A、Bに示されている装置は、第2RFコイル32と主チャンバ22の壁の間に設けられた第2ファラデー遮蔽54を更に有する。図3Aにおいて、プラズマ50が、第1チャンバ14内に生成されており、且つ、図3Bにおいては、プラズマ52が主チャンバ22内に生成されている。又、この方式によれば、これらの供給源の組合せを使用することにより、プラズマを周囲にシフトさせることもできる。相対的に効率的な浄化は、生産性における利点をもたらすことになる。
Claims (16)
- 半導体被加工物を加工する装置であって、
第1チャンバであって、第1プラズマ生成源、及び、前記第1チャンバ内にガスの供給を導入する第1ガス供給源を有する第1チャンバと、
第2チャンバであって、第2プラズマ生成源、及び、前記第2チャンバ内にガスの供給を導入する第2ガス供給源を有し、前記第2ガス供給源は、前記第1ガス供給源とは独立的に制御可能である、第2チャンバと、
前記第2チャンバ内において位置決めされた被加工物支持部と、
前記被加工物支持部上において位置決めされた際に、前記被加工物の近傍においてガス流路を構成する複数のガス流路構成要素であって、前記ウエハのエッジ、及び/又は、前記ウエハの前記エッジの外側周辺の領域を保護する少なくとも1つのウエハエッジ領域保護要素と、前記ガス流路を構成するために前記ウエハエッジ領域保護要素から離隔した少なくとも1つの補助要素と、を含むガス流路構成要素と、
を含む装置。 - 前記ウエハエッジ領域保護要素は、環状のウエハエッジ保護装置である請求項1に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの補助要素は、1つ又は複数のバッフルを含む請求項1又は2に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの補助要素は、環状のバッフルである請求項3に記載の装置。
- 前記補助要素は、前記ウエハエッジ領域保護要素の内側部分の上方において位置決めされる請求項1乃至4のいずれか1項に記載の装置。
- 前記補助要素は、前記ウエハエッジ領域保護要素の外側部分の上方において位置決めされる請求項1乃至4のいずれか1項に記載の装置。
- 前記補助要素は、前記第2チャンバの壁の半径方向を内向きに延長する請求項1乃至6のいずれか1項に記載の装置。
- 前記補助要素は、前記第2チャンバの前記壁から下向きに延長する請求項1乃至6のいずれか1項に記載の装置。
- 前記補助要素は、2〜80mmの、好ましくは、5〜50mmの、最も好ましくは、15〜25mmの間隙を規定するように前記ウエハエッジ領域保護要素から離隔している請求項1乃至8のいずれか1項に記載の装置。
- 前記ガス流路は、前記被加工物支持部上において位置決めされた際に前記被加工物から半径方向を外向きに延長する請求項1乃至9のいずれか1項に記載の装置。
- 前記被加工物は、前記被加工物支持部上において位置決めされた際にキャリアによって支持され、且つ、前記ウエハエッジ領域保護要素は、前記キャリアを保護する請求項1乃至10のいずれか1項に記載の装置。
- 前記キャリアの種類は、テープ及びフレームであり、且つ、前記ウエハエッジ保護要素は、前記テープ及び/又はフレームを保護する請求項11に記載の装置。
- 前記第1プラズマ生成源は、前記第1チャンバ内において誘導されたプラズマを維持するためにエネルギーを前記チャンバ内に結合する要素を含み、且つ、前記第2プラズマ生成源は、前記第2チャンバ内において誘導されたプラズマを維持するためにエネルギーを前記第2チャンバ内に結合する要素を含み、前記第1プラズマ生成源の前記要素は、前記第1チャンバ内に誘導された前記プラズマを前記第2チャンバ内において誘導された前記プラズマから結合解除するように、前記第2プラズマ生成源の前記要素から離隔している請求項1乃至12のいずれか1項に記載の装置。
- 前記第1チャンバは、関連付けられたレベルを有するインターフェイスにおいて、前記第2チャンバと遭遇し、且つ、前記第1プラズマ生成源の前記要素と前記第2プラズマ生成源の前記要素のうちの少なくとも1つは、前記レベルから離隔している請求項13に記載の装置。
- 半導体被加工物を加工する装置であって、
第1チャンバであって、前記第1チャンバ内において誘導されたプラズマを維持するためにエネルギーを前記第1チャンバ内に結合する要素を含む第1プラズマ生成源及び前記第1チャンバ内にガスの供給を導入する第1ガス供給源を有する第1チャンバと、
第2チャンバであって、前記第2チャンバ内において誘導されたプラズマを維持するためにエネルギーを前記第1チャンバ内に結合する要素を含む第2プラズマ生成源及び前記第2チャンバ内にガスの供給を導入する第2ガス供給源を有し、前記第2ガス供給源は、前記第1ガス供給源とは独立的に制御可能である、第2チャンバと、
前記第2チャンバ内において位置決めされた被加工物支持部と、
を含み、
前記第1プラズマ生成源の前記要素は、前記第1チャンバ内において誘導された前記プラズマを前記第2チャンバ内において誘導された前記プラズマから結合解除するように、前記第2プラズマ生成源の前記要素から離隔している、装置。 - 半導体被加工物を加工する装置であって、
壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内において位置決めされた被加工物支持部と、
少なくとも1つのプラズマ生成源と、
前記被加工物支持部上において位置決めされた際に前記被加工物の近傍においてガス流路を構成する複数のガス流路構成要素であって、前記ウエハのエッジ及び/又は前記ウエハの前記エッジの外側周辺の領域を保護する少なくとも1つのウエハエッジ領域保護要素と、前記ガス流路を構成するために前記ウエハエッジ領域保護要素から離隔した少なくとも1つの補助要素と、を含むガス流路構成要素と、
を含む装置。
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014216195A1 (de) * | 2014-08-14 | 2016-02-18 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats und Verfahren zum Betreiben einer Vorrichtung zum anisotropen Ätzen eines Substrats |
JP6296297B2 (ja) * | 2014-08-27 | 2018-03-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
KR101680850B1 (ko) * | 2016-06-28 | 2016-11-29 | 주식회사 기가레인 | 배기유로의 크기가 조절되는 플라즈마 처리 장치 |
CN108155093A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体产生装置及包含该装置的半导体设备 |
CN108155080A (zh) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体产生装置及包括该装置的半导体设备 |
JP6750534B2 (ja) * | 2017-02-24 | 2020-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
CN111508802B (zh) * | 2020-04-22 | 2023-10-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室及其刻蚀方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0689880A (ja) * | 1992-09-08 | 1994-03-29 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置 |
JPH10172954A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH10284291A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及び処理方法 |
JP2001308077A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
JP2006140237A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の復帰方法、該装置の復帰プログラム、及び基板処理装置 |
JP2009212482A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2011066033A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
WO2012125560A2 (en) * | 2011-03-14 | 2012-09-20 | Plasma-Therm, Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3650042A (en) * | 1969-05-19 | 1972-03-21 | Ibm | Gas barrier for interconnecting and isolating two atmospheres |
JPS5972718A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-24 | Toshiba Corp | 縦型気相成長装置 |
US5173336A (en) * | 1991-01-22 | 1992-12-22 | Santa Barbara Research Center | Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor with recirculation suppressing flow guide |
JP3323530B2 (ja) * | 1991-04-04 | 2002-09-09 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
DE4241045C1 (de) | 1992-12-05 | 1994-05-26 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium |
US5744049A (en) * | 1994-07-18 | 1998-04-28 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with enhanced plasma uniformity by gas addition, and method of using same |
TW323387B (ja) * | 1995-06-07 | 1997-12-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
JP3585606B2 (ja) * | 1995-09-19 | 2004-11-04 | アネルバ株式会社 | Cvd装置の電極装置 |
US5891348A (en) * | 1996-01-26 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Process gas focusing apparatus and method |
US5683548A (en) * | 1996-02-22 | 1997-11-04 | Motorola, Inc. | Inductively coupled plasma reactor and process |
US6149730A (en) * | 1997-10-08 | 2000-11-21 | Nec Corporation | Apparatus for forming films of a semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of forming thin films of a semiconductor |
GB2344930B (en) | 1998-12-17 | 2003-10-01 | Trikon Holdings Ltd | Inductive coil assembly |
US20020185226A1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-12-12 | Lea Leslie Michael | Plasma processing apparatus |
US6602381B1 (en) * | 2001-04-30 | 2003-08-05 | Lam Research Corporation | Plasma confinement by use of preferred RF return path |
GB0323001D0 (en) * | 2003-10-01 | 2003-11-05 | Oxford Instr Plasma Technology | Apparatus and method for plasma treating a substrate |
WO2008007944A1 (en) * | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Technische Universiteit Eindhoven | Method and device for treating a substrate by means of a plasma |
KR100927375B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2009-11-19 | 주식회사 유진테크 | 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 |
US7875555B2 (en) * | 2007-11-29 | 2011-01-25 | Tokyo Electron Limited | Method for plasma processing over wide pressure range |
US8262800B1 (en) * | 2008-02-12 | 2012-09-11 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for cleaning deposition reactors |
KR100999588B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2010-12-08 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
US20110177694A1 (en) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Tokyo Electron Limited | Switchable Neutral Beam Source |
WO2011114940A1 (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5445252B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US9443753B2 (en) * | 2010-07-30 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber |
US8133349B1 (en) | 2010-11-03 | 2012-03-13 | Lam Research Corporation | Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process |
US20120244684A1 (en) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Kunihiko Suzuki | Film-forming apparatus and method |
KR101814013B1 (ko) * | 2011-05-09 | 2018-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플라스마 장치 |
JP5886821B2 (ja) * | 2013-01-04 | 2016-03-16 | ピーエスケー インコーポレイテッド | 基板処理装置及び方法 |
-
2013
- 2013-05-29 GB GBGB1309583.1A patent/GB201309583D0/en not_active Ceased
-
2014
- 2014-05-23 US US14/285,730 patent/US20140352889A1/en not_active Abandoned
- 2014-05-27 EP EP14275128.8A patent/EP2808886B1/en active Active
- 2014-05-28 TW TW103118610A patent/TWI654645B/zh active
- 2014-05-29 JP JP2014110917A patent/JP6559932B2/ja active Active
- 2014-05-29 CN CN201410234927.1A patent/CN104217943B/zh active Active
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-
2019
- 2019-04-04 JP JP2019072189A patent/JP2019110346A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0689880A (ja) * | 1992-09-08 | 1994-03-29 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置 |
JPH10172954A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-26 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH10284291A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及び処理方法 |
JP2001308077A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
JP2006140237A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の復帰方法、該装置の復帰プログラム、及び基板処理装置 |
JP2009212482A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
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