JP2014225546A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップの積層に際し、チップ間に介在させる溶融樹脂がボンディングステージ上に付着することを防止した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の主面の側に配置された第1のバンプ電極11と、前記第1の主面とは反対側の第2の主面の側に配置された第2のバンプ電極8と、前記第1のバンプ電極と第2のバンプ電極を電気的に接続する第1の貫通電極7とを有し、前記第1のバンプ電極を覆うように前記第1の主面上に仮接着されたバンプ保護部材としての機能を持つ耐熱粘着テープ50を備えた第1の半導体チップ10を準備する工程と、前記第1の半導体チップの第2の主面上に、第3の主面の側に配置された第3のバンプ電極を有する第2の半導体チップ20を積層し、前記第3のバンプ電極を前記第1の半導体チップの第2のバンプ電極に電気的に接続する工程と、を含む。
【選択図】図3
【解決手段】第1の主面の側に配置された第1のバンプ電極11と、前記第1の主面とは反対側の第2の主面の側に配置された第2のバンプ電極8と、前記第1のバンプ電極と第2のバンプ電極を電気的に接続する第1の貫通電極7とを有し、前記第1のバンプ電極を覆うように前記第1の主面上に仮接着されたバンプ保護部材としての機能を持つ耐熱粘着テープ50を備えた第1の半導体チップ10を準備する工程と、前記第1の半導体チップの第2の主面上に、第3の主面の側に配置された第3のバンプ電極を有する第2の半導体チップ20を積層し、前記第3のバンプ電極を前記第1の半導体チップの第2のバンプ電極に電気的に接続する工程と、を含む。
【選択図】図3
Description
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
本発明に関連する技術として、半導体チップをダイシングテープからピックアップする際の破損やピックアップミスの抑制を企図した技術が特許文献1に開示されている。
上記関連技術は半導体装置の製造方法であり、配線基板への実装の前に、複数の半導体チップを積層してチップ積層体を作成する工程を含む。半導体チップの積層に際しては、NCF(Non Conductive Film)を貼り付けた半導体チップを、NCFを介して他の半導体チップ上に積層し、積層した半導体チップ間に加熱により溶融したNCFを介在させる。
NCFを貼り付けた半導体チップを、ボンディングステージ上に保持された他の半導体チップ上に積層する場合には、NCFを貼り付けた半導体チップにボンディングツールにより荷重を加え、溶融したNCFを半導体チップの外側に向かって流動させて2つの半導体チップ間にボイドを残さないように積層することが必要となる。
しかしながら、上記積層方法では半導体チップの外側に向かって流動させた溶融NCFが、ボンディングステージ上に付着する問題が生じる。NCFがボンディングステージに付着すると、積層のための連続作業ができなくなり、半導体装置の製造効率が悪化し、組立コストのアップにつながってしまう。
さらに、ボンディングステージ上に保持される他の半導体チップが両面にバンプ電極を有し、配線基板への実装面となる場合には、ボンディングステージ上に流れ出した溶融NCFでバンプ電極が覆われてしまい、チップ積層体を配線基板へ実装できなくなるおそれがある。
本発明の態様によれば、第1の主面の側に配置された第1のバンプ電極と、前記第1の主面とは反対側の第2の主面の側に配置された第2のバンプ電極と、前記第1のバンプ電極と第2のバンプ電極を電気的に接続する第1の貫通電極とを有し、前記第1のバンプ電極を覆うように前記第1の主面上に仮接着されたバンプ保護部材を備えた半導体デバイスを準備する工程と、前記半導体デバイスの第2の主面上に、第3の主面の側に配置された第3のバンプ電極を有する第1の半導体チップを積層し、前記第3のバンプ電極を前記半導体デバイスの第2のバンプ電極に電気的に接続する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、第1の半導体チップの積層に際し、半導体デバイスの第1のバンプ電極はバンプ保護部材で覆われているため、第1のバンプ電極のはんだ層を潰したり、ボンディングステージに、加熱により溶融したはんだが付着したりすることなく、良好に第1の半導体チップを積層することができる。
以下に、本発明による半導体装置の製造方法を、半導体チップ、特にメモリチップの積層体に適用する場合について、そのいくつかの実施形態を説明する。
まず、本発明の実施形態に適用されるチップ積層体は、一例を挙げると、同一の回路構成を有する3種類のメモリチップから構成されている。この種のチップ積層体は、通常、ロジックチップを介して配線基板に実装される。
積層された3種類のメモリチップのうち、中間に位置するメモリチップは、回路層の形成された一面にCuピラーとその表面に形成されたNi/Auメッキからなる表面バンプ電極と、前記一面とは反対側の他面に形成されたCuピラーとその表面に形成された半球状のSn/Agはんだ層からなる裏面バンプ電極と、表面バンプ電極とこれに対応する裏面バンプ電極とを接続する貫通配線(貫通電極)と、を備えている。
積層された3種類のメモリチップのうち、配線基板に実装する際に最上段となるメモリチップは、回路層の形成された一面に、上記中間に位置するメモリチップと同様な表面バンプ電極が形成されているが、裏面バンプ電極と貫通配線が形成されておらず、他のメモリチップよりチップ厚が厚く構成されている。
積層された3種類のメモリチップのうち、配線基板上のロジックチップに実装されるメモリチップは、上記中間に位置するメモリチップと同様に構成されているが、表面バンプ電極のNi/Auメッキ上にも半球状のSn/Agはんだ層が形成されている。
図1及び図2は、積層される3種類のメモリチップのうち、配線基板上のロジックチップに実装するメモリチップの形成工程を示す断面図であり、図1は形成工程の前半を示し、図2は形成工程の後半を示す。
図1(a)において、一面側に同じ回路層2が複数形成されたウエハ1が用意される。回路層2には複数の表面バンプ電極3が形成されている。表面バンプ電極3は、前述したように、Cuピラーの表面にNi/Auメッキが形成され、さらに半球状のSn/Agはんだ層が形成されて成る。ウエハ1は、後述するダイシング工程において回路層2毎(メモリチップ毎)に格子状のダイシングラインDLに沿って切断される。
図1(b)において、ガラス基板による支持体4が用意される。そしてウエハ1の上下を反転させて回路層2側、つまり表面側を支持体4に接着する。この接着は、ウエハ1の回路層2側に表面バンプ電極3を覆うように第2の接着層6が介在し、更に第2の接着層6と支持体4との間に第1の接着層5が介在するようにして行われる。第1の接着層5の接着力は第2の接着層6の接着力よりも大きい。これは、後述するように、第2の接着層6は支持体4と共にダイシング工程の前にウエハ1から取り外されるからである。
図1(c)において、ウエハ1の裏面側を、ウエハ1の厚さが所定の値になるまで研磨加工(バックグラインド)する。
図1(d)において、回路層2毎に、表面バンプ電極3と対応する位置にウエハ1を貫通する孔を形成して貫通配線(貫通電極)7を形成すると共に、回路層2とは反対側の裏面側に裏面バンプ電極8を形成する。裏面バンプ電極8は、前述したように、Cuピラーの表面に半球状のSn/Agはんだ層が形成されて成る。
図1(d)に続く図2(a)において、接着層210を有するダイシングテープ200が用意される。治具100で保持されたダイシングテープ200の接着層210に、ウエハ1の裏面側が接着される。続いて、ウエハ1から第1、第2の接着層5、6及び支持体4が取外される。
図2(b)において、治具100の上下を反転させてウエハ1の表面側を上側に向ける。
図2(c)において、図示しないダイシングカッターによりウエハ1をダイシングラインDLに沿って切断する。続いて、切断されたパーツをダイシングテープ200から取り外すことにより、図2(d)に示すように、複数のメモリチップ10が得られる。メモリチップ10は、表面側の回路層2及び表面バンプ電極3と、裏面側の裏面バンプ電極8と、表面バンプ電極3と裏面バンプ電極8を接続している貫通配線7を有する。
なお、積層される3種類のメモリチップのうち、中間に位置するメモリチップも上記のメモリチップ10とほぼ同様のフローを経て作製されるが、前述したように、表面バンプ電極側のCuピラーには半球状のSn/Agはんだ層が無い。また、ダイシング前にウエハ表面にNCF(Non Conductive Film)を貼付け、ウエハをメモリチップ毎に切断することで、NCF付きのメモリチップを形成するフローとなる。
一方、積層される3種類のメモリチップのうち、最上段となるメモリチップの場合は、裏面バンプ電極と貫通配線を形成する工程が無い。また、ダイシング前にウエハ表面にNCFを貼付け、ウエハをメモリチップ毎に切断することで、NCF付きのメモリチップを形成するフローとなる。
図3は、本発明の第1の実施形態に係るチップ積層体の形成工程を示す断面図である。なお、図3は、中間に位置するメモリチップが2個(第2、第3のメモリチップ20−1、20−2)の場合を示している。
まず、図3(a)に示すようなハンドリングキャリアが準備される。ハンドリングキャリアは、例えば枠状の治具40と、治具40に貼り渡した耐熱粘着テープ50から構成されている。耐熱粘着テープ50は、後述するチップ積層工程における加熱に対する温度耐性を有する。耐熱粘着テープ50には複数のメモリチップ10を接着固定可能である。そして、耐熱粘着テープ50には、図3(b)に示すように、貼着する第1のメモリチップ10(ロジックチップに実装される側のメモリチップ)毎にその表面バンプ電極11(図1aの表面バンプ電極3)の配置に対応した位置に、複数の貫通孔50aが形成されている。尚、耐熱粘着テープ50の厚さは、第1のメモリチップ10の表面バンプ電極11の高さよりも大きく構成するのが望ましい。
図3(b)に示すように、ハンドリングキャリアに複数の第1のメモリチップ10を接着固定することで搭載する。第1のメモリチップ10は、表面側が耐熱粘着テープ50に接着され、表面側のそれぞれの表面バンプ電極11は耐熱粘着テープ50の貫通孔50a内に配置される。ベースとなる第1のメモリチップ10は、ハンドリングキャリアに搭載されて搬送されるため、一括搬送でき、処理効率を向上できる。
図3(b)は、表面バンプ電極11(第1のバンプ電極)を覆うように第1の主面上に仮接着された耐熱粘着テープ50(バンプ保護部材)を備えたメモリチップ(半導体デバイス)を準備する工程と呼ぶことができる。
図3(c)は、第1〜第4のメモリチップ10、20−1、20−2、30の積層が終了した積層体(図中左側)と、積層の終了した第1〜第3のメモリチップ10、20−1、20−2の上に、第4のメモリチップ30を積層する直前の状態(図中右側)を示している。積層対象となっている図中右側の第1のメモリチップ10は、ハンドリングキャリアに搭載された状態で、ボンディングステージ60上に保持されている。一面側(表面側)に樹脂層(NCF)(図中右側の第4のメモリチップ30に貼付された樹脂層(NCF)80と同じもの)が貼着された第2のメモリチップ20−1と第3のメモリチップ20−2が順次、樹脂層(NCF)を介してボンディングツール70でフリップチップ実装される。なお、樹脂層(NCF)80は、メモリチップを実装する都度、加熱溶融される。このようにして、第1のメモリチップ10の裏面上に、中間のメモリチップとなる第2、第3のメモリチップ20−1、20−2、及び最上段のメモリチップとなる第4のメモリチップ30が積層搭載される。その後、積層体を耐熱粘着テープ50から取り外すことにより、図3(d)に示すように、各メモリチップの間に樹脂層(溶融固化したNCF)が介在すると共に各メモリチップの周囲を樹脂層(溶融固化したNCF)で被覆したチップ積層体300が得られる。
ここで、チップ積層体の作製に際し、第1のメモリチップ10の表面バンプ電極11は、耐熱粘着テープ50の貫通孔50a内に配置されているため、表面バンプ電極11のSn/Agはんだ層を潰す、或いはボンディングステージ60に、加熱により溶融したはんだが付着することなく、良好に第2、第3のメモリチップ20−1、20−2を積層することができる。このような作用により、耐熱粘着テープ50はバンプ保護部材と呼ばれても良い。
また第1のメモリチップ10の表面は、耐熱粘着テープ50に貼り付けられていることで、メモリチップ間で溶融した樹脂層(NCF)80がボイドを無くすようにメモリチップの外側に流動(図3c)しても、ボンディングステージ60に付着することを防止できる。これによりチップ積層体を作製するための連続作業が可能となり、処理効率を向上させることができる。さらに、第1のメモリチップ10の表面バンプ電極11は耐熱粘着テープ50で保護されているため、溶融した樹脂部材で覆われることも無くなる。これにより、以降のロジックチップ上への実装工程を良好にできる。
図4、図5は、上記実施形態のチップ積層体300を用いたCoC(Chip on Chip)型半導体装置の組立フローを示す断面図であり、図4は組立フローの前半を示し、図5は組立フローの後半を示す。
半導体装置の組み立てに際して、まず、図4(a)に示すように、複数の製品形成部410、420を備えた配線基板400を準備する。複数の製品形成部410、420は、配線基板400にマトリックス状に配置された領域であり、各々が半導体装置の配線基板になる部位である。
配線基板400の各製品形成部410、420には、両面に不図示の配線が形成された絶縁基材401(例えばガラスエポキシ基板)が用いられる。絶縁基材401の一方の面には、後述するロジックチップ35と電気的に接続するための複数の接続パッド402が形成され、他方の面には外部端子となるはんだボールを接続するための複数のランド403が形成されている。これらの接続パッド402は、所定のランド403と配線によって接続されている。ランド403は、配線基板400の他方の面に所定の間隔で、例えば格子状に配置されている。
絶縁基材401の両面の各配線は接続パッド402やランド403を除いてソルダーレジスト(SR)膜等の絶縁膜404によって覆われている。この配線基板400の製品形成部410、420間の境界が、各半導体装置を個々に切り離す際のダイシングラインDLとなっている。
このような配線基板400の準備が完了すると、図4(b)に示すように、各製品形成部410、420に樹脂部材(NCP:Non conductive Paste)430−1が置かれる。
続いて、図4(c)に示すように、配線基板400の各製品形成部410、420における樹脂部材430−1上にロジックチップ35が搭載される。ロジックチップ35の表面バンプ電極35−1が、その表面に形成されたはんだ層35−2を介して製品形成部410、420上の接続パッド402にフェースダウンボンディングにより接合される。尚、ロジックチップ35においては、不図示のボンディングツールで保持される裏面バンプ電極35−3の表面にははんだ層が形成されていない。ロジックチップ35の表面バンプ電極35−1と裏面バンプ電極35−3は貫通電極35−4を介して電気的に接続されている。
次に、図4(d)に示すように、配線基板400上に実装されたロジックチップ35上に樹脂部材(NCP)430−2が置かれる。
図4(d)に続く図5(a)において、チップ積層体300の第4のメモリチップ30の裏面を不図示のボンディングツール等で吸着保持し、各々の製品形成部410、420のロジックチップ35上にチップ積層体300を搭載して固定する。
本実施形態では、ロジックチップ35の裏面バンプ電極35−3に、チップ積層体300における第1のメモリチップ10の表面バンプ電極11が接合されるように、ロジックチップ35上にチップ積層体300をフリップチップボンディングにより積層する。このボンディング時の熱により第1のメモリチップ10の表面バンプ電極11上のSn/Agはんだ層が溶融して、ロジックチップ35の裏面バンプ電極35−3とチップ積層体300の第1のメモリチップ10の表面バンプ電極11とが接合される。
このようにチップ積層体300を製品形成部410、420上のロジックチップ35上に実装することにより、チップ積層体300における第4のメモリチップ30が、配線基板400から最も遠い位置に配置されたメモリチップとなる。
一直線上に複数の貫通電極が配置され且つ直列接続されたチップ積層体では、製造プロセスにおける温度変化により貫通電極の膨張や収縮の際に応力が発生し、その最大応力が、配線基板から最も遠い位置に配置されたメモリチップの貫通電極の部位にかかり、チップクラックを発生させるおそれがある。
しかし、本実施形態では、貫通電極と裏面バンプ電極が無くて他のメモリチップ10、20−1、20−2よりも厚さの大きい第4のメモリチップ30が、配線基板400から最も遠い位置に配置されるチップとなり、第4のメモリチップ30の貫通電極が無い表面で応力を受けることができるため、チップクラックの発生を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
また、上記のようにロジックチップ35の裏面バンプ電極35−3に、チップ積層体300の第1のメモリチップ10の表面バンプ電極11をフリップチップボンディングで接合すると、配線基板400とロジックチップ35との間の樹脂部材430−1とロジックチップ35上の樹脂部材430−2が溶融する。溶融した樹脂部材は、ロジックチップ35と配線基板400における製品形成部410及び420の間の隙間及びチップ積層体300とロジックチップ35の間の隙間へ毛細管現象によって進入し、それらの隙間を埋める。
その後、所定の温度、例えば150℃程度でキュア(熱処理)することで、樹脂部材430−1、430−2を熱硬化させる。その結果、ロジックチップ35の周囲を覆うと共に、ロジックチップ35と配線基板400の間の隙間及びロジックチップ35と第1のメモリチップ10の間の隙間を埋める樹脂部材から成る封止樹脂層430が形成される。
次に、ロジックチップ35及びチップ積層体300が搭載された配線基板400は、不図示のトランスファモールド装置の上型と下型から成る成型金型にセットされ、モールド工程に移行する。
成型金型の上型には、複数のチップ積層体300及びロジックチップ35を一括して覆う不図示のキャビティが形成されており、該キャビティ内に、配線基板400上に搭載されたすべてのロジックチップ35及びチップ積層体300が収容される。
その後、成型金型の上型に設けられたキャビティ内に加熱溶融させた封止樹脂を注入し、ロジックチップ35及びチップ積層体300の両方を覆うようにキャビティ内に封止樹脂を充填する。封止樹脂には、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いる。
続いて、キャビティ内を封止樹脂で充填した状態で、所定の温度、例えば180℃程度でキュアすることで封止樹脂を熱硬化させる。これにより、図5(b)に示すように、それぞれの製品形成部410、420上に搭載されたロジックチップ35及びチップ積層体300の両方を覆う封止樹脂440を形成する。さらに、所定の温度でベークすることで、封止樹脂440を完全に硬化させる。
本実施形態では、チップ積層体300の形成工程において各メモリチップの間に樹脂層(NCF)80を介在させ、配線基板400へのチップ積層体300の実装に際してロジックチップ35とチップ積層体300との間及びロジックチップ35と配線基板400との間に封止樹脂層430を介在させた後、ロジックチップ35と複数のメモリチップ10、20−1、20−2、30からなるチップ積層体300全体を覆う封止樹脂440を形成するため、メモリチップ同士の隙間でボイドが発生するのを抑制できる。
封止樹脂440を形成したら、ボールマウント工程に移行し、図5(c)に示すように、配線基板400の他方の面に形成されたランド403に、半導体装置の外部端子となる導電性の金属ボール、例えばはんだボール450を接続する。
ボールマウント工程では、配線基板400の各ランド403と位置が一致する複数の吸着孔を備えた不図示のマウントツールを用いて複数のはんだボール450を吸着保持し、各はんだボール450にフラックスを転写した後、保持した各はんだボール450を配線基板400のランド403上に一括して搭載する。
全ての製品形成部410、420に対するはんだボール450の搭載が完了した後、配線基板400をリフローすることで各はんだボール450と各ランド403とを接続する。
はんだボール450の接続が完了すると、基板ダイシング工程に移行し、図5(d)に示すように所定のダイシングラインDLで個々の製品形成部410、420を切断分離することでCoC型半導体装置500が得られる。
次に、図6〜図9を参照して、本発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態が第1の実施形態と異なる点は、簡単に言えば、チップ積層体の作製工程にある。言い換えれば、第2の実施形態においても、第1の実施形態で説明した図1(a)から図1(c)までの工程が実施される。
次に、図1(c)に続く図6(a)に示すように、支持体(ガラス基板)4に保持された第1のメモリチップ用のウエハ1をベースとして、樹脂層(NCF)80付の第2のメモリチップ20−1と第3のメモリチップ20−2を順次、樹脂部材80を介して、第1のメモリチップ上に積層搭載する。図6(a)は、ウエハ1において第1のメモリチップとなる部分に第2〜第4のメモリチップ20−1、20−2、30の積層が終了した4つの積層体と、第1のメモリチップとなる部分に積層の終了した第2、第3のメモリチップ20−1、20−2の上に、ボンディングツール70により、樹脂層(NCF)80付の第4のメモリチップ30を積層する直前の状態(図中最も右側)を示している。
第2の実施形態においては、図6(a)が、表面バンプ電極3(第1のンプ電極)を覆うように第1の主面上に仮接着された第2の接着層6(バンプ保護部材)を備えたメモリチップ(半導体デバイス)を準備する工程と呼ぶことができる。
図6(a)に示すように、支持体4に保持された複数の第1のメモリチップ用のウエハ1をベースとして搬送するため、一括搬送でき、処理効率を向上させることができる。
さらに前記第1のメモリチップ用のウエハ1の表面側が、支持体4を接着する第2の接着層6で覆われており、支持体4が不図示のボンディングステージ上に保持され、一面に樹脂層(NCF)(図6(a)の80と同じもの)が貼着された第2のメモリチップ20−1と第3のメモリチップ20−2が、順次接着層(NCF)を介してフリップチップ実装される。これにより、第1のメモリチップの表面バンプ電極3(あるいは11)は、支持体4を接着する第2の接着層6内に埋め込まれるため、表面バンプ電極3表面のはんだ層を潰す、或いはボンディングステージにはんだが付着することなく、良好に第2及び第3のメモリチップ20−1、20−2を積層できる。このことから、第2の実施形態では、第2の接着層6が表面バンプ電極3を保護するバンプ保護部材として作用する。
また第1のメモリチップは、ウエハ1から未分離の状態であるため、溶融した樹脂層(NCF)80がボイドを無くすようにチップの外側に流動しても、ボンディングステージに付着することを防止できる。これによりメモリチップ積層のための連続作業が可能となり、処理効率を向上できる。さらに、第1のメモリチップの表面バンプ電極3は第2の接着層6で保護されているため、溶融した樹脂層(NCF)で覆われることも無くなる。これにより、以降のロジックチップ上への実装工程を良好にできる。
第2の実施形態においても第1の実施形態と同様な効果が得られると共に、第1のメモリチップの製造に用いる支持体(ガラス基板)が付いた状態でベースとすることで、第1の実施形態のような新たな部材(キャリア)、工程を追加することなく実現できる。
第2〜第4のメモリチップの20−1、20−2、30の積層が完了した後、図6(b)に示すように、所定温度でベークし、樹脂層(NCF)80を硬化させる。
その後、第2、第3のメモリチップ20−1、20−2が積層された第1のメモリチップ用のウエハ1は、図6(c)に示すように、第2、第3のメモリチップ20−1、20−2を覆うようにトランスファモールドにより封止樹脂440’が形成される。ここで、支持体4上には、第1〜第4のメモリチップからなる積層部が複数個形成され、隣接する積層部の間には隙間が生じるが、この隙間にも封止樹脂440’が充填される。尚、第4のメモリチップ30の裏面が、封止樹脂440’から露出する構成としているが、第4のメモリチップ30の裏面も封止樹脂440’で覆われるように構成しても良い。
そして、図6(c)に続く図7(a)に示すように、封止樹脂440’の形成された第1のメモリチップ用のウエハ1は、上下を逆にして、第4のメモリチップ30側を、枠状の治具100に貼り渡したダイシングテープ200上に貼着固定する。その後、透明な支持体4側から第1の接着層5に特定光、例えばレーザー光を照射することで、第1の接着層5を気化させ、支持体4を取り外す。その後、第2の接着層6を引きはがすことで、第2の接着層6を除去する。これにより、図7(b)に示すように、封止樹脂440’で被覆された複数のチップ積層部は、第1のメモリチップ10の表面を露出させた状態でダイシングテープ200に保持される。
その後、図7(c)に示すように、第1のメモリチップ10のダイシングラインDL上に沿ってウエハ1と封止樹脂440’を切断する。
これにより個々の第1のメモリチップに対応する領域毎に分離され、ダイシングテープ200から取り外すことにより、図7(d)に示すようなチップ積層体300が得られる。
図8、図9は、上記第2の実施形態のチップ積層体300を用いたCoC型半導体装置の組立フローを示す断面図であり、図8は組立フローの前半を示し、図9は組立フローの後半を示す。
第1の実施形態と同様、図8(a)に示すように、複数の製品形成部410、420を備えた配線基板400を準備する。複数の製品形成部410、420は、配線基板400にマトリックス状に配置された領域であり、各々が半導体装置の配線基板になる。
配線基板400の各製品形成部410、420には、両面に不図示の配線が形成された絶縁基材401(例えばガラスエポキシ基板)が用いられ、絶縁基材401の一方の面には、後述するロジックチップ35と接続するための複数の接続パッド402が形成され、他方の面には外部端子となるはんだボールを接続するための複数のランド403が形成されている。これらの接続パッド402は、所定のランド403と配線によって接続されている。ランド403は、配線基板400の他方の面に所定の間隔で、例えば格子状に配置されている。
絶縁基材401の両面の各配線は接続パッド402やランド403を除いてソルダーレジスト(SR)膜等の絶縁膜404によって覆われている。この配線基板400の製品形成部410、420間の境界が、各半導体装置を個々に切り離す際のダイシングラインDLとなっている。
このような配線基板400の準備が完了すると、図8(b)に示すように、各製品形成部410、420に樹脂部材(NCP)430−1が置かれる。
続いて、図8(c)に示すように、配線基板400の各製品形成部410、420における樹脂部材430−1上にロジックチップ35が搭載される。ロジックチップ35の表面バンプ電極35−1がはんだ層35−2を介して製品形成部410、420上の接続パッド402にフェースダウンボンディングにより接合される。尚、ロジックチップ35においては、不図示のボンディングツールで保持される裏面バンプ電極35−3にははんだ層が形成されていない。ロジックチップ35の表面バンプ電極35−1と裏面バンプ電極35−3は貫通電極35−4を介して電気的に接続されている。
次に、図8(d)に示すように、配線基板400上に実装されたロジックチップ35上に樹脂部材(NCP)430−2が置かれる。
図8(d)に続く図9(a)において、チップ積層体300の第4のメモリチップ30の裏面を不図示のボンディングツール等で吸着保持し、各々の製品形成部410、420のロジックチップ35上にチップ積層体300を搭載して固定する。
本第2の実施形態でも、ロジックチップ35の裏面バンプ電極35−3に第1のメモリチップ10の表面バンプ電極3(あるいは11)が接合されるように、ロジックチップ35上にチップ積層体300をフリップチップボンディングにより積層する。このボンディング時の熱により第1のメモリチップ10の表面バンプ電極3上のSn/Agはんだ層が溶融して、ロジックチップ35の裏面バンプ電極35−3とチップ積層体300の第1のメモリチップ10の表面バンプ電極3とが接合される。
このようにチップ積層体300を製品形成部410、420上のロジックチップ35上に実装することにより、チップ積層体300における第4のメモリチップ30が、配線基板400から最も遠い位置に配置されたメモリチップとなる。
一直線上に複数の貫通電極が配置され且つ直列接続されたチップ積層体では、製造プロセスにおける温度変化により貫通電極の膨張や収縮の際に応力が発生し、その最大応力が、配線基板から最も遠い位置に配置されたメモリチップの貫通電極の部位にかかり、チップクラックを発生させるおそれがある。
しかし、本第2の実施形態では、貫通電極と裏面バンプ電極が無くて他のメモリチップ10、20−1、20−2よりも厚さの大きい第4のメモリチップ30が、配線基板400から最も遠い位置に配置されるチップとなり、第4のメモリチップ30の貫通電極が無い表面で応力を受けることができるため、チップクラックの発生を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
また、ロジックチップ35の裏面バンプ電極35−3に、チップ積層体300の第1のメモリチップ10の表面バンプ電極3をフリップチップボンディングで接合すると、配線基板400とロジックチップ10との間の樹脂部材430−1とロジックチップ35上の樹脂部材430−2が溶融する。溶融した樹脂部材は、チップ積層体300とロジックチップ35の間の隙間及びロジックチップ15と配線基板400における製品形成部410及び420の間の隙間へ毛細管現象によって進入し、それらの隙間を埋める。
その後、所定の温度、例えば150℃程度でキュア(熱処理)することで、樹脂部材430−1、430−2を熱硬化させる。その結果、ロジックチップ35の周囲を覆うと共に、ロジックチップ35と配線基板400の間の隙間及びロジックチップ35と第1のメモリチップ10の間の隙間を埋める樹脂部材から成る封止樹脂層430が形成される。
次に、ロジックチップ35及びチップ積層体300が搭載された配線基板400は、不図示のトランスファモールド装置の上型と下型から成る成型金型にセットされ、モールド工程に移行する。
成型金型の上型には、チップ積層体300及びロジックチップ35を一括して覆う不図示のキャビティが形成されており、該キャビティ内に、配線基板400上に搭載されたロジックチップ35及びチップ積層体300が収容される。
その後、成型金型の上型に設けられたキャビティ内に加熱溶融させた封止樹脂を注入し、ロジックチップ35及びチップ積層体300の両方を覆うようにキャビティ内に封止樹脂を充填する。封止樹脂には、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いる。
続いて、キャビティ内を封止樹脂で充填した状態で、所定の温度、例えば180℃程度でキュアすることで封止樹脂を熱硬化させる。これにより、図9(b)に示すように、それぞれの製品形成部410、420上に搭載されたロジックチップ35及びチップ積層体300の両方を覆う封止樹脂440を形成する。さらに、所定の温度でベークすることで、封止樹脂440を完全に硬化させる。
本第2の実施形態では、チップ積層体300の形成工程において各メモリチップの間に樹脂層(NCF)80を介在させ、配線基板400へのチップ積層体300の実装に際してロジックチップ35と配線基板400との間及びロジックチップ35とチップ積層体300との間に封止樹脂層430を介在させた後、ロジックチップ35と複数のメモリチップ10、20−1、20−2、30からなるチップ積層体300全体を覆う封止樹脂440を形成するため、メモリチップ同士の隙間でボイドが発生するのを抑制できる。
封止樹脂440を形成したら、ボールマウント工程に移行し、図9(c)に示すように、配線基板400の他方の面に形成されたランド403に、半導体装置の外部端子となる導電性の金属ボール、例えばはんだボール450を接続する。
ボールマウント工程では、配線基板400の各ランド403と位置が一致する複数の吸着孔を備えた不図示のマウントツールを用いて複数のはんだボール450を吸着保持し、各はんだボール450にフラックスを転写した後、保持した各はんだボール450を配線基板400のランド403上に一括して搭載する。
全ての製品形成部410、420に対するはんだボール450の搭載が完了した後、配線基板400をリフローすることで各はんだボール450と各ランド403とを接続する。
はんだボール450の接続が完了すると、基板ダイシング工程に移行し、図9(d)に示すように所定のダイシングラインDLで個々の製品形成部410、420を切断分離することでCoC型半導体装置500を形成する。
以上、本発明者によってなされた発明を複数の実施形態に基づき説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、上記の実施形態では、メモリチップの積層体を配線基板上のロジックチップ上に実装する場合について説明したが、配線基板上のSiインターポーザ上にメモリチップの積層体とロジックチップを実装するように構成しても良い。
1 ウエハ
2 回路層
3、11 表面バンプ電極
4 支持体
5 第1の接着層
6 第2の接着層
7 貫通配線
8 裏面バンプ電極
10 第1のメモリチップ
20−1 第2のメモリチップ
20−2 第3のメモリチップ
30 第4のメモリチップ
35 ロジックチップ
40 治具
50 耐熱粘着テープ
60 ボンディングステージ
70 ボンディングツール
80 樹脂層
100 治具
200 ダイシングテープ
210 接着層
2 回路層
3、11 表面バンプ電極
4 支持体
5 第1の接着層
6 第2の接着層
7 貫通配線
8 裏面バンプ電極
10 第1のメモリチップ
20−1 第2のメモリチップ
20−2 第3のメモリチップ
30 第4のメモリチップ
35 ロジックチップ
40 治具
50 耐熱粘着テープ
60 ボンディングステージ
70 ボンディングツール
80 樹脂層
100 治具
200 ダイシングテープ
210 接着層
Claims (7)
- 第1の主面の側に配置された第1のバンプ電極と、前記第1の主面とは反対側の第2の主面の側に配置された第2のバンプ電極と、前記第1のバンプ電極と第2のバンプ電極を電気的に接続する第1の貫通電極とを有し、前記第1のバンプ電極を覆うように前記第1の主面上に仮接着されたバンプ保護部材を備えた半導体デバイスを準備する工程と、
前記半導体デバイスの第2の主面上に、第3の主面の側に配置された第3のバンプ電極を有する第1の半導体チップを積層し、前記第3のバンプ電極を前記半導体デバイスの第2のバンプ電極に電気的に接続する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 更に、前記半導体デバイスの前記第1の主面上に仮接着された前記バンプ保護部材を除去し、前記第1のバンプ電極を露出させる工程、を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3のバンプ電極を前記半導体デバイスの第2のバンプ電極に電気的に接続する工程の前に、前記第1の半導体チップの第3の主面に、加熱により溶融、固化する樹脂部材を形成する工程を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バンプ保護部材は、前記第1のバンプ電極の前記第1の主面からの高さよりも大きな厚さを有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バンプ保護部材は、前記第1のバンプ電極に対応する位置に該第1のバンプ電極を収容可能な貫通孔を有する耐熱粘着テープであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バンプ保護部材は、前記第1のバンプ電極を覆うように前記第1の主面上に仮接着された接着層であり、該接着層の反対側の面には透明な支持体を備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の半導体チップは、前記第3の主面とは反対側の第4の主面に前記第3のバンプ電極と貫通電極を介して接続された第4のバンプ電極を有し、
更に、前記第1の半導体チップの前記第4の主面上に、第5の主面の側にのみ第5のバンプ電極を有する第2の半導体チップを、加熱により溶融、固化する樹脂部材を介在させて積層し、前記第5のバンプ電極を前記第4のバンプ電極に電気的に接続する工程、を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2013103766A JP2014225546A (ja) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | 半導体装置の製造方法 |
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JP2021034404A (ja) * | 2019-08-15 | 2021-03-01 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
-
2013
- 2013-05-16 JP JP2013103766A patent/JP2014225546A/ja not_active Withdrawn
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