JP2021034404A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021034404A JP2021034404A JP2019149063A JP2019149063A JP2021034404A JP 2021034404 A JP2021034404 A JP 2021034404A JP 2019149063 A JP2019149063 A JP 2019149063A JP 2019149063 A JP2019149063 A JP 2019149063A JP 2021034404 A JP2021034404 A JP 2021034404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base wafer
- mold resin
- wafer
- memory chip
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 58
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 17
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 101
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
Description
本実施形態を実施するに際し、まず、図1に示すように、ベースウエーハ10のデバイス12が形成された表面10a側に、図示しないボンド層を形成し、該ボンド層を介して剛性のあるハード基板20を貼着する。ハード基板20の材質等は特に限定されないが、ハード基板20は、例えば、ガラス基板により構成され、平面視でベースウエーハ10と略同一の形状をなす基板である。
上記したハード基板貼着工程を実施したならば、ベースウエーハ10の裏面10bを研削してデバイス12に対応して埋設された電極を裏面10bに露出させる電極露出工程を実施する。図2を参照しながら、より具体的に説明する。
上記したように、電極露出工程を実施したならば、ベースウエーハ10の裏面10bの各デバイス12に対応する位置にDRAM等のメモリーチップ18を積層するメモリーチップ積層工程、及びベースウエーハ10の分割予定ライン14を間引いて切断して、その後被覆されるモールド樹脂によって発生させられる応力を緩和させる応力緩和工程を実施する。このメモリーチッップ積層工程と応力緩和工程とを実施する場合、いずれを先に実施してもよく、図3、及び図4を参照しながら、メモリーチッップ積層工程と応力緩和工程とを実施する2つの実施形態について説明する。
上記したように、メモリーチップ積層工程、応力緩和工程を実施したならば、メモリーチップ18が積層された裏面10b側にモールド樹脂を被覆するモールド樹脂被覆工程を実施する。
10a:表面
10b:裏面
12:デバイス
14:分割予定ライン
16:電極
18:メモリーチップ
20:ハード基板
30:研削装置
31:チャックテーブル
32:研削手段
33:ホイールマウント
34:研削ホイール
36:研削砥石
40:切削装置
41:チャックテーブル
42:切削手段
43:回転スピンドル
44:切削ブレード
50:モールド樹脂供給ノズル
52:モールド樹脂
100:切削溝
C:パッケージデバイス
Claims (2)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたベースウエーハにメモリーチップを積層し、樹脂でモールドされたパッケージデバイスを生成するウエーハの加工方法であって、
ベースウエーハの表面にボンド層を介してハード基板を貼着するハード基板貼着工程と、
ベースウエーハの裏面を研削してデバイスに埋設された電極を裏面に露出させる電極露出工程と、
ベースウエーハの裏面の各デバイスに対応する位置にメモリーチップを積層するメモリーチップ積層工程と、
メモリーチップが積層された側にモールド樹脂を被覆するモールド樹脂被覆工程と、
を少なくとも含み、
該モールド樹脂被覆工程を実施する前に、ベースウエーハの分割予定ラインを間引いて切断して該モールド樹脂被覆工程後に生じるモールド樹脂の応力を緩和させる応力緩和工程を実施するウエーハの加工方法。 - 該モールド樹脂被覆工程の後、ベースウエーハの樹脂でモールドされた側をダイシングテープに貼着し、ハード基板を剥離したベースウエーハの表面から分割予定ラインを切断して、樹脂でモールドされたパッケージデバイスを生成する請求項1に記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019149063A JP7313968B2 (ja) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | ウエーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019149063A JP7313968B2 (ja) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021034404A true JP2021034404A (ja) | 2021-03-01 |
JP7313968B2 JP7313968B2 (ja) | 2023-07-25 |
Family
ID=74676111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019149063A Active JP7313968B2 (ja) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7313968B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124168A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001127206A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-05-11 | Citizen Watch Co Ltd | チップスケールパッケージの製造方法及びicチップの製造方法 |
JP2002141443A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2014053357A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014225546A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置の製造方法 |
JP2015060927A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 株式会社村田製作所 | 基板の分割方法 |
JP2016225511A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
2019
- 2019-08-15 JP JP2019149063A patent/JP7313968B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000124168A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001127206A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-05-11 | Citizen Watch Co Ltd | チップスケールパッケージの製造方法及びicチップの製造方法 |
JP2002141443A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2014053357A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014225546A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置の製造方法 |
JP2015060927A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 株式会社村田製作所 | 基板の分割方法 |
JP2016225511A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7313968B2 (ja) | 2023-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6608694B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US8513096B2 (en) | Wafer dividing method | |
TWI721106B (zh) | 晶圓之加工方法 | |
JP6557081B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6305212B2 (ja) | 研削装置及び矩形基板の研削方法 | |
KR20160033631A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2017041574A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20160144311A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
KR20170030035A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2017028160A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6824583B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2013118324A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5840003B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2015223667A (ja) | 研削装置及び矩形基板の研削方法 | |
JP6685592B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP7313968B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6448302B2 (ja) | パッケージ基板の研削方法 | |
JP2017022162A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014053352A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2011238818A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6491055B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6487275B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2020136463A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014053350A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014053357A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230621 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230712 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7313968 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |