JP2014213551A - ナノインプリント方法及びそのための装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 67
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 41
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims abstract description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N iron silicon Chemical compound [Si].[Fe] XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 3
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 3
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
【解決手段】 シート状の被転写体を、電磁誘導により加熱可能な材料により形成した板状の型の少なくとも一表面に形成した微細転写パターン上に供給し、供給される被転写体を前記微細転写パターン形成面に加圧して転写するナノインプリント方法及び装置において、加圧手段を、前記型の微細転写パターン形成面に対して、線状に延びた領域において加圧しながら、順次、前記型の一辺から対向する他の一辺まで移動すると共に、前記板状の型の微細転写パターン形成面とは反対の面上において、前記加圧手段と共に移動しながら、前記線状に延びた領域の近傍に、誘導加熱手段により、電磁波を照射して加熱する。
【選択図】 図2
Description
Claims (13)
- 少なくとも一表面に微細転写パターンを有し、電磁誘導により加熱可能な部材を含んで形成した板状の型と、
当該型の微細転写パターン形成面にシート状の被転写体を供給するための被転写体供給手段と、
前記被転写体供給手段により供給される被転写体を前記型の微細転写パターン形成面に加圧して転写する加工部とを備えてなるナノインプリント装置において、前記加工部は、更に、
被転写体を、前記型の微細転写パターン形成面に対して、その一辺から対向する他の一辺まで、順次、線状に延びた領域において加圧しながら移動する加圧手段と、
前記板状の型の微細転写パターン形成面の近傍において、前記加圧手段と共に移動しながら、前記線状に延びた領域に電磁波を照射する誘導加熱手段を備えていることを特徴とするナノインプリント装置。 - 前記請求項1に記載したナノインプリント装置において、前記型は、ニッケル(Nickel)、軟鉄(Mild Steel)、鉄(Iron)、ケイ素鋼(Silicon iron)、純鉄の一つ、又は、組み合わせた材料で形成されていることを特徴とするナノインプリント装置。
- 前記請求項2に記載したナノインプリント装置において、前記誘導加熱手段を、前記板状の型の微細転写パターン形成面と反対の面の側に配置したことを特徴とするナノインプリント装置。
- 前記請求項2に記載したナノインプリント装置において、前記誘導加熱手段を、前記板状の型の微細転写パターン形成面の側に配置したことを特徴とするナノインプリント装置。
- 前記請求項3又は4に記載したナノインプリント装置において、前記シート状の被転写体は、連続的に供給されることを特徴とするナノインプリント装置。
- 前記請求項5に記載したナノインプリント装置において、前記加圧手段は、その回転軸を前記シート状の被転写体の供給方向に延びて配置した加圧ローラーで構成したことを特徴とするナノインプリント装置。
- 前記請求項5に記載したナノインプリント装置において、前記加圧手段は、その回転軸を前記シート状の被転写体の供給方向に対して直交する方向に延びて配置した加圧ローラーで構成したことを特徴とするナノインプリント装置。
- 前記請求項6又は7に記載したナノインプリント装置であって、更に、前記加圧ローラーの移動方向の下流側に追従して移動し、前記板状の型における前記誘導加熱手段により加熱された領域の近傍を冷却する冷却手段を備えていることを特徴とするナノインプリント装置。
- 前記請求項8に記載したナノインプリント装置であって、更に、前記型を間に挟んで、前記加圧ローラーの対向する位置に、前記加圧ローラーの移動に伴って移動する他のローラーを設けたことを特徴とするナノインプリント装置。
- 前記請求項9に記載したナノインプリント装置において、更に、前記誘導加熱手段を前記他のローラーの内部に設けたことを特徴とするナノインプリント装置。
- シート状の被転写体を、電磁誘導により加熱可能な部材を含んで形成した板状の型の少なくとも一表面に形成した微細転写パターン上に供給し、
供給される被転写体を前記微細転写パターン形成面に加圧して転写するナノインプリント方法において、
加圧手段を、前記型の微細転写パターン形成面に対して、線状に延びた領域において加圧しながら、順次、前記型の一辺から対向する他の一辺まで移動すると共に、
前記板状の型の微細転写パターン形成面の近傍において、前記加圧手段と共に移動しながら、前記線状に延びた領域の近傍に、誘導加熱手段により、電磁波を照射して加熱することを特徴とするナノインプリント方法。 - 前記請求項11に記載したナノインプリント方法において、前記加圧手段により加圧される前記線状に延びた領域は、前記型上において、前記シート状の被転写体の供給方向に対して直交する方向に延びて配置されていることを特徴とするナノインプリント方法。
- 前記請求項12に記載したナノインプリント方法において、前記線状に延びた領域を、前記加圧手段により加圧し、かつ、前記誘導加熱手段により加熱した後に、冷却手段により冷却することを特徴とするナノインプリント方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013093613A JP6073180B2 (ja) | 2013-04-26 | 2013-04-26 | ナノインプリント方法及びそのための装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013093613A JP6073180B2 (ja) | 2013-04-26 | 2013-04-26 | ナノインプリント方法及びそのための装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014213551A true JP2014213551A (ja) | 2014-11-17 |
JP6073180B2 JP6073180B2 (ja) | 2017-02-01 |
Family
ID=51939783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013093613A Active JP6073180B2 (ja) | 2013-04-26 | 2013-04-26 | ナノインプリント方法及びそのための装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6073180B2 (ja) |
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CN113031391A (zh) * | 2021-03-05 | 2021-06-25 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种简易紫外纳米压印光刻装置 |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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