JP2014209598A - 太陽電池素子表面電極用導電性ペースト及び太陽電池素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
半導体基板と、該半導体基板の一主面上の第1領域に配置された反射防止膜と、前記半導体基板の一主面上の第2領域に配置された表面電極とを備えている太陽電池素子の前記表面電極の形成に用いられる太陽電池素子表面電極用導電性ペーストであって、
前記導電性ペーストは、導電性粉末と、混合ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含み、該混合ガラスフリットがテルル、タングステン及びビスマスを必須成分とするテルル系ガラスフリットと、鉛及びビスマスを必須成分とし、実質的にテルルを含まない鉛−ビスマス系ガラスフリットとを混合して含むことを特徴とするものである。
半導体基板と、該半導体基板の一主面上の第1領域に配置された反射防止膜と、前記半導体基板の一主面上の第2領域に配置された表面電極とを備えている太陽電池素子の製造方法であって、
前記半導体基板の一主面上に前記反射防止膜を形成する第1工程と、
導電性粉末と、混合ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含み、該混合ガラスフリットがテルル、タングステン及びビスマスを必須成分とするテルル系ガラスフリットと、鉛及びビスマスを必須成分とし、実質的にテルルを含まない鉛−ビスマス系ガラスフリットとを混合して含む導電性ペーストを、前記反射防止膜上に印刷する第2工程と、
前記導電性ペーストを焼成して前記導電性ペーストの下に位置している前記反射防止膜を除去することによって、前記反射防止膜を前記半導体基板の前記第1領域に配置させて、前記半導体基板の前記第2領域に前記表面電極を形成する第3工程と、を有する。
まず、本実施形態の導電性ペーストを用いて表面電極が形成される太陽電池素子の基本的な構成について説明する。
図1に示すように、本実施形態の太陽電池素子10は、一導電型の第1半導体領域とこの第1半導体領域に対して逆導電型の第2半導体領域(逆導電型層1a)とを有する半導体基板1と、半導体基板1において光が入射される側の主面である第1面上(本実施形態では、逆導電型層1aの上)の第1領域1eに配置された反射防止膜2とを備えている。
まず、テクスチャー構造について説明する。
太陽電池素子10は、半導体基板1の第1面側に平均の幅及び平均の高さのそれぞれが10μm以下の突起1cを備えたテクスチャー構造を備えるものである。このテクスチャー構造の形成には、例えば、NaOH等のアルカリ溶液またはフッ硝酸等の酸溶液が使用されたウエットエッチング方法または反応性イオンエッチング(RIE)等が使用されたドライエッチング方法が採用される。この突起1cの平均の幅及び平均の高さのそれぞれが10μmより大きくなると、エッチングの処理時間が長くなる反面、半導体基板1の表面での反射率はさほど低減されない。
第1電極3は、導電性ペーストのガラスフリットとして、テルル、タングステン及びビスマスを必須成分とするテルル系ガラスフリットと、鉛及びビスマスを必須成分とし、実質的にテルルを含まない鉛−ビスマス系ガラスフリットとを混合して含む混合ガラスフリットを用いて形成される。明細書中、各ガラスフリットの構成成分は特に記載がなければ酸化物としてガラスフリットに含まれている。ここで、或る成分Xが「実質的に含まれない」とは成分Xの不可避の含有を除外するものでなく、例えば成分Xが1000ppm以下で含有している場合も含む。また、第1電極3を形成するための導電性ペーストは、前述した導電性粉末、混合ガラスフリット、適宜添加剤及び有機ビヒクルを含む。この導電性ペーストは、スクリーン印刷その他の印刷方法に適したレオロジーのペースト、塗料、またはインク状の組成物である。
好ましい鉛−テルル系ガラスフリットとしては、酸化物換算で、鉛を30〜70モル%、テルルを20〜60モル%、タングステンを5〜10モル%含み、前記鉛、テルル、及びタングステンの合計が60モル%以上、より好ましくは80モル%以上を含むガラスフリットが挙げられる。ただし、鉛−テルル系ガラスフリットにおいてタングステンは必須ではなく、硼素、モリブデン、ニオブ、マグネシウム、チタン、アルミニウム等を含むガラスフリットを用いることもできる。
また、一般的に、テルル系ガラスと鉛−ビスマス系ガラスは、異なる軟化点を有し、テルル系ガラスの方が鉛−ビスマス系ガラスよりも低い軟化点を有する。例えば、テルル系ガラスの軟化点は300〜400℃程度であり、鉛−ビスマス系ガラスの軟化点は360〜440℃程度である。このように、テルル系ガラスフリットが鉛−ビスマス系ガラスフリットよりも低い軟化点を有することにより、以下に推論するように更なる効果が得られたものと考えられる。
焼成工程では、まず、軟化点が低く、接触抵抗を下げる効果があるテルル系ガラスフリットが軟化して広がり、半導体基板上を覆う。その後、軟化点が高く、反射防止膜との反応性に優れる鉛−ビスマス系ガラスフリットが軟化し、半導体基板上でテルル系ガラスが被覆していない個所で、反射防止膜を楔の様に突き破る。このようにテルル系ガラスフリットと鉛−ビスマス系ガラスフリットとが相互に作用し合うことにより、接触抵抗の低減及び引張強度の更なる向上をもたらしたものと考えられる。
ここで、テルル系ガラスフリットの軟化点と鉛−ビスマス系ガラスフリットの軟化点の差は、10〜100℃が好ましく、より好ましくは30〜70℃である。軟化点の差は、10℃未満では前記作用が発現しにくく、100℃を超えるとテルル系ガラスが半導体基板上を完全に被覆してしまい、鉛−ビスマス系ガラスが反射防止膜を突き破りにくくなる。
本実施形態の太陽電池素子の製造方法の概要について説明する。
まず、半導体基板1の製法について説明する。半導体基板1が単結晶シリコン基板の場合は、例えば引き上げ法等によって形成され、半導体基板1が多結晶シリコン基板の場合は、例えば鋳造法等によって形成される。なお、以下では、p型の多結晶シリコンを用いた例について説明する。
半導体基板1の表面をエッチングすると、該表面の構成成分は基本的には離脱する。しかしながら、該構成成分の一部は離脱しきれずに半導体基板1の表面に残り、離脱した物質の一部は再度、半導体基板1の表面に吸着し、これらがエッチング残渣となる。エッチングされた半導体基板1の材料を主成分とするエッチング残渣を半導体基板1の表面に意図的に再付着させ、これをエッチングのマスクとして利用することで、ひいては表面凹凸構造の形成につながる半導体基板1の表面の粗面化を実現している(図2(b)を参照)。
第1電極3は、例えば、Ag(銀)等からなる金属粉末と、有機ビヒクルと、混合ガラスフリットとを含有するAgペーストを用いて作製される。このAgペーストを、半導体基板1の第1面の反射防止膜2上に塗布する。その後、Agペーストをピーク温度600〜850℃で数十秒〜数十分程度焼成し、ファイアースルーが行なわれる。これにより、塗布されたAgペーストの下に位置していた反射防止層2が突き破られて、反射防止膜2を半導体基板1の第1面上の第1領域1eに配置させて、逆導電型層1aと電気的にコンタクトされた第1電極3が半導体基板1の第1面上の第2領域1fに形成される。Agペーストの塗布法としては、スクリーン印刷法等を用いることができ、好ましくはAgペーストを塗布後、所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させる。
以上のようにして、太陽電池素子10を作製することができる。
厚みが200μmで、比抵抗が1.5Ω・cmの15.6cm×15.6cm角の多結晶シリコンから成るシリコン基板をNaOHの溶液に浸漬して、片面10μmエッチングした。その後、チャンバ17内に、Cl2ガスとO2ガスとCHF3ガスとを流量比で1:6:4の割合で導入しながら、反応圧力を7Paとして、プラズマを発生させるRF電力5kWで5分程度エッチングを行なう。このようなRIE法により、シリコン基板表面に平均の幅及び平均の高さのそれぞれが1μmの微細な突起を形成しテクスチャー構造とした。
試料1〜67のそれぞれについて、TLM(transmission line model)法により、フィンガー電極間の接触抵抗値をデジタルマルチメーター(HEWLETT PACKARD社製:3458A MULTIMETER)を用いて接触抵抗の測定評価を行なった。接触抵抗が80mΩcm2以下であれば、表面電極に要求される接触抵抗を満たすと評価した。接触抵抗は50mΩcm2以下が好ましく、20mΩcm2以下がより好ましい。
引張強度は、銅線を半田により表面電極に取りつけ、これを垂直方向に引き上げることにより測定評価した。引張強度が弱い場合、引き上げた際に表面電極が剥がれ、引張強度が強い場合、引き上げた際に表面電極が剥がれずセルが破壊される。1つの試料に対して6回測定を行ない、表面電極が剥がれず、セルが破壊された回数が6回中3回以上(3/6以上)であれば、表面電極に要求される引張強度を満たすと評価した。引張強度は4/6以上であることが好ましい。これらの接触抵抗及び引張強度の測定結果は、表4−1、表4−2に示す通りである。
1a:逆導電型層
1b:BSF領域
1c:微細な突起
2……反射防止膜
3……第1電極(表面電極)
4……第2電極(裏面電極)
10…太陽電池素子
Claims (14)
- 半導体基板と、該半導体基板の一主面上の第1領域に配置された反射防止膜と、前記半導体基板の一主面上の第2領域に配置された表面電極とを備えている太陽電池素子の前記表面電極の形成に用いられる太陽電池素子表面電極用導電性ペーストであって、
前記導電性ペーストは、導電性粉末と、混合ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含み、該混合ガラスフリットがテルル、タングステン及びビスマスを必須成分とするテルル系ガラスフリットと、鉛及びビスマスを必須成分とし、実質的にテルルを含まない鉛−ビスマス系ガラスフリットとを混合して含むことを特徴とする太陽電池素子表面電極用導電性ペースト。 - 前記テルル系ガラスフリットの軟化点が、前記鉛−ビスマス系ガラスフリットの軟化点よりも10〜100℃低いことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池素子表面電極用導電性ペースト。
- 前記混合ガラスフリットが、前記テルル系ガラスフリットと前記鉛−ビスマス系ガラスフリットとを質量比で4:6〜8:2の割合で含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の太陽電池素子表面電極用導電性ペースト。
- 前記テルル系ガラスフリットが、酸化物換算で、テルルを30〜80モル%、タングステンを10〜50モル%、ビスマスを5〜25モル%で含むガラスフリットであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の太陽電池素子表面電極用導電性ペースト。
- 前記鉛−ビスマス系ガラスフリットが、酸化物換算で、鉛を30〜70モル%、ビスマスを10〜40モル%、亜鉛を30モル%以下(0モル%を含む)、珪素を5〜30モル%で含むガラスフリット、又は酸化物換算で、鉛を30〜70モル%、ビスマスを10〜40モル%、亜鉛を30モル%以下(0モル%を含む)、硼素を1〜25モル%で含むガラスフリットであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の太陽電池素子表面電極用導電性ペースト。
- 前記混合ガラスフリットが、鉛及びテルルを必須成分とする鉛−テルル系ガラスフリットをさらに含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の太陽電池素子表面電極用導電性ペースト。
- 前記導電性ペーストが、添加剤として、錫、酸化錫(II)、及び酸化錫(IV)のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の太陽電池素子表面電極用導電性ペースト。
- 半導体基板と、該半導体基板の一主面上の第1領域に配置された反射防止膜と、前記半導体基板の一主面上の第2領域に配置された表面電極とを備えている太陽電池素子の製造方法であって、
前記半導体基板の一主面上に前記反射防止膜を形成する第1工程と、
導電性粉末と、混合ガラスフリットと、有機ビヒクルとを含み、該混合ガラスフリットがテルル、タングステン及びビスマスを必須成分とするテルル系ガラスフリットと、鉛及びビスマスを必須成分とし、実質的にテルルを含まない鉛−ビスマス系ガラスフリットとを混合して含む導電性ペーストを、前記反射防止膜上に印刷する第2工程と、
前記導電性ペーストを焼成して前記導電性ペーストの下に位置している前記反射防止膜を除去することによって、前記反射防止膜を前記半導体基板の前記第1領域に配置させて、前記半導体基板の前記第2領域に前記表面電極を形成する第3工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。 - 前記テルル系ガラスフリットの軟化点が、前記鉛−ビスマス系ガラスフリットの軟化点よりも10〜100℃低いことを特徴とする請求項8に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記混合ガラスフリットが、前記テルル系ガラスフリットと前記鉛−ビスマス系ガラスフリットを質量比で4:6〜8:2の割合で含むことを特徴とする請求項8又は9に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記テルル系ガラスフリットが、酸化物換算で、テルルを30〜80モル%、タングステンを10〜50モル%、ビスマスを5〜25モル%で含むガラスフリットであることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか一項に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記鉛−ビスマス系ガラスフリットが、酸化物換算で、鉛を30〜70モル%、ビスマスを10〜40モル%、亜鉛を30モル%以下(0モル%を含む)、珪素を5〜30モル%で含むガラスフリット、又は酸化物換算で、鉛を30〜70モル%、ビスマスを10〜40モル%、亜鉛を30モル%以下(0モル%を含む)、硼素を1〜25モル%で含むガラスフリットであることを特徴とする請求項8乃至11のいずれか一項に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記混合ガラスフリットが、鉛及びテルルを必須成分とする鉛−テルル系ガラスフリットをさらに含むことを特徴とする請求項8乃至12のいずれか一項に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 前記導電性ペーストが、添加剤として、錫、酸化錫(II)、及び酸化錫(IV)のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項8乃至13のいずれか一項に記載の太陽電池素子の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016521014A (ja) * | 2013-06-05 | 2016-07-14 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | 太陽電池電極形成用組成物及びこれを用いて製造された電極 |
JP2018037549A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2018129511A (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
JP2019519113A (ja) * | 2016-06-23 | 2019-07-04 | サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. | P型太陽電池電極形成用組成物、これを用いて製造された電極及びp型太陽電池 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI532062B (zh) * | 2015-04-27 | 2016-05-01 | Giga Solar Materials Corp | Conductive pulp and a method of manufacturing the same |
KR20170019597A (ko) * | 2015-08-12 | 2017-02-22 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
JP6236557B1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-11-22 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀テルル被覆ガラス粉およびその製造方法、ならびに導電性ペーストおよびその製造方法 |
US10134925B2 (en) | 2016-04-13 | 2018-11-20 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
JP6714275B2 (ja) * | 2016-08-23 | 2020-06-24 | ナミックス株式会社 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
KR101980946B1 (ko) * | 2016-11-11 | 2019-05-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지용 전면 전극 및 이를 포함하는 태양전지 |
TWI632114B (zh) * | 2017-08-14 | 2018-08-11 | 中國鋼鐵股份有限公司 | 導電銀膠複合組成物 |
KR102007858B1 (ko) * | 2017-11-06 | 2019-08-06 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지 전극용 도전성 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 |
KR20190066158A (ko) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
KR20190068351A (ko) * | 2017-12-08 | 2019-06-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양전지 셀 |
CN111902881B (zh) * | 2019-05-29 | 2022-03-18 | 常州聚和新材料股份有限公司 | 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法 |
US11508862B2 (en) | 2019-05-29 | 2022-11-22 | Changzhou Fusion New Material Co., Ltd. | Thick-film conductive paste, and their use in the manufacture of solar cells |
CN113884765A (zh) * | 2020-07-02 | 2022-01-04 | 昆山微电子技术研究院 | 欧姆接触比接触电阻测量方法、装置、设备及存储介质 |
CN115019997A (zh) * | 2021-03-05 | 2022-09-06 | 常州聚和新材料股份有限公司 | 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5636172A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Du Pont | Thick film conductor composition |
JP2007294494A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
JP2009124148A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Gigastorge Corp | 太陽電池 |
JP2012084585A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子並びにその製造方法 |
EP2472526A2 (en) * | 2010-12-31 | 2012-07-04 | LG Innotek Co., Ltd. | Paste composition for electrode of solar cell and solar cell including the same |
WO2013036510A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Ferro Corporation | Silver solar cell contacts |
JP2014028740A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6411926B1 (en) | 1999-02-08 | 2002-06-25 | Qualcomm Incorporated | Distributed voice recognition system |
JP4153628B2 (ja) | 1999-09-27 | 2008-09-24 | ナミックス株式会社 | 導電性組成物 |
US8231934B2 (en) * | 2008-11-26 | 2012-07-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste for solar cell electrode |
JP2011035024A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
JP5478267B2 (ja) | 2010-01-08 | 2014-04-23 | 理想科学工業株式会社 | インクジェット記録装置 |
JP5480448B2 (ja) * | 2010-05-04 | 2014-04-23 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 鉛−テルル−リチウム−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 |
CN102157219B (zh) * | 2011-01-12 | 2012-06-27 | 西安银泰新能源材料科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池正面电极银浆及其制备方法 |
KR101802517B1 (ko) | 2011-01-20 | 2017-11-30 | 한양대학교 산학협력단 | 양극 활물질, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 |
CN102651247B (zh) * | 2011-02-25 | 2013-06-19 | 苏州晶银新材料股份有限公司 | 一种新型太阳能光伏电池正面电极用导电浆料 |
US8696948B2 (en) * | 2011-08-11 | 2014-04-15 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thick film paste containing lead—tellurium—lithium—titanium—oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5636172A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Du Pont | Thick film conductor composition |
JP2007294494A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
JP2009124148A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Gigastorge Corp | 太陽電池 |
JP2012084585A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Shoei Chem Ind Co | 太陽電池素子並びにその製造方法 |
EP2472526A2 (en) * | 2010-12-31 | 2012-07-04 | LG Innotek Co., Ltd. | Paste composition for electrode of solar cell and solar cell including the same |
WO2013036510A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Ferro Corporation | Silver solar cell contacts |
JP2014028740A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペーストのためのテルル無機反応系 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016521014A (ja) * | 2013-06-05 | 2016-07-14 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | 太陽電池電極形成用組成物及びこれを用いて製造された電極 |
JP2019519113A (ja) * | 2016-06-23 | 2019-07-04 | サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. | P型太陽電池電極形成用組成物、これを用いて製造された電極及びp型太陽電池 |
JP2018037549A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池及びその製造方法 |
JP7064823B2 (ja) | 2016-08-31 | 2022-05-11 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池及びその製造方法 |
US11404597B2 (en) | 2016-08-31 | 2022-08-02 | Material Concept, Inc. | Solar cell and method of manufacturing the same |
JP2018129511A (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
US11211504B2 (en) | 2017-02-07 | 2021-12-28 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
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