CN115019997A - 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法 - Google Patents

一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115019997A
CN115019997A CN202110246716.XA CN202110246716A CN115019997A CN 115019997 A CN115019997 A CN 115019997A CN 202110246716 A CN202110246716 A CN 202110246716A CN 115019997 A CN115019997 A CN 115019997A
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass
tellurium
lead
conductive paste
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110246716.XA
Other languages
English (en)
Inventor
岡本珍範
任益超
牟亭亭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou Fusion New Material Co Ltd
Original Assignee
Changzhou Fusion New Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou Fusion New Material Co Ltd filed Critical Changzhou Fusion New Material Co Ltd
Priority to CN202110246716.XA priority Critical patent/CN115019997A/zh
Publication of CN115019997A publication Critical patent/CN115019997A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用来形成太阳能电池表面电极的导电性浆料,其含有导电性粉末、混合玻璃、以及有机相;其中,所述混合玻璃包含以下两类玻璃组分:第一类玻璃是选自实质上不含铅、以碲铋锂为必需成分的碲系玻璃的至少一种;第二类玻璃是选自以铅和锗为必需成分、实质上不含碲的锗酸铅系玻璃的至少一种。本发明还提供了使用上述导电性浆料印刷为表面电极制备的太阳能电池及该太阳能电池的制造方法。由本发明的导电性浆料所制得的太阳能电池的EL性能检测良好,电池欧姆接触优良,电池效率高,稳定性高,并且附着力强,在提高稳定性和欧姆接触的同时兼顾了粘接性能。

Description

一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法
技术领域
本发明主要涉及一种适用于用来制造EL检测下无缺陷的、具有高稳定性的太阳能电池电极用浆料组成以及使用该浆料的太阳能电池及其制造方法。
背景技术
常规的太阳能电池是在呈导电型的半导体基板上面,设置电性相反的导电型的半导体层,并在该半导体层上设置防反射膜和受光面电极,同时在背面设置背面电极结构(下文在不区分正面、背面的时候,会统称为“电极”),受光后半导体的pn结产生的电能通过电极导出。假设上述的半导体基板是p型多晶半导体硅基板,受光面一侧的半导体层是n+层,同时,假设背面一侧的半导体层是p+层,上述的防反射膜在保持充分的可视光透过率的同时,可以降低表面反射率、提高受光率,因此一般是由氮化硅、二氧化钛、二氧化硅等薄膜组成的。具有多层结构的太阳能电池现在也在大量普及,例如通过保护防反射膜下面的半导体层来提高效率的具有保护层(钝化层,一般由氧化铝、氧化硅等构成)的电池构造、以及在半导体层下面具有导电层的被称为TOPCON(Tunneling oxide passivated contact,隧穿氧化钝化)的电池构造等。
同时,还有背面也能像正面一样,具有吸收太阳光功能的双面构造太阳能电池(Bifacial solar cells)。
上述的防反射膜(没有特别标注的情况下,包括具有保护层或不具有保护层两种情况)电阻值很大,而为了更充分的将半导体pn结产生的电能导出来,就需要在形成受光面电极的部分除去防反射膜。因此,假设太阳能电池的受光面电极是通过烧穿法形成的,那么首先在n+层上形成上述的防反射膜,再用丝网印刷法,在防反射膜上印刷导电性浆料,也就是以适宜的形状将呈浆料状的电极材料进行涂布印刷,再烧结,在烧结过程中,电极材料在加热熔融的同时,接触到该电极材料的防反射膜也会熔融,从而在受光面电极和半导体基板之间形成接触。假设上面的导电性浆料的主要成分是银粉、玻璃(将玻璃原料熔融骤冷后,根据需要将其做成球磨后是片状或是粉末状的玻璃)、有机相和有机溶剂,在烧结过程中,这种导电性浆料中的玻璃成分会破坏防反射膜,导电性浆料中的导体成分就会通过n+层形成欧姆接触。因此,这与在形成电极之前先除去部分的防反射膜相比,工艺更简单,同时除去防反射膜的部分和形成电极的部分也不会有对位偏差的问题。
在形成上述所说的太阳能电池受光面电极时,需要在保证半导体基板和电极之间的粘结强度的同时,降低接触电阻,保证良好的欧姆接触,还需要提高电池的转换效率。针对太阳能电池电极的这些要求,从很久以前,就有很多针对改善粘结强度和接触电阻的提案和建议。其中,最有效的就是使用碲系玻璃的方案。
碲在玻璃成分中的作用是网络形成体,可以增大玻璃中银的溶解量,降低接触电阻,在烧结的降温段,可以抑制银的析出,从而在拓宽烧结窗口的同时,还有抑制半导体基板被过度腐蚀的作用。
通过上述的这些作用,可以充分的腐蚀防反射膜(也称之为绝缘膜),确保受光面电极和基板之间的良好接触,同时由于可以抑制进入到pn结等半导体层区域的电极材料,就会更容易形成良好的欧姆接触,而且因为导电性也得到提高,那么电性能方面应该也可以得到提高。另外,也能更容易的控制烧穿,这对于受光面一侧的半导体层的薄层化也有帮助。
发明内容
发明人在公开专利WO/2020/238367中,提供了一种导电性浆料,及使用所述导电性浆料印刷为表面电极的太阳能电池以及所述太阳能电池的制造方法,所制得的太阳能电池的EL性能检测正常,稳定性高,且电池欧姆接触优良,同时电池转换效率高,粘结强度优良。在该公开专利中,提出了通过将实质上不含铅以碲铋锂为必需成分的碲系玻璃,和实质上不含碲以铅硅为必需成分的硅酸铅系玻璃混合使用的方法。本发明人通过进一步的探索研究,发现除了铅硅玻璃外,铅锗玻璃可以实现相同的技术效果。使用锗的优点在于,锗的熔点(958.5℃)比硅的熔点(1414℃)偏低,成玻范围会比硅更宽,在设计玻璃配方时的自由空间更大,更有利于工业生产。
本发明的技术方案如下:
一种用来形成太阳能电池表面电极的导电性浆料,其含有导电性粉末、混合玻璃、以及有机相;其中,所述混合玻璃包含以下两类玻璃组分:第一类玻璃选自实质上不含铅、以碲铋锂为必需成分的碲系玻璃的至少一种;第二类玻璃选自以铅和锗为必需成分、实质上不含碲的锗酸铅系玻璃的至少一种。
如上所述的导电性浆料,其中,所述的混合玻璃中,所述碲系玻璃的总量与所述锗酸铅系玻璃的总量的质量比为2:8~8:2。
如上所述的导电性浆料,其中,所述碲系玻璃换算成氧化物,碲为44~76%,铋为7~51mol%,锂为2~14mol%。
在本发明的一些实施例中,所述碲系玻璃还可以含有钨、锌、硅、钠、铝、铜的氧化物中的任何一种或几种。
如上所述的导电性浆料,其中,所述锗酸铅系玻璃还可以含有锌、钨、钠、锂、铝、铜、钼、镁、钛、铬、锰、铋中的任何一个或任何几个,所述锗酸铅系玻璃换算成氧化物,铅为39~70mol%,锗为20~60mol%,锌、钨、钠、锂、铝、铜、钼、镁、钛、铬、锰、铋总计为0~20mol%。
如上所述的导电性浆料,其中,在不影响本发明目的实现的前提下,例如作为本发明的主要实施方案的可替换实施例,所述混合玻璃还可以含有其它种类的玻璃,在这种情况下,对于质量为100%的混合玻璃,所述第一类玻璃和第二类玻璃的质量总量超过50%。
如上所述的导电性浆料,其中,对于质量为100的导电性粉末,混合玻璃的含量最好控制在质量为0.1~10左右。
本发明还提供一种太阳能电池,其具有半导体基板、设置于所述半导体基板的表面上的第一区域的防反射膜、设置于所述半导体基板的所述表面上的第二区域的表面电极,其中,所述表面电极为上述任一的导电性浆料印刷制得。上述的表面指所述半导体基板的正面和/或背面。
本发明还提供一种太阳能电池的制造方法,所述太阳能电池具有半导体基板、设置于所述半导体基板的表面上的第一区域的防反射膜、设置于所述半导体基板的所述表面上的第二区域的表面电极,其中,所述制造方法主要分为以下三步工艺:
第一步工艺为:在所述半导体基板的所述表面上形成防反射膜;
第二步工艺为:将含有导电性粉末、混合玻璃、有机相的导电性浆料印刷在第一步形成的防反射膜上,其中所述混合玻璃主要是由一类实质上不含铅、以碲铋锂为必需成分的碲系玻璃和一类以铅锗为必需成分、实质上不含碲的锗酸铅系玻璃混合组成的;
第三步工艺为:对所述导电性浆料进行烧结,烧结过程中除去了位于所述导电性浆料下面的防反射膜部分,从而最终在所述半导体基板的所述第一区域形成所述防反射膜、在所述半导体基板的所述第二区域形成所述表面电极。
上述的表面指所述半导体基板的正面和/或背面。
如上所述的导电性浆料,所述第一类玻璃可包含一种或多种实质上不含铅、以碲铋锂为必需成分的碲系玻璃;所述第二类玻璃可包含一种或多种以铅和锗为必需成分、实质上不含碲的锗酸铅系玻璃。
本发明还请求保护一种用于太阳能电池的玻璃料,其为上述任一的混合玻璃。
附图说明
图1是使用与本发明相关的导电性浆料生产制造的太阳能电池的实施方式的重要部分截面图;
图2是受光面电极一侧的扩大平面模式图;
图3是背面电极一侧的扩大底面模式图;
图中标号含义如下:1—半导体基板;1a—n型半导体层;1b—p型半导体层;2—防反射膜(包括或不包括保护层);3—受光面电极;4—背面电极;5a、5b…5n—细栅电极;6—主栅电极;7—集电电极;8—导出电极。
具体实施方式
本发明方案的提出就是基于发明人的上述发现。本发明中涉及到的导电性浆料是形成太阳能电池电极用的导电性浆料,特点是至少使用导电性粉末,以及同时使用主成分为碲铋锂而实质上不含铅的无铅玻璃、和主成分为铅锗但实质上不含碲的锗酸铅系玻璃。
在本文中,由「一数值至另一数值」表示的范围,是一种避免在说明书中一一列举该范围中的所有数值的概要性表示方式。因此,某一特定数值范围的记载,涵盖该数值范围内的任意数值以及由该数值范围内的任意数值界定出的较小数值范围,如同在说明书中明文写出该任意数值和该较小数值范围一样。
以下会详细说明本发明的实施方式。应该理解,这些实施方式和实施例仅用于说明本发明,而不用于限定本发明的保护范围。在实际应用中本领域技术人员根据本发明做出的改进和调整,仍属于本发明的保护范围。
图1是使用与本发明相关的导电性浆料生产制造的太阳能电池的形貌的重要部分的截面图。
该太阳能电池的组成包括:以硅为主要成分的半导体基板1,以及在半导体基板1的一个表面上形成的防反射膜2以及受光面电极3,和在该半导体基板1的另一个表面上形成的背面电极4。
更具体地,半导体基板1具有p型半导体层1b和n型半导体层1a,p型半导体层1b的上面形成n型半导体层1a。
具体地例如,在单晶硅或多晶硅的p型半导体层1b的一个表面上扩散杂质,通过形成薄薄的n型半导体层1a,就可以得到该半导体基板1,但是对于本发明而言,只要能在p型半导体层1b的上面形成n型半导体层1a即可,关于它的结构和制造方法都没有特别的限定和要求。另外,半导体基板1还可以使用在n型半导体层的一个表面上形成薄薄的p型半导体层的构造,或者也可以使用在半导体基板1的一个表面上同时形成p型半导体层和n型半导体层的构造。无论是哪种构造,只要是形成了防反射膜2的半导体基板1的表面上,都可以使用本发明中涉及到的导电性浆料。
另外,在图1中,半导体基板1的表面是平平的,但是为了将太阳光尽可能高效的封闭在半导体基板里,其表面其实是呈微小凹凸状的结构。
防反射膜2,是由氮化硅(SiNx)等绝缘性材料形成的,用来抑制箭头A所显示的太阳光在受光面的反射,进而快速而又高效的将太阳光传导到半导体基板1中。防反射膜2的构成材料,不仅仅限于上述的氮化硅,也可以使用其他的绝缘性材料,例如可以使用氧化硅、氧化钛,也可以同时使用两种以上的绝缘性材料。另外,对于半导体基板而言,只要是晶体硅系,无论是单晶硅还是多晶硅都可以使用。在本发明中,防反射膜2可以包括或不包括保护层(通过保护防反射膜下面的半导体层来提高效率的一种钝化层,一般由氧化铝、氧化硅等构成)。
受光面电极3,是在半导体基板1上贯通防反射膜2而形成的。受光面电极3,是使用丝网印刷等方法,将后面所述的本发明的导电性浆料涂布在半导体基板1上形成导电膜,然后通过烧结而形成的。也就是说,在形成受光面电极3的烧结过程中,导电膜下层的防反射膜2会被分解、除去、烧穿,从而导电性浆料与防反射膜2贯通在一起的方式,在半导体基板1的上面形成了受光面电极3,其中,受光面电极3与半导体基板1导通。
受光面电极3的具体结构可以如图2所示,很多的细栅电极5a、5b、……5n像梳子的齿状一样排在一起,同时主栅电极6和细栅电极5a、5b、……5n呈交叉状设置,细栅电极5a、5b、……5n和主栅电极6是电导通的。另外,在受光面电极3之外的区域,形成防反射膜2。像这样,半导体基板1产生的电能通过细栅电极5a、5b、……5n进行收集,同时通过主栅电极6导出到外面。
背面电极4,具体如图3所示,是由在p型半导体层1b背面形成的由Al等构成的集电电极7、和与该集电电极7电流导通的Ag等构成的导出电极8而组成的。其中,半导体基板1产生的电能通过集电电极7进行收集,再通过导出电极8将电能导出去。
下面,将就本发明中形成受光面电极3的导电性浆料进行详细叙述。
本发明中所说的导电性浆料主要由导电性粉末、混合玻璃以及有机相组成,其中混合玻璃含有两类玻璃料,其中一类是实质上不含铅、以碲铋锂为必需成分的碲系玻璃的至少一种,另一类为以铅锗为必需成分、实质上不含碲的锗酸铅系玻璃的至少一种。
如上所述的导电性浆料,其中,所述第一类玻璃可包含一种或多种实质上不含铅、以碲铋锂为必需成分的碲系玻璃;所述第二类玻璃可包含一种或多种以铅和锗为必需成分、实质上不含碲的锗酸铅系玻璃。在以下明细表中,如果没有记载各个玻璃的每种元素的具体构成组分,那么该元素就是作为氧化物包含在玻璃中了。因此,说“实质上不含有”某种成分X,意思是其实不可避免的会含有少量成分X,或者说也不排除会为了利用本发明的实质而在不影响实现本发明目的的前提下少量添加成分X。
另外,形成受光面电极3的导电性浆料,含有上述的导电性粉末、混合玻璃、适量的添加剂以及有机相。这种导电性浆料还可以是适合丝网印刷之外的其他印刷方法的流变浆料、涂料、或者油墨状的组成物。
导电性浆料中混合玻璃的含量,可以参考太阳能电池电极用导电性浆料中通常的使用量,但是在这里可以举一例,对于质量为100的导电性粉末,混合玻璃的含量最好控制在质量为0.1~10左右。对于质量为100的导电性粉末,混合玻璃的质量如果在0.1以上,就可以得到所规定的密封性和电极强度。另外,对于质量为100的导电性粉末,如果混合玻璃的质量在10以下,那么电极表面就会浮出玻璃,而通过流入到电极和半导体基板的扩散层的界面的玻璃,可以帮助降低接触电阻的增加。虽然没有什么特别的限制要求,但是在本篇实施方式中的导电性浆料中的碲系玻璃和锗酸铅系玻璃,平均粒径在0.5~3.0μm最为合适。
对于导电性粉末,除了主要成分为银这个要求外,其他没有什么限制,它的形状可以为球状、片状、树枝状等,以前一直在用的银粉都可以。另外,除了纯银粉末之外,至少表面是银层的银包覆复合粉末,或者是以银为主要成分的合金等都可以。银粉末等导电性粉末,平均粒径最好在0.1~10μm。另外平均粒径、粒度分布、形状等不同的两种以上的导电性粉末混合使用也可以,甚至可以将银粉末和银以外的导电性粉末一起混合使用也可以。上述的“主要成分”指的是质量超过50%的成分,最好是指质量超过70%的成分。另外,和银粉末复合、合金、或者混合的金属,只要对于本发明及其实施方式中所说的作用效果没有损害,就没有其他的限制,例如铝、金、钯、铜、镍等。不过,从导电性的角度来看,还是最推荐使用银粉末。
对于有机相,也没有特别的限定要求,一般会合理的使用银浆有机相中通常被使用的有机树脂和有机溶剂等。另外有机树脂可使用纤维素类、丙烯酸树脂类、苯酚树脂类、醇酸树脂、或者是松香树脂等。有机溶剂可使用醇类、醚类、酯类、烃类等有机溶剂,或者是水,以及上述这些的混合溶剂。因此对于有机相的比例没有特别的要求,只要取适量,然后能和导电性粉末以及混合玻璃等无机成分形成浆料,之后可通过涂布等方法再合理调整。虽说如此,但一般对于质量为100的导电性粉末来说,有机相的质量为5~40左右。
其他的成分可以根据需要,只要在不有损本发明及其实施方式的作用效果的范围内,可以适量的添加常规使用的添加剂,例如可塑剂、调粘剂、界面活性剂、氧化剂、金属氧化物、金属有机化合物等。另外,也可以使用碳酸银、氧化银、醋酸银等银化合物,为了优化烧结温度,改善太阳能电池的特性,也可以适量添加氧化铜、氧化锌、氧化钨、氧化钛等。
上述碲系玻璃,例如换算成氧化物的话,碲为44~76mol%,铋为7~51mol%,锂为2~14mol%。
上述碲系玻璃中,碲起到网络形成体的作用,像上述一样,它可以增大玻璃中银的溶解量、降低接触电阻,在烧结的降温段,可以抑制银的析出,拓宽烧结窗口的同时,还有抑制对半导体基板腐蚀的作用。通过这些作用,可以充分的腐蚀绝缘膜,确保电极材料和基板之间的良好接触,同时由于可以抑制进入到pn结等半导体层区域的电极材料,就会更容易形成良好的欧姆接触,而且导电性也得到提高,电性能方面也可以得到提高。另外,也更容易控制烧穿,这对于受光面一侧的半导体层的薄层化也有帮助。碲的含量如果不足44(mol%),就无法充分增大玻璃中银的溶解量,而超过76(mol%)的话,抑制腐蚀的作用就会过强,从而无法充分烧穿。
另外,铋是提高玻璃软化点的成分,在保证碲系玻璃低粘性的同时调整软化点时可以添加该成分。另外,还可以赋予玻璃腐蚀作用。上述的碲虽然抑制腐蚀作用很强,但是通过适宜的调整铋的含量,也可以将腐蚀性控制的恰到好处。但铋的含量如果超过52(mol%),玻璃就会容易结晶。
另外,锂有降低玻璃软化点的作用,同时也是施主,对于n型半导体来说,通过半导体基板(例如硅基板)和电极材料之间的相互扩散,界面旁的施主浓度会下降,而锂可以起到补给的作用。如果锂的含量不足1(mol%),就无法起到很好的补给作用,但是超过14(mol%)腐蚀作用就会过强,玻璃的稳定性就会下降。另外,一般来说碱金属成分对太阳能电池特性会有不好的影响,因此最好不要使用。例如Na会导致开压Voc降低,K会导致FF降低的同时提高接触电阻。而且,Na、K不会形成施主,因此没有使用的利处。而锂则有补给的作用,在n型半导体的电极形成中,可以获得更优的太阳能电池特性,因此很有用。
另外,碲系玻璃除碲铋锂之外,还可以含有钨、锌、硅、钠、铝、铜的氧化物中的任何一种或几种。
上述的锗酸铅系玻璃,铅锗为必需成分,另外还可以含有锌、钨、钠、锂、铝、铜、钼、镁、钛、铬、锰、铋中的任何一种或几种。
对于锗酸铅系玻璃除铅锗之外,还可以含有锌、钨、钠、锂、铝、铜、钼、镁、钛、铬、锰、铋中的任何一种或几种的情况,各元素换算成氧化物,含量分别为:铅为39~70mol%,锗为20~60mol%,锌、钨、钠、锂、铝、铜、钼、镁、钛、铬、锰、铋总计为0~20mol%。
铅主要是作为网目形成的成分,用来形成锗酸铅系玻璃的网络。铅具有单独形成玻璃的能力,含量最好在39~70mol%之间,含量在这个范围内,烧穿性会得到改善。
锗,尤其是在上述锗酸铅系玻璃中,可以帮助形成玻璃网络,更容易调整软化点。换算成氧化物,如果锗的含量在1~60mol%的话,会更容易成玻,最好含量范围在20~55mol%。一旦含量超过60mol%,软化点就会变得过高,同时作为铅的网目形成成分,担心会阻碍网络的形成。
在上述锗酸铅系玻璃中,还可以含有锌、钨、钠、锂、铝、铜、钼、镁、钛、铬、锰、铋中的任何一种或几种。这些元素的含量,换算成氧化物后,最好总量在20mol%以下。
在EL检测中为了获得良好的外观,以及高稳定性的表面电极,最好控制混合玻璃中碲系玻璃和锗酸铅系玻璃的质量比为2:8~8:2。另外,混合玻璃至少是混合使用碲系玻璃和锗酸铅系玻璃,也可以在基本不影响本发明效果的前提下额外含有其他玻璃。
如上述所说,使用主要由实质上不含铅、以碲铋锂为必需成分的碲系玻璃和以铅锗为必需成分、实质上不含碲的锗酸铅系玻璃构成的混合玻璃制作的导电浆料,可以同时平衡良好的欧姆接触和粘结强度,同时也可以形成没有EL问题的表面电极。而这种作用效果,是单独使用碲系玻璃或单独使用锗酸铅系玻璃达不到的,并且同时单独使用铅碲系玻璃也是达不到的。
下面会具体描述本发明的实施例。
实施例1
〔小样制作〕
制作碲系玻璃:准备了TeO2、Bi2O3、WO3、ZnO、Al2O3、LiO2、B2O3等,如表1-1中所示的配比,将这些玻璃原材料进行称量调制,最后做成了小样玻璃A-1。
表1-1
Figure BDA0002964349810000101
其中,
A-1为本发明定义的实质上不含铅、以碲铋锂为必需成分的碲系玻璃的实施例。
制作锗酸铅系玻璃:准备了PbO、Bi2O3、WO3、ZnO、GeO2、Na2O、B2O3、Al2O3、LiO2、TiO2等,如表2-1、表2-2所示的配比,将这些玻璃原材料称量调制,最后做成了小样玻璃B-1~B-3。
表2-1
B-1 PbO B2O3 GeO2 Al2O3 TiO2
Mol% 55.56 9.26 18.52 9.26 7.41
表2-2
Figure BDA0002964349810000111
其中:
B-1和B-2为以铅锗为必需成分、实质上不含碲的锗酸铅系玻璃的实例
B-3为不含锗的对比例。
另外,对于导电性粉末,提前准备了平均粒径在2.0μm的球形银粉。
制作有机相:树脂使用10wt%的乙基纤维素,而有机溶剂使用90wt%的辛醇,将二者混合,制成有机相。
然后,取银粉末为88.0wt%,玻璃总量为2.6wt%,将这些和脂肪酸酰胺、脂肪酸等流变调整剂,以及上述有机相等共同混合,行星搅拌机进行混合后,三辊机进行混合压制,从而做成导电浆料。
使用上述制得的各导电浆料制作太阳能电池方法如下:
从中国的华昌公司购买了单晶硅太阳能电池Si系半导体基板(156mm的正方形),该硅半导体基板为表面制绒,方阻为90Ω/sq、在磷扩散发射极层上具有SiNx防反射膜。
也从中国的通威公司购买了单晶硅太阳能电池Si系半导体基板(156mm的正方形),该硅半导体基板同样为表面制绒、方阻为90Ω/sq,在磷扩散发射极层上具有保护层atomic layer deposited aluminum oxide(ALD-Al2O3),在保护层上具有SiNx防反射膜。
接下来要准备以Al为主成分的铝浆,以及Ag为主成分的银浆。然后在上述Si系半导体基板的背面涂覆适量的铝浆和银浆,然后干燥烘干,就会形成背面电极用导电膜。
接下来使用上述导电性浆料进行丝网印刷,在Si系半导体基板的表面上涂布导电性浆料,做成受光面电极用导电膜。
印刷时使用的网版为5主栅的网版。
印刷结束后,使用带式近红外炉(despatch公司生产,烘干烧结一体式),按照下表3的条件完成烘干烧结。
【表3】
Figure BDA0002964349810000121
〔小样评估〕
烧结好的太阳能电池,使用EL检测装置(Geonic automation公司产)检测,并将照片检测时没有黑点(黑点代表EL不良)的电池片,使用I-V测试仪(Pasan公司生产)测试电池转换效率。如果在准备过程中没有片子破损,会每个样品测试10片。
粘结强度通过自制的自动拉力测试机,采用180度剥离法来测试粘度强度。
表4为浆料中的玻璃配比和测试结果。
表4
浆料编号 无铅的碲系玻璃 比例(wt%) 锗酸铅系玻璃 比例(wt%) EL检测结果 电池转换效率(%)
1 A-1 1.625 B-1 0.975 OK 20.00
2 A-1 1.625 B-2 0.975 OK 20.10
表4中,EL检测结果一列中,NG代表检测结果不良。
B-1(本发明的锗酸铅系玻璃)与A-1(本发明的碲铋锂无铅玻璃)组合(编号1)后EL检测效果良好,而与B-2组合(编号2)后,EL检测结果依然良好。
可见,B系列代表的锗酸铅系玻璃,锗元素和铅元素为必不可少的。
由于B-3不能成玻,因此我们可以得到锗是必不可少的元素的结论。
【产业上的可利用性】
本发明的导电性浆料作为电极浆料制造得到的太阳能电池片具有良好的电性能(电池转换效率)和粘结强度,同时EL检测显示具有良好接触,具有高稳定性。
在本发明及上述实施例的教导下,本领域技术人员很容易预见到,本发明所列举或例举的各原料或其等同替换物、各加工方法或其等同替换物都能实现本发明,以及各原料和加工方法的参数上下限取值、区间值都能实现本发明,在此不一一列举实施例。

Claims (8)

1.一种用来形成太阳能电池表面电极的导电性浆料,其特征在于,含有导电性粉末、混合玻璃、以及有机相;其中,所述混合玻璃包含以下两类玻璃组分:第一类玻璃选自实质上不含铅、以碲铋锂为必需成分的碲系玻璃的至少一种;第二类玻璃选自以铅和锗为必需成分、实质上不含碲的锗酸铅系玻璃的至少一种。
2.如权利要求1所述的导电性浆料,其特征在于,所述的混合玻璃中,所述碲系玻璃的总量与所述锗酸铅系玻璃的总量的质量比为2:8~8:2。
3.如权利要求1所述的导电性浆料,其特征在于,所述碲系玻璃换算成氧化物,碲为44~76mol%,铋为7~51mol%,锂为2~14mol%。
4.如权利要求1或2或3所述的导电性浆料,其特征在于,所述锗酸铅系玻璃换算成氧化物,铅为39~70mol%,锗为20~60mol%,锌、钨、钠、锂、铝、铜、钼、镁、钛、铬、锰、铋总计为0~20mol%。
5.如权利要求1或2所述的导电性浆料,其特征在于,对于质量为100的导电性粉末,所述混合玻璃的含量控制在质量为0.1~10。
6.一种太阳能电池,具有半导体基板、设置于所述半导体基板的表面上的第一区域的防反射膜、设置于所述半导体基板的所述表面上的第二区域的表面电极,其特征在于,所述表面电极由权利要求1-5中任一所述的导电性浆料印刷制得。
7.一种太阳能电池的制造方法,所述太阳能电池具有半导体基板、设置于所述半导体基板的表面上的第一区域的防反射膜、设置于所述半导体基板的所述表面上的第二区域的表面电极,其特征在于,所述制造方法主要分为以下三步工艺:
第一步工艺为:在所述半导体基板的所述表面上形成防反射膜;
第二步工艺为:将含有导电性粉末、混合玻璃、有机相的导电性浆料印刷在第一步形成的防反射膜上,其中所述混合玻璃主要是由一类实质上不含铅、以碲铋锂为必需成分的碲系玻璃和一类以铅锗为必需成分、实质上不含碲的锗酸铅系玻璃混合组成的;
第三步工艺为:对所述导电性浆料进行烧结,烧结过程中除去了位于所述导电性浆料下面的防反射膜部分,从而最终在所述半导体基板的所述第一区域形成所述防反射膜、在所述半导体基板的所述第二区域形成所述表面电极。
8.一种用于太阳能电池的玻璃料,其特征在于,为权利要求1-5中任一所述的混合玻璃。
CN202110246716.XA 2021-03-05 2021-03-05 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法 Pending CN115019997A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110246716.XA CN115019997A (zh) 2021-03-05 2021-03-05 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110246716.XA CN115019997A (zh) 2021-03-05 2021-03-05 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115019997A true CN115019997A (zh) 2022-09-06

Family

ID=83064758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110246716.XA Pending CN115019997A (zh) 2021-03-05 2021-03-05 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115019997A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103915131A (zh) * 2013-01-04 2014-07-09 硕禾电子材料股份有限公司 用于太阳能电池的导电组合物
CN104838505A (zh) * 2013-03-29 2015-08-12 昭荣化学工业株式会社 太阳能电池元件表面电极用导电性糊及太阳能电池元件的制造方法
CN105884191A (zh) * 2016-04-13 2016-08-24 武汉理工大学 一种铋掺杂锗酸盐光学玻璃及其制备方法
CN108666002A (zh) * 2017-03-27 2018-10-16 苏州晶银新材料股份有限公司 太阳能电池用导电银浆
CN109279774A (zh) * 2018-11-16 2019-01-29 华南理工大学 一种锑锗酸盐玻璃及其制备方法
CN111902881A (zh) * 2019-05-29 2020-11-06 常州聚和新材料股份有限公司 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103915131A (zh) * 2013-01-04 2014-07-09 硕禾电子材料股份有限公司 用于太阳能电池的导电组合物
CN104838505A (zh) * 2013-03-29 2015-08-12 昭荣化学工业株式会社 太阳能电池元件表面电极用导电性糊及太阳能电池元件的制造方法
CN105884191A (zh) * 2016-04-13 2016-08-24 武汉理工大学 一种铋掺杂锗酸盐光学玻璃及其制备方法
CN108666002A (zh) * 2017-03-27 2018-10-16 苏州晶银新材料股份有限公司 太阳能电池用导电银浆
CN109279774A (zh) * 2018-11-16 2019-01-29 华南理工大学 一种锑锗酸盐玻璃及其制备方法
CN111902881A (zh) * 2019-05-29 2020-11-06 常州聚和新材料股份有限公司 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
周志广: "多组分碲酸盐玻璃的制备和性质研究", 中国优秀硕士学位论文全文数据库(电子期刊)工程科技Ⅰ辑, no. 6, 15 June 2013 (2013-06-15), pages 015 - 109 *
徐言超;于晓杰;岳云龙;陈现景;: "氧化物玻璃介电性能及研究现状", 济南大学学报(自然科学版), no. 01, 25 April 2007 (2007-04-25), pages 20 - 24 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI498308B (zh) 含有鉛-碲-鋰-鈦-氧化物之厚膜膏及其在半導體裝置之製造中的用途
JP5856178B2 (ja) 太陽電池用無鉛導電性ペースト組成物
TWI778207B (zh) 玻璃、玻璃粉末、導電糊料及太陽能電池
JP5137923B2 (ja) 太陽電池用電極ペースト組成物
JP5816738B1 (ja) 導電性組成物
EP3405961B1 (en) Conductive paste, method, electrode and solar cell
TWI662004B (zh) 太陽能電池電極形成用導電性糊
CN111599506B (zh) 一种太阳能电池导电浆料、玻璃料及太阳能电池
CN111902881B (zh) 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法
TW201529513A (zh) 太陽電池用導電性糊組成物及其製造方法
SG190520A1 (en) Thick film conductive composition and use thereof
CN109478573A (zh) 太阳能电池用背面电极糊组合物
US11508862B2 (en) Thick-film conductive paste, and their use in the manufacture of solar cells
WO2012111478A1 (ja) 導電性ペースト及び太陽電池
JP5279699B2 (ja) 太陽電池用導電性ペースト組成物
TW201306053A (zh) 太陽電池用導電性糊組成物
US20130160835A1 (en) Back-side electrode of p-type solar cell and method for forming the same
JP5403304B2 (ja) 導電性ペースト、太陽電池、及び太陽電池の製造方法
TWI657119B (zh) 用於太陽能電池之背面電極糊料組成物
CN112028494B (zh) 玻璃组合物、玻璃组合物的制造方法、导电浆料以及太阳能电池
TW201539479A (zh) 電極形成用組成物、電極、太陽電池元件及其製造方法以及太陽電池
JP5990315B2 (ja) 導電性組成物
CN115019997A (zh) 一种导电性浆料及由其制备的太阳能电池及制造方法
TWI778141B (zh) 太陽電池電極形成用導電性糊膏
WO2024101223A1 (ja) 導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination