CN113884765A - 欧姆接触比接触电阻测量方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了比接触电阻测量方法通过利用在衬底上设置有两个电极组的电极测试结构进行测试，其中每个电极组中电极数量相等、长度相等，但宽度不等，且两个电极组中对应的电极间距相等，得到每个电极组中相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻后，通过两个电极组中相邻电极间的电阻得到宽度差电阻，以大大减少处于每个间距以外的电流的影响，进而根据宽度差电阻和对应的间距拟合得到直线，根据直线进一步确定方块电阻和传输线长度，便可得到比接触电阻，由于利用上述电极测试结构计算宽度差电阻时减少了处于每个间距以外的电流的影响，所以使最终比接触电阻的测量精度提升。本申请还提供一种具有上述优点的装置、设备和计算机可读存储介质。
Description
技术领域
本申请涉及半导体器件特性测量技术领域，特别是涉及一种欧姆接触比接触电阻测量方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
背景技术
半导体器件广泛应用于人们日常生活、航空航天等领域，高质量的欧姆接触是保证半导体器件正常工作的关键，尤其是对于高温、大功率半导体器件。
比接触电阻是衡量欧姆接触质量的关键的参数之一，线性传输线模型法(lineartransmission line model，LTLM)是一种常用的比接触电阻测量法。如采用不隔离的方法，请参见图1，目前采用线性传输线模型法时的电极测试结构示意图，在衬底上分布有一列长度和宽度相等的电极，相邻两个电极间的间距不等，利用该结构进行测量时，当电流流经两个电极时，电流不仅从两个电极之间流过，还会从电极两侧流过，导致两电极间存在均匀的电流分布和两侧存在的不均匀电流分布，如图2所示，两侧不均匀的电流分布会直接影响电极间电阻的测量，从而影响比接触电阻的计算结果。如采用隔离的方法制作的电极测试结构，即将图1中的除电极覆盖部分和电极间的部分以外的衬底刻蚀掉，增加了测试难度。
因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
发明内容
本申请的目的是提供一种欧姆接触比接触电阻测量方法、装置、设备及计算机可读存储介质，以提高比接触电阻测量精度，同时降低测试难度。
为解决上述技术问题，本申请提供一种欧姆接触比接触电阻测量方法，包括：
获取电极测试结构中与每个间距对应的相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻，所述电极测试结构包括衬底和位于衬底上表面的两个电极组，一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第一电极，另一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第二电极；所述第一电极的宽度小于所述第二电极的宽度，所述第一电极与所述第二电极的数量、长度均相等，每个所述电极组中相邻电极的间距不等，两个所述电极组中对应的所述间距相等；
根据所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻，确定与每个所述间距对应的宽度差电阻，所述宽度差电阻为消减位于所述间距以外的电流后的电阻；拟合所述宽度差电阻和对应的所述间距以得到直线，并根据所述直线确定所述衬底的方块电阻和传输线长度；
根据所述传输线长度和所述方块电阻得到比接触电阻。
可选的，根据所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻，确定与每个所述间距对应的宽度差电阻，所述宽度差电阻为消减位于所述间距以外的电流后的电阻包括：
根据第一预设公式，确定所述宽度差电阻；
其中，所述第一预设公式为：
其中，R'ti为第i个间距对应的相邻第一电极间电阻，R”ti为第i个间距对应的相邻第二电极间电阻，Rti为第i个宽度差电阻。
可选的，
获取电极测试结构中与每个间距对应的相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻包括：
利用四探针法，获取所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻。
可选的，根据所述传输线长度和所述方块电阻得到比接触电阻包括：
根据
得到比接触电阻；
其中，ρc为比接触电阻，LT为传输线长度，Rsh为方块电阻。
可选的，根据所述直线确定所述衬底的方块电阻和传输线长度包括：
根据所述第一预设公式、第二预设公式、第三预设公式，得到方块电阻、传输线长度与宽度差对应电阻关系式，其中，
所述第二预设公式为：
所述第三预设公式为：
方块电阻、传输线长度与宽度差对应电阻关系式为：
其中，W'为第一电极的宽度，W”为第二电极的宽度，di为第i个间距，LT为传输线长度，Rsh为方块电阻；
根据所述直线的斜率和截距，确定所述方块电阻和所述传输线长度。
本申请还提供一种欧姆接触比接触电阻测量装置，包括：
获取模块，用于获取电极测试结构中与每个间距对应的相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻，所述电极测试结构包括衬底和位于衬底上表面的两个电极组，一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第一电极，另一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第二电极；所述第一电极的宽度小于所述第二电极的宽度，所述第一电极与所述第二电极的数量、长度均相等，每个所述电极组中相邻电极的间距不等，两个所述电极组中对应的所述间距相等；
第一确定模块，用于根据所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻，确定与每个所述间距对应的宽度差电阻，所述宽度差电阻为消减位于所述间距以外的电流后的电阻；
拟合和确定模块，用于拟合所述宽度差电阻和对应的所述间距以得到直线，并根据所述直线确定所述衬底的方块电阻和传输线长度；
第二确定模块，用于根据所述传输线长度和所述方块电阻得到比接触电阻。
可选的，所述第一确定模块具体用于根据第一预设公式，确定所述宽度差电阻；
其中，所述第一预设公式为：
其中，R'ti为第i个间距对应的相邻第一电极间电阻，R”ti为第i个间距对应的相邻第二电极间电阻，Rti为第i个宽度差电阻。
可选的，所述获取模块具体用于利用四探针法，获取所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻。
本申请还提供一种欧姆接触比接触电阻测量设备，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现上述任一种所述欧姆接触比接触电阻测量方法的步骤。
本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一种所述欧姆接触比接触电阻测量方法的步骤。
本申请所提供的欧姆接触比接触电阻测量方法，包括获取电极测试结构中与每个间距对应的相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻，所述电极测试结构包括衬底和位于衬底上表面的两个电极组，一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第一电极，另一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第二电极；所述第一电极的宽度小于所述第二电极的宽度，所述第一电极与所述第二电极的数量、长度均相等，每个所述电极组中相邻电极的间距不等，两个所述电极组中对应的所述间距相等；根据所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻，确定与每个所述间距对应的宽度差电阻，且所述宽度差电阻为消减位于所述间距以外的电流后的电阻；拟合所述宽度差电阻和对应的所述间距以得到直线，并根据所述直线确定所述衬底的方块电阻和传输线长度；根据所述传输线长度和所述方块电阻得到比接触电阻。
可见，本申请中的比接触电阻测量方法，通过利用在衬底上设置有两个电极组的电极测试结构进行测试，其中每个电极组中电极数量相等、长度相等，但宽度不等，且两个电极组中对应的电极间距相等，得到每个电极组中相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻后，通过两个电极组中相邻电极间的电阻得到宽度差电阻，以大大减少处于每个间距以外的电流的影响，进而根据宽度差电阻和对应的间距拟合得到直线，根据直线进一步确定衬底的方块电阻和传输线长度，便可以得到比接触电阻，由于计算宽度差电阻时减少了处于每个间距以外的电流的影响，所以比接触电阻的测量精度提升，另外，在制作电极测试结构时可以不对衬底进行刻蚀，降低测试难度。
此外，本申请还提供一种具有上述优点的装置、设备和计算机可读存储介质。
附图说明
为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为采用线性传输线模型法时现有的电极测试结构示意图；
图2为采用现有的电极测试结构中电极间的电流分布示意图；
图3为现有的线性传输线模型法测试模型；
图4为本申请实施例所提供的一种欧姆接触比接触电阻测量方法流程图；
图5为本申请实施例所提供的电极测试结构示意图；
图6为第一电极和对应的第二电极之间的宽度差对应电阻与间距的坐标图；
图7为本申请实施例所提供的一种欧姆接触比接触电阻测量装置的框图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，目前在测量比接触电阻时，若不采用隔离法制作的测试结构测量时，受到电极两侧电流的影响导致测试结果不准确；如采用隔离的方法制作的电极测试结构，增加了测试难度。
根据图1，目前利用线性传输线模型法测量比接触电阻的过程如下。请参考图3所示的线性传输线模型法测试模型，相邻电极间的电阻为：
Rt＝2Rm+2Rc+Rsmi (1)
式中，Rt为相邻电极间的电阻，Rm为电极的电阻，Rc为接触电阻，Rsmi为衬底的体电阻。
由于Rm很小，可以忽略，则公式(1)可以简化为：
Rt＝2Rc+Rsmi (2)
其中，
式中，ρc为比接触电阻，Rsh为衬底的方块电阻，W为电极的宽度，d为相邻两个电极的间距，LT为传输线长度，表征电子或空穴在半导体衬底内部传输到接触位置的平均距离。
其中，
则可以得到：
由公式(7)可以看出，Rt与d呈线性相关，可以根据Rt-d图提取Rsh和LT。进一步根据Rsh和LT可以得到比接触电阻。
有鉴于此，本申请提供了一种欧姆接触比接触电阻测量方法，请参考图4，该方法包括：
步骤S101：获取电极测试结构中与每个间距对应的相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻，所述电极测试结构包括衬底和位于衬底上表面的两个电极组，一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第一电极，另一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第二电极；所述第一电极的宽度小于所述第二电极的宽度，所述第一电极与所述第二电极的数量、长度均相等，每个所述电极组中相邻电极的间距不等，且两个所述电极组中对应的所述间距相等。
本申请中对两个电极组中的数量不做具体限定，优选将第一电极2和第二电极3的数量设置在4个至7个。
本实施例中的电极测试结构请参考图5，在衬底1上分布有两个电极组(以每个电极组中包括6个电极为例)，第一电极2长度和宽度分别为H和W'，第二电极3长度和宽度分别为H和W”，W'小于W”。每个所述电极组中相邻电极的间距不等，即d1、d2、d3、d4、d5不等；两个所述电极组中对应的间距相等，即一个电极组中相邻的第一电极2的间距与另一个电极组中对应位置的第二电极3间的间距相等，如图5所示。
作为一种具体实施例方式，获取电极测试结构中与每个间距对应的相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻包括：
利用四探针法，获取所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻。
需要说明的是，四探针法的测试过程与测试原理已为本领域技术人员所熟知，此处不再详细赘述。
步骤S102：根据所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻，确定与每个所述间距对应的宽度差电阻，所述宽度差电阻为消减位于所述间距以外的电流后的电阻。
可选的，根据所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻，确定与每个所述间距对应的宽度差电阻，所述宽度差电阻为消减位于所述间距以外的电流后的电阻包括：
根据第一预设公式，确定所述宽度差电阻；
其中，所述第一预设公式为：
其中，R'ti为第i个间距对应的相邻第一电极间电阻，R”ti为第i个间距对应的相邻第二电极间电阻，Rti为第i个宽度差电阻，i为整数，1≤i≤I-1，I为每个电极组中电极的数量。
由四探针法可以得到具体的R'ti和R”ti，则由公式(8)便可以得到对应的Rti。
步骤S103：拟合所述宽度差电阻和对应的所述间距以得到直线，并根据所述直线确定所述衬底的方块电阻和传输线长度。
根据步骤S102中得到的Rti以及测量得到的对应的间距di在Rt-d坐标系上绘制得到i个点，对这i个点进行拟合即可得到直线，也即得到直线的斜率和截距。
具体的，根据所述直线确定所述衬底的方块电阻和传输线长度包括：
根据所述第一预设公式、第二预设公式、第三预设公式，得到方块电阻、传输线长度与宽度差对应电阻关系式，其中，
所述第二预设公式为：
所述第三预设公式为：
方块电阻、传输线长度与宽度差对应电阻关系式为：
其中，W'为第一电极的宽度，W”为第二电极的宽度，di为第i个间距，LT为传输线长度，Rsh为方块电阻；
根据所述直线的斜率和截距，确定所述方块电阻和所述传输线长度。
具体的，将公式(9)和公式(10)带入公式(8)中即可得到公式(11)的宽度差对应电阻和间距的关系式，公式(11)的斜率为
与拟合得到的直线的斜率相等，W'和于W”已知，所以可以得到方块电阻Rsh；进一步由直线的截距与公式(11)中的截距相等，便可以得到传输线长度LT。其中，公式(9)和公式(10)对应公式(7)得到。
步骤S104：根据所述传输线长度和所述方块电阻得到比接触电阻。
具体的，根据所述传输线长度和所述方块电阻得到比接触电阻包括：
根据公式(12)，得到比接触电阻；
其中，ρc为比接触电阻，LT为传输线长度，Rsh为方块电阻。
本申请中的比接触电阻测量方法，通过利用在衬底上设置有两个电极组的电极测试结构进行测试，其中每个电极组中电极数量相等、长度相等，但宽度不等，且两个电极组中对应的电极间距相等，在得到每个电极组中相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻后，通过两个电极组中相邻电极间的电阻得到宽度差电阻，以大大减少处于每个间距以外的电流的影响，进而根据宽度差电阻和对应的间距拟合得到直线，根据直线进一步确定衬底的方块电阻和传输线长度，便可以得到比接触电阻，由于计算宽度差电阻时减少了处于每个间距以外的电流的影响，所以比接触电阻的测量精度提升，另外，在制作电极测试结构时可以不对衬底进行刻蚀，降低测试难度。
下面以图5中的电极测试结构为例进行进一步阐述。
利用四探针法，测量电极测试结构中相邻第一电极间电阻分别为R't1、R't2、R't3、R't4、R't5，相邻第二电极间电阻分别为R”t1、R”t2、R”t3、R”t4、R”t5；
由公式(8)可得：
将Rti(i＝1,2,3,4,5)与对应的di(i＝1,2,3,4,5)绘制在Rt-d坐标系中，并对这五个点进行直线拟合，如图6所示，得到直线的斜率和截距；
根据公式公式(11)，得到方块电阻和传输线长度，并根据公式(12)得到比接触电阻。
下面对本申请中的比接触电阻测试方法测试结果的测试精度进行验证。
采用comsol仿真模拟的方法，分别按照(a)未隔离采用传统LTLM计算比接触电阻，(b)通过刻蚀隔离后采用LTLM计算比接触电阻，(c)本申请测试方法计算比接触电阻，通过a,b,c三个结果进行比较，来比较本申请方法计算比接触电阻的可行性和准确性。
comsol中的模型，两组电极的宽度分别为W”＝200μm，W'＝100μm，电极的间距d为10um-30um，比接触电阻设置为1E-05Ωcm2，半导体衬底厚度设置为2um和4um两种。
表1不同衬底厚度的三种方法计算的比接触电阻及其误差
由表1可以看出，在仿真的计算误差内，通过本申请的方法得到的比接触电阻，可以达到同通过刻蚀半导体衬底隔离后采用LTLM计算的精确度。同时，比未隔离采用传统LTLM计算的比接触电阻准确性有着大幅度的提高。
下面对本申请实施例提供的欧姆接触比接触电阻测量装置进行介绍，下文描述的欧姆接触比接触电阻测量装置与上文描述的欧姆接触比接触电阻测量方法可相互对应参照。
图7为本申请实施例提供的欧姆接触比接触电阻测量装置的结构框图，参照图7欧姆接触比接触电阻测量装置可以包括：
获取模块100，用于获取电极测试结构中与每个间距对应的相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻，所述电极测试结构包括衬底和位于衬底上表面的两个电极组，一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第一电极，另一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第二电极；所述第一电极的宽度小于所述第二电极的宽度，所述第一电极与所述第二电极的数量、长度均相等，每个所述电极组中相邻电极的间距不等，且两个所述电极组中对应的所述间距相等；
第一确定模块200，用于根据所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻，确定与每个所述间距对应的宽度差电阻，所述宽度差电阻为消减位于所述间距以外的电流后的电阻；
拟合和确定模块300，用于拟合所述宽度差电阻和对应的所述间距以得到直线，并根据所述直线确定所述衬底的方块电阻和传输线长度；
第二确定模块400，用于根据所述传输线长度和所述方块电阻得到比接触电阻。
本实施例的欧姆接触比接触电阻测量装置用于实现前述的欧姆接触比接触电阻测量方法，因此欧姆接触比接触电阻测量装置中的具体实施方式可见前文中的欧姆接触比接触电阻测量方法的实施例部分，例如，获取模块100，第一确定模块200，拟合和确定模块300，第二确定模块400，分别用于实现上述欧姆接触比接触电阻测量方法中步骤S101，S102，S103和S104，所以，其具体实施方式可以参照相应的各个部分实施例的描述，在此不再赘述。
可选的，所述第一确定模块200具体用于根据第一预设公式，确定所述宽度差电阻；
其中，所述第一预设公式为：
其中，R'ti为第i个间距对应的相邻第一电极间电阻，R”ti为第i个间距对应的相邻第二电极间电阻，Rti为第i个宽度差电阻。
可选的，所述获取模块100具体用于利用四探针法，获取所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻。
可选的，所述第二确定模块400具体用于：
根据
得到比接触电阻；
其中，ρc为比接触电阻，LT为传输线长度，Rsh为方块电阻。
可选的，所述拟合和确定模块300包括：
获取单元，用于根据所述第一预设公式、第二预设公式、第三预设公式，得到方块电阻、传输线长度与宽度差对应电阻关系式，其中，
所述第二预设公式为：
所述第三预设公式为：
方块电阻、传输线长度与宽度差对应电阻关系式为：
其中，W'为第一电极的宽度，W”为第二电极的宽度，di为第i个间距；
确定单元，用于根据所述直线的斜率和截距，确定所述方块电阻和所述传输线长度。
下面对本申请实施例提供的欧姆接触比接触电阻测量设备进行介绍，下文描述的欧姆接触比接触电阻测量设备与上文描述的欧姆接触比接触电阻测量方法可相互对应参照，并具有相同的有益效果。
本申请所提供的欧姆接触比接触电阻测量设备包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现上述实施例所述欧姆接触比接触电阻测量方法的步骤。
下面对本申请实施例提供的计算机可读存储介质进行介绍，下文描述的计算机可读存储介质与上文描述的欧姆接触比接触电阻测量方法可相互对应参照，并具有相同的有益效果。
本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述实施例所述欧姆接触比接触电阻测量方法的步骤。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
以上对本申请所提供的欧姆接触比接触电阻测量方法、装置、设备和计算机可读存储介质进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种欧姆接触比接触电阻测量方法，其特征在于，包括：
获取电极测试结构中与每个间距对应的相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻，所述电极测试结构包括衬底和位于衬底上表面的两个电极组，一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第一电极，另一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第二电极；所述第一电极的宽度小于所述第二电极的宽度，所述第一电极与所述第二电极的数量、长度均相等，每个所述电极组中相邻电极的间距不等，且两个所述电极组中对应的所述间距相等；
根据所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻，确定与每个所述间距对应的宽度差电阻，所述宽度差电阻为消减位于所述间距以外的电流后的电阻；
拟合所述宽度差电阻和对应的所述间距以得到直线，并根据所述直线确定所述衬底的方块电阻和传输线长度；
根据所述传输线长度和所述方块电阻得到比接触电阻。
2.如权利要求1所述的欧姆接触比接触电阻测量方法，其特征在于，根据所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻，确定与每个所述间距对应的宽度差电阻，所述宽度差电阻为消减位于所述间距以外的电流后的电阻包括：
根据第一预设公式，确定所述宽度差电阻；
其中，所述第一预设公式为：
其中，R'ti为第i个间距对应的相邻第一电极间电阻，R”ti为第i个间距对应的相邻第二电极间电阻，Rti为第i个宽度差电阻。
3.如权利要求1所述的欧姆接触比接触电阻测量方法，其特征在于，获取电极测试结构中与每个间距对应的相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻包括：
利用四探针法，获取所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻。
4.如权利要求1所述的欧姆接触比接触电阻测量方法，其特征在于，根据所述传输线长度和所述方块电阻得到比接触电阻包括：
根据
得到比接触电阻；
其中，ρc为比接触电阻，LT为传输线长度，Rsh为方块电阻。
5.如权利要求2所述的欧姆接触比接触电阻测量方法，其特征在于，根据所述直线确定所述衬底的方块电阻和传输线长度包括：
根据所述第一预设公式、第二预设公式、第三预设公式，得到方块电阻、传输线长度与宽度差对应电阻关系式，其中，
所述第二预设公式为：
所述第三预设公式为：
方块电阻、传输线长度与宽度差对应电阻关系式为：
其中，W'为第一电极的宽度，W”为第二电极的宽度，di为第i个间距，LT为传输线长度，Rsh为方块电阻；
根据所述直线的斜率和截距，确定所述方块电阻和所述传输线长度。
6.一种欧姆接触比接触电阻测量装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取电极测试结构中与每个间距对应的相邻第一电极间电阻、相邻第二电极间电阻，所述电极测试结构包括衬底和位于衬底上表面的两个电极组，一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第一电极，另一个电极组包括多个长度和宽度均相等的第二电极；所述第一电极的宽度小于所述第二电极的宽度，所述第一电极与所述第二电极的数量、长度均相等，每个所述电极组中相邻电极的间距不等，两个所述电极组中对应的所述间距相等；
第一确定模块，用于根据所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻，确定与每个所述间距对应的宽度差电阻，所述宽度差电阻为消减位于所述间距以外的电流后的电阻；
拟合和确定模块，用于拟合所述宽度差电阻和对应的所述间距以得到直线，并根据所述直线确定所述衬底的方块电阻和传输线长度；
第二确定模块，用于根据所述传输线长度和所述方块电阻得到比接触电阻。
7.如权利要求6所述的欧姆接触比接触电阻测量装置，其特征在于，所述第一确定模块具体用于根据第一预设公式，确定所述宽度差电阻；
其中，所述第一预设公式为：
其中，R'ti为第i个间距对应的相邻第一电极间电阻，R”ti为第i个间距对应的相邻第二电极间电阻，Rti为第i个宽度差电阻。
8.如权利要求6所述的欧姆接触比接触电阻测量装置，其特征在于，所述获取模块具体用于利用四探针法，获取所述相邻第一电极间电阻、所述相邻第二电极间电阻。
9.一种欧姆接触比接触电阻测量设备，其特征在于，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至5任一项所述欧姆接触比接触电阻测量方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5任一项所述欧姆接触比接触电阻测量方法的步骤。
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002075909A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | オーミック電極構造体、その製造方法、及びオーミック電極を用いた半導体装置 |
| JP2003318479A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 化合物半導体発光素子のコンタクト抵抗測定方法 |
| CN101083218A (zh) * | 2006-06-01 | 2007-12-05 | 北京工业大学 | 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法 |
| US20140244202A1 (en) * | 2013-02-26 | 2014-08-28 | International Business Machines Corporation | Characterization of interface resistance in a multi-layer conductive structure |
| CA2889645A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Shoei Chemical Inc. | Conductive paste for solar cell element surface electrodes and method for manufacturing solar cell element |
| WO2018042792A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 化合物半導体及びその製造方法ならびに窒化物半導体 |
| CN107895758A (zh) * | 2016-10-04 | 2018-04-10 | 新唐科技股份有限公司 | 薄膜电阻元件及其制造方法 |
| CN108170910A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-06-15 | 大连理工大学 | 一种半导体电极欧姆接触电阻参数提取方法 |
| CN109637944A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-04-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管结构及沟道电阻和接触电阻的测量方法 |
-
2020
- 2020-07-02 CN CN202010628448.3A patent/CN113884765A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002075909A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | オーミック電極構造体、その製造方法、及びオーミック電極を用いた半導体装置 |
| JP2003318479A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 化合物半導体発光素子のコンタクト抵抗測定方法 |
| CN101083218A (zh) * | 2006-06-01 | 2007-12-05 | 北京工业大学 | 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法 |
| US20140244202A1 (en) * | 2013-02-26 | 2014-08-28 | International Business Machines Corporation | Characterization of interface resistance in a multi-layer conductive structure |
| CA2889645A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Shoei Chemical Inc. | Conductive paste for solar cell element surface electrodes and method for manufacturing solar cell element |
| WO2018042792A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 化合物半導体及びその製造方法ならびに窒化物半導体 |
| CN107895758A (zh) * | 2016-10-04 | 2018-04-10 | 新唐科技股份有限公司 | 薄膜电阻元件及其制造方法 |
| CN108170910A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-06-15 | 大连理工大学 | 一种半导体电极欧姆接触电阻参数提取方法 |
| CN109637944A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-04-16 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管结构及沟道电阻和接触电阻的测量方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 许世峰: "光导开关欧姆接触电阻率测量方法研究", 《合肥工业大学学报(自然科学版)》, 31 July 2016 (2016-07-31) * |
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