CN111584386B - 测试结构、测试方法以及半导体结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种测试结构、测试方法以及半导体结构，在半导体衬底的切割沟道设置测试结构，所述测试结构包括相对设置的第一电极层和第二电极层以及位于两电极层之间的绝缘层，第一电极层具有第一测试电极和第二测试电极，第二电极层具有第三测试电极和第四测试电极，绝缘层具有和所述第一电极层接触且和所述第二电极层不接触的测试通孔，所述通孔包括与所述第一测试电极接触的第一通孔以及与所述第二测试电极接触的第二通孔，所述第一测试电极与所述第三测试电极为第一测试电极组，用于测试第一电压，所述第二测试电极与所述第四测试电极为第二测试电极组，用于测试第二电压。通过所述第一电压和所述第二电压能够确定所述测试通孔是否偏移。

Description

测试结构、测试方法以及半导体结构

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体的说，涉及一种测试结构、测试方法以及半导体结构。

背景技术

随着科学技术的不断发展，越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。

电子设备实现通过集成电路实现各种功能，半导体器件是集成电路的核心部件。通过半导体衬底制备半导体器件过程中，需要设置测试结构对半导体器件进行电性参数测试，测试合格后，再进行封装保护。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种测试结构、测试方法以及半导体结构，方案如下：

一种半导体结构的测试结构，所述半导体结构具有半导体衬底，所述半导体衬底包括多个器件区域，所述器件区域之间具有切割沟道，所述器件区域设置有半导体器件，所述测试结构位于所述切割沟道中，所述测试结构包括：

相对设置的第一电极层和第二电极层；所述第一电极层具有第一测试电极和第二测试电极；所述第二电极层具有第三测试电极和第四测试电极；

位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的绝缘层；所述绝缘层中具有测试通孔，所述测试通孔与所述第一电极层接触，与所述第二电极层不接触；

其中，所述第一测试电极与所述第三测试电极为第一测试电极组，用于测试第一电压，所述第二测试电极与所述第四测试电极为第二测试电极组，用于测试第二电压；所述第一电压与所述第二电压用于确定所述测试通孔是否偏移。

优选的，在上述测试结构中，所述测试通孔包括：与所述第一测试电极接触的第一通孔；与所述第二测试电极接触的第二通孔；所述第一测试电极与所述第二测试电极为相同的第一梳齿电极，所述第一梳齿电极具有多条平行设置的第一条形电极；所述第一通孔与所述第一测试电极的第一条形电极接触，所述第二通孔与所述第二测试电极的第一条形电极接触；

所述第三测试电极与所述第四测试电极为相同的第二梳齿电极，所述第二梳齿电极具有多条平行设置的第二条形电极。

优选的，在上述测试结构中，在第一方向上，所述第二条形电极具有第一侧和第二侧；所述第二条形电极垂直于所述第一方向；

所述第一测试电极组中，每个所述第二条形电极对应一个第一通孔组，所述第一通孔组具有多个与所述第一条形电极一一对应的所述第一通孔，所述第一通孔位于所述第二条形电极的第一侧；

所述第二测试电极组中，每个所述第二条形电极对应一个第二通孔组，所述第二通孔组具有多个与所述第一条形电极一一对应的所述第二通孔，所述第二通孔位于所述第二条形电极的第二侧。

优选的，在上述测试结构中，所述第一条形电极平行于第一方向，所述是第二条形电极平行于第二方向，所述第一方向与所述第二方向垂直。

优选的，在上述测试结构中，所述半导体器件具有第一金属部件和第二金属部件；所述第一金属部件与所述第一电极层材料相同，且同层；所述第二金属部件与所述第二电极层材料相同，且同层。

优选的，在上述测试结构中，所述第一电极层位于所述半导体衬底与所述第二电极层之间；

或，所述第二电极层位于所述半导体衬底与所述第一电极层之间。

优选的，在上述测试结构中，所述第一测试电极连接有第一测试端子，所述第二测试电极连接有第二测试端子，所述第三测试电极连接有第三测试端子，所述第四测试电极连接有第四测试端子；

所述第一测试端子与所述第三测试端子用于获取所述第一电压，所述第二测试端子与所述第四测试端子用于获取所述第二电压。

优选的，在上述测试结构中，所述第一测试端子与所述第二测试端子均与所述第一电极层同层，且均与所述第一电极层材料相同；所述第三测试端子与所述第四测试端子均与所述第二电极层同层，且均与所述第二电极层材料相同。

本发明还提供了一种测试方法，所述测试方法包括：

在半导体衬底的一个表面形成半导体器件以及测试结构，所述测试结构如上述任一项所述的测试结构，具有测试通孔、第一测试电极组和第二测试电极组；

将所述半导体衬底放置于测试机台上；

获取所述第一测试电极组的第一电压和所述第二测试电极组的第二电压；

基于所述第一电压和所述第二电压，确定所述测试通孔是否偏移。

优选的，在上述测试方法中，所述第一电压为所述第一测试电极组中两测试电极的金属间介质击穿电压；所述第二电压为所述第二测试电极组中两测试电极的金属间介质击穿电压；

确定所述测试通孔是否偏移方法包括：

计算目标电压，其中，V＝(Vbd1-Vbd2)/2，V为所述目标电压，Vbd1为所述第一电压，Vbd2为所述第二电压；

基于所述目标电压与通孔偏移量的曲线图，确定所述测试通孔的偏移方向以及偏移量，所述偏移量包括偏移方向以及偏移距离。

本发明还提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括如上述任一项所述的测试结构。

通过上述描述可知，本发明技术方案提供的测试结构、测试方法以及半导体结构中，在半导体衬底的切割沟道设置测试结构，所述测试结构包括相对设置的第一电极层和第二电极层以及位于两电极层之间的绝缘层，第一电极层具有第一测试电极和第二测试电极，第二电极层具有第三测试电极和第四测试电极，绝缘层具有和所述第一电极层接触且和所述第二电极层不接触的测试通孔，所述通孔包括与所述第一测试电极接触的第一通孔以及与所述第二测试电极接触的第二通孔，所述第一测试电极与所述第三测试电极为第一测试电极组，用于测试第一电压，所述第二测试电极与所述第四测试电极为第二测试电极组，用于测试第二电压。通过所述第一电压和所述第二电压能够确定所述测试通孔是否偏移。

进一步的，还可以基于所述第一电压和所述第二电压计算目标电压，进而确定所述测试通孔的偏移量，所述偏移量包括所述测试通孔的偏移方向以及偏移距离。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

图1为一种测试结构中电极图案的俯视图；

图2为图1在A-A’方向的切面图；

图3为本发明实施例提供的一种测试结构中电极图案的俯视图；

图4为图3所示电极图案的切面图；

图5为本发明实施例提供的另一种测试结构中电极图案的俯视图；

图6为本发明实施例提供的一种测试方法的流程示意图；

图7为本发明实施例提供的一种确定测试通孔是否偏移的方法的流程图；

图8为一种目标电压与偏移距离的曲线图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如图1和图2所示，图1为一种测试结构中电极图案的俯视图，图2为图1在A-A’方向的切面图，所示测试结构用于半导体结构，设置在半导体衬底10上，测试结构与半导体衬底10之间具有绝缘层14，测试结构包括相对设置的测试电极11和测试电极12，测试电极11和测试电极12之间具有绝缘部层14，二者之间的绝缘层14具有测试通孔13，测试通孔13连接第一测试电极11和第二测试电极12。

图1和图2所示测试结构中，通过测试第一测试电极11和第二测试电极12之间的金属间介质击穿电压Vbd，以确定所述测试通孔13的位置是否有偏移，进而确定位于器件区域的通孔是否有偏移。测试通孔13的位置的偏移只能使得金属间介质击穿电压Vbd增大，表明存在偏移，但是不能确定测试通孔13的偏移方向。

基于此，本发明实施例提供了一种测试结构、测试方法以及半导体结构，可以通过两测试电极组分别获取第一电压和第二电压，以确定所述测试通孔是否偏移，进而确认所述器件区域内与所述测试通孔同程制备的通孔是否有偏移。进一步的，还可以通过所述第一电压和所述第二电压计算目标电压，进而确定所述测试通孔的偏移量，所述偏移量包括所述测试通孔的偏移方向以及偏移距离，进而确认器件区内的通孔的偏移量。

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。

如图3和图4所示，图3为本发明实施例提供的一种测试结构中电极图案的俯视图，图4为图3所示电极图案的切面图，其中，图4中左图为图3在B-B’方向的切面图，图4中右图为图3在C-C’方向的切面图。所述测试结构用于半导体结构，所述半导体结构具有半导体衬底20，所述半导体衬底20包括多个器件区域，所述器件区域之间具有切割沟道，所述器件区域设置有半导体器件。图3和图4中未示出所述器件区域、所述切割沟道以及所述半导体器件。

所述测试结构位于所述切割沟道中，所述测试结构包括：相对设置的第一电极层21和第二电极层22；所述第一电极层21具有第一测试电极211和第二测试电极212；所述第二电极层22具有第三测试电极221和第四测试电极222；位于所述第一电极层21与所述第二电极层22之间的绝缘层24；所述绝缘层24中具有测试通孔23，所述测试通孔23与所述第一电极层21接触，与所述第二电极层22不接触。所述测试通孔23内为金属填充材料。

其中，所述测试通孔23包括：与所述第一测试电极211接触的第一通孔231；与所述第二测试电极212接触的第二通孔232；所述第一测试电极211与所述第三测试电极221为第一测试电极组100，用于测试第一电压Vbd1，所述第二测试电极212与所述第四测试电极222为第二测试电极组200，用于测试第二电压Vbd2；所述第一电压Vbd1与所述第二电压Vbd2用于确定所述测试通孔23是否偏移。

第一测试电极组100的电极结构与第二测试电极组200的电极结构相同。第一通孔231与第一参考位置之间具有第一电压Vbd1，第二通孔232和第二参考位置之间具有第二电压Vbd2，第一参考位置指向第一通孔231的方向与第二参考位置指向第二通孔232的方向相反。这样，如果测试通孔23发生位置偏移，那么所述第一电压Vbd1与所述第二电压Vbd2一者增大，另一者减小，从而可以判断测试通孔23的偏移方向。同时，基于所述第一电压Vbd1与所述第二电压Vbd2的变化，还可以确认偏移距离。其中，第一参考位置为所述第一通孔231距离最近的第三测试电极221边界，所述第二参考位置为所述第二通孔232距离最近的第四测试电极222边界。

本发明实施例中，设置所述第一测试电极211与所述第二测试电极212为相同的第一梳齿电极，即二者为相同形状尺寸的第一梳齿电极，所述第一梳齿电极具有多条平行设置的第一条形电极31；所述第一通孔231与所述第一测试电极211的第一条形电极31接触，所述第二通孔232与所述第二测试电极212的第一条形电极31接触；所述第三测试电极221与所述第四测试电极222为相同的第二梳齿电极，即二者为相同形状尺寸的第二梳齿电极，所述第二梳齿电极具有多条平行设置的第二条形电极32。第一条形电极31余第二条形电极32交叉，优选设置二者垂直。这样，第一测试电极组100直接可以通过测试自身两个梳齿电极的电压，以获取第一电压Vbd1，第二测试电极组200可以通过测试自身两个梳齿电极的电压，以获取第二电压Vbd2，节省测试端子数量。

在第一方向上，所述第二条形电极32具有第一侧和第二侧；所述第二条形电极32垂直于所述第一方向。

所述第一测试电极组100中，每个所述第二条形电极32对应一个第一通孔组，所述第一通孔组具有多个与所述第一条形电极31一一对应的所述第一通孔231，所述第一通孔231位于所述第二条形电极32的第一侧。如图3所示，第一测试电极组100中，具有三个第一条形电极31和三个第二条形电极32，每个第二条形电极32对应三个第一通孔231，该三个第一通孔231位于所对应第二条形电极32的左侧。

所述第二测试电极组200中，每个所述第二条形电极32对应一个第二通孔组，所述第二通孔组具有多个与所述第一条形电极31一一对应的所述第二通孔232，所述第二通孔232位于所述第二条形电极32的第二侧。如图3所示，第二测试电极组200中，具有三个第一条形电极31和三个第二条形电极32，每个第二条形电极32对应三个第二通孔232，该三个第二通孔232位于所对应第二条形电极32的右侧。

这样，不仅可以确定测试通孔23是否具有偏移，还可以确认偏移方向和偏移距离。

本发明实施例中，所述第一条形电极31平行于第一方向，所述是第二条形电极32平行于第二方向，所述第一方向与所述第二方向垂直。不局限于第一方向与第二方向垂直，二者也可以不垂直。

本发明实施例中，所述半导体器件具有第一金属部件和第二金属部件；所述第一金属部件与所述第一电极层材料相同，且同层；所述第二金属部件与所述第二电极层材料相同，且同层。这样，可以复用半导体器件中的两层不同的金属部件层同层制作测试结构中的测试电极，无需单独制作测试电极，制作工艺简单，制作成本低。

在图3和图4所示方式中，所述第二电极层22位于所述半导体衬底20与所述第一电极层21之间。其他方式中，也可以设置所述第一电极层21位于所述半导体衬底20与所述第二电极层22之间。测试结构与半导体衬底20之间具有绝缘层24。

如图5所示，图5为本发明实施例提供的另一种测试结构中电极图案的俯视图，基于上述实施例，图5所示方式中，所述第一测试电极211连接有第一测试端子41，所述第二测试电极212连接有第二测试端子42，所述第三测试电极221连接有第三测试端子43，所述第四测试电极222连接有第四测试端子44；所述第一测试端子41与所述第三测试端子43用于获取所述第一电压Vbd1，所述第二测试端子42与所述第四测试端子44用于获取所述第二电压Vbd2。

在图5所示方式中，所述第一测试端子41与所述第二测试端子42均与所述第一电极层同层21，且均与所述第一电极层21材料相同，即所述第一测试端子41、所述第二测试端子42和第一电极层21由同层金属制备；所述第三测试端子43与所述第四测试端子44均与所述第二电极层同层22，且均与所述第二电极层22材料相同，即所述第三测试端子43、所述第四测试端子44均和所述第二电极层由同层金属制备。

或者，将所述第一测试端子41与所述第二测试端子42所两连接的两测试电极直接通过过孔与半导体衬底连接，复用所述半导体衬底20作为所述第一测试端子41与所述第二测试端子42，无需单独设置所述第一测试端子41与所述第二测试端子42，节省测试端子数量。所述第三测试端子43与所述第四测试端子44均与所述第二电极层同层22，且均与所述第二电极层22材料相同，即所述第三测试端子43、所述第四测试端子44均和所述第二电极层由同层金属制备。

或者，将所述第三测试端子43与所述第四测试端子44所两连接的两测试电极直接通过过孔与半导体衬底连接，复用所述半导体衬底20作为所述第三测试端子43与所述第四测试端子44，无需单独设置所述第三测试端子43与所述第四测试端子44，节省测试端子数量。所述第一测试端子41与所述第二测试端子42均与所述第一电极层同层21，且均与所述第一电极层21材料相同，即所述第一测试端子41、所述第二测试端子42和第一电极层21由同层金属制备。

基于上述实施例，本发明另一实施例还提供了一种测试方法，所述测试方法如图6所示，图6为本发明实施例提供的一种测试方法的流程示意图，该方法包括：

步骤S11：在半导体衬底的一个表面形成半导体器件以及测试结构。

其中，所述测试结构为上述实施例所述的测试结构，具有测试通孔、第一测试电极组和第二测试电极组。

步骤S12：将所述半导体衬底放置于测试机台上。

其中，所述半导体衬底具有半导体器件以及测试结构的表面朝上设置。

步骤S13：获取所述第一测试电极组的第一电压和所述第二测试电极组的第二电压。可以设置测试机台具有金属托盘，直接与半导体衬底电接触，如是复用半导体衬底作为第一电极层中两测试电极或是第二电极层中两测试电极的测试端子，以获取第一电压和第二电压。

步骤S14：基于所述第一电压和所述第二电压，确定所述测试通孔是否偏移。

所述第一电压为所述第一测试电极组中两测试电极的金属间介质击穿电压；所述第二电压为所述第二测试电极组中两测试电极的金属间介质击穿电压。以金属间介质击穿电压作为第一电压和第二电压，便于第一电压和第二电压的准确采集。

此时，确定所述测试通孔是否偏移方法如图7所示，图7为本发明实施例提供的一种确定测试通孔是否偏移的方法的流程图，该方法包括：

步骤S21：计算目标电压。

其中，V＝(Vbd1-Vbd2)/2，V为所述目标电压，Vbd1为所述第一电压，Vbd2为所述第二电压；

步骤S22：基于所述目标电压与通孔偏移量的曲线图，确定所述测试通孔的偏移方向以及偏移量。

其中，所述偏移量包括偏移方向以及偏移距离。

本发明实施例所述测试方法中，如图4所示，假定预定设计参数使得第一电压Vbd1等于第二电压Vbd2，采用上述实施例所述测试结构，故如果测试通孔23发生偏移，在两个测试电极组中，测试通孔23的偏移导致第一电压Vbd1等于第二电压Vbd2的二者的改变量相同，且符号相反。

基于第一电压Vbd1等于第二电压Vbd2大小变化可以确定测试通孔偏移方向，如图4所示，如果第一电压Vbd1增大，第二电压Vbd2减小，表明测试通孔23向左偏移，反之，表明测试通孔23向右偏移。

如图4所示，而目标电压V为一个测试电极组中金属间介质击穿电压的改变量。以第一测试电极组为例，目标电压V与第一测试通孔231与第三测试电极221之间横向距离正比关系，也就是说，所述目标电压V与偏移距离具有正比例关系，距离远大，目标电压V越大，反之目标电压V越小。对于固定绝缘层，正比例系数是可以通过实验测试获得的，故基于目标电压V以及预先建立的曲线图，可以进一步确认偏移距离。

如图8所示，图8为一种目标电压与偏移距离的曲线图，图8所示方式中，每偏移1cm，具有10MV的目标电压该变量，即每偏移1nm改变的电压值为1V。基于该曲线图，可以获取任意第一电压Vbd1和第二电压Vbd2时，对应的偏移距离。

基于上述实施例，本发明另一实施例还提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括上述实施例所述的测试结构。采用上述实施例所述的测试结构，可以准确的确定测试通孔的偏移量，进而确认器件区内通孔的偏移量。而且可以复用半导体衬底作为测试端子，节省测试端子，占用较少的切割沟道区域，可以在切割沟道内设置更多的同种测试功能的测试结构和/或不同种测试功能的测试结构。

本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的测试方法以及半导体结构而言，由于其与实施例公开的测试结构相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见测试结构部分说明即可。

需要说明的是，在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (11)

1.一种半导体结构的测试结构，所述半导体结构具有半导体衬底，所述半导体衬底包括多个器件区域，所述器件区域之间具有切割沟道，所述器件区域设置有半导体器件，其特征在于，所述测试结构位于所述切割沟道中，所述测试结构包括：

相对设置的第一电极层和第二电极层；所述第一电极层具有第一测试电极和第二测试电极；所述第二电极层具有第三测试电极和第四测试电极；

位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的绝缘层；所述绝缘层中具有测试通孔，所述测试通孔与所述第一电极层接触，与所述第二电极层不接触；

其中，所述第一测试电极与所述第三测试电极为第一测试电极组，用于测试第一电压，所述第二测试电极与所述第四测试电极为第二测试电极组，用于测试第二电压；所述第一电压与所述第二电压用于确定所述测试通孔是否偏移。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试通孔包括：与所述第一测试电极接触的第一通孔；与所述第二测试电极接触的第二通孔；所述第一测试电极与所述第二测试电极为相同的第一梳齿电极，所述第一梳齿电极具有多条平行设置的第一条形电极；所述第一通孔与所述第一测试电极的第一条形电极接触，所述第二通孔与所述第二测试电极的第一条形电极接触；

所述第三测试电极与所述第四测试电极为相同的第二梳齿电极，所述第二梳齿电极具有多条平行设置的第二条形电极。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，在第一方向上，所述第二条形电极具有第一侧和第二侧；所述第二条形电极垂直于所述第一方向；

所述第一测试电极组中，每个所述第二条形电极对应一个第一通孔组，所述第一通孔组具有多个与所述第一条形电极一一对应的所述第一通孔，所述第一通孔位于所述第二条形电极的第一侧；

所述第二测试电极组中，每个所述第二条形电极对应一个第二通孔组，所述第二通孔组具有多个与所述第一条形电极一一对应的所述第二通孔，所述第二通孔位于所述第二条形电极的第二侧。

4.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一条形电极平行于第一方向，所述是第二条形电极平行于第二方向，所述第一方向与所述第二方向垂直。

5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述半导体器件具有第一金属部件和第二金属部件；所述第一金属部件与所述第一电极层材料相同，且同层；所述第二金属部件与所述第二电极层材料相同，且同层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的测试结构，其特征在于，所述第一电极层位于所述半导体衬底与所述第二电极层之间；

或，所述第二电极层位于所述半导体衬底与所述第一电极层之间。

7.根据权利要求1-5任一项所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试电极连接有第一测试端子，所述第二测试电极连接有第二测试端子，所述第三测试电极连接有第三测试端子，所述第四测试电极连接有第四测试端子；

所述第一测试端子与所述第三测试端子用于获取所述第一电压，所述第二测试端子与所述第四测试端子用于获取所述第二电压。

8.根据权利要求7所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试端子与所述第二测试端子均与所述第一电极层同层，且均与所述第一电极层材料相同；所述第三测试端子与所述第四测试端子均与所述第二电极层同层，且均与所述第二电极层材料相同。

9.一种测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：

在半导体衬底的一个表面形成半导体器件以及测试结构，所述测试结构如权利要求1-8任一项所述的测试结构，具有测试通孔、第一测试电极组和第二测试电极组；

将所述半导体衬底放置于测试机台上；

获取所述第一测试电极组的第一电压和所述第二测试电极组的第二电压；

基于所述第一电压和所述第二电压，确定所述测试通孔是否偏移。

10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，所述第一电压为所述第一测试电极组中两测试电极的金属间介质击穿电压；所述第二电压为所述第二测试电极组中两测试电极的金属间介质击穿电压；

确定所述测试通孔是否偏移方法包括：

计算目标电压，其中，V＝(Vbd1-Vbd2)/2，V为所述目标电压，Vbd1为所述第一电压，Vbd2为所述第二电压；

基于所述目标电压与通孔偏移量的曲线图，确定所述测试通孔的偏移方向以及偏移量，所述偏移量包括偏移方向以及偏移距离。

11.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括如权利要求1-8任一项所述的测试结构。

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